JPS58105142A - 遠紫外線感応性レジスト材料及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子、磁気バブル素子又は光応用部品等
の製造に利用しうる優れ７ｔ％性を１する遠紫外線感応
性レジスト材料及びその使用方法に関する。

従来、微小回路素子例えば集積回路（ｒｅ　）汀、感光
性樹脂（ホトレジスト）會塗布後マスクケ通して紫夕ｔ
、可視光を露光し、適当な現像溶媒で現像して微細バタ
ン全形成し、基板をウエツＩ・エツチングし、更に不純
物ドーピング等の処理を経て製造されている。

しかし近年、集積回路素子の為集積化により、素子性能
の高速化、装置の小型化及び経済化が図れるため、更に
微細なバタン全形成することが不可欠になりつつある。

そのため、紫外、可視光の代りに更に蝮波長（５００ｎ
ｍ　以下）のいわゆる遠紫外線を用いて局鞘度バメン葡
形成する技術が展開され始めている０又、基板加工にお
いて、化学薬品からなる食刻剤會用いるいわゆるウェッ
トエツチング加工は、基板への不純物の侵入あるいはエ
ツチング溶液のバタン下方への侵食（サイドエツチング
）等の問題点をもつため、励起状態のガスグラズマある
いはイオン等を用いて基板材料全気化食刻するいわゆる
ドライエツチング加工に移りつつある〇このような情勢
から、遠紫外線を用いてバタンを形成してドライエツチ
ング加工するための高分子化合物の皮膜は、遠紫外線照
射によりバタン全形成する場合、（す１，５μｍ以下の
高い解像性を有し、（２）ドライエツチング加工を行っ
た場合所望の基板を一定の深さまで加工しても保饅膜と
してのレジスト層が残存できる、いわゆる耐ドライエツ
チング性が高く、更には、（３）遠紫外線に対して高感
度である必要がある。この５つの特性を充足させるため
数種のレジスト材料が検討されてきた。

しかしながら、これらの全ての特性を充足する材料はほ
とんどないのが現状であり、例えば、１μｍ以下の高解
像性を示す照射部分が現像溶媒に溶解するポジ型レジス
ト材料であるポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡ
　　と略記する）は、耐ドライエツチング性が充分でな
く、あわせて低感度であるため、製造工程のスループッ
ト問題となっている。

一方、照射部分が現像溶媒に不溶化してバタンか形成さ
れるネガ型レジスト材料については、ビニル基のような
不飽和基又りエポキシ基７．　％するものが検討されて
（八るが、しかし、解像度及び耐ドライエツチング性が
不足し、父、特に、これらは大気中で露光すると、改累
の影響により感度が一桁以上低下する問題がある。例え
ば２−クロロエチルビニルエーテルトヒニルオキシエチ
ルアクリレートとの共重合体においては、照射、現像後
初期膜厚の９０％を残存させるために、窒素中では前記
ＰＭＭＡ　の約４倍の照射量で十分であるのに対し、大
気中ではＰＭＭＡ　　の約４０倍以上の照射量が必要で
ある。（三村ほか、第２５回応用物理学会講演予稿集、
１９７８年、２９１頁）このため、露光は真空下あるい
ｔｊ窒素等の不活性ガス中で行わなければならず、装置
が複雑となり集用的には著しい制約會受けることになる
。

本発明は、これらの問題を解決するためになされたもの
であり、その目的は、遠紫外線に対して高感度、高解像
度かつ高耐ドライエツチング性の高分子化合物膜の微細
レジストバタン葡形成する遠紫外線感応性レジスト材料
及びその使用方法を提供することである。

本発明につき概説すれば、本発明の遠紫外線感応性レジ
スト材料（第１番目の発明）は、遠紫外線感応性物質と
して一般式 （式中、Ｒｉ水素原子又はメチル基、Ｘｉｄハロゲン原
子を示し、ｔは正の輪数又は零、ｍは正の整数、ｎは１
〜５の正の整数を示す）で表わされる高分子化合物膜含
むことを特徴とするものであり、又、本発明の遠紫外線
感応性レジスト材料の使用方法（第２番目の発明）は、
基板上に、遠紫外線感応性物質として一般式（式中、Ｒ
Ｖ′１：水累原子又はメチル基、ｘＨハロゲン原子を示
し、ｔは正の整数又は零、ｍは正の整数、ｒｌけ１〜５
の正の整数を示す）で表わされる筒分子化合物ケ含むレ
ジスト材料の膜を形ｈｖ、　１．、、遠紫外線荀照射し
て形成膜の一部分ケ選択的に露光し、次いで該絹元部分
以外の検ｒ現像液にエリ選択的に除去して微細パタンケ
形成することを特徴とするものである。

本発明における上記一般式で表わされる高分子化合物仁
［、遠紫外線に対して感応性の而いＣ−Ｘ（Ｘｉ：↓ハ
ロゲン原子ケ示す）基紫色有することにより遠紫外線感
度全高め、又、単位構造中にベンゼン環及びハロゲン原
子を含有するために、耐熱性及び向１ドライエツチング
性の優れたレジストケ提供することができる。又、本発
明における高分子化合物の基本構造全構成するポリスチ
レン又はポリα−メチルスチレンは、ガラス転移温度（
Ｔｒ　）　　が高くて解像度低下の原因となっている現
像溶媒による膨潤が少なく、又、リビング重合により分
散度（重創平均分子ｔ／数平均分子剛）が例えば１．０
２等と単分散に近い狭い分子量分布の重合体（高分子化
合物）が得られ、解像性の向−Ｆが期待できるものであ
る。

本発明における上記一般式で表わされる遠紫外線感応性
高分子化合物（以下前記一般式中のＸが塩素原子の場合
？代表して説明する）としては、そのクロロメチル化度
ＣＴ；）が０．０５（ｍｎ　　≦０８の範囲内のものと
することが適”ｔ＋ｍ　　　− 当である。本発明においては、後記製造例及び実施例で
具体的に説明するように、原料重合体の種類、＃度及び
触媒量等の制御により種種のクロロメチル化度なもつ高
分子化合物全合成することができ、それらの感度はクロ
ロメチル化度が高くなるにつれて向上する。例えば、ポ
リスチレンの２００Ｗ重水素ランプ照射時における感度
はＰＭＭＡ　　のＺｏ　　とかなり低い。しかし、クロ
ロメチル化度が高くなると感層は大きく上昇し、クロロ
メチル化度００５でｉｊ　ＰＭＭＡ　　の約１０倍、ク
ロロメチル化度０４３ではＰＭＩＪＡ　　の約４０倍と
なる。仁の場合、クロロメチル化［が０，０５未満では
合成制御が困雛であり、父感度も低くなり、したがって
クロロメチル化＃Ｌは０．０５以上とすることが適当で
ある。クロロメチル化した高分子化合物が筒感ＩＡＩ示
す理由としては、クロロメチル基の面皮応性と共に、２
００〜５００　ｎｔ７１　の遠紫外域における強い吸収
があげられる。第１図は、ポリスチレン及びクロロメチ
ル化度の異なる各種クロロメチル化ポリスチレンの紫外
線吸収スペクトル會示したグラフであり、Ａはポリスチ
レン、Ｂはクロロメチル化度が０．１４のクロロメチル
化ポリスチレン、Ｃはクロロメチル化度が０４５のクロ
ロメチル化ポリスチレン、Ｄはクロロメチル化度が［１
９Ｂのクロロメチル化ポリスチレンの吸収スペクトル曲
線を示す０第１図から明らかなように、クロロメチル化
度の増大と共に吸収が太きくなる。又、第２図は後記製
造例１で得られたクロロメチル化度０４６のクロロメチ
ル化ポリスチレンにおける波長（ｎｍ　）　　と相対感
度（Ｘ　１０３Ｃｒｎ／Ｊ　）　　（吸光係数で規格化
した分光感度〕とのＦ４−係を示し友グラフである。第
２図から明らかなように、波長約２６０　ｎｍ　におい
て極太を示（−１この波長でエネルギー効率が最大であ
り、遠紫外線用レジストとして有利１′：ある。

以上のように、クロロメチル化朋が００５以上に増大す
ると吸収は人きくなるが、これが０８會越えて筒すぎる
と吸収が太きい友め九が透過せず、バタン形成が困離と
なり感度が低下する。以上ｋＡ慮してクロロメチル化度
は、前針１したように０．０５＜−”−≦０．８の範囲
内と”ｔ＋ｍ することが望ましい。なお、前記の説明ｒま、前記一般
式で表わされる高分子化合物において、Ｘが塩素原子で
ある場合であるが、これはＸが他のハロゲン原子例えば
臭素原子の場合においてもほぼ同一であることは言うま
でもない〇又、上記クロロメチル化ポリスチレンは、所
定のポリスチレン、ポリα−メチルスチレン又はそれら
のクロロメチル化＠導体會クロロメチルメチルエーテル
等に溶解Ｌ−１四塩化スズ、塩化アルミニウム又は塩化
亜鉛吟の触媒を用いて反応させることにより得られ、又
、ブロモメチル化ポリスチレンは、クロルメチル化ポリ
スチレン’（ｉ７　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等に
浴解し、これに臭化カリウムを加えて反応させることに
より容易に得ることができる。（後記製造例診照） 前目己一般式で表わされる＾分子化合物金色−むレジス
ト拐科會、遠紫外線感応性レジスト材料としてｆｖ！用
するに当っては、これらを適当な溶媒（例えばキシレン
）に８％し、これを基板（例えげンリコンウエハ）上に
塗布して約０．５μｍ程度の厚さの膜全形成し、これケ
大気気流中又は窒素等の不活性ガス気流中でプリベーク
し、その後照射装置内を窒素で置換しつつ２００Ｗ垂水
素ランプ又をま５００Ｗキセノン・水銀ランプ等に工り
遠紫外線全照射する０照射後、メチルエチルケトン等で
現像し、イソプロピルアルコール等でリンスし、所定残
膜に要する相対照射時間から感度を求め優れた結果ケ得
ることができる。又、照射時にバタンか形成された石英
製クロムマスク等を用いることによりレジスト膜の一部
分を選択的に露光し、次いで現像液により露光部分以外
のレジスト膜を選択的に現像、除去して微細バタン全形
成することができる。そして更には、該パタン形成後ア
フタベーク全行い、次に、通常用いられるドライエツチ
ング法によりエツチングを行うことにより基板の微細加
工全行うことができる。

前記したように、ポリスチレン又はポリα−メチルスチ
レンを基本構造としてもちかつハロゲン化メチル基を含
む前記一般式で表わされる本発明で用いる高分子化合物
は、遠紫外線照射に対して感度よく反応して溶解性が太
きく変化するため、微細パタンの形成が可能である０す
なわち、この高分子化合物を含むレジスト材料は、従来
のものと異なり、２００〜５００　ｒｌｍの遠紫外域に
強い吸収紮もち、エネルギー吸収効率が高い長所を有す
る０又、この際、大気中ｉ１ビ光でも感度が低下しない
ため、露光装置の簡易化かり能である。更に又、解像性
及び耐ドライエツチング性にも優れているので基板加工
に充分便用することができる。

すなわち、ｖＪＲ己実施例に具体的に示すように、本発
明で用いる高分子化合物は前述したように琳位構造中に
高反応性の−・ロゲン化メチル基ケ含むので、ＰＭＭＡ
　に対する相対感度−１０倍以上であり、実用性が高く
、又、１μｐ＋　以下のノ（タンＰｔＭ像でき、高解像
性であり、更に単位構造中にベンゼン環及びハロゲン原
子を含むので、耐ドライエツチング性及び耐熱性に優れ
ており、特に高耐ドライエツチング性により、１μｍ幅
＋７）フルミニラム又はシリコン基板の加工が可能であ
る０ 次に、本発明で用いる前記一般式で表わされる縞分子化
合物の製造の代表的具体例を示す。

製造例１（前記一般式中のＲが水素原子、Ｘが塩素原子
のもの） 重１４平均分子鯖：Ｉ００，０００、分散度１．０２の
ポリスチレン１ｔｙりＯＯメチルメブルエーデル４０　
ｃｃ　　にｉ１４し、これに１５　ｃｃ　　のクロロメ
チルメチルエーテルで希釈した１、　６　ｃｃ　　の四
塩化スズ全滴下し、−１０℃で９０分間〜応させた。反
応物會メタノールで再沈殿させて回収し、これ全熱メタ
ノールで５時間洗浄後、凍結乾燥してクロロメチル化ボ
リスチレンヲ得た。

このもののクロロメチル化度（ｔ＋ｆｆ１）は０．４３
、分子量は＋　ｓ　ｏ、ｏ　ｏ　ｏであった。

製造例２（前記一般式中のＲが水素原子、Ｘが臭累原子
のもの） 上記製造例１で得られたクロロメチル化ポリスチレンＪ
ｆｆＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２５−に溶解し、粉
砕、乾燥した臭化カリウム１、２　ｔ　ｆ加え８０℃で
３時間乾燥させｆｃｏ反応混合物をメタノールで洗浄し
、減圧乾燥して白色高分子化合物ゲ得た０赤外吸収スペ
クトルにより、クロロメチル基の１２６０ｃｔｎ−’の
吸収が消失したこと及び元累分析から、塩素が臭累に置
換されたことが確認された。このもののブｐモメチル化
度ｔ１０４５、分子量は＋　ｓ　５，０００であった。

製造例３（前記一般式中のＲがメチル基、Ｘが塩素原子
のもの） 重量平均分子［１８０，０００、分散度１．１のポリα
−メチルスチレン１１１（クロロメチルメチルエーテル
４０　ｃｃ　　に溶解し、以下製造例１と同様な方法で
クロロメチル化ポリα−メチルスチレンを得た。このも
ののクロロメチル化度は０５２、分子量は９４．Ｑ　０
０であった。

製造例４（前記一般式中のＲがメチル基、Ｘが臭累原子
のもの） 上記製造例５で得られたクロロメチル化ポリα−メチル
スチレン１ｆｉＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２５−に
俗解し、製造例２と同様な反応条件で臭化カリウムと反
応させ、プロ七メチル化ポリα−メチルスチレンを得た
。このもののブロモメチル化度り０５２、分子１１ｓｓ
、ｏｏ。

であった〇 次に、本発明及びその効果を実施例により説明するが、
本発明はこれらによりなんら限定されるものではない。

実施例１ 前記製造例１で得られたクロロメチル化ポリスチレン（
クロロメチル化度０．４５）ｆキシレンに溶解し、シリ
コンウェハに塗布［７て厚さ約０５μｍの膜を形成し、
９５℃で２０分間空気気流中でプリベークした。プリベ
ーク後、照射装置内全窒素で置換しつつ２００Ｗ重水素
ランプで照射した。照射後、メチルエチルケトンで現像
し、イソプロピルアルコールでリンスした。

基準物質として用いたＰＭＭＡ　　（デュポン社製、エ
ルバサイ）２０４＋）の照射時間を１としたときの相対
照射時間（相対感度〕と現像後の残膜率（％〕との関係
ケ調べた。すなわち、第５図は本発明におけるクロロメ
チル化ポリスチレンの遠紫外線の相対照射時間と残膜率
との関係を示したグラフであり、Ｆは本実施例（クロロ
メチル化度０４５のもの）の場合を示し、Ｅｌｄクロロ
メチル化度０．１４、Ｇはクロロメチル化度０，７４そ
してＨはクロロメチル化度口０５のものの場合會併せて
示した。ｍ５図のｒ゛のグラフから明らかなように、初
期膜厚の９０係が残るためには相対照射時間００２８で
あり、ＰｆｉｌＭＡの約４０倍の感度を有する。又、大
気中で露光してもＩ’ｉｉ’ｌじ感度が得られた。

実施例２ 前記製造例２で得られたブロモメチル化ポリスチレン（
ブロモメチル化ｉ０．４３）ｉキシレンに俗解し、シリ
コンウェハに塗布して厚さ約０．５　、ａｍ　の膜會形
成し、９５℃で２０分間窒素気流中でプリベークした。

プリベーク後、照射装置内全窒素で置換しつつ２００Ｗ
重水累ブンプで照射した。照射後、メチルエチルクート
ンで現像し７、イソプロピルアルコールでリンスした。

実施例１と同様にして感度を調べたところ、ＰＭＭＡ　
　の照射時間音１としたとき、初期膜厚の９０％が残る
ためにθ゛、相対照射時間０．０４０であり、ＰＭＭＡ
　　の約２５倍の感度を有し、この感度は大気中で露光
１−ても変らなかった〇実施例５ 前記製造例５で得られたクロロメチル化ポリα−メチル
スチレン（クロロメチル化９０．５２）をキシレンに溶
解し、シリコンウェハに塗布して厚さ約０．５μｍ　（
７）膜？形成し、ｉ　７０　’Ｃで２０分間窒素気流中
でプリベークした。プリベーク後、照射装置内を窒素で
置換しつつ２００Ｗ重水累ランプで照射した。照射後、
メチルエチルケトンで現像し、イソプロピルアルコール
でリンスした０このものの感度ケ調べたところ、ＰＭＭ
Ａ　の照射時間ケ１としたとき、初期膜厚の９０％が残
るためには、照射時間０．０７であり、ＰＭＭＡ　の約
１５倍の感度金有し、この感度は大気中で露光しても変
らなかった。

実施例４ 前記製造例４で得られたブロモメチル化ポリα−メチル
スチレン（ブロモメチル化度０．５２）をキシレンに溶
解し、シリコンウェハに塗布して厚さ約０５μｍ　の膜
全形成し、４２０℃で２０分間窒素気流中でプリベーク
した。ブリ４−ク後、照射装置内を窒素で置換しつつ２
００Ｗ重水素ラングで照射した。照射後、メチルエチル
ケトンで現像し、イソプロピルアルコールでリンスした
。このものの感度音調べたところ、ＰＭＭＡ　　の照射
時間ｔ１としたとき、初期膜厚の９０％が残るためには
、相対照射時間００９が必要であり、ＰＭＭＡ　の約１
１倍の感度を有し、この感度は大気中で露光しても変ら
なかった。

実施例５ 前記製造例１において触媒である四塩化スズの量を２．
４ｃｃ　　と増加した以外は同様の反応条件で前記一般
式中のＲが水素原子、Ｘが塩素原子でりｐロメチル化度
がα７４のクロロメチル化ポリスチレンを得た。これを
キシレンに溶解し、シリコンウェハに塗布して厚さ約０
．５μｍの膜全形成し、９５℃で２０分間窒素気流中で
１リベークしｆＣｏプリベーク偉、照射装置内會窒素で
置換しつつ２００Ｗ重水素ランプで照射した。照射後、
酢＃Ｉｎ−アミルで現像し、イソプロピルアルコールで
リンスした。このものの感度を調べたところ、ＰＭＭＡ
　の照射時間？１とし友とき、初期膜厚の９０％が残る
ために汀、相対照射時間は００２６であり、ＰＭＭＡ　
の約４０倍の感度を有し、この感度は大気中で露光して
も変らなかった。

実施例６ 前記一般式中のＲが水素原子、Ｘが塩素原子でクロロメ
チル化度０．１４のクロロメチル化ポリスチレン會キシ
レンに浴ＭＬ、シリコンウェハに塗布して厚さ約［１，
５μｍ　の膜を形成し、９５℃で２０分間窒素気流中で
プリベークした。

プリベーク後、照射装置内を窒素で置換しつつ２００Ｗ
の重水素ランプで照射した。照射後、メチルエチルケト
／で現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。こ
のものの感度ヲ調べたところ、ＰＭＭＡ　　の照射時間
を１としたとき、初期膜厚の９０％が残る霞めには、相
対照射時間は００４６であＪ）、ＰＭＭＡ　の約２０倍
の感度會有し、この感度は大気中で露光しても変らなか
つ７ｔ。

実施例７ 前記一般式中のＲが水素原子、Ｘが塩素原子でクロロメ
チル化＃Ｌｏ、　ｏ　ｓのクロロメチル化ポリスチレン
をキシレンに浴ＭＬ、シリコンウェハに塗布して厚さ約
０．５μｎｔ　の膜を形成し、９５℃で２０分間窒素気
流中でプリベークしたＯプリベーク後、照射装置内を窃
素で置換しつつ２００Ｗ重水素ランプで照射した。照射
後、メチルエチルケトンで現像し、イソプロピルアルコ
ールでリンスし７ｔｏこのものの感度１ｒｖ４べたとこ
ろ、ＰＭＭＡ　の照射時間ヶ１としたとき、初期膜厚の
９０％が残るためには、相対照射時間α１１であり、ｐ
ＭＭＡ　の約９倍の感度會有し、この感度は大気中で露
光しても変らなかったＯ実施例８ 前記製造例１で得られたクロロメチル化ポリスチレン（
クロロメチル化度０．４５）ｉ＃シレンに酊解し、シリ
コンウニノ・及びアルミニウムをα４μｍ　の厚さに蒸
着したシリコンウニノーにそれぞれ塗布して厚さ約α５
μｍの膜會形成し、（２１） ９５℃で２０分間窒素気流中でプリベークした。

プリベーク後、０．８μｍ〜５μｍのバタンか形成され
ている石英製クロムマスクを通して５００Ｗのキセノン
・水銀ランプで照射した。この際９０％の膜が残るのに
ＰＭＭＡ　の約Ｖｅｏの照射量で十分であった。照射後
、酢［ｎ−アミルで現像し、イソプロピルアルコールで
り／スした。

この現像、リンスにより１．０μｍ　ライン／スペース
が解像できた＠パタン形成後、１２０℃で２０分間アフ
タベークを行った。次に、反応性スパッタエツチング装
置により、シリコンウェハの場合には四フッ１し炭素會
、アルミニウムを蒸着したシリコンウェハの場合には四
塩化ｐ累全エツチングガスとして、エツチング装置の高
周波電力′ｆｔ５５０ｆとして基板をエツチングした。

この材料のシリコンウェハ基板とのエツチング速度比は
４、アルミニウムを蒸着したシリコンウェハ基板とのエ
ツチング速度比は％であり、十分な耐性を示した。

実施例９ （２２） 前ｉ己製造例５で得られ友クロロメチル化ポリα−メチ
ルスチレン（クロロメチル１じ度ｏ、　５２　）會キシ
レンに＃解し、シリコンウェハ及びアルミニウムを０４
μり？１蒸着したシリコンウェハに塗布１７てそれぞれ
厚さ約［１５μｍの膜を形成し、１２０℃で２０分間窒
素気流中でノリベークした。プリベーク後、石英製クロ
ムマスク會通して５００Ｗのキセノン・水銀ランプで照
射した。

この際、９０チの膜が残るのにＰＭＭＡ　の約４０の照
射量で十分であった。照射後、酢酸ｎ−アミル−イソプ
ロピルアルコール混合溶媒（混合比４　：　１　）で現
像し、イソプロピルアルコールでリンスした０この現像
、リンスにより０，８μＩｎのライン／スペースが解像
できた。バタン形成後、１５０℃で２０分間アフタベー
クを行った。

次に、実施例８と同様にしてドライエツチングを行った
０耐ドライエツチング、坪は前記実施例８のクロロメチ
ル化ポリスチレンと同等であった０ 実施例１０ （２５） 前記一般式中の丘が水素原子、Ｘが塩素原子でクロロメ
チル化度が１１７４のクロロメチル１ｔｌ。

ポリスチレンを実施例８と同様に処理を行い、５００Ｗ
のキセノン・水銀ランプで石英製クロムマスクを通して
照射した。この際、９０％の膜が残るのにＰＭＭＡ　の
約％５の照射量で十分であった。照射後、酢酸ｎ−アミ
ル−イソプロピルアルコール混合溶媒（混合比４：１）
で現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。この
処理により１，０μｍ　ライン／スペースが解像できた
。バタン形成後、１２０℃で２０分間アフタベーク會行
った。次に、実施例８と同様にしてドライエツチングを
行った。耐ドライエツチング性は前記実施例８のクロロ
メチル化ポリスチレンと同等であう友。

以上説明したように、本発明によれば、遠紫外線に対し
て高感度、高解像度かつ高耐ドライエツチング性の高分
子化合物膜の微細レジストバタンを形成しうる遠紫外線
感応性レジスト材料及びその使用方法會提供することが
できる。

（２４） したがって、本発明は、牛尋体、光応用部品及び磁気バ
ブル素子製造等の微細バタン形成用遠紫外線感応性レジ
スト材料として有効に使用できる有用なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はポリスチレン及びクロロメチル化度の異なる各
種クロロメチル化ポリスチレンの紫外線吸収スペクトル
を示したグラフ、第２図はクロロメチル化度α４５のク
ロロメチル化ポリスチレンにおける波長と相対感度との
関係ケ示したグラフ、第５図はクロロメチル化ポリスチ
レンの遠紫外線の相対照射時間と残膜率との関係會示し
たグラフである。 特許出願人　　日本ａｍ電貼公社 代　理　　人　　　中　　　本　　　　　宏（２５） 第１図 波長（ｎｍ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）遠紫外線感応性物質として、一般式（式中、Ｒは
   水素原子又はメチル基、Ｘは）・ロゲン原子を示し、ｔ
   は正の整数又は零、ｍは正の整数、ｎは１〜５の正の整
   数を示す）で表わされる高分子化合物全台むことを特徴
   とする遠紫外線感応性レジスト材料。
2. （２）遠紫外線感応性高分子化合物のクロロメチル化度
   又はブロモメチル化度（７’）？１１　）か０．０５≦
   」し≦０．８の範囲内である％ＩＦ請１＋ｍ 求の範囲第（１）項記載の遠紫外線感応性レジスト材料
   。
3. （３）基板上に、遠紫外線感応性物質として一般式　　
   　　　　ＲＲ （式中、Ｒは水素原子又はメチル基、Ｘはハロゲン原子
   會示し、ｔＶｉ正の整数又は零、ｌｉｌは正の整数、ｎ
   は１〜５の正の整数を示す）で表わされる高分子化合物
   を含むレジスト材料の膜を形成（７、遠紫外線全照射し
   て形成膜の一部分を選択的に露光し１、次いで該露光部
   分以外の膜を現像液に、【す選択的に除去して微細バタ
   ン紫形成すること？特徴とするレジストバタン形成用達
   紫外線感応性レジスト材料の使用方法。