JPS6255650A - 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 - Google Patents
基板上への樹脂パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6255650A JPS6255650A JP60196334A JP19633485A JPS6255650A JP S6255650 A JPS6255650 A JP S6255650A JP 60196334 A JP60196334 A JP 60196334A JP 19633485 A JP19633485 A JP 19633485A JP S6255650 A JPS6255650 A JP S6255650A
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- JP
- Japan
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- resin
- substrate
- pattern
- resist
- light
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は基板上への樹脂パターンの形成方法に関するも
のである。
のである。
従来の技術
オプトエレクトロニクスの進展により光学部品の高精細
度加工が望まれている。従来、この種の光学部品、例え
ば、超微細フレネルレンズは第４図に示すような工程で
作られていた。即ち、第４図（ａ）において、基板１の
上に形成したＰＭＭΔレジスト２をホトマスク３をマス
クとして、遠紫外光４を用いて露光し、現像することに
より、第４図（ｂ）に示すＰＭＭＡレジストパターン５
を得ることができる。
度加工が望まれている。従来、この種の光学部品、例え
ば、超微細フレネルレンズは第４図に示すような工程で
作られていた。即ち、第４図（ａ）において、基板１の
上に形成したＰＭＭΔレジスト２をホトマスク３をマス
クとして、遠紫外光４を用いて露光し、現像することに
より、第４図（ｂ）に示すＰＭＭＡレジストパターン５
を得ることができる。
発明が解決しようとする問題点
ここで問題となるのは、パターンがレジストにより形成
されているために耐熱性や、有機溶剤笠に対する耐性が
低いことである。更に単層のレジストを用いる場合は、
レジストを厚くするとパターンの微細化が難しく、レジ
ストをある程庇以上厚くすることができないという問題
点があった。
されているために耐熱性や、有機溶剤笠に対する耐性が
低いことである。更に単層のレジストを用いる場合は、
レジストを厚くするとパターンの微細化が難しく、レジ
ストをある程庇以上厚くすることができないという問題
点があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、耐熱性、
耐薬品性に優れた樹脂パターンを所望の厚８で簡単に形
成できるようにすることを目的とするものである。
耐薬品性に優れた樹脂パターンを所望の厚８で簡単に形
成できるようにすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、露光波長の光を
透過する基板上に露光波長を吸収する樹脂を用いて所定
形状のマスクパターンを形成し、前記基板及び前記樹脂
マスクパターン上に露光波長に対して硬化性を持つ感光
性樹脂薄膜層を形成した後、基板側より露光波長の光源
を用いて露光を行ない、その後現像するものである。
透過する基板上に露光波長を吸収する樹脂を用いて所定
形状のマスクパターンを形成し、前記基板及び前記樹脂
マスクパターン上に露光波長に対して硬化性を持つ感光
性樹脂薄膜層を形成した後、基板側より露光波長の光源
を用いて露光を行ない、その後現像するものである。
作用
この構成により、耐熱性、耐薬品性に優れた光学部品用
４ｆｉ［パターンを所望の厚さで、筒中な工程にて形成
することができる。
４ｆｉ［パターンを所望の厚さで、筒中な工程にて形成
することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図において、先ず石英基板１１上に遠紫外光に対し
て吸収の強いレジストを用いてレジストパターン１２を
形成する。遠紫外光に対して吸収の強いレジストとして
はノボラック系ポジ形ホトレジストや、電子ビーム用、
遠紫外光用レジストであるポリスチレン系レジストがあ
げられる。第２図に東京応化１１！Ｍホトレジスト、商
品名０ＦＰＲ８００、東洋ソーダ［ＪＥＢ、遠紫外光用
レジスト。
て吸収の強いレジストを用いてレジストパターン１２を
形成する。遠紫外光に対して吸収の強いレジストとして
はノボラック系ポジ形ホトレジストや、電子ビーム用、
遠紫外光用レジストであるポリスチレン系レジストがあ
げられる。第２図に東京応化１１！Ｍホトレジスト、商
品名０ＦＰＲ８００、東洋ソーダ［ＪＥＢ、遠紫外光用
レジスト。
商品名ＣＭＳ−ＥＸの吸光度を示す。１図から明らかな
ように、これらのレジストは遠紫外光に対して強い吸収
を示し、マスクとして用いることができる。これらのレ
ジストを用いたレジストパターン１２の形成方法を以下
に示す。０ＦＰＲ８００を用いる場合、０．５μｍの厚
さに塗布して、８５℃、３０分のプリベークを行ない、
波長４３０ｎｍの紫外光を用いて１００＋ｔＪで露光し
一東京応化１１製現像液Ｎ ＭＤ−３を用いて１分間現
像することにより所望の樹脂パターンが完成する。又、
ＣＭＳ−ＥＸを用いる場合、０．５μｍの厚さに塗午し
、１３０℃、３０分のプリベータ後、８μＣ／ｃａｌの
露光量で電子ビーム露光を行ない、酢酸イソアミル／エ
チルセルソルブ＝１７３の現像液を用いて１分間現像す
ることにより所望の樹脂パターンが形成される。このよ
うに形成されたレジストパターン１２上に熱硬化の性質
を持たない、例えばフェニル系３ｉ樹脂のような感光性
Ｓｉ樹脂１３を２μｌの厚さで塗布する。更に、キャノ
ン製マスクアライナ−ＰＬＡ５２１ＦＡを用いて石英基
板１１側より遠紫外光露光を行なう。露光条件として、
波長は３００ｎｍ以下、例えば２５Ｏｒ＋ｎ 、光強度
は１６ｉＷ／ ｃａ！、露光時間は５秒である。第３図
に示すフェニル系３ｉ樹脂の感度曲線図より明らなよう
にに、露光時間５秒で感光性Ｓｉ４！４脂１３は感光し
て硬化する。次に、酢酸イソアミル／エチルセルソルブ
−１７３の現像液を用いて感光性Ｓｉ樹脂１３を現侮し
、更に０２アツシングによりレジストパターン１２を除
去することにより、第１図（ｂ）に示すように所望の３
ｉ樹脂パターン１４を得ることができる。尚、Ｓｉ樹脂
は０２アツシングに対してエツチングレートは略０であ
る。又、目的によってはレジストパターン１２を除去Ｕ
°ずに残しておいても良い。
ように、これらのレジストは遠紫外光に対して強い吸収
を示し、マスクとして用いることができる。これらのレ
ジストを用いたレジストパターン１２の形成方法を以下
に示す。０ＦＰＲ８００を用いる場合、０．５μｍの厚
さに塗布して、８５℃、３０分のプリベークを行ない、
波長４３０ｎｍの紫外光を用いて１００＋ｔＪで露光し
一東京応化１１製現像液Ｎ ＭＤ−３を用いて１分間現
像することにより所望の樹脂パターンが完成する。又、
ＣＭＳ−ＥＸを用いる場合、０．５μｍの厚さに塗午し
、１３０℃、３０分のプリベータ後、８μＣ／ｃａｌの
露光量で電子ビーム露光を行ない、酢酸イソアミル／エ
チルセルソルブ＝１７３の現像液を用いて１分間現像す
ることにより所望の樹脂パターンが形成される。このよ
うに形成されたレジストパターン１２上に熱硬化の性質
を持たない、例えばフェニル系３ｉ樹脂のような感光性
Ｓｉ樹脂１３を２μｌの厚さで塗布する。更に、キャノ
ン製マスクアライナ−ＰＬＡ５２１ＦＡを用いて石英基
板１１側より遠紫外光露光を行なう。露光条件として、
波長は３００ｎｍ以下、例えば２５Ｏｒ＋ｎ 、光強度
は１６ｉＷ／ ｃａ！、露光時間は５秒である。第３図
に示すフェニル系３ｉ樹脂の感度曲線図より明らなよう
にに、露光時間５秒で感光性Ｓｉ４！４脂１３は感光し
て硬化する。次に、酢酸イソアミル／エチルセルソルブ
−１７３の現像液を用いて感光性Ｓｉ樹脂１３を現侮し
、更に０２アツシングによりレジストパターン１２を除
去することにより、第１図（ｂ）に示すように所望の３
ｉ樹脂パターン１４を得ることができる。尚、Ｓｉ樹脂
は０２アツシングに対してエツチングレートは略０であ
る。又、目的によってはレジストパターン１２を除去Ｕ
°ずに残しておいても良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐熱性、耐薬品性に優れ
た光学部品用４１ＦＪｌｌｉパターンを所望の厚さで、
簡単な工程を用いて形成することができる。
た光学部品用４１ＦＪｌｌｉパターンを所望の厚さで、
簡単な工程を用いて形成することができる。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示し、第１図（ａ
）（ｂ）は樹脂パターン形成方法を示す工程断面図、第
２図は遠紫外光に対するレジストの吸光度曲線図、第３
図は感光性Ｓｉｎ脂の感度曲線図、第４図（ａ）（ｂ）
は従来の樹脂パターン形成方法を示す工程断面図である
。 １１・・・石英基板、１２・・・レジストパターン、１
３・・・感光性Ｓｉ樹脂、１４・・・Ｓｉ樹脂パターン
代理人 森 木 義 弘 第１図 第２図 ２θ０ ２ｙ ３σｐ ３５０液
支（ｎｒｎ＞ 第３図 ／ ６” Ｉ。 露光時間（Ｓ） 第４因
）（ｂ）は樹脂パターン形成方法を示す工程断面図、第
２図は遠紫外光に対するレジストの吸光度曲線図、第３
図は感光性Ｓｉｎ脂の感度曲線図、第４図（ａ）（ｂ）
は従来の樹脂パターン形成方法を示す工程断面図である
。 １１・・・石英基板、１２・・・レジストパターン、１
３・・・感光性Ｓｉ樹脂、１４・・・Ｓｉ樹脂パターン
代理人 森 木 義 弘 第１図 第２図 ２θ０ ２ｙ ３σｐ ３５０液
支（ｎｒｎ＞ 第３図 ／ ６” Ｉ。 露光時間（Ｓ） 第４因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光波長の光を透過する基板上に露光波長を吸収す
る樹脂を用いて所定形状のマスクパターンを形成し、前
記基板及び前記樹脂マスクパターン上に露光波長に対し
て硬化性を持つ感光性樹脂膜層を形成した後、基板側よ り露光波長の光源を用いて露光を行ない、その後現像す
る基板上への樹脂パターンの形成方法。 ２、露光波長は波長３００ｎｍ以下の遠紫外光であり、
感光性樹脂は遠紫外光に対して硬化性を持つＳｉ樹脂で
ある特許請求の範囲第１項記載の基板上への樹脂パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196334A JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196334A JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255650A true JPS6255650A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH07113771B2 JPH07113771B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=16356100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196334A Expired - Lifetime JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113771B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177383B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, and image forming and erasing method |
| EP1834801A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-19 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, as well as reversible thermosensitive recording label, reversible thermosensitive recording member, image processing apparatus and image processing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492801A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-23 | Ibm | Photolithographic method |
| JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
| JPS6045246A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196334A patent/JPH07113771B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492801A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-23 | Ibm | Photolithographic method |
| JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
| JPS6045246A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177383B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, and image forming and erasing method |
| EP1834801A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-19 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, as well as reversible thermosensitive recording label, reversible thermosensitive recording member, image processing apparatus and image processing method |
| US7732373B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-06-08 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, as well as reversible thermosensitive recording label, reversible thermosensitive recording member, image processing apparatus and image processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07113771B2 (ja) | 1995-12-06 |
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