JPS5968737A - ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 - Google Patents
ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法Info
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- JPS5968737A JPS5968737A JP57179325A JP17932582A JPS5968737A JP S5968737 A JPS5968737 A JP S5968737A JP 57179325 A JP57179325 A JP 57179325A JP 17932582 A JP17932582 A JP 17932582A JP S5968737 A JPS5968737 A JP S5968737A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- positive
- irradiation
- negative
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/08—Photoprinting; Processes and means for preventing photoprinting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はパターン形成方法に関し、さらに詳しくいえば
、紫外線照射量の多寡によってネガ型及びポジ型双方の
レジストパターンを形成しうるレジストによるパターン
形成方法に関するものである。
、紫外線照射量の多寡によってネガ型及びポジ型双方の
レジストパターンを形成しうるレジストによるパターン
形成方法に関するものである。
近年、半導体集積回路の微細化や高集積化などに伴い、
微細加工技術はますます高度化、複雑化され、それに用
いる材料も従来にない厳しい特性や、あるいは新しい機
能や特性などが要求されつつある。例えばリソグラフィ
ーに用いるレジストにおいては、適用される放射線の種
類が紫外線から遠紫外線、電子法あるいはＸ線へと広は
んにわたり、また適用される工程が湿式から乾式へと開
発、実用化されるにつれて、要求される性質や特性も感
度、解像力、純度、接着性などの従来の項目のみでは不
十分となり、別に耐プラズマ性、耐熱性、耐溶剤性など
新しい項目や従来問題とならなかった項目が要求される
ようになり、これらの要求を満Ｌ ７を新規な物質や新
しい組成を有する材料、あるいはそのパターン形成方法
などの開発が要求されている。
微細加工技術はますます高度化、複雑化され、それに用
いる材料も従来にない厳しい特性や、あるいは新しい機
能や特性などが要求されつつある。例えばリソグラフィ
ーに用いるレジストにおいては、適用される放射線の種
類が紫外線から遠紫外線、電子法あるいはＸ線へと広は
んにわたり、また適用される工程が湿式から乾式へと開
発、実用化されるにつれて、要求される性質や特性も感
度、解像力、純度、接着性などの従来の項目のみでは不
十分となり、別に耐プラズマ性、耐熱性、耐溶剤性など
新しい項目や従来問題とならなかった項目が要求される
ようになり、これらの要求を満Ｌ ７を新規な物質や新
しい組成を有する材料、あるいはそのパターン形成方法
などの開発が要求されている。
不発明者らは、このような事情に鑑み、新しい機能や性
質を有する優れたレジストやそのパターン形成方法を開
発すべく鋭意研究を重ねｆｃＷｉ果、不発明を完成する
に至った。
質を有する優れたレジストやそのパターン形成方法を開
発すべく鋭意研究を重ねｆｃＷｉ果、不発明を完成する
に至った。
すなわち、不発明は、比較的少量の紫外線照射量によっ
てポジ型パターンが、そのほぼ倍量の紫外線照射量によ
ってネガ型パターンが形成可能な１／シストによるパタ
ーンを形成するに当り、レジスト膜上の紫外線照射パタ
ーンの位置を移動させ、該レジスト膜に紫外線を段階的
に照射して選択的に紫外線照射量を異ならしめたのち、
現像処理することによってポジを及びネガ型双方のレジ
ストパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法を提供するものである。
てポジ型パターンが、そのほぼ倍量の紫外線照射量によ
ってネガ型パターンが形成可能な１／シストによるパタ
ーンを形成するに当り、レジスト膜上の紫外線照射パタ
ーンの位置を移動させ、該レジスト膜に紫外線を段階的
に照射して選択的に紫外線照射量を異ならしめたのち、
現像処理することによってポジを及びネガ型双方のレジ
ストパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法を提供するものである。
不発明方法において用いるレジストとしては、一般式
（式中のＡばｏ 、 ｓ 、 ｓ２． ｓｏ２又はＣＨ
２の原子又は置換基、Ｘは水素原子又は塩素原子である
）で表わされるビスアジド化合物及びＯ−ナフトキノン
ジアジド系ポジ型レジストを実質的に含有する感光性組
成物を好ましく挙げることができる。
２の原子又は置換基、Ｘは水素原子又は塩素原子である
）で表わされるビスアジド化合物及びＯ−ナフトキノン
ジアジド系ポジ型レジストを実質的に含有する感光性組
成物を好ましく挙げることができる。
前記の一般式（１）で示されるビスアジド化合物は、分
光波長２００〜３３０ｎｍの遠紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ
）照射で感光する架橋性化合物であって、例えば４．４
′−ジアジドジフェニルエーテル、４ 、４’−ジアジ
ドジフェニルスルフィド、４ 、４’−ジアジドジフェ
ニルスルホン、３ 、３’−ジアジドジフェニルスルホ
ン、４ 、４’−ジアジドジフェニルメタン、３．３′
−ジクロロ−４，４′−ジアジドジフェニルメタン、４
．４’−ジアジドジフェニルジスルフィドなどを挙げる
ことができ、これらは１ｈ独で用いてもよいし、あるい
は２種以上混合して用いてもよい。また、前記のビスア
ジド化合物の中で特に ５− ４．４′−ジアジドジフェニルスルフィドが、ネガ型と
して感度が高くて、γ値や解像度が優れている点で好適
である。
光波長２００〜３３０ｎｍの遠紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ
）照射で感光する架橋性化合物であって、例えば４．４
′−ジアジドジフェニルエーテル、４ 、４’−ジアジ
ドジフェニルスルフィド、４ 、４’−ジアジドジフェ
ニルスルホン、３ 、３’−ジアジドジフェニルスルホ
ン、４ 、４’−ジアジドジフェニルメタン、３．３′
−ジクロロ−４，４′−ジアジドジフェニルメタン、４
．４’−ジアジドジフェニルジスルフィドなどを挙げる
ことができ、これらは１ｈ独で用いてもよいし、あるい
は２種以上混合して用いてもよい。また、前記のビスア
ジド化合物の中で特に ５− ４．４′−ジアジドジフェニルスルフィドが、ネガ型と
して感度が高くて、γ値や解像度が優れている点で好適
である。
また、前記の感光性組成物に含有されるＯ−ナフトキノ
ンジアジド系ポジ型レジストは、ホルムアルデヒドとフ
ェノール類から得られるノボラック樹脂などと、０−ナ
フトキノンジアジド誘導体とから製造され、分光波長２
００〜５００ｎｍの紫外＃！（ＵＶ）によって感光、可
溶化するポジ型レジストテアって、市販のもの、例えば
０ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、Ａｚシリ
ーズ（ヘキスト社製）、ＫＰＲシリーズ（コダック社製
）、ＨＰＲシＩＪ−ス（ハントケミカル社製）、マイク
ロポジット（シプレー社製）などを利用することができ
る。
ンジアジド系ポジ型レジストは、ホルムアルデヒドとフ
ェノール類から得られるノボラック樹脂などと、０−ナ
フトキノンジアジド誘導体とから製造され、分光波長２
００〜５００ｎｍの紫外＃！（ＵＶ）によって感光、可
溶化するポジ型レジストテアって、市販のもの、例えば
０ＦＰＲシリーズ（東京応化工業（株）製）、Ａｚシリ
ーズ（ヘキスト社製）、ＫＰＲシリーズ（コダック社製
）、ＨＰＲシＩＪ−ス（ハントケミカル社製）、マイク
ロポジット（シプレー社製）などを利用することができ
る。
この０−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストと前記
の一般式＋１）で表わされるビスアジド化合物との混合
割合は、使用目的や回能などを考慮して選択されるが、
通常Ｏ−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストの固形
分１００重量部に対して、ビスアジド化合物が０．１〜
５０重量部の範囲であることが望ましく、さらに好まし
くは１０〜２０重量部の範囲である。
の一般式＋１）で表わされるビスアジド化合物との混合
割合は、使用目的や回能などを考慮して選択されるが、
通常Ｏ−ナフトキノンジアジド系ポジ型レジストの固形
分１００重量部に対して、ビスアジド化合物が０．１〜
５０重量部の範囲であることが望ましく、さらに好まし
くは１０〜２０重量部の範囲である。
本発明方法において用いる感光性組成物は、通常の紫外
線露光ではポジ型の性質を示し、過剰の紫外線露光では
ネガ型の性質を示す。
線露光ではポジ型の性質を示し、過剰の紫外線露光では
ネガ型の性質を示す。
このような性質の具体的な１例として、Ｏ−ナフトキノ
ンジアジド−ノボラック系ポジ型レジスト溶液から成る
０ＦＰＲ−８００（東京応化工業（株）製）に、その固
ハ＼分に対し４，４′−ジアジドジフェニルスルフィド
０．５．１０及び１５重量％を溶解した本発明の感光性
組成物に、次のようにして紫外線を露光して得られた感
度曲線を第４図に示す。すなわち、前記の感光性組成物
をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に塗布したの
ち、乾燥器で８５℃の温度において３０分間プレベーク
して膜厚約１．３μｍのレジスト膜を形成し、その上に
ガラス製ステップタブレットヲ介してＰＬＡ−５００Ｆ
露光機（キャノン（株）製）により紫外線で露光したの
ち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液から
成る０ＦＰＲ−８００用現像液ＮＭＤ−３（東京応化工
業（株）製）を用いて２３℃の温度で１分間現像し、各
ステップの残膜率を測定して感度曲線を得た。
ンジアジド−ノボラック系ポジ型レジスト溶液から成る
０ＦＰＲ−８００（東京応化工業（株）製）に、その固
ハ＼分に対し４，４′−ジアジドジフェニルスルフィド
０．５．１０及び１５重量％を溶解した本発明の感光性
組成物に、次のようにして紫外線を露光して得られた感
度曲線を第４図に示す。すなわち、前記の感光性組成物
をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に塗布したの
ち、乾燥器で８５℃の温度において３０分間プレベーク
して膜厚約１．３μｍのレジスト膜を形成し、その上に
ガラス製ステップタブレットヲ介してＰＬＡ−５００Ｆ
露光機（キャノン（株）製）により紫外線で露光したの
ち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液から
成る０ＦＰＲ−８００用現像液ＮＭＤ−３（東京応化工
業（株）製）を用いて２３℃の温度で１分間現像し、各
ステップの残膜率を測定して感度曲線を得た。
第４図から判るように、不発明に使用される感光性組成
物は、通常の紫外線露光では先ずポジ型パターンを形成
し、過剰の紫外線露光ではネガ型パターンを形成する。
物は、通常の紫外線露光では先ずポジ型パターンを形成
し、過剰の紫外線露光ではネガ型パターンを形成する。
これはポジ型であるナフトキノンジアジド系レジストの
分光感度波しが２００〜５００ｎｍ、ビスアジド化合物
のそれが２００〜３３０ｎｍ であるのに対し、紫外線
露光の照射波長が２００〜ｓｏｏｎｍ、石英及びガラス
の透過波長がそれぞれ１５０〜１，０００ｎｍ及び３０
０〜’＋０００ｎｍであって、紫外線に対してポジ型の
ナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分に高いの
に対し、ネガ型であるビスアジド化合物の感度が極めて
低いことに起因する。
分光感度波しが２００〜５００ｎｍ、ビスアジド化合物
のそれが２００〜３３０ｎｍ であるのに対し、紫外線
露光の照射波長が２００〜ｓｏｏｎｍ、石英及びガラス
の透過波長がそれぞれ１５０〜１，０００ｎｍ及び３０
０〜’＋０００ｎｍであって、紫外線に対してポジ型の
ナフトキノンジアジド系レジストの感度が十分に高いの
に対し、ネガ型であるビスアジド化合物の感度が極めて
低いことに起因する。
次に不発明のパターン形成法について、その実施態様の
１例を示すと、先ずスピンナーなどを用いてシリコンウ
ェハーのような基板とに前記の感光性組成物を塗布した
のち、乾燥して厚さ０．１〜２μｍのレジスト膜を形成
する。このレジスト膜上に、ガラス製マスクなどを介し
てポジ型レジストパターン形成可能な比較的少量の紫外
線を２回照射したのち、現像することによってレジスト
パターンを形成する。この場合、レジスト膜及びマスク
を固定して２回照射した場合、紫外線が照射された部分
及び照射されない部分の双方とも現像液で溶解せず、し
たがってパターンは形成されないが、１回目と２回目で
゛レジスト膜又はマスクの位置若しくはその両方の位置
を変化させて紫外線を照射することによって、レジスト
膜」二に紫外線がまったく照射されない部分、１回照射
された部分及び２回照射された部分の３部分が生じた場
合、現像によってそれぞれ不溶部分（ポジ型）、溶解部
分（ポジ型）及び不溶部分（ネガ型）となって、ポジ型
及びネガ型双方のレジストパターンが得られる。これに
ついてラインアンドスペース含有スるマスクを用いて第
１図、第２図及び第３図により説明する。
１例を示すと、先ずスピンナーなどを用いてシリコンウ
ェハーのような基板とに前記の感光性組成物を塗布した
のち、乾燥して厚さ０．１〜２μｍのレジスト膜を形成
する。このレジスト膜上に、ガラス製マスクなどを介し
てポジ型レジストパターン形成可能な比較的少量の紫外
線を２回照射したのち、現像することによってレジスト
パターンを形成する。この場合、レジスト膜及びマスク
を固定して２回照射した場合、紫外線が照射された部分
及び照射されない部分の双方とも現像液で溶解せず、し
たがってパターンは形成されないが、１回目と２回目で
゛レジスト膜又はマスクの位置若しくはその両方の位置
を変化させて紫外線を照射することによって、レジスト
膜」二に紫外線がまったく照射されない部分、１回照射
された部分及び２回照射された部分の３部分が生じた場
合、現像によってそれぞれ不溶部分（ポジ型）、溶解部
分（ポジ型）及び不溶部分（ネガ型）となって、ポジ型
及びネガ型双方のレジストパターンが得られる。これに
ついてラインアンドスペース含有スるマスクを用いて第
１図、第２図及び第３図により説明する。
−９−へ１噌
第１図における符号１は第１回目の紫外線照射の際のマ
スクの位置、符号２は第２回目の照射の際のマスクの位
置であり、■はレジスト不溶部、Ｓはレジスト再啓部で
ある。
スクの位置、符号２は第２回目の照射の際のマスクの位
置であり、■はレジスト不溶部、Ｓはレジスト再啓部で
ある。
第１図（Ａ）はマスクを固定１７たまま、紫外線が２回
照射された場合であって、マスクのライン及びスペース
に対応するレジスト膜の部分は、それぞれ紫外線未照射
による現像液不溶部分すなわちポジ型レジストパターン
のライン、及び紫外線照射による現像液不溶部分すなわ
ちネガ型レジストパターンのラインとなり、結果として
全体的に現像液手牌部分でパターンは形成されない。
照射された場合であって、マスクのライン及びスペース
に対応するレジスト膜の部分は、それぞれ紫外線未照射
による現像液不溶部分すなわちポジ型レジストパターン
のライン、及び紫外線照射による現像液不溶部分すなわ
ちネガ型レジストパターンのラインとなり、結果として
全体的に現像液手牌部分でパターンは形成されない。
第１図（）３）は、第１回ｌ］の紫外線照射を行ったの
ち、ライン又はスペースの線巾のし。の距離だけマスク
又はレジスト膜を同一平面上で平行移動させて第２回１
コの紫外線照射を行った場合であって、第１回目のマス
クのラインと第２回１」のマスクのスペースが重なった
部分、第１回目と第２回目でライン同士が重なった部分
及びスペース同士が重なった部分に対応するレジスト膜
の部分は、それ１０− ぞれ紫外線１回照射による現像液可ｍ部分すなわちポジ
型レジストパターンのスペース、紫外線未照射による現
像゛故不溶部分す々わちポジ型レジストパターンのライ
ン、及び紫外線２回照射による現像液不溶部分すなわち
ネガ型レジストパターンのラインとなり、結果として全
体的に第２図に示すように、マスクの線「１］の１／２
の線巾をもつラインアンドスペースのレジストハターン
カ得うレル。
ち、ライン又はスペースの線巾のし。の距離だけマスク
又はレジスト膜を同一平面上で平行移動させて第２回１
コの紫外線照射を行った場合であって、第１回目のマス
クのラインと第２回１」のマスクのスペースが重なった
部分、第１回目と第２回目でライン同士が重なった部分
及びスペース同士が重なった部分に対応するレジスト膜
の部分は、それ１０− ぞれ紫外線１回照射による現像液可ｍ部分すなわちポジ
型レジストパターンのスペース、紫外線未照射による現
像゛故不溶部分す々わちポジ型レジストパターンのライ
ン、及び紫外線２回照射による現像液不溶部分すなわち
ネガ型レジストパターンのラインとなり、結果として全
体的に第２図に示すように、マスクの線「１］の１／２
の線巾をもつラインアンドスペースのレジストハターン
カ得うレル。
第２図及び第３図における符号Ｓ１＋ Ｌ＋はそれぞれ
第１回目の照射の際のスペースとラインを示し、符号、
′：ｉ□、Ｌ２は第２回ｉ」の照射の際のスペースとラ
インを示す。
第１回目の照射の際のスペースとラインを示し、符号、
′：ｉ□、Ｌ２は第２回ｉ」の照射の際のスペースとラ
インを示す。
第１図（Ｃ）は、マスクの移動を線巾と同じ距離に平行
移動した場合であって、レジスト膜上の紫外線を照射さ
れた部分は、第１回目はマスクのラインに対応し、第２
回目はそれのスペースに対応し、何れの部分においても
１回分の紫外線照射量となり、全面的に現像液に可溶で
あってパターンは形成されない。
移動した場合であって、レジスト膜上の紫外線を照射さ
れた部分は、第１回目はマスクのラインに対応し、第２
回目はそれのスペースに対応し、何れの部分においても
１回分の紫外線照射量となり、全面的に現像液に可溶で
あってパターンは形成されない。
第３図は、第２回目照射時のマスクの移動を、１耶１回
目に対し同一平面上で９０度回転した場合であって、市
松模様のレジストパターンが得られることを示している
。
目に対し同一平面上で９０度回転した場合であって、市
松模様のレジストパターンが得られることを示している
。
本発明のパターン形成方法によると、ラインアンドスペ
ースのマスクパターンにおける線巾の１０の’ｆｆＢ
ｒｌ〕をもつラインアンドスペースのレジストパターン
を形成することができ、またラインアンドスペースのマ
スクパターンにより、市松模様のＩ／シストパターンな
ども形成することができる。
ースのマスクパターンにおける線巾の１０の’ｆｆＢ
ｒｌ〕をもつラインアンドスペースのレジストパターン
を形成することができ、またラインアンドスペースのマ
スクパターンにより、市松模様のＩ／シストパターンな
ども形成することができる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
ナフトキノンジアジド−ノボラック系レジスト溶液から
成る０ＦＰＲ−８００（東京応化工業■製）に、その固
形分に対し、４．４！−ジアジドジフェニルスルフィド
１５重貴重を添加して溶解したのち、孔径０．２μｍの
フィルターでろ過して感光性組成物を調製した。
成る０ＦＰＲ−８００（東京応化工業■製）に、その固
形分に対し、４．４！−ジアジドジフェニルスルフィド
１５重貴重を添加して溶解したのち、孔径０．２μｍの
フィルターでろ過して感光性組成物を調製した。
この組成物をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に
塗布したのち、乾燥器で８５℃、３０分間プレベークし
て膜厚約１３μｍのレジスト層を形成した。このレジス
ト層に、線１］４μｍのパターンを有するガラス基板の
クロムテストチャー１・を介して紫外線を３０秒間露光
した。次いでアライメント装置によってシリコンウニノ
・−を距離２１ｚｍずらして同じクロムテストチャート
を介して紫外線を３０秒間露光した。その後、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ
−８００用現像液ＮＭＤ−３（東京応化工業■製）を用
いて２３℃、１分間現像したところ、２μｍのラインア
ンドスペースのレジストパターンが得うれた。
塗布したのち、乾燥器で８５℃、３０分間プレベークし
て膜厚約１３μｍのレジスト層を形成した。このレジス
ト層に、線１］４μｍのパターンを有するガラス基板の
クロムテストチャー１・を介して紫外線を３０秒間露光
した。次いでアライメント装置によってシリコンウニノ
・−を距離２１ｚｍずらして同じクロムテストチャート
を介して紫外線を３０秒間露光した。その後、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液から成る０ＦＰＲ
−８００用現像液ＮＭＤ−３（東京応化工業■製）を用
いて２３℃、１分間現像したところ、２μｍのラインア
ンドスペースのレジストパターンが得うれた。
実施例２
実施例１において、シリコンウニ・・−を距離２μｍず
らす代りに、同一平面上で９０度回転した以外は実施例
１とまったく同様にして市松模様を有するレジストパタ
ーンを得た。
らす代りに、同一平面上で９０度回転した以外は実施例
１とまったく同様にして市松模様を有するレジストパタ
ーンを得た。
図面は本発明の実施態様の１例を示す説明図であって、
第１図は紫外線及びマスクの配置と、それらに対応する
レジスト膜上の紫外線照射量及び現像時のレジスト可牌
性の関係を示し、第２図及び第３図は形成されたパター
ンの例（平面図）を示す。 また、第４図は本発明方法において用いた感光性組成物
に紫外線を照射したときの露光時間と残膜率との関係を
示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人阿 形 明
第１図は紫外線及びマスクの配置と、それらに対応する
レジスト膜上の紫外線照射量及び現像時のレジスト可牌
性の関係を示し、第２図及び第３図は形成されたパター
ンの例（平面図）を示す。 また、第４図は本発明方法において用いた感光性組成物
に紫外線を照射したときの露光時間と残膜率との関係を
示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人阿 形 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 比較的少量の紫外線照射量によってポジ型パターン
が、そのほぼ倍量の紫外線照射量によってネガ型パター
ンが形成可能なレジストによるパターンを形成するに当
１ハレジスト膜上の紫外線照射パターンの位置を移動さ
せ、該レジスト膜に紫外線を段階的に照射して選択的に
紫外線照射量を異ならしめたのち、現像処理することに
よってポジ型及びネガ型双方のレジストパターンを形成
することを特徴とするパターン形成方法。 ２ 紫外線照射パターンがラインアンドスペースである
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ レジスト膜上の紫外線照射パターンの位置移動がラ
インアンドスペースにおける線巾の偽の平行移動である
特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ レジスト膜上の紫外線照射パターンの位置移動がた
がいに直角方向である特許１ｉｉｉ求の範囲第１項記載
の方法。 ５ レジストが一般式 （式中のＡばｏ、ｓ、ｓ２．ｓｏ２又はＣＨ２の原子又
は置換基、Ｘは水素原子又は塩累原子である）で表わさ
れるとビスアジド化合物及び０−ナフトキノンジアジド
系ポジ型レジストを実質的に含有する感光性組成物であ
る特許請求の範囲第１項記載の方法・ ６ ビスアジド化合物が４．４′−ジアジドジフェニル
エーテル、４，４′−ジアジドジフェニルスルフィト、
４ 、４’−ジアジドジフェニルスルホン、３．３’−
ジアジドジフェニルスルホン、４＋４’−’）１シトジ
フエニルメタン、３ 、３’−ジクロロ−４，４′−ジ
アミドジフェニルメタン、４．４’−ジアジドジフェニ
ルジスルフィドから成る群の中から選ばれた少なくとも
１種の化合物である特許請求の範間第５項記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179325A JPS5968737A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 |
| DE19833337315 DE3337315A1 (de) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten |
| US07/161,213 US4797348A (en) | 1982-10-13 | 1988-02-17 | Method of forming a positive resist pattern in photoresist of o-naphthoquinone diazide and bisazide with UV imaging exposure and far UV overall exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179325A JPS5968737A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968737A true JPS5968737A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0241741B2 JPH0241741B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=16063860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179325A Granted JPS5968737A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968737A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263143A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-26 | ローム アンド ハース コンパニー | 熱安定性重合体像及びその形成方法 |
| JPS6115140A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Fujitsu Ltd | パタ−ン作成方法 |
| JPS62100751A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 自己整合パタ−ンの形成方法 |
| JPS63167351A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | フォトレジスト組成物 |
| JPH01283555A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成材料 |
| JPH02212850A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH10104839A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-04-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低”ｋ”係数ハイブリッド・フォトレジスト |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| JP2009188318A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Jsr Corp | パターン形成方法 |
| JP2013084961A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子のパターンの形成方法 |
| JP2013221984A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 微細構造体とその製造方法 |
| JP2021530732A (ja) * | 2018-07-09 | 2021-11-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | ライン倍増のためのフォトレジスト組成物 |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57179325A patent/JPS5968737A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263143A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-26 | ローム アンド ハース コンパニー | 熱安定性重合体像及びその形成方法 |
| JPH0526182B2 (ja) * | 1984-07-02 | 1993-04-15 | Fujitsu Ltd | |
| JPS6115140A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Fujitsu Ltd | パタ−ン作成方法 |
| JPS62100751A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 自己整合パタ−ンの形成方法 |
| JPS63167351A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | フォトレジスト組成物 |
| JPH01283555A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成材料 |
| JPH02212850A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH10104839A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-04-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低”ｋ”係数ハイブリッド・フォトレジスト |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| JP4622282B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2011-02-02 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| JP2009188318A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Jsr Corp | パターン形成方法 |
| JP2013084961A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子のパターンの形成方法 |
| JP2013221984A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Kuraray Co Ltd | 微細構造体とその製造方法 |
| JP2021530732A (ja) * | 2018-07-09 | 2021-11-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | ライン倍増のためのフォトレジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241741B2 (ja) | 1990-09-19 |
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