JPS6057833A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
- Publication number
- JPS6057833A JPS6057833A JP58165269A JP16526983A JPS6057833A JP S6057833 A JPS6057833 A JP S6057833A JP 58165269 A JP58165269 A JP 58165269A JP 16526983 A JP16526983 A JP 16526983A JP S6057833 A JPS6057833 A JP S6057833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist material
- resist
- energy rays
- sensitivity
- polyphenylsilsesquioxane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線、軟Ｘ線等の高エネルギー線用しクスト
材料に関する。
材料に関する。
ＬＳＩの製造に用いられるレジストについて、高精細で
高１スペクト比のパターンを形成するために、レジスト
を２層構造とする方法が提案されている。
高１スペクト比のパターンを形成するために、レジスト
を２層構造とする方法が提案されている。
すなわち、有機高分子材料層の上に薄いレジストｍｔ−
ｔき、レジストパターンを形成後、−’すれをマスクと
し、酸素ガスプラズマによシ有機高分子材料をエツチン
グする。このレジストには酸素プラズマ耐性に優れてい
ると同時に高感度、高解像性が要求され、酸素プラズマ
耐性に優れたシリコン含有ポリマーに高感応性基を尋人
したレジスト材料が有望視されている。
ｔき、レジストパターンを形成後、−’すれをマスクと
し、酸素ガスプラズマによシ有機高分子材料をエツチン
グする。このレジストには酸素プラズマ耐性に優れてい
ると同時に高感度、高解像性が要求され、酸素プラズマ
耐性に優れたシリコン含有ポリマーに高感応性基を尋人
したレジスト材料が有望視されている。
しかし、現在知られているシリコーン系レジストではガ
ラス転移温度（Ｔｔ）が室温よシ低く、分子量の低いポ
リマーは液状のため、非常に扱い難く、高エネルギー線
に対しても感度が悪くなる。また分子量が高い場合はゴ
ム状であシ、現像溶媒中での膨潤のためパターンのうね
ｐ等によシ解像度の低下を招く欠点があった。
ラス転移温度（Ｔｔ）が室温よシ低く、分子量の低いポ
リマーは液状のため、非常に扱い難く、高エネルギー線
に対しても感度が悪くなる。また分子量が高い場合はゴ
ム状であシ、現像溶媒中での膨潤のためパターンのうね
ｐ等によシ解像度の低下を招く欠点があった。
また、レジスト膜厚を薄くすることによシ、更に高解像
度とするためには耐酸素プラズマ性を向上させる必要が
あった。そのため、シリコン含有率を大幅に向上させる
必要があった。
度とするためには耐酸素プラズマ性を向上させる必要が
あった。そのため、シリコン含有率を大幅に向上させる
必要があった。
本発明の目的は、シリコン含有率が高く、かつＴ１が高
いレジスト材料を提供することにある。
いレジスト材料を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はレジスト材
料の発明であって、それが下記一般式Ｉ： （式中、１、ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｌとｍ
が同時に０になることはない）で表されることを特徴と
する。
料の発明であって、それが下記一般式Ｉ： （式中、１、ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｌとｍ
が同時に０になることはない）で表されることを特徴と
する。
そして、本発明の第２の発明は、他のレジスト材料の発
明であって、それが、上記一般式■で表されるレジスト
材料における該一般式ＣＩ）中の−ＣＨ，Ｃ１基の一部
あるいはすべてを、−ＣＨ２Ｂｒ 、−ＣＨ２１、−Ｃ
Ｈ，−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ，、１ よシなる群から選択した１種の基で置換した化金物であ
ることを特徴とする。
明であって、それが、上記一般式■で表されるレジスト
材料における該一般式ＣＩ）中の−ＣＨ，Ｃ１基の一部
あるいはすべてを、−ＣＨ２Ｂｒ 、−ＣＨ２１、−Ｃ
Ｈ，−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ，、１ よシなる群から選択した１種の基で置換した化金物であ
ることを特徴とする。
すなわち、本発明のレジスト材料は、耐酸素プラズマ性
の−８１−〇τ、結合を含むことを特徴とし、Ｔｆが高
いラダー形のシルセスキオキサン構造を含み、更にその
側鎖のフェニル基に高エネルギー線に対して高い反応性
と解像性を示す感応性基を有することを特徴とするポリ
シルセスキオキサンレジストである。
の−８１−〇τ、結合を含むことを特徴とし、Ｔｆが高
いラダー形のシルセスキオキサン構造を含み、更にその
側鎖のフェニル基に高エネルギー線に対して高い反応性
と解像性を示す感応性基を有することを特徴とするポリ
シルセスキオキサンレジストである。
本発明における最も重要な点は、Ｔｆの高いポリフェニ
ルシルセスキオキサンのフェニル基ニ感応性基を導入す
ることによｐ高感度、高解像性の高エネルギー線用レジ
スト材料になることを見出した点にある。ポリフェニル
シルセスキオキサンは可溶性ラダーポリマーであり、そ
の構造から推定されるように耐熱性や機械強度に優れて
いる。しかしながら、フェニル基の一部を他の基で置換
えるとポリマーのラダー構造を保持することが困難であ
り、例えばメチル基やビニル基の場合数多の導入でゲル
化を生ずることが知られている。しかし、ポリフェニル
シルセスキオキサンは高エネルギー線に対しても安定で
あｐ、レジスト材料として用いることができムい。他方
、フェニル基の水素を塩素などのハ′ロゲンで置換した
ものは高エネルギー線に感応するが、感度が低いため、
レジスト材料としては不適当であった。本発明者等はフ
ェニル基にクロロメチル基を導入することによｐ、高感
度、高解像性の高エネルギー線用レジスト材料となるこ
とを見出し、更にクロロメチル基の−Ｃ１を−Ｂｒ、−
Ｆ、−Ｉなどのハロゲンあるいは−０−Ｃ−ＣＨ＝ Ｃ
Ｈ２で表されるアクリロイルオツ ＣＨ３ キシ基、−０−Ｃ−Ｃ＝Ｃ’Ｈ，で表されるメタクリ口
１ るシンナモイルオキシ基、で置換したポリフェニルシル
セスキオキサンモ高エネルギー線用レジスト材料となる
ことを見出した。ポリフェニルシルセスキオキサンは構
造のよく似たポリジフェニルシロキサンと比較してシリ
コン含有率が１５倍以上高いため、耐酸素プラズマ性に
優れている。
ルシルセスキオキサンのフェニル基ニ感応性基を導入す
ることによｐ高感度、高解像性の高エネルギー線用レジ
スト材料になることを見出した点にある。ポリフェニル
シルセスキオキサンは可溶性ラダーポリマーであり、そ
の構造から推定されるように耐熱性や機械強度に優れて
いる。しかしながら、フェニル基の一部を他の基で置換
えるとポリマーのラダー構造を保持することが困難であ
り、例えばメチル基やビニル基の場合数多の導入でゲル
化を生ずることが知られている。しかし、ポリフェニル
シルセスキオキサンは高エネルギー線に対しても安定で
あｐ、レジスト材料として用いることができムい。他方
、フェニル基の水素を塩素などのハ′ロゲンで置換した
ものは高エネルギー線に感応するが、感度が低いため、
レジスト材料としては不適当であった。本発明者等はフ
ェニル基にクロロメチル基を導入することによｐ、高感
度、高解像性の高エネルギー線用レジスト材料となるこ
とを見出し、更にクロロメチル基の−Ｃ１を−Ｂｒ、−
Ｆ、−Ｉなどのハロゲンあるいは−０−Ｃ−ＣＨ＝ Ｃ
Ｈ２で表されるアクリロイルオツ ＣＨ３ キシ基、−０−Ｃ−Ｃ＝Ｃ’Ｈ，で表されるメタクリ口
１ るシンナモイルオキシ基、で置換したポリフェニルシル
セスキオキサンモ高エネルギー線用レジスト材料となる
ことを見出した。ポリフェニルシルセスキオキサンは構
造のよく似たポリジフェニルシロキサンと比較してシリ
コン含有率が１５倍以上高いため、耐酸素プラズマ性に
優れている。
（ＺはＣ１又はＯＣＲ，）で表されるシラン化合物を加
水分解することにょシ容易に得られる。
水分解することにょシ容易に得られる。
以下にポリシルセスキオキサン構造ヲ持つレジストの製
造例を示す。
造例を示す。
製造例１
フェニルトリクロロシラン７ｆｆＮ−メチルピロリドン
２０ゴ中に溶解したのチ、Ｈ，０１０ゴ、濃塩酸５−を
加え、３０℃で２４時間放置した。沈殿物を水洗したの
ちテトラヒドロフラン２０−に溶解させ、メタノール中
に注入し、ポリフェニルシルセスキオキサンの白色沈殿
物８２を得た。重量平均分子量Ｍｗ−１７Ｘ１０’、分
散度Ｍｗ／Ｍｎ ＝ １８であった。
２０ゴ中に溶解したのチ、Ｈ，０１０ゴ、濃塩酸５−を
加え、３０℃で２４時間放置した。沈殿物を水洗したの
ちテトラヒドロフラン２０−に溶解させ、メタノール中
に注入し、ポリフェニルシルセスキオキサンの白色沈殿
物８２を得た。重量平均分子量Ｍｗ−１７Ｘ１０’、分
散度Ｍｗ／Ｍｎ ＝ １８であった。
このポリフェニルシルセスキオキサン８２をクロロメチ
ルメチルエーテル２５０−に溶かし塩化第二スズ１０ゴ
を触媒として、−５℃で１０時間反応させた。反応液を
メタノール中に注ぎ込み白色固体のクロロメルチ化ポリ
フェニルシルセスキオキサンを得た。元素分析からこの
ポリマーのクロロメチル化率は４５チ、またゲルパーミ
ェーションクロマトグラフィーから計算したＭｗ＝２．
０Ｘ１０’、Ｍｗ／Ｍｎ ＝ １．９であった。
ルメチルエーテル２５０−に溶かし塩化第二スズ１０ゴ
を触媒として、−５℃で１０時間反応させた。反応液を
メタノール中に注ぎ込み白色固体のクロロメルチ化ポリ
フェニルシルセスキオキサンを得た。元素分析からこの
ポリマーのクロロメチル化率は４５チ、またゲルパーミ
ェーションクロマトグラフィーから計算したＭｗ＝２．
０Ｘ１０’、Ｍｗ／Ｍｎ ＝ １．９であった。
製造例２
製造例１で得られたクロロメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサン３０ｆを臭化カリ５６１と共に１５０−の
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、８０℃で４時
間かくはん後、大量の水−メタノール混合液に注ぐと、
得られた沈殿はブロモメチル化ポリフェニルシルセスキ
オキサンであった。クロロメチル基は９０７６以上ブロ
モメチル基に変換され、ＭＷ＝２． ｓ ｘ ｉ ｏ’
、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９であった。
スキオキサン３０ｆを臭化カリ５６１と共に１５０−の
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、８０℃で４時
間かくはん後、大量の水−メタノール混合液に注ぐと、
得られた沈殿はブロモメチル化ポリフェニルシルセスキ
オキサンであった。クロロメチル基は９０７６以上ブロ
モメチル基に変換され、ＭＷ＝２． ｓ ｘ ｉ ｏ’
、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９であった。
製造例３
製造例１で得られたクロロメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサン５０９をヨウ化カリ５５２と共に１５０コ
のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、製造例２と
同様の方法によってヨードメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサンを得た。変換率は９０チ以上であシ、茜＝
２、４ Ｘ １０ 、 Ｍｗ／Ｍｎ＝ ｔ ９であった
。
スキオキサン５０９をヨウ化カリ５５２と共に１５０コ
のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、製造例２と
同様の方法によってヨードメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサンを得た。変換率は９０チ以上であシ、茜＝
２、４ Ｘ １０ 、 Ｍｗ／Ｍｎ＝ ｔ ９であった
。
製造例４
僧ｌＪｙ！ｈａ１１１−噂イ１１ ｒ Ｊｑ 、ｆｉ−
Ｊ＋ −−−＋ ｘ 、、／ｌ＋１ｊ ＋１ − −ニ
ルシルセスキオキサン５０１を１５０−のピリジンに溶
解させ、１０℃にて０゜２５モルのアクリル酸を３時間
で滴下させ、６時間放置した。
Ｊ＋ −−−＋ ｘ 、、／ｌ＋１ｊ ＋１ − −ニ
ルシルセスキオキサン５０１を１５０−のピリジンに溶
解させ、１０℃にて０゜２５モルのアクリル酸を３時間
で滴下させ、６時間放置した。
反応後メタノール中に注ぎ、沈殿となったアクリロイル
オキシメチＪＩＪヒポリフェニルシルセスキ△ オキサン全書た。変換率は９０％以上であシ、Ｍｗ＝
２．８ Ｘ １０’、Ｍｗ／Ｍｎ＝ ２．０であった。
オキシメチＪＩＪヒポリフェニルシルセスキ△ オキサン全書た。変換率は９０％以上であシ、Ｍｗ＝
２．８ Ｘ １０’、Ｍｗ／Ｍｎ＝ ２．０であった。
製造例５
製造例４と同様の方法にて０．２５モルのメタクリル酸
を滴下し、メタクリロイルオキシメチル化ポリフェニル
シルセスキオキサンｋ ｍ タ。
を滴下し、メタクリロイルオキシメチル化ポリフェニル
シルセスキオキサンｋ ｍ タ。
変換率は９０チ以上であシ、ム４ｗ＝５． ＯＸ １０
’、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０であった。
’、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０であった。
製造例６
製造例４と同様の方法にて、０２５モルの桂１１ｅを滴
下し、シンナモイルオキシメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサンを得た。変化率は９０チ以上でアシ、Ｍｗ
＝２．５ Ｘ １０’、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。
下し、シンナモイルオキシメチル化ポリフェニルシルセ
スキオキサンを得た。変化率は９０チ以上でアシ、Ｍｗ
＝２．５ Ｘ １０’、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。
次に本発明を実施例によフ更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１
製造例１〜６で得られた高エネルギー線感応材料をメチ
ルイソブチルケトンに溶解し、シリコンウェハに約０．
５μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間窒素気流中
でプリベークした。プリベーク後、加速電圧２０ ＫＶ
で電子線照射を行った。照射後ウェハをメチルエチル
ケトン：イソプロピルアルコール＝４：１の温合溶媒で
現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。感度の
目安となる初期膜厚の５０チが残る電子線照射量と解像
性の目安となるγ値を表１にまとめて示す。
ルイソブチルケトンに溶解し、シリコンウェハに約０．
５μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間窒素気流中
でプリベークした。プリベーク後、加速電圧２０ ＫＶ
で電子線照射を行った。照射後ウェハをメチルエチル
ケトン：イソプロピルアルコール＝４：１の温合溶媒で
現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。感度の
目安となる初期膜厚の５０チが残る電子線照射量と解像
性の目安となるγ値を表１にまとめて示す。
表 １
また解像性を、評価するライン／スペースパターンで電
子線照射後現像を行った場合に、得られたヒゲやブリッ
ジがなく解像しうる最小ライン幅を表２に示す。
子線照射後現像を行った場合に、得られたヒゲやブリッ
ジがなく解像しうる最小ライン幅を表２に示す。
表 ２
コレラのポリフェニルシルセスキオキサンレジストのＴ
ｆを測定した結果、すべて５００℃以上でアシ、ジフェ
ニルシロキサンポリマーのＴ１１５０℃に比較して高い
値を示すことを確認した。また酸素プラズマ耐性を調べ
た結果、エツチング速度カシフェニルシロキサンポリマ
ーの５０ｘ／分に対し、本発明のレジスト材料はシリコ
ン含有率が高いため、２０ｘ／分と低い値であった。
ｆを測定した結果、すべて５００℃以上でアシ、ジフェ
ニルシロキサンポリマーのＴ１１５０℃に比較して高い
値を示すことを確認した。また酸素プラズマ耐性を調べ
た結果、エツチング速度カシフェニルシロキサンポリマ
ーの５０ｘ／分に対し、本発明のレジスト材料はシリコ
ン含有率が高いため、２０ｘ／分と低い値であった。
実施例２〜４
実施例１の方法において電子線照射の代９にＸ線（実施
例２）、遠紫外線（実施例３ン、オンビーム（実施例４
）を用いて照射した。
例２）、遠紫外線（実施例３ン、オンビーム（実施例４
）を用いて照射した。
０時、初期膜厚の５０％が残る各高エネルギ線照射量を
表３に示す。
表３に示す。
ここで用いた高エネルギー線感応材料は製造例１〜６で
得られたものである。
得られたものである。
実施例５
実施例１の方法において電子線照射の代シに超高圧水銀
灯によシ紫外線（５６５ｎｍ波長）を照射した。初期膜
厚の１００％が得られる最小露光量を表４に示す。
灯によシ紫外線（５６５ｎｍ波長）を照射した。初期膜
厚の１００％が得られる最小露光量を表４に示す。
表 ４
製造例１〜３で得られたレジスト材料は紫外線に対して
は感度が低く、６Ｊ／ｃｒｎ２以上の照射量でも初期膜
厚の０％であシバターン形成できなかった。
は感度が低く、６Ｊ／ｃｒｎ２以上の照射量でも初期膜
厚の０％であシバターン形成できなかった。
比較例
クロロフェニルトリクロロシランヲ７７１１ 水分解、
脱水縮合して得られるクロロ化ポリフェニルシルセスキ
オキサン及び高エネルギー線感応性基が導入されていな
いポリフェニルシルセスキオキサンについて、実施例１
と同様の方法によシミ子線照射特性を測定した結果を表
５に示す。
脱水縮合して得られるクロロ化ポリフェニルシルセスキ
オキサン及び高エネルギー線感応性基が導入されていな
いポリフェニルシルセスキオキサンについて、実施例１
と同様の方法によシミ子線照射特性を測定した結果を表
５に示す。
本発明のレジスト材料に比較して感度が低いことがわか
る。
る。
表 ５
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明で得られるレジスト材料は
、ポリフェニルシルセスキオキサンのベンゼン環に高エ
ネルギー線感応性基を有するため、従来のシリコーン系
レジストに比較して高Ｔ２であり、高感度、高解像性で
ある。また、シリコン含有率が高いため、耐酸素プラズ
マ性に侵れる利点がある。
、ポリフェニルシルセスキオキサンのベンゼン環に高エ
ネルギー線感応性基を有するため、従来のシリコーン系
レジストに比較して高Ｔ２であり、高感度、高解像性で
ある。また、シリコン含有率が高いため、耐酸素プラズ
マ性に侵れる利点がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 下記一般式Ｉ： （式中、ｌ、ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｌとｍ
が同時に□になることはない）で表されることを特徴と
するレジスト材料。 ２ 下記一般式■： （式中、１．ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、１とｍ
が同時に０になることはない）で表されるレジスト材料
における該一般式ＣＩ）中の一〇Ｈ，Ｃ１基の一部ある
いはすべてを、−ＣＨ２Ｂｒ、 −ＣＨ７１，−ＣＨ２
−０−Ｃ−ＣＨ＝Ｃ！Ｈ２、１ Ｃ） よシなる群から選択した１種の基で置換し、た化合物で
あることを特徴とするレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165269A JPS6057833A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165269A JPS6057833A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057833A true JPS6057833A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0215054B2 JPH0215054B2 (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=15809119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165269A Granted JPS6057833A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057833A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0164598A2 (en) * | 1984-05-14 | 1985-12-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same |
| US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
| JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
| US6852795B2 (en) | 2000-05-29 | 2005-02-08 | 3M Espe Ag | Prepolymeric (meth)acrylates with polycyclic or aromatic segments |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
| JPS59193451A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6017443A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58165269A patent/JPS6057833A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
| JPS59193451A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPS6017443A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0164598A2 (en) * | 1984-05-14 | 1985-12-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same |
| US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
| JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
| US6852795B2 (en) | 2000-05-29 | 2005-02-08 | 3M Espe Ag | Prepolymeric (meth)acrylates with polycyclic or aromatic segments |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0215054B2 (ja) | 1990-04-10 |
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