TWI646397B - 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供有機塗料組合物，特定言之與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的抗反射塗層組合物，其在第一態樣中包括包括下式(I)結構的交聯劑組分：

Description

與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物
本發明係關於組合物，且特定言之，用於微電子應用的抗反射塗層組合物。本發明之組合物包括具有共價連接經取代甘脲部分之樹脂。本發明之較佳組合物與外塗佈光致抗蝕劑組合物一起使用且可稱為底部抗反射組合物或「BARC」。
光致抗蝕劑為用於將影像轉移至基板的感光膜。在基板上形成光致抗蝕劑塗層且隨後經由光掩模使光致抗蝕劑層暴露於活化輻射源。在曝光之後，光致抗蝕劑經顯影，得到允許選擇性處理基板的浮雕影像。
用於曝光光致抗蝕劑的活化輻射的反射通常對光致抗蝕劑層中圖案化的影像的解析度造成限制。來自基板/光致抗蝕劑界面的輻射的反射可產生光致抗蝕劑中之輻射強度的空間變化，導致顯影時的非均一光致抗蝕劑線寬。輻射亦可從基板/光致抗蝕劑界面散射至光致抗蝕劑的不預期曝光的區域中，再次導致線寬變化。
用於減少反射輻射問題的一種方法為使用插入在基板表面與光致抗蝕劑塗層之間的輻射吸收層。參見US 76915556；US 2006057501；US 2011/0033801；JP05613950B2；JP05320624B2；及KR1270508B1。
對於許多高效能光刻應用，利用特定抗反射組合物以提供所需效能特性，如最優吸收特性及塗佈特徵。參見例如上文所提及之專利文獻。儘管如此，電子裝置製造商不斷地尋求抗反射塗層上方圖案化的光致抗蝕劑影像的解析度且轉而需要抗反射組合物的不斷增加的效能。
因此將期望具有與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的新穎抗反射組合物。將尤其期望具有展現增強的效能且可提供圖案化至外塗佈光致抗蝕劑中之影像的增加的解析度之新穎抗反射組合物。
吾人現提供可與外塗佈光致抗蝕劑組合物一起使用的新穎塗料組合物。在較佳態樣中，本發明之塗料組合物可充當外塗佈抗蝕劑層的有效抗反射層。
在較佳實施例中，提供有機塗料組合物，特定言之與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的抗反射組合物，其包括在有機載劑或調配溶劑中展現相對增強的溶解性的交聯劑組分。
更特定言之，在第一態樣中，提供包括樹脂的塗料組合物，所述樹脂包括一或多個在1及/或5甘脲環位置具有非氫取代基之甘脲基團。
如本文中所提及，甘脲部分的1及5環位置為兩個「核心」碳，其各具有一個可用於取代之可用價，如藉由以下結構(A)例示：
較佳地，在此第一態樣中，提供包括樹脂的塗料組合物，所述樹脂包括一或多個下式(I)之甘脲基團：
其中在式(I)中：R1及R2中之至少一者不為氫或化學鍵；各R獨立地選自化學鍵、氫、視情況經取代之烷基、視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基。
在式(I)中，較佳的R1及R2基團包含氫、具有1至20個碳的視情況經取代之烷基；具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷氧基；具有1至20個碳原子的視情況經取代之胺基烷基；視情況經取代之烷基碳環芳基；視情況經取代之烷基雜芳族基。在此態樣中，較佳地，R1及R2均不為氫或化學鍵。較佳的R1及R2基團包含視情況經取代之C1-10烷 基，例如視情況經取代之甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基。
在式(I)中，較佳的R基團包含化學鍵、具有1至20個碳的視情況經取代之烷基及具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷氧基；具有1至20個碳原子的視情況經取代之胺基烷基；視情況經取代之碳環芳基；視情況經取代之烷基碳環芳基；視情況經取代之雜芳族基；視情況經取代之烷基雜芳基。較佳地，至少一個R基團為提供與樹脂鍵聯的化學鍵，即因此甘脲基團共價鍵聯至樹脂。較佳地，僅一個R基團為化學鍵以提供與樹脂的共價鍵聯。較佳的R基團具有至少2、3、4個或更多個碳原子。
在第二態樣中，提供包括樹脂的塗料組合物，所述樹脂包括一或多個包括一或多個經伸長N-取代基之甘脲基團，包含下式(II)之樹脂：
其中在式(II)中：各R獨立地選自化學鍵、氫、具有至少4個碳原子的視情況經取代之烷基、具有至少4個碳原子的視情況經取代之雜烷基、具有至少4個碳原子的視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基。
在式(II)中，至少一個R基團且較佳地僅一個R基團為提供與樹脂鍵聯的化學鍵，即因此甘脲基團共價鍵聯至樹脂。在式(II)中，較佳的視情況經取代之烷基及雜烷基可具有大於4個碳原子，包含5、6、7、8、9、10或更多個碳原子且可包括碳脂環基及雜脂環基。在式(II)中，較佳的視情況經取代之碳環芳基及視情況經取代之雜芳基將經基團環取代，可經一或多個適當地具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷基或雜烷基環取代。
在具有側接共價鍵聯甘脲基團的本發明樹脂中，可在樹脂主鏈與甘脲部分之間採用多個鍵，包含視情況經取代之C1-20伸烷基及視情況經取代之C1-20伸雜烷基，特定言之含有一或多個氧原子及一或多個碳原子的醯鍵。
對於第一及第二態樣，具有一或多個共價鍵聯甘脲基團之樹脂較佳地包括聚酯鍵。更佳地為具有一或多個包括聚合異氰尿酸酯基的共價鍵聯甘脲基團之樹脂。更佳地為具有一或多個包括聚酯鍵及聚合異氰尿酸酯基的共價鍵聯甘脲基團之樹脂。
關於抗反射應用，本發明之底層組合物亦較佳地含有包括發色團的組分，所述發色團可吸收用於暴露外塗佈抗蝕劑層的不合需要的輻射，免於反射回抗蝕劑層中。樹脂或交聯劑可包括此類發色團，或塗料組合物可包括另一包括適合發色團的組分。
在與外塗佈光致抗蝕劑一起使用中，塗料組合物可塗覆於基板上，如上面可具有一或多個有機或無機塗層的半導體晶圓。塗覆的塗層可視情況在用光致抗蝕劑層外塗佈 之前經熱處理。此類熱處理可引起塗料組合物層的硬化，包含交聯。此類交聯可包含一或多種組合物組分之間的硬化及/或共價鍵形成反應且可調節塗料組合物層的水接觸角。
此後，光致抗蝕劑組合物可塗覆於塗料組合物層上方，接著藉由圖案化活化輻射對塗覆的光致抗蝕劑組合物層成像且成像的光致抗蝕劑組合物層經顯影，得到光致抗蝕劑浮雕影像。
多種光致抗蝕劑可與本發明之塗料組合物組合使用(即外塗佈)。與本發明之底層塗料組合物一起使用的較佳光致抗蝕劑為化學放大抗蝕劑，尤其為負型光致抗蝕劑，其含有一或多種光敏化合物及含有在存在光生酸的情況下經歷解塊或裂解反應的單元之樹脂組分。
在較佳態樣中，光致抗蝕劑組合物被設計用於負型抗蝕劑，其中曝光區域在顯影過程之後保留，但正型顯影亦可用於移除光致抗蝕劑層的曝光部分。
本發明進一步提供形成光致抗蝕劑浮雕影像及包括塗佈有單獨或與光致抗蝕劑組合物組合的本發明之塗料組合物的基板(如微電子晶圓基板)之新穎製品的方法。亦提供式(I)及(II)之樹脂。
本發明之其他態樣揭示於下文中。
塗料組合物
如上文所論述，在較佳態樣中，提供有機塗料組 合物，特定言之與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的抗反射組合物，其包括可在有機溶劑載劑中展現相對增強的溶解性之樹脂黏合交聯劑組分。參見例如在之後的實例中闡述的比較結果。
第一態樣
如上文所論述，吾人提供包括樹脂的塗料組合物，所述樹脂包括一或多個在1及/或5甘脲環位置處具有非氫取代基之甘脲基團。較佳之樹脂包括一或多個下式(I)之甘脲基團：
其中在式(I)中，R1、R2及各R如上文所定義。至少一個R基團為與樹脂的共價鍵的一部分。
較佳的式(I)基團包含下式1、2、3、4、5、6、7及8之彼等：
其中在彼等以上式1、2、3、4、5、6、7及8中，R1、R2、R3及R4獨立地選自與關於式(I)中之R所定義相同的基團且因此可適當地為例如直鏈或分支鏈視情況經取代之烷基或雜烷基，包含視情況經取代之碳脂環基或視情況經取代之雜脂環基，或視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳族基。R1、R2、R3及R4可各具有一或多個碳原子，通常1至約20個碳原子。
特定言之，式(I)之較佳基團包含以下各者(應理解，在下文結構中，描繪的R基團中之一者可充當與樹脂在所描繪的R基團的可用位置處的共價鍵，或描繪的R基團中之一者可取代另一鍵聯基團以進而提供與樹脂的共價鍵)：直鏈型(即其中式(I)之一或多個R基團具有直鏈組態)：
分支鏈型(即其中式(I)之一或多個R基團包括分支鏈組態)：
環型(即其中式(I)之一或多個R基團包括視情況經取代之環狀部分，包含視情況經取代之碳脂環基，如視情況經取代之環戊基或視情況經取代之環己基)：
芳族型(即其中式(I)之一或多個R基團包括芳族(碳環芳基或雜芳族)部分)：
含雜原子(即其中式(I)之一或多個R基團包括含雜性部分，如視情況經取代之烷氧基、視情況經取代之烷硫基或視情況經取代之雜脂環)：
第二態樣
如上文所論述，在第二態樣中，提供包括樹脂的塗料組合物，所述樹脂包括一或多個下式(II)之甘脲基團：
其中在式(II)中，各R如上文所定義。較佳地，至少一 個R基團含有總共至少2、3、4、5或6個碳或雜(N、O及/或S)原子。舉例而言，尤其較佳的R基團包含包括視情況經取代之碳脂環族，如視情況經取代之環己基之彼等。較佳地，2或3個R基團將含有總共至少4、5或6個碳或雜(N、O及/或S)原子。在式(II)中，至少一個R基團且較佳地僅一個R基團為提供與樹脂鍵聯的化學鍵，即因此甘脲基團共價鍵聯至樹脂。
特定言之，較佳的式(II)基團包含以下各者(應理解，在下文結構中，描繪的R基團中之一者可充當與樹脂在所描繪的R基團的可用位置處的共價鍵，或描繪的R基團中之一者可取代另一鍵聯基團以進而提供與樹脂的共價鍵)：直鏈型(即其中式(II)之一或多個R基團具有直鏈組態)：
分支鏈型(即其中式(II)之一或多個R基團具有分支鏈組態)：
環型(即其中式(II)之一或多個R基團包括視情況經取代之環狀部分，包含視情況經取代之碳脂環基，如視情況經 取代之環戊基或視情況經取代之環己基)：
芳族型(即其中式(II)之一或多個R基團包括芳族(碳環芳基或雜芳族)部分)：
含雜原子(即其中式(I)之一或多個R基團包括含雜性部分，如視情況經取代之烷氧基、視情況經取代之烷硫基或視情況經取代之雜脂環)：
如本文中所提及，適合的雜烷基包含視情況經取 代之C1-20烷氧基、較佳地具有1至約20個碳原子的視情況經取代之烷硫基；較佳地1至約20個碳原子的視情況經取代之烷基亞磺醯基；較佳地具有1至約20個碳原子的視情況經取代之烷基磺醯基；及較佳地具有1至約20個碳原子的視情況經取代之烷基胺。
如本文中所提及，術語「碳脂環基」意味著非芳族基的各環成員均為碳。碳脂環基可具有一或多個內環碳-碳雙鍵，其限制條件為所述環不為芳族環。術語視情況經取代之「環烷基」意謂非芳族基的各環成員均為碳，且碳環不具有任何內環碳-碳雙鍵。舉例而言，環己基、環戊基及金剛烷基為環烷基以及碳脂環基。碳脂環基及環烷基可包括一個環或多個(例如2、3、4個或更多個)橋聯、稠合或以其他方式共價連接的環。
如本文中所提及，「雜芳基」包含具有1-3個雜原子(若單環)、1-6個雜原子(若雙環)或1-9個雜原子(若三環)之芳族5-8員單環、8-12員雙環或11-14員三環環系統，所述雜原子選自O、N或S(例如碳原子及1-3、1-6或1-9個N、O或S雜原子，分別為若單環、雙環或三環)，其中各環的0、1、2、3或4個原子可經取代基取代。雜芳基的實例包含吡啶基、呋喃基(furyl/furanyl)、咪唑基、苯并咪唑基、嘧啶基、苯硫基或噻吩基、喹啉基、吲哚基、噻唑基及其類似基團。
如本文中所提及，術語「碳脂環基」意味著非芳族基的各環成員均為碳。碳脂環基可具有一或多個內環碳-碳雙鍵，其限制條件為所述環不為芳族環。術語視情況經取代 之「環烷基」意味著非芳族基的各環成員均為碳，且碳環不具有任何內環碳-碳雙鍵。舉例而言，環己基、環戊基及金剛烷基為環烷基以及碳脂環基。
「視情況經取代之」各種材料及取代基(包含以上式(I)及(II)之基團R、R1及R2)可適當地在一或多個可用位置經例如以下各者取代：鹵素(F、Cl、Br、I)；硝基；羥基；胺基；烷基，如C1-8烷基；烯基，如C2-8烯基；烷基胺基，如C1-8烷基胺基；碳環芳基，如苯基、藥基、蒽基等；及其類似者。
多種樹脂可充當底層塗料組合物之樹脂組分。
本發明之塗料組合物的尤其較佳之樹脂可包括聚酯鍵。聚酯樹脂可藉由一或多種多元醇試劑與一或多種含羧基(如羧酸、酯、酸酐等)化合物的反應容易地製備。適合的多元醇試劑包含二醇、甘油及三醇，例如二醇，如二醇為乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、丁二醇、戊二醇、環丁基二醇、環戊基二醇、環己基二醇、二羥甲基環己烷，及三醇，如甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷及其類似物。
用於本發明之抗反射組合物中之較佳聚酯樹脂亦揭示於U.S.8,501,383；U.S.2011/0033801；及U.S.7,163,751中。如彼等專利文獻中所揭示，含有酯重複單元(聚酯)之樹脂可適當地藉由含羧基化合物(如羧酸、酯、酸酐等)與含羥基化合物，較佳地具有多個羥基的化合物，如二醇，例如乙二醇或丙二醇，或甘油，或其他二醇、三醇、四醇及其類似物的聚合提供。在某些態樣中，較佳地，酯官能團以聚合物主鏈的組分或聚合物主鏈內的組分形式，而非以 側接或側鏈單元形式存在。酯部分亦可以側基形式存在，但較佳地，聚合物亦含有沿聚合物主鏈的酯官能團。亦較佳的是酯重複單元包括芳族取代，如視情況經取代之碳環芳基，例如視情況經取代之苯基、萘基或蒽基取代，其呈側鏈形式或更佳地沿聚合物主鏈。
本發明之塗料組合物之樹脂可包括多種額外基團，如氰尿酸酯基，如美國專利6852421及8501383中所揭示。
本發明之塗料組合物的尤其較佳的基質樹脂可包括一或多個氰尿酸酯基及聚酯鍵。
如所論述，對於抗反射應用，適當地，經反應以形成樹脂的化合物中之一或多者包括可充當發色團以吸收用於曝光外塗佈光致抗蝕劑塗層的輻射的部分。舉例而言，鄰苯二甲酸酯化合物(例如鄰苯二甲酸或鄰苯二甲酸二烷酯(即二酯，如各酯具有1-6個碳原子，較佳地鄰苯二甲酸二甲基酯或鄰苯二甲酸二乙酯)可與芳族或非芳族多元醇及視情況存在之其他反應性化合物聚合，得到在用於在低於200nm波長，如193nm下成像的光致抗蝕劑的塗料組合物中尤其適用的聚酯。異氰尿酸酯化合物亦可與一或多種多元醇聚合，得到適用於本發明底層塗料組合物之樹脂。樹脂用於具有在低於300nm波長或低於200nm波長，如248nm或193nm下成像的外塗佈光致抗蝕劑的組合物，萘基化合物可經聚合，如含有一個或兩個或更多個羧基取代基的萘基化合物，例如萘二甲酸二烷酯，尤其為萘二甲酸二-C1-6烷酯。反應性蒽化合物亦為較佳的，例如具有一或多個羧基或酯基，如一或多 個甲酯或乙酯基的蒽化合物。
含有發色團單元的化合物亦可含有一個或較佳地兩個或更多個羥基且與含羧基化合物反應。舉例而言，具有一個、兩個或更多個羥基的苯基化合物或蒽化合物可與含羧基化合物反應。
另外，用於抗反射目的的底層塗料組合物可含有一種含有與提供水接觸角調變之樹脂組分(例如含有光酸不穩定基團及/或鹼反應性基團之樹脂)分離的發色團單元的材料。舉例而言，塗料組合物可包括含有苯基、蒽、萘基等單元的聚合或非聚合化合物。然而，通常較佳的是提供水接觸角調變的一或多種樹脂亦含有發色團部分。
可易於製備包括一或多種如本文中所揭示之甘脲部分之樹脂。舉例而言，甘脲單體或寡聚物可接枝至形成之樹脂(預聚物)上以提供側接甘脲部分。更特定言之，舉例而言，甘脲單體，如1,3,4,6-四(甲氧基甲基)四氫咪唑并[4,5-d]咪唑-2,5(1H,3H)-二酮及/或1,3,4,6-四(甲氧基甲基)-3a-甲基-6a-丙基四氫咪唑并[4,5-d]咪唑-2,5(1H,3H)-二酮可與形成之樹脂在酸性條件及高溫下反應以將甘脲鍵聯至樹脂。關於較佳合成，參見下文實例。或者，甘脲單體可與一或多種其他單體反應以提供在樹脂鏈中具有甘脲重複單元的共聚物。此類甘脲單體可具有側接乙烯基以與其他單體聚合。
較佳地，本發明之底層塗料組合物之樹脂將具有約1,000至約10,000,000道爾頓，更通常約2,000至約100,000道爾頓的重量平均分子量(Mw)及約500至約1,000,000道爾頓的數目平均分子量(Mn)。本發明組合物之樹脂的分子量 (Mw或Mn)藉由凝膠滲透色譜法適當地測定。
樹脂組分將為許多較佳實施例中之底層塗料組合物的主要固體組分。舉例而言，一或多種樹脂適當地可按塗料組合物的總固體含量計的50至99.9重量%，更通常按塗料組合物的總固體含量計的80至95重量%存在。如本文中所提及，塗料組合物的固體是指除了溶劑載劑以外的塗料組合物的所有材料。
在某些實施例中，除如本文中所揭示之樹脂黏合甘脲交聯劑以外，本發明之塗料組合物可包括交聯劑。舉例而言，塗料組合物可包含基於胺的交聯劑，如三聚氰胺材料，包含三聚氰胺樹脂，如由Cytec Industries製造且以Cymel 300、301、303、350、370、380、1116及1130的商品名銷售；甘脲，包含購自Cytec Industries之彼等甘脲；及基於苯并三聚氰胺及脲的材料，包含樹脂，如以名稱Cymel 1123及1125購自Cytec Industries的苯并三聚氰胺樹脂及以Powderlink 1174及1196的名稱購自Cytec Industries的脲樹脂。除可商購以外，此類基於胺之樹脂可例如藉由丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺共聚物與甲醛於含醇溶液中之反應，或者藉由N-烷氧基甲基丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺與其他適合單體的共聚製備。
本發明之塗料組合物之樹脂黏合甘脲交聯劑組分一般以塗料組合物的總固體(除了溶劑載劑的所有組分)之約5與100重量%之間的量存在。因此，當一或多種樹脂鍵聯甘脲為唯一組合物組分時，樹脂將以總固體的100重量%的量存在。在一或多種樹脂鍵聯甘脲與其他材料，如獨立發色團化合物、不含如本文中所揭示之甘脲的其他樹脂及其類 似物摻合的組合物中，一或多種樹脂鍵聯甘脲將以小於100重量%總固體的量存在，但將以總固體的至少5重量%且更佳地至少10、15、20、30、40、50或60重量%的量存在。
較佳的本發明之塗料組合物亦可含有熱酸產生劑化合物。藉由熱酸產生劑的活化的塗料組合物的熱誘導交聯一般為較佳的。
用於塗料組合物的適合的熱酸產生劑化合物包含離子或大體上中性的熱酸產生劑，例如芳烴磺酸銨鹽(例如甲苯磺酸銨鹽)，用於在抗反射組合物塗層的固化期間催化或促進交聯。通常，一或多種熱酸產生劑以組合物的總乾燥組分(除了溶劑載劑的所有組分)之約0.1至10重量百分比，更佳地總乾燥組分的約0.5至2重量百分比的濃度存在於塗料組合物中。
本發明之塗料組合物(尤其用於反射控制應用)亦可含有吸收用於曝光外塗佈光致抗蝕劑層的輻射的額外染料化合物。其他視情況存在之添加劑包含表面調平劑，例如可以商品名Silwet 7604獲得的調平劑，或購自3M Company的界面活性劑FC 171或FC 431。
本發明之底層塗料組合物亦可含有其他材料，如光酸產生劑，包含與外塗佈光致抗蝕劑組合物一起使用的如所論述的光酸產生劑。關於光酸產生劑在抗反射組合物中之此類用途的論述，參見美國專利6261743。
為了製造本發明之液體塗料組合物，塗料組合物的組分溶解於適合溶劑中，如一或多種氧基異丁酸酯，尤其為2-羥基異丁酸甲酯、乳酸乙酯或如2-甲氧基乙醚(二乙二 醇二甲醚)、乙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚的二醇醚中之一或多者；具有醚及羥基部分兩者的溶劑，如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇；2-羥基異丁酸甲酯；酯，如溶纖劑乙酸甲酯、溶纖劑乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯及其他溶劑，如二元酯，碳酸伸丙酯及γ-丁內酯。溶劑中之乾式組分的濃度將取決於若干因素，如塗覆方法。一般而言，底層塗料組合物的固體含量在塗料組合物的總重量的約0.5至20重量%範圍內變化，較佳地，固體含量在塗料組合物的約0.5至10重量範圍內變化。
例示性光致抗蝕劑系統
與底層塗料組合物一起使用的光致抗蝕劑通常包括聚合物及一或多種酸產生劑。一般較佳的是正型抗蝕劑及抗蝕劑聚合物具有賦予抗蝕劑組合物鹼性水溶性的官能團。舉例而言，較佳的是包括極性官能團(如羥基或羧酸酯基)或在光刻處理後可釋放此類極性部分的酸不穩定基團的聚合物。較佳地，聚合物以足以使得抗蝕劑可用鹼性水溶液顯影的量用於抗蝕劑組合物中。
酸產生劑亦適當地與包括含有芳族基(如包含酚的視情況經取代之苯基、視情況經取代之萘基及視情況經取代之蒽)之重複單元的聚合物一起使用。含有視情況經取代之苯基(包含酚)之聚合物尤其適合於許多抗蝕劑系統，包含用EUV及電子束輻射成像之彼等抗蝕劑系統。對於正性作用抗蝕劑，聚合物較佳地亦含有一或多個包括酸不穩定基團的重複單元。舉例而言，在含有視情況經取代之苯基或其他芳族基的聚合物的情況下，聚合物可包括含有一或多個酸不 穩定部分的重複單元，如藉由使丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯化合物的單體與酸不穩定酯(例如丙烯酸第三丁酯或甲基丙烯酸第三丁酯)聚合而形成的聚合物。此類單體可與一或多種包括芳族基(如，視情況存在之苯基)之其他單體(例如苯乙烯或乙烯基苯酚單體)共聚。
用於形成此類聚合物的較佳單體包含：具有下式(V)之酸不穩定單體、下式(VI)之含內酯單體、用於調節鹼性顯影劑中之溶解速率的下式(VII)之鹼可溶單體及下式(VIII)之生酸單體，或包括前述單體中之至少一者的組合：
其中各Ra獨立地為H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基。在式(V)之酸可脫保護單體中，Rb獨立地為C1-20烷基、C3-20環烷基、C6-20芳基或C7-20芳烷基，且各Rb為獨立的或至少一個Rb鍵結至相鄰Rb以形成環狀結構。在式(VI)之含內酯單體中，L為單環、多環或稠合多環C4-20含內酯基團。在式(VII)之鹼可溶性單體中，W為鹵代或非鹵代、芳族或非芳族C2-50含羥基有機基團，其pKa小於或等於12。在式(VIII)之酸產生單體中，Q為含酯或非酯的且為氟化或非氟化的，且為C1-20烷基、C3-20環烷基、C6-20芳基或C7-20芳烷基；A為含酯或非含酯的且為氟化或非氟化的，且為C1-20烷基、C3-20 環烷基、C6-20芳基或C7-20芳烷基基團；Z-為陰離子部分，包括羧酸根、磺酸根、磺醯胺陰離子或磺醯亞胺陰離子；且G+為硫鎓或碘鎓陽離子。
例示性酸可脫保護單體包含(但不限於)： 或包括至少一種前述單體的組合，其中Ra為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基。
適合的內酯單體可為下式(IX)之單體：
其中Ra為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基，R為C1-10烷基、環烷基或雜環烷基，且w為0至5之整數。在式(IX)中，R直接連接至內酯環上或通常連接至內酯環及/或一或多個R基團上，且酯部分直接連接或經由R間接連接至內酯環上。
例示性含內酯單體包含： 或包括至少一種前述單體的組合，其中Ra為H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基。
適合的鹼可溶性單體可為下式(X)之單體：
其中各Ra獨立地為H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基，A為含羥基或非含羥基、含酯或非含酯、氟化或非氟化的C1-20伸烷基、C3-20伸環烷基、C6-20伸芳基或C7-20伸芳烷基，且x為0至4之整數，其中當x為0時，A為含羥基的C6-20伸芳 基。
例示性鹼可溶單體包含具有以下結構之彼等單體： 或包括至少一種前述單體的組合，其中Ra為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基。
較佳的酸產生單體包含式(XI)或(XII)之彼等單體：
其中各Ra獨立地為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基，A為經氟取代之C1-30伸烷基、經氟取代之C3-30伸環烷基、經氟取代之C6-30伸芳基或經氟取代之C7-30伸烷基伸芳基，且G+為硫鎓或錪陽離子。
較佳地，在式(XI)及式(XII)中，A為-[(C(R1)2)xC(=O)O]b-C((R2)2)y(CF2)z-基團或鄰位、間位或對位取代的-C6F4-基團，其中各R1及R2各自獨立地為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基，b為0或1，x為1至10之整數，y及z獨立地為0至10之整數，且y+z之總和為至少1。
例示性較佳的酸產生單體包含： 或包括至少一種前述單體的組合，其中各Ra獨立地為H、F、-CN、C1-6烷基或C1-6氟烷基，k適合地為0至5之整數；且G+為鋶或碘陽離子。如在本文各種式中所提及的G+可為如 本文中所揭示之酸產生劑且包括氧代-二氧雜環戊烷部分及/或側氧-二噁烷部分。
較佳的酸產生單體可包含鋶或錪陽離子。較佳地，在式(IV)中，G+具有式(XIII)：
其中X為S或I；各R0為鹵代或非鹵代的且獨立地為C1-30烷基、多環或單環C3-30環烷基、多環或單環C4-30芳基或包括至少一種前述基團的組合，其中當X為S時，R0基團中之一者視情況藉由單鍵連接至一個相鄰R0基團，且a為2或3，其中當X為I時，a為2，或當X為S時，a為3。
例示性酸產生單體包含具有下式之彼等單體：
特別適用於本發明正性作用化學放大光致抗蝕劑中之具有酸不穩定解塊基團的聚合物已揭示於歐洲專利申請案0829766A2(具有縮醛的聚合物及縮酮聚合物)及歐洲 專利申請案EP0783136A2(包含1)苯乙烯；2)羥基苯乙烯；及3)酸不穩定基團(特定言之丙烯酸烷酯酸不穩定基團)單元的三元共聚物及其他共聚物中。
用於在低於200nm，如193nm下成像的光致抗蝕劑的其他較佳樹脂包括以下通式(I)、(II)及(III)之單元：用於在低於200nm，如193nm下成像的光致抗蝕劑的較佳樹脂包括以下通式(I)、(II)及(III)之單元：
其中：R1為(C1-C3)烷基；R2為(C1-C3)伸烷基；L1為內酯基；且n為1或2。
用於本發明光致抗蝕劑中之聚合物的分子量及多分散性可適當地大幅變化。適合的聚合物包含Mw為約1,000至約50,000、更通常約2,000至約30,000且分子量分佈為約3或更小、更通常分子量分佈為約2或更小之彼等聚合物。
較佳的本發明負性作用組合物包括在暴露於酸後將固化、交聯或硬化的材料及兩種或更多種如本文中所揭示之酸產生劑的混合物。較佳的負性作用組合物包括聚合物黏合劑(如酚系或非芳族聚合物)、交聯劑組分及本發明之光敏組分。此類組合物及其用途已揭示於Thackeray等人的歐洲專利申請案0164248及美國專利第5,128,232號中。用作聚合 物黏合劑組分的較佳酚系聚合物包含酚醛清漆及聚(乙烯基苯酚)，如上文所論述之彼等組分。較佳交聯劑包含基於胺的材料(包含三聚氰胺)、甘脲、基於苯并胍胺的材料以及基於脲的材料。三聚氰胺-甲醛聚合物通常尤其合適。此類交聯劑為可商購的，例如三聚氰胺聚合物、甘脲聚合物、基於脲的聚合物及苯并胍胺聚合物，如由Cytec以商品名稱Cymel 301、303、1170、1171、1172、1123及1125以及Beetle 60、65及80銷售之彼等交聯劑。
尤其較佳的本發明光致抗蝕劑可用於浸沒式光刻應用中。關於較佳浸沒式光刻光致抗蝕劑及方法的論述，參見例如Rohm and Haas Electronic Materials的U.S.7968268。
本發明之光致抗蝕劑亦可包括單一酸產生劑或相異酸產生劑的混合物，通常2或3種不同酸產生劑的混合物，更通常由總共2種相異酸產生劑組成的混合物。光致抗蝕劑組合物包括以在暴露於活化輻射後足以在組合物的塗層中產生潛像的量採用的酸產生劑。舉例而言，酸產生劑將適當地以按光致抗蝕劑組合物的總固體計1至20重量%的量存在。
適合的酸產生劑為化學放大光致抗蝕劑領域中已知的且包含例如：鎓鹽，例如三氟甲烷磺酸三苯基鋶、三氟甲烷磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲烷磺酸三(對第三丁氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶；硝基苯甲基衍生物，例如2-硝基苯甲基-對甲苯磺酸鹽、2,6-二硝基苯甲基-對甲苯磺酸鹽以及2,4-二硝基苯甲基-對甲苯磺酸鹽；磺酸 酯，例如1,2,3-三(甲烷磺醯基氧基)苯、1,2,3-三(三氟甲烷磺醯基氧基)苯以及1,2,3-三(對甲苯磺醯基氧基)苯；重氮甲烷衍生物，例如雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷；乙二肟衍生物，例如雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟及雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟；N-羥基醯亞胺化合物的磺酸酯衍生物，例如N-羥基丁二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基丁二醯亞胺三氟甲磺酸酯；以及含鹵素的三嗪化合物，例如2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪以及2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪。
如本文中所提及，酸產生劑可在暴露於活化輻射，如EUV輻射、電子束輻射、193nm波長輻射或其他輻射源後產生酸。如本文中所提及的酸產生劑化合物亦可稱為光酸產生劑化合物。
本發明之光致抗蝕劑亦可含有其他材料。舉例而言，其他視情況存在之添加劑包含光化及造影染料、抗條紋劑、塑化劑、速度增強劑及敏化劑。此類視情況存在之添加劑通常將以較小濃度存在於光致抗蝕劑組合物中。
替代性地或另外，其他添加劑可包含淬滅劑，其為非光可破壞鹼，如基於氫氧化物、羧酸鹽、胺、亞胺及醯胺之彼等鹼。較佳地，此類淬滅劑包含C1-30有機胺、亞胺或醯胺，或可為強鹼(例如氫氧化物或醇鹽)或弱鹼(例如羧酸鹽)之C1-30四級銨鹽。例示性淬滅劑包含胺，如三丙胺、十二烷胺、三(2-羥丙基)胺、四(2-羥丙基)乙二胺；芳基胺，如二苯胺、三苯胺、胺基苯酚及2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥基苯基)丙烷，受阻胺，如二氮雜雙環十一烯(DBU)或二氮雜二 環壬烯(DBN)，或離子淬滅劑，包含四級烷基銨鹽，如氫氧化四丁銨(TBAH)或乳酸四丁銨。
界面活性劑包含氟化及非氟化的界面活性劑，且較佳地為非離子的。例示性氟化非離子界面活性劑包含全氟C4界面活性劑，如可自3M Corporation購得的FC-4430及FC-4432界面活性劑；及氟二醇，如來自Omnova的POLYFOX PF-636、PF-6320、PF-656及PF-6520氟界面活性劑。
光致抗蝕劑進一步包含一般適合於溶解、分配及塗佈光致抗蝕劑中所用組分的溶劑。例示性溶劑包含苯甲醚；醇，包含乳酸乙酯、1-甲氧基-2-丙醇及1-乙氧基-2丙醇；酯，包含乙酸正丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯；酮，包含環己酮及2-庚酮；以及包括至少一種前述溶劑之組合。
光刻加工
在使用中，本發明之塗料組合物藉由如旋塗的多種方法中之任一種以塗層形式塗覆至基板。塗料組合物一般以約0.02與0.5μm之間的乾燥層厚度，較佳地約0.04與0.20μm之間的乾燥層厚度塗覆於基板上。基板適當地為任何用於涉及光致抗蝕劑的方法中之基板。舉例而言，基板可為矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓。亦可採用砷化鎵、碳化矽、陶瓷、石英或銅基板。亦適當地採用用於液晶顯示器或其他平板顯示器應用的基板，例如玻璃基板、氧化銦錫塗佈基板及其類似物。亦可採用用於光學及光電裝置(例如波導)之基板。
較佳地，塗覆的塗層在光致抗蝕劑組合物塗覆於 底層塗料組合物上方之前固化。固化條件將隨著底層塗料組合物的組分而變化。特定言之，固化溫度將取決於塗料組合物中採用的特定酸或酸(熱)產生劑。典型固化條件為約80℃至225℃下持續約0.5至5分鐘。固化條件較佳地使得塗料組合物塗層大體上不溶於使用的光致抗蝕劑溶劑以及顯影劑溶液。
在此類固化之後，光致抗蝕劑塗覆於塗覆的塗料組合物的表面上。如同底部塗料組合物層的塗覆，外塗佈光致抗蝕劑可藉由任何標準方法，如藉由旋塗、浸塗、彎月面塗佈或滾塗來塗覆。在塗佈後，光致抗蝕劑塗層通常藉由加熱乾燥以移除溶劑，較佳地直至抗蝕劑層無黏性。最優地，應基本上不出現底部組合物層與外塗佈光致抗蝕劑層的互混。
抗蝕劑層接著用活化輻射，如以常規方式穿過遮罩的248nm、193nm或EUV輻射成像。曝光能量足以有效地活化抗蝕劑系統的光敏組分以在抗蝕劑塗層中產生圖案化影像。通常，曝光能量的範圍介於約3至300mJ/cm2且部分取決於採用的曝光工具及特定抗蝕劑及抗蝕劑處理。曝光的抗蝕劑層可在必要時經受曝光後烘烤以在塗層的曝光於未曝光區域之間產生或增強溶解性差異。舉例而言，負型酸硬化光致抗蝕劑通常需要曝光後加熱以誘導酸促進的交聯反應，且許多化學放大正性作用抗蝕劑需要曝光後加熱以誘導酸促進的脫除保護基反應。通常，曝光後烘烤條件包含約50℃或更高的溫度，更特定言之約50℃至約160℃範圍內的溫度。
光致抗蝕劑層亦可曝光於浸沒式光刻系統中，即 其中曝光工具(尤其投影透鏡)與光致抗蝕劑塗佈基板之間的空間藉由浸沒流體，如水或與一或多種添加劑(如可提供增強的折射率的流體的硫酸銫)混合的水佔據。較佳地，浸沒流體(例如水)已經處理以避免氣泡，例如水可經脫氣以避免奈米氣泡。
本文中提及「浸沒曝光」或其他類似術語指示曝光在此類流體層(例如水或具有添加劑的水)插入在曝光工具與經塗佈的光致抗蝕劑組合物層之間的情況下進行。
曝光的光致抗蝕劑層接著用能夠選擇性地移除膜的一部分以形成光致抗蝕劑圖案的適合顯影劑處理。在負型顯影方法中，光致抗蝕劑層的未曝光區域可藉由用適合非極性溶劑處理選擇性地移除。關於負型顯影的適合程序，參見U.S.2011/0294069。用於負型顯影的典型非極性溶劑為有機顯影劑，如選自酮、酯、烴及其混合物的溶劑，例如丙酮、2-己酮、2-庚酮、乙酸甲酯、乙酸丁酯及四氫呋喃。用於NTD方法中之光致抗蝕劑材料較佳地形成可與有機溶劑顯影劑形成負像或與如四烷基氫氧化銨溶液的水性鹼顯影劑形成正像的光致抗蝕劑層。較佳地，NTD光致抗蝕劑為基於具有酸敏(可脫保護)基團的聚合物，所述基團在脫除保護基時形成羧酸基及/或羥基。
或者，曝光的光致抗蝕劑層的顯影可藉由用能夠選擇性地移除膜的曝光部分(其中光致抗蝕劑為正型)或移除膜的未曝光部分(其中光致抗蝕劑在曝光區域中可交聯，即為負型)之適合顯影劑處理曝光層來實現。較佳地，光致抗蝕劑為正型的，其基於具有在脫除保護基時形成羧酸基的 酸敏(可脫保護)基團的聚合物，且顯影劑較佳地為金屬離子自由四烷基氫氧化銨溶液，如0.26N四甲基氫氧化銨水溶液。圖案藉由顯影形成。
顯影的基板可接著根據此項技術中熟知之程序在缺乏光致抗蝕劑之彼等基板區域，例如缺乏光致抗蝕劑的化學蝕刻或鍍敷區域上選擇性地處理。適合的蝕刻劑包含氫氟酸蝕刻溶液及電漿氣體蝕刻劑，如氧電漿蝕刻劑。電漿蝕刻移除底層塗層。
以下非限制性實例說明本發明。
實例1：預聚物合成
含THEIC(異氰尿酸三(2-羥乙基)酯)1(30.43g，116.5mmol)、TCEIC 2(異氰尿酸三(2-羧乙基)酯)(20.11g，58.2mmol)、正丁醇(20.11g，271.5mmol)、p-TSA(對甲苯磺酸)(0.53g，2.8mmol)之34g苯甲醚經溶解。反應溶液接著在150℃下加熱3h。在3小時之後，溫度降低至120℃。接著，溶液藉由添加78g HBM(2-羥基異丁酸甲酯)稀釋。80g HBM及0.28g TEA(三乙胺)之混合物接著倒入含有共聚物3的溶液(大致200g)中。
實例2：交聯劑黏合聚合物合成I
將在上文實例1中產生的預聚物溶液(含有樹脂1)(100g)加熱至50℃。X-連接子2(1,3,4,6-四(甲氧基甲基)四氫咪唑并[4,5-d]咪唑-2,5(1H,3H)-二酮)(5.5g，17.3mmol)、pTSA(0.17g，0.8mmol)添加至溶液中。接著，溶液在50℃下加熱3h。在3小時之後，溫度降低至20℃。接著，0.17g TEA添加至溶液中。
聚合物溶液滴加至異丙醇(870g)及庚烷(580g)之溶劑摻合物中，且攪拌所得混合物0.5h。固體經過濾且在減壓下在40℃下乾燥1天。
乾燥聚合物3具有以下特徵：重量平均分子量(Mw)：7500；多分散性(PD)：2.5)；按樹脂總重量計之甘脲單元重量%：14.1%。
實例3：交聯劑黏合聚合物合成II(式(I))
將在上文實例1中產生的預聚物溶液(含有樹脂1)(100g)加熱至50℃。X-連接子2(1,3,4,6-四(甲氧基甲 基)-3a-甲基-6a-丙基四氫咪唑并[4,5-d]咪唑-2,5(1H,3H)-二酮)(6.5g，17.3mmol)及pTSA(0.17g，0.8mmol)添加至溶液中。反應溶液接著在50℃下加熱3h。在3h之後，溫度降低至20℃且0.17g TEA添加至溶液中。
聚合物溶液滴加至異丙醇(870g)及庚烷(580g)之溶劑摻合物中。接著攪拌混合物0.5小時。固體經過濾且在減壓下在40℃下乾燥1天。
乾燥聚合物具有以下特徵：重量平均分子量(Mw)：7950；多分散性(PD)：2.3)；按樹脂總重量計之甘脲單元重量%：12.9%。
實例4：交聯劑黏合聚合物合成III(式(II))
上文實例1中產生的預聚物溶液(50g)加熱至50℃。X-連接子2(1,3,4,6-四((環己氧基)甲基)四氫咪唑并[4,5-d]咪唑-2,5(1H,3H)-二酮)(5.1g，17.3mmol)及pTSA(0.11g，1.04mmol)添加至溶液中。反應溶液在50℃下加熱3h。在3h之後，溫度降低至20℃且添加0.11g TEA至溶液中，得到具有共價結合甘脲的上文描繪之樹脂3。
實例5：比較溶解性測試
上文實例2及3之甘脲聚合物中之每一者分別添加至PGMEA：HBM=85：15(v/v)之調配溶劑摻合物中。攪拌 (振盪)兩種聚合物/溶劑摻合混合物1天。在1天之後，使用針筒過濾器過濾未溶解的固體。在此類過濾之後，藉由TGA量測溶劑摻合混合物的固體百分比，結果如下：
1)與實例2之甘脲樹脂的溶劑摻合物：固體重量百分比18.2%
2)與實例3之甘脲樹脂的溶劑摻合物：固體重量百分比29.5%
實例6：額外比較溶解性測試
實例2及3之甘脲聚合物中之每一者分別在以下溶劑摻合物中調配：PGMEA：HBM=7：3(v/v)；7.5：2.5(v/v)；8：2(v/v)；8.5：1.5(v/v)；9：1(v/v)。以按甘脲聚合物/溶劑調配物的總重量計5重量%之甘脲聚合物製備甘脲聚合物/溶劑調配物中之每一者。在混合溶劑及聚合物之後攪拌調配物一小時。在攪拌之後，關於未溶解(不溶)聚合物對調配物中之每一者進行視覺(肉眼)檢查。
結果.對於含有實例2之甘脲聚合物的調配物，不溶聚合物以PGMEA：HBM=8：.2(v/v)及更高的濃度可見。對於含有實例3之甘脲聚合物的調配物，不溶聚合物僅以PGMEA：HBM=9：1(v/v)之濃度可見。
實例7：製備抗反射塗層組合物
0.53g實例2之甘脲黏合樹脂、0.006g p-TSA苄基銨鹽、0.001g來自OMNOVA solutions Inc.的氟化物界面活性劑Polyfox 656及19.2g 2-羥基異丁酸甲酯(HBM)經混合，獲得按組合物的總重量3.8重量%的溶液。溶液經由具有0.45微米孔徑的PTFE微過濾器過濾，獲得BARC組合物。
實例8. 光刻
實例6的BARC組合物使用TEL Mark 8晶圓塗佈軌道機以1500rpm旋塗於150mm矽晶圓上，且接著在205℃下烘烤60秒。烘烤之後的BARC塗層厚度適當地為約1000Å。陶氏(Dow)UVTM1610 DUV光致抗蝕劑旋塗於BARC塗層的頂部上且在100℃下烘烤60秒。隨後使用248nm KrF晶圓步進機在0.65NA下經由目標掩模對光致抗蝕劑層進行曝光。隨後在120℃下對光致抗蝕劑層進行60秒的曝光後烘烤，且接著使用陶氏MFTM CD-26 TMAH顯影劑以標準60秒單攪煉製程進行顯影。
實例9：製備抗反射塗層組合物
0.53g實例4之甘脲黏合樹脂、0.006g p-TSA苄基銨鹽、0.001g來自OMNOVA solutions Inc.的氟化物界面活性劑Polyfox 656及19.2g 2-羥基異丁酸甲酯(HBM)經混合，獲得按組合物的總重量計3.8重量%的溶液。溶液經由具有0.45微米孔徑的PTFE微過濾器過濾，獲得BARC組合物。抗反射組合物用如上文實例8中所述的光致抗蝕劑進行光刻處理及成像。

Claims (8)

  1. 一種形成光致抗蝕劑浮雕影像的方法，其包括：a)在基板上塗覆包括以下的塗料組合物層：包括一或多個在1及/或5甘脲環位置具有非氫取代基之甘脲基團之樹脂；及b)在所述塗料組合物層上塗覆光致抗蝕劑組合物層，其中所述樹脂包括一或多個式(I)之甘脲基團： 其中在式(I)中：R1及R2中之至少一者係為具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷氧基、具有1至20個碳原子的視情況經取代之胺基烷基、視情況經取代之烷基碳環芳基或視情況經取代之烷基雜芳族基；各R獨立地選自化學鍵、氫、視情況經取代之烷基、視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯。
  2. 一種形成光致抗蝕劑浮雕影像的方法，其包括：a)在基板上塗覆包括以下的塗料組合物層： 包括一或多種下式(II)之甘脲之樹脂： 其中在式(II)中：各R獨立地選自化學鍵、氫、具有至少4個碳原子的視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯；及b)在所述塗料組合物層上塗覆光致抗蝕劑組合物層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中所述樹脂包括1)聚酯鍵及/或2)聚合異氰尿酸酯基。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中所述光致抗蝕劑組合物用活化輻射成像且所述成像的光致抗蝕劑組合物層經顯影，得到光致抗蝕劑浮雕影像。
  5. 一種經塗佈基板，其包括：基板，其上具有：a)塗料組合物，其包括：包括一或多個在1及/或5甘脲環位置具有非氫取代基之甘脲基團之樹脂，其中所述樹脂包括一或多個式(I)之甘脲基團： 其中在式(I)中：R1及R2中之至少一者係為具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷氧基、具有1至20個碳原子的視情況經取代之胺基烷基、視情況經取代之烷基碳環芳基或視情況經取代之烷基雜芳族基；各R獨立地選自化學鍵、氫、視情況經取代之烷基、視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯；及b)所述塗料組合物層上的光致抗蝕劑組合物層。
  6. 一種經塗佈基板，其包括：基板，其上具有：a)塗料組合物，其包括：包括一或多種下式(II)之甘脲之樹脂： 其中在式(II)中：各R獨立地選自化學鍵、氫、具有至少4個碳原子的視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯；及b)所述塗料組合物層上的光致抗蝕劑組合物層。
  7. 一種樹脂，其包括一或多個在1及/或5甘脲環位置具有非氫取代基之甘脲基團，其中所述樹脂包括一或多個式(I)之甘脲基團： 其中在式(I)中：R1及R2中之至少一者係為具有1至20個碳原子的視情況經取代之烷氧基、具有1至20個碳原子的視情 況經取代之胺基烷基、視情況經取代之烷基碳環芳基或視情況經取代之烷基雜芳族基；各R獨立地選自化學鍵、氫、視情況經取代之烷基、視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯。
  8. 一種樹脂，其包括一或多種下式(II)之甘脲： 其中在式(II)中：各R獨立地選自化學鍵、氫、具有至少4個碳原子的視情況經取代之雜烷基、視情況經取代之碳環芳基或視情況經取代之雜芳基，其中至少一個R基團係為所述化學鍵以提供與所述樹脂的共價鍵聯。
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