JPS58207041A - 放射線感応性高分子レジスト - Google Patents
放射線感応性高分子レジストInfo
- Publication number
- JPS58207041A JPS58207041A JP9063982A JP9063982A JPS58207041A JP S58207041 A JPS58207041 A JP S58207041A JP 9063982 A JP9063982 A JP 9063982A JP 9063982 A JP9063982 A JP 9063982A JP S58207041 A JPS58207041 A JP S58207041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- formula
- silicone
- film
- formulae
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感放射線材料詳しくは電子線、Ｘ＠またけ波長
３０００λ以下の深紫外線に感応する高分子材料であっ
て、かつ高解像と高精度の蝕刻（エツチング）工程を可
能ならしめる放射線感応性高分子レジストに関する。
３０００λ以下の深紫外線に感応する高分子材料であっ
て、かつ高解像と高精度の蝕刻（エツチング）工程を可
能ならしめる放射線感応性高分子レジストに関する。
近年、半導体装置の素子特性の向上ならびに高密度化は
きわめて著しいが、その利用分野の拡大とともに、なお
一層の高性能化、高密度化が要求されている。従来この
ような加工は紫外光ｔ−３１１射してレジストパターン
を形成するフォトリソグラフィーの技術が用いられてい
たが、加工精度に光の波長オーダーの限界があるため深
紫外線、Ｘ線。
きわめて著しいが、その利用分野の拡大とともに、なお
一層の高性能化、高密度化が要求されている。従来この
ような加工は紫外光ｔ−３１１射してレジストパターン
を形成するフォトリソグラフィーの技術が用いられてい
たが、加工精度に光の波長オーダーの限界があるため深
紫外線、Ｘ線。
電子線などを用いた微細加工が重要になってきた。
これらの新しい露光技術に関する研究の結果、レジスト
の膜厚を薄くシ、かつ均一にした状態で露光しないと、
これらの新技術を用いても散乱現象や現像プロセスのバ
ラツキのため１μｍ以下の寸法の加工は困難であること
がわかってきた。しかしながら実際にはデバイス製作工
程に応じて基板には順次複雑な段差が形成されてゆく。
の膜厚を薄くシ、かつ均一にした状態で露光しないと、
これらの新技術を用いても散乱現象や現像プロセスのバ
ラツキのため１μｍ以下の寸法の加工は困難であること
がわかってきた。しかしながら実際にはデバイス製作工
程に応じて基板には順次複雑な段差が形成されてゆく。
そこで米国のベル研究所のジェー・エム・モラ・アンド
・テクノロジー、第１６巻、 １６２０ページからの論
文で述べているような三層構造レジストプロセスが提案
された。
・テクノロジー、第１６巻、 １６２０ページからの論
文で述べているような三層構造レジストプロセスが提案
された。
この手法は、始めに膜厚的１μｍ〜５μｍの辱い非感応
性有機膜を形成する。この厚い何機膜によシ、半導体プ
ロセスで基板に生じる０、２μｍ−１μｍの段差はほぼ
完全に平滑化され、平坦な有機膜表面が形成される。つ
いで、蒸着又はスパッタリング法により膜厚的０．１μ
ｍ〜０．５μｍのシリコン酸化膜を堆積する。その後、
放射線感応性レジストを膜厚的０２μｍ〜０５μｍ塗布
する。Ｆ地が平坦になっているためレジストは均一に塗
布され膜厚が一定となる。レジストの一イ光及び現像後
、レジストパターンをマスクとして薄いシリコン酸化膜
ヲエッチングする。エツチングにＣＦ４＋Ｈ，ガスの０
．１Ｔｏｒｒ程度の雰囲気を用いた反応性スパッタエツ
チング法を用いれば、現在使用されている有機レジスト
の殆んどのものの膜厚減少は無視できるため、レジスト
の膜厚はピンホールのない限り、薄くでき通常０．２μ
ｍ程度でよい。このため露光精度が一層よくなる。反応
性スバ、タエッテングは異方性が強いためエツチングの
横方向への拡りも殆んど無視でき上層のレジストの寸法
がほぼ完全に薄いシリコン酸化膜に転写される。ついで
雰囲気ガスを酸素にかえ、反応性スバツタエ、チングに
よシ下地の厚い何機膜をエツチングする。この場合、シ
リコン酸化膜のエツチング速度はきわめて遅く、膜厚的
０２μｍ〜０５μｍあれば、下地有機膜を厚さ５μｍ程
度まで加工することが可能である。こうして三層化した
レジストパターンをマスクとして、所望の半導体基板加
工が行われるわけである。この手法はきわめて有効な方
法であるが、中間のシリコン酸化膜に問題がある。即ち
、シリコン酸化膜全形成するとき真空プロセスを必要と
するため堆積に時間がかかること、ピンホールの減少が
困難であること等々である。そこでシリコン酸化膜をは
さまず有機膜とレジストの二層構造が考えられ、ｔが、
埃在、半導体プロセスで使用可能なレジストは有機レジ
；トシがなく、その結果下地有機膜とのエツチング速度
差が充分とれず、現在公知になっている種類のレジスト
の薄い膜ではエツチングのマスクにならない。従って薄
くても下地の厚い有機膜のエツチングのマスクとなる、
高耐酸素プラズマ性のレジストの開発が急務でめったが
現在のところそのようなレジストは知られていない。
性有機膜を形成する。この厚い何機膜によシ、半導体プ
ロセスで基板に生じる０、２μｍ−１μｍの段差はほぼ
完全に平滑化され、平坦な有機膜表面が形成される。つ
いで、蒸着又はスパッタリング法により膜厚的０．１μ
ｍ〜０．５μｍのシリコン酸化膜を堆積する。その後、
放射線感応性レジストを膜厚的０２μｍ〜０５μｍ塗布
する。Ｆ地が平坦になっているためレジストは均一に塗
布され膜厚が一定となる。レジストの一イ光及び現像後
、レジストパターンをマスクとして薄いシリコン酸化膜
ヲエッチングする。エツチングにＣＦ４＋Ｈ，ガスの０
．１Ｔｏｒｒ程度の雰囲気を用いた反応性スパッタエツ
チング法を用いれば、現在使用されている有機レジスト
の殆んどのものの膜厚減少は無視できるため、レジスト
の膜厚はピンホールのない限り、薄くでき通常０．２μ
ｍ程度でよい。このため露光精度が一層よくなる。反応
性スバ、タエッテングは異方性が強いためエツチングの
横方向への拡りも殆んど無視でき上層のレジストの寸法
がほぼ完全に薄いシリコン酸化膜に転写される。ついで
雰囲気ガスを酸素にかえ、反応性スバツタエ、チングに
よシ下地の厚い何機膜をエツチングする。この場合、シ
リコン酸化膜のエツチング速度はきわめて遅く、膜厚的
０２μｍ〜０５μｍあれば、下地有機膜を厚さ５μｍ程
度まで加工することが可能である。こうして三層化した
レジストパターンをマスクとして、所望の半導体基板加
工が行われるわけである。この手法はきわめて有効な方
法であるが、中間のシリコン酸化膜に問題がある。即ち
、シリコン酸化膜全形成するとき真空プロセスを必要と
するため堆積に時間がかかること、ピンホールの減少が
困難であること等々である。そこでシリコン酸化膜をは
さまず有機膜とレジストの二層構造が考えられ、ｔが、
埃在、半導体プロセスで使用可能なレジストは有機レジ
；トシがなく、その結果下地有機膜とのエツチング速度
差が充分とれず、現在公知になっている種類のレジスト
の薄い膜ではエツチングのマスクにならない。従って薄
くても下地の厚い有機膜のエツチングのマスクとなる、
高耐酸素プラズマ性のレジストの開発が急務でめったが
現在のところそのようなレジストは知られていない。
本発明の目的は全く新規な高耐プラズマ性放射線感応レ
ジストを提供することにある。
ジストを提供することにある。
本発明者の研究の結果、分子中にフェニル基などの共役
慎を含むシリコーン樹脂が耐酸素プラズマ性、′Ｍ像性
、半導体製造プロセスへの適用性に優れていることがわ
かった。またこの構造においてフェニル核の水素をハロ
ゲンにｌｉｔ換すると感度の改善がみられることがわか
った。
慎を含むシリコーン樹脂が耐酸素プラズマ性、′Ｍ像性
、半導体製造プロセスへの適用性に優れていることがわ
かった。またこの構造においてフェニル核の水素をハロ
ゲンにｌｉｔ換すると感度の改善がみられることがわか
った。
本発明によれば下記（１） 、 （ＩＱ 、および（ホ
）の一般式で表わされる構造巣位 よりなる放射線感応性高分子レジストでおって、式中Ｘ
けハロゲン、−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨＲ。
）の一般式で表わされる構造巣位 よりなる放射線感応性高分子レジストでおって、式中Ｘ
けハロゲン、−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨＲ。
１
−０−ＣＨ，ＣＨ＝ＣＨＲ，−ＮＩＩ−ＣＨ，ＣＨ＝Ｃ
ＨＲ。
ＨＲ。
す、Ｒは水素、アルキル基、フェニル基又は置換フェニ
ル基であシ、ｎは１〜５の値であり、前記構造単位ｍＫ
−（Ｃｎ、ｘ）が複数個結合している場合にはＸは同−
又は異なる置換基でろシ Ｈｌは水素、Ｒと同−又は異
なるアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基であっ
て、前記構造単位（Ｉ） 、 （旬。
ル基であシ、ｎは１〜５の値であり、前記構造単位ｍＫ
−（Ｃｎ、ｘ）が複数個結合している場合にはＸは同−
又は異なる置換基でろシ Ｈｌは水素、Ｒと同−又は異
なるアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基であっ
て、前記構造単位（Ｉ） 、 （旬。
および叫の数の和が５０以上であり、前記構造単位（１
）と（１１）の数の和が全構造単位数の１０〜３０％で
あり、前記構造単位ｍと（川の数の比が１対１０〜１対
ｌであることを特徴とした放射線感応性−分子レジスト
が得られる。
）と（１１）の数の和が全構造単位数の１０〜３０％で
あり、前記構造単位ｍと（川の数の比が１対１０〜１対
ｌであることを特徴とした放射線感応性−分子レジスト
が得られる。
本発明の新規なレジストの特徴を列挙すれば次のように
なる。すなわち、 第一の特徴としてはシリコーン１ｆＩＩｔ造と芳香族環
によりきわめて耐ドライエツチング性、特に耐酸素プラ
ズマ性が＾く、ＶＬＳ Ｉの製造等の微細加工への適用
性が優れたネガ型レジストであることである。
なる。すなわち、 第一の特徴としてはシリコーン１ｆＩＩｔ造と芳香族環
によりきわめて耐ドライエツチング性、特に耐酸素プラ
ズマ性が＾く、ＶＬＳ Ｉの製造等の微細加工への適用
性が優れたネガ型レジストであることである。
第二の特徴としては芳香族環の割合を最適化することに
より融点Ｔｍが箋温付近とシリコーン樹脂としては制く
、かつ芳香族環に電子供与性の基を付加することで芳香
族壊導入に伴う感度の低下が相殺されていることである
。共鳴結合導入に伴う感度の低下を補償するためクロル
メチル等の付加を行う事は、有機化合物でも竹われてい
るが、シリコーンの場合も同様に反応性の基の導入と解
重合に対する安定度が増加するため、高感度化すると考
えられる。有機化合物については、例えばサブローｅイ
マイがジャナル・オプ・エレクトロケミカル・ソサイテ
ィー第１２６巻１６２８ページから１６３０ページにお
いてポリスチレンのクロルメチル化の一例を述べている
。
より融点Ｔｍが箋温付近とシリコーン樹脂としては制く
、かつ芳香族環に電子供与性の基を付加することで芳香
族壊導入に伴う感度の低下が相殺されていることである
。共鳴結合導入に伴う感度の低下を補償するためクロル
メチル等の付加を行う事は、有機化合物でも竹われてい
るが、シリコーンの場合も同様に反応性の基の導入と解
重合に対する安定度が増加するため、高感度化すると考
えられる。有機化合物については、例えばサブローｅイ
マイがジャナル・オプ・エレクトロケミカル・ソサイテ
ィー第１２６巻１６２８ページから１６３０ページにお
いてポリスチレンのクロルメチル化の一例を述べている
。
以下、実施例により、本発明の詳細な説明する。
ジメチルシリコーンとメチル、フェニルシリコーンの共
重合体で重合度５００〜２５００であるシリコーン樹脂
のフェニル基金クロロメチルメチルエーテルでクロルメ
チル化した後、酢酸イソアミル溶融にしてレジスト液と
した。シリコーンの合成はエチルエーテル中で前記に対
応したクロロトラン化合物を加水分解し水酸化アンモニ
ウムにより重合させている。第１−図から第３図は、本
発明のレジストヲ半導体デバイス製作の一工程であるＡ
／配線形成工程に用いる場合を説明するための図面で、
該半尋体デバイスの概略断面を順次示した図である。１
１はシリコン基板、１２が加工対象のＡｌ膜で膜厚的１
μｍである。
重合体で重合度５００〜２５００であるシリコーン樹脂
のフェニル基金クロロメチルメチルエーテルでクロルメ
チル化した後、酢酸イソアミル溶融にしてレジスト液と
した。シリコーンの合成はエチルエーテル中で前記に対
応したクロロトラン化合物を加水分解し水酸化アンモニ
ウムにより重合させている。第１−図から第３図は、本
発明のレジストヲ半導体デバイス製作の一工程であるＡ
／配線形成工程に用いる場合を説明するための図面で、
該半尋体デバイスの概略断面を順次示した図である。１
１はシリコン基板、１２が加工対象のＡｌ膜で膜厚的１
μｍである。
まず下地有機膜としてポリイミド膜１３を膜厚ｌ〜５μ
ｍとなるように回転塗布し、表面全平滑化した。１４が
本発明のレジストの一例である前記溶融ヲ映厚約０２μ
ｍ〜１μｍとなるように回転塗布して形成した。（第１
図） その後、加速電圧２０ＫＶの電子線を照射量線５×１０
−’クーロン／ａｄとなるように選択照射して、酢酸イ
ソアミルにより視像し、ネガ型パターンを得る。ついで
０．ＩＴｏｒｒ〜０１０１ Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気
中での反応性スパッタエツチングによシ、ポリイミド下
地膜を異方的に加工した（第２図）。フェニル基をクロ
ルメチル化したジメチル、メチルフェニルシリコーン膜
１４の耐酸素プラズマ性はポリイミドの約１０倍らりエ
ツチングのマスクとして充分な耐性を示すことがわかっ
た。その後、ポリイミドとシリコーンの二層１１１ｅエ
ッチングマスクとしてＡｌのドライエ、テング加工を行
い、ポリイミドをハクリすると所望のＡＩ配線が得られ
た。
ｍとなるように回転塗布し、表面全平滑化した。１４が
本発明のレジストの一例である前記溶融ヲ映厚約０２μ
ｍ〜１μｍとなるように回転塗布して形成した。（第１
図） その後、加速電圧２０ＫＶの電子線を照射量線５×１０
−’クーロン／ａｄとなるように選択照射して、酢酸イ
ソアミルにより視像し、ネガ型パターンを得る。ついで
０．ＩＴｏｒｒ〜０１０１ Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気
中での反応性スパッタエツチングによシ、ポリイミド下
地膜を異方的に加工した（第２図）。フェニル基をクロ
ルメチル化したジメチル、メチルフェニルシリコーン膜
１４の耐酸素プラズマ性はポリイミドの約１０倍らりエ
ツチングのマスクとして充分な耐性を示すことがわかっ
た。その後、ポリイミドとシリコーンの二層１１１ｅエ
ッチングマスクとしてＡｌのドライエ、テング加工を行
い、ポリイミドをハクリすると所望のＡＩ配線が得られ
た。
（第３図）この際、本発明のシリコーンは、芳香族環を
含むためシリコーン樹脂としては酸素以外のＣＦ、やＣ
Ｃ６５Ｆ等の反応性スバツタエ、チング耐性にも強く、
ポリイミド膜のマスクとしてのもちをよくした。
含むためシリコーン樹脂としては酸素以外のＣＦ、やＣ
Ｃ６５Ｆ等の反応性スバツタエ、チング耐性にも強く、
ポリイミド膜のマスクとしてのもちをよくした。
以上、詳しく述べたように、本発明によシ、シリコーン
構造でｉｔ酸素プラズマ性をよくシ、ベンゼン壌により
、耐フレオン系プラズマ耐性をよくし、しかもクロルメ
チル化により露光感度も向上した＾解像度ネガ型レジス
トが得られたわけであるが、前記実施例は例示的なもの
でろって限定的なものではない。一般的に置挨基を変化
することにより耐プラズマ性゛、感度、Ｐｓ像度を少し
ずつ変化できるので前記構成要素に基づき目的におわせ
所望のものを得ることができることは明確である。
構造でｉｔ酸素プラズマ性をよくシ、ベンゼン壌により
、耐フレオン系プラズマ耐性をよくし、しかもクロルメ
チル化により露光感度も向上した＾解像度ネガ型レジス
トが得られたわけであるが、前記実施例は例示的なもの
でろって限定的なものではない。一般的に置挨基を変化
することにより耐プラズマ性゛、感度、Ｐｓ像度を少し
ずつ変化できるので前記構成要素に基づき目的におわせ
所望のものを得ることができることは明確である。
第１図〜第３図は本発明の耐プラズマ性放射線感応性高
分子レジストの有効性全説明するための半導体デバイス
製造の主要工程における該デバイスの概略断面を順次示
す図である。 図中の番号は以下のものを示す。 １１：半導体基板、 １２：Ａｌ膜。 １３：下地有機膜。
分子レジストの有効性全説明するための半導体デバイス
製造の主要工程における該デバイスの概略断面を順次示
す図である。 図中の番号は以下のものを示す。 １１：半導体基板、 １２：Ａｌ膜。 １３：下地有機膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記（Ｉｌぺ旬、および叫の一般式で表わされる構造単
位 よりなる放射線感応性高分子レジストでｈｚて、式中Ｘ
はハロゲン、−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨＲ。 ■ −０−ＣＨ，ＣＨ＝ＣＨＲ，−ＮＨ−ＣＨ，ＣＨ＝ＣＨ
Ｒ。 シ、Ｒは水素、アルキル基、フェニル基又は置換フェニ
ル基であシ、ｎは１〜５の値であり、前記構造単位（Ｉ
）に−（ＣＭ、Ｘ）が複数個結合している場合にはＸは
同−又は異なる置換基であシ、Ｒ′は水素、Ｒと同−又
は異なるアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基で
あって、前記構造単位（Ｉ） 、 ０１） 。 および叫の数の和が５０以上であり、前記構造単位（Ｉ
）と（６）の数の和が全構造単位数のｌθ〜３０チであ
り、前記構造単位（Ｉ）と（ＩＩ）の数の比が１対１０
〜県対１であることを特徴とした放射線感応性高分子レ
ジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9063982A JPS58207041A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 放射線感応性高分子レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9063982A JPS58207041A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 放射線感応性高分子レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207041A true JPS58207041A (ja) | 1983-12-02 |
Family
ID=14004066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9063982A Pending JPS58207041A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 放射線感応性高分子レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207041A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0122398A2 (en) * | 1983-04-18 | 1984-10-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Pattern forming material and method for forming pattern therewith |
| JPS59193451A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6017443A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6057833A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
| JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
| JPS61188539A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPS6255650A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
| WO1989004507A1 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Toray Silicone Co., Ltd. | Pattern forming material and method for forming pattern |
| US5011901A (en) * | 1988-05-25 | 1991-04-30 | Dow Corning Toray Silicone | Polyorganosiloxane with chloromethyl groups |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP9063982A patent/JPS58207041A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222942B2 (ja) * | 1983-04-18 | 1990-05-22 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS59193451A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| EP0122398A2 (en) * | 1983-04-18 | 1984-10-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Pattern forming material and method for forming pattern therewith |
| JPS6017443A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6057833A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
| JPH0215054B2 (ja) * | 1983-09-09 | 1990-04-10 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
| JPH0344291B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1991-07-05 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS61188539A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
| JPH0345380B2 (ja) * | 1985-02-18 | 1991-07-10 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS6255650A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
| WO1989004507A1 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Toray Silicone Co., Ltd. | Pattern forming material and method for forming pattern |
| US4985342A (en) * | 1987-11-09 | 1991-01-15 | Toray Silicone Company, Ltd. | Polysiloxane pattern-forming material with SiO4/2 units and pattern formation method using same |
| US5011901A (en) * | 1988-05-25 | 1991-04-30 | Dow Corning Toray Silicone | Polyorganosiloxane with chloromethyl groups |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4481049A (en) | Bilevel resist | |
| US4507384A (en) | Pattern forming material and method for forming pattern therewith | |
| US4481279A (en) | Dry-developing resist composition | |
| US4521274A (en) | Bilevel resist | |
| JPS61144639A (ja) | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 | |
| CA1166061A (en) | Method of forming a negative resist pattern by exposing to crosslink a copolymer containing halomethyl or acrylymethyl substituted styrene units | |
| JPS58207041A (ja) | 放射線感応性高分子レジスト | |
| JPS60119550A (ja) | パタン形成材料及びパタン形成方法 | |
| JPS5949536A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| EP0236914B1 (en) | Fabrication of electronic devices utilizing lithographic techniques | |
| EP0067067B1 (en) | Dry-developing negative resist composition | |
| US3669662A (en) | Cyclic polyisoprene photoresist compositions | |
| US4268607A (en) | Method of patterning a resist layer for manufacture of a semiconductor element | |
| JPS617835A (ja) | レジスト材料 | |
| JPH08193167A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| US4367281A (en) | Fine fabrication process using radiation sensitive resist | |
| JPS59121042A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPH0521227B2 (ja) | ||
| JPS6364771B2 (ja) | ||
| JPH0145611B2 (ja) | ||
| JPS6197651A (ja) | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 | |
| JPS6273250A (ja) | パタ−ン形成用材料およびパタ−ン形成方法 | |
| JPS6111738A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
| JPS5915243A (ja) | レジスト材料 | |
| Atoda et al. | A novel negative electron‐beam resist with high resolution and high dry‐etching durability: Chloromethylated poly‐2‐isopropenylnaphthalene |