JPS59148057A - 感光性樹脂組成物及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子、磁気ノくプル素子又は光応用部
品等の製造に利用しうる感光性樹脂組成物及びその使用
方法に関する。

（従来技術） 従来、集積回路７素子は、感光性樹脂（ホトレジスト）
を塗布後、マスクを通して紫外、可視光を露光し、適当
な現像溶媒で現像して微細バタン全形成し、基板のウェ
ットエツチングを行い、更に不純物ドーピング等の処理
を経て製造されている。しかし近年、集積回路素子の高
集積化により高速化、装置の小型化、経済化が図れるた
め更に微細なバタンを形成することが強く望まれる情勢
となっている。

ところで、実用化されている感光性樹脂としては重クロ
ム酸塩とカゼインのアルカリ水溶液又はポリビニルアル
コールの水溶液を用いる重クロム酸系ホトレジスト、ポ
リケイ皮酸ビニル系ホトレジスト、及び環化ゴムにアジ
ド化合物を添加した環化ゴム−アジド系ホトレジストが
その主なものである。しかし重クロム酸系ホトレジスト
は光不溶化反応と同様な暗反応が起こりやすく、その長
期保存は困難であり、しかも、劇物で公害問題を起こす
可能性があり、廃液処理設備を必要とする等の問題があ
る。ポリケイ皮酸ビニル系ホトレジストは感度が高く又
比較的密着性及び耐薬品性が良いという特徴金有するが
、光架橋重合した膜ははなはだ強固でありアルミニウム
などのメタル基板には使用できない欠点がある。一方法
化ゴムーアジド系ホトレジストは密着性、耐薬品性に優
れているが、大気中で露光すると、酸素の影響を受けて
感度の低下が起こるので、窒素ガス中または真空中で露
光する必要がある。

又最近、１μｍ以下の微細なバタン全形成するのにウェ
ットエツチングに代わりプラズマ反応性スパッタリング
などを用いたドライエツチング加工を、更に可視・紫外
光の代わりに波長の短かい軟Ｘ線、電子線を用いて高精
度バタンを形成する技術が展開され始めている。そのた
め、レジストもドライエツチングに対して高い耐性をも
ち、軟Ｘ線、電子線に対しても高い感度をもつものが望
まれる。そして、解像性はこれらの高エネルギ線に及ば
ないが、生産性の高いホトリングラフィと解像性が高く
、バタン形成に柔軟性の高い電子線等のヴソグラフィと
金バタンの大きさにより使いわけるいわゆる併用リング
ラフィが考えられ、ホトレジストも高エネルギ線用レジ
ストとして使用できれば利用価値が高くなる。しかし前
述の３種のホトレジストは高エネルギ線に対しては高感
度でない。

（発明の目的） 本発明は、これらの欠点を解決するためになされたもの
であり、その目的は可視光、紫外光等の光に対して高感
度、高解像性、そして高ドライエツチング耐性の重合体
膜の微細パタンを形成でき、しかも電子線、軟Ｘ線等の
高エネルギ線に対しても高感度、高解像性である感光性
樹脂組成物及びその使用方法を提供するにある。

（発明の構成］ 本発明について概説すると、本発明は置換基としてハロ
ゲン化メチル基又はハロゲン原子を有する多環芳香環状
基を側鎖に有する線状重合体及び増感剤を含むことを特
徴とする感光性樹脂組成物（第１発明）及び前記感光性
樹脂組成物の使用方法として置換基としてノ・ロゲン化
メチル基又はノ・ロゲン原子を有する多環芳香環状基を
側鎖に有する線状重合体及び増感剤を含む感光性樹脂組
成物を被加工基板上に塗布し、熱処理し、その後該感光
性樹脂組成物の膜に光を照射して照射部分のみを架橋さ
せ、次いで有機現像溶媒に浸漬して非照射部分の組成物
を除去して微細バタンの形成を行うことを特徴とする感
光性樹脂組成物の使用方法（第２発明ン及び置換基とし
てハロゲン化メチル基又は）・ロゲン原子を有する多環
芳香環状基金側鎖に有する線状重合体及び増感剤を含む
感光性樹脂組成物を被加工基板上に塗布し、熱処理し、
その後該感光性樹脂組成物の膜に光及び高エネルギ線を
照射して照射部分のみを架橋させ、次いで有機現像溶媒
に浸漬して非照射部分の組成物を除去して微細パタンの
形成を行うことを特徴とする感光性樹脂組成物の使用方
法（第６発明ｙに関する。

本発明の感光性樹脂組成物は光及び高エネルギ線に対し
て感応性である重合体及び増感剤を基本成分とし、前記
重合体はエチレン性不飽和化合物の付加重合により生成
される線状重合体において、その側鎖として、ハロゲン
化メチル基又はハロゲン原子全置換基として有する多環
芳香環状基を有する重合体（以下光反応性重合体という
。）である。多環芳香環状基としてはナフチル基、アン
トリル基、フエナントリル基、アセナフチニル基及びカ
ルバゾリル基が挙げられ、ハロゲン化メチル基及びハロ
ゲン原子の置換数は特に限定されない。このような置換
基を有する多環芳香環状基は、直接に又は他の基を介し
て、線状の主鎖に側鎖として結合される。

これを、ハロゲン化メチル基を有するα又はβ−ナフチ
ル基を側鎖として有する重合体の繰返し単位の構造で例
示すると次のと−ｂｐである。

一般式（１） ％式％ 前記一般式（１）及び（ＩＩ）中Ｒは水素原子又は低級
アルキル基、Ｘはハロゲン原子、ｎは１〜７の整数を示
す。

前記一般式から明らかなようＫ、置換基がハロゲン原子
である場合には一〇Ｈ２Ｘ基がハロゲン原子として表示
される。

本発明の光反応性重合体は、前記一般式（１）又は（Ｉ
ｔ）で表わされる繰返し単位に和尚する繰返し単位のみ
によシ構成される重合体に限られるものではなく、前記
一般式側の繰返し単位を有する重合体について例示すれ
ば次の一般式０１ｌ）（ｔは零又は正の整数、ｍは正の
整数を示すンで表わすことができ、０Ｈ２Ｘ基を有する
繰返し単位を２０重量％以上含有する重合体は光反応性
であることが認められた。

一般に、炭素−ハロゲン結合は、その結合解離エネルギ
が低いために、エネルギ線により切断されやすく、特に
芳香環についたハロゲン化メチル基のハロゲン−炭素結
合は容易に切断される。しかしベンゼン環についたハロ
ゲン化メチル基は可視光、紫外光等の光に感応する長波
長に吸収をもっておらず、又その励起状態におけるエネ
ルギが高いためＫ、増感剤を含有した場合でも、光に対
してはほとんど感度を示さない。しかし多環芳香環の場
合には、励起状態でのエネルギがさらに安定化し長波長
に吸収が伸び、又増感剤によりエネルギ増感をうけるこ
とができるため、容易に）・ロゲンー炭素結合が切断し
、ラジカルを生成する。

このラジカル生成を反応式の１例で示すと次のとおりで
ある。

このラジカル生成は、置換基がハロゲン化メチル基であ
る場合以外に、多環芳香環の炭素原子に結合する水素原
子全ハロゲン原子により置換した場合において同様に生
起することが認められた。

本発明の光反応性重合体及び増感剤よりなる組成物は光
照射により、多量のポリマーラジカルが生成し、その再
結合により橋かけ反応が生起し不溶化するために光に対
して高い感度を有するホトレジスＩ−ｅ構成するもので
ある。そして本発明の感光性樹脂組成物は大気中で露光
しても感反は低下せず露光装置の簡易化が可能である。

４ 又−面、本発明の感光性樹脂組成物は電子線・Ｘ線等の
高エネルギ線に、対しても高い感度をもち、高エネルギ
線用レジストとしても使用可能である。

更に、単位構造中にナフチル環等多小芳香用状基を含む
ために、耐ドライエツチング性も優れている。すなわち
、ベンゼンｉｔ含むポリスチレン又はポリ−α−メチル
スチレンなどは高い耐ドライエツチング性を有すること
が知られており、これはベンゼン環が励起されたプラズ
マやイオンに対して、強い安定性金持つためであるが、
本発明の光反応性重合体の耐ドライエツチング性も同様
な理論によるものである。

本発明における光反応性重合体は反応基である炭素−ハ
ロゲン結合が遂次的な反応を起こし、更に、ガラス転移
温度゛も室温よりかなり高く、解像性悪化の原因となる
現像溶媒による、いわゆる膨潤も抑えられ高解像性とな
り、特に分別沈殿等で分子量分布を狭くすることにより
解像性はさらに向上する。

本発明の光反応性重合体は、ナフチル基、アントリル基
、フエナントリル基、アセナフチニル基及びカルバゾリ
ル基等の多環芳香環状基を直接に又は他の基を介して結
合したエチレン性不飽和化合物例えばナフチルメタクリ
レート、ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルカルバゾールを
単独又は混合して、更にはスチレン、クロロメチルスチ
レン、α−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、メチ
ルビニルケトン等の他の共重合可能なコーモノマーと混
合して重合又は共重合することにより製造した重合体全
ハロメチル化又はハロゲン化することにより製造される
。

又別法として予めハロメチル化又はハロゲン化した前記
エチレン性不飽和化合物全単独重合又は共重合すること
により製造される。

本発明の感光性樹脂組成物の他の成分である増感剤とし
ては従来のホトレジストにおいて使用された増感剤例え
ばベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン化合物、ア
ゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、クロロフィ
ル、メチレンブルー、エオシンＹ等の色素とｐ−トルエ
ンスルフィン酸ナトリウム等の還元剤を組合わせた色素
レドックス系化合物、ジペンゾチアゾイルジスルフィド
等の含硫黄化合物、過酸化ベンゾイル等の有機過酸化物
、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン等の芳香族カルボ
ニル化合物、ニトロベンゼン、ｐ−ニトロフェノール、
ｐ−ニトロアニリン等の芳香族ニトロ化合物、ナフトキ
ノン、アントラキノン等のキノン類化合物、アントロン
系化合物、５−ニトロアセナフテンなどのアセナフテン
化合物等を挙けることができる。

光反応性重合体と増感剤との配合割合は、前者に対して
後者１〜２０重量％、望ましくは６〜１０重量％である
。

本発明の感光性樹脂組成物は、光反応性重合体及び増感
剤を配合し、溶剤に溶解した組成物として被加工基板に
適用される。

本発明の感光性樹脂組成物の使用方法に関する第２及び
第５発明は感光性樹脂組成物の点を除いて、ホトレジス
トヲ使用する微細バタン形成法の常法が適用され、第３
発明においては可視光、紫外光等による光照射に、電子
線、軟Ｘ線等の高エネルギ線の照射が併用される。感光
性樹脂組成物は被加工基板に常法により塗布され、熱処
理によりいわゆるプリベークされる。

プリベークの条件は特に限定されないが窒素気流中で行
われることが望ましい。光、高エネルギ線照射により、
照射部が不溶化され、次いで光反応性重合体に対する溶
媒全現像液として現像した後、イソプロピルアルコール
等でリンスし、レジストｇによる微細バタン全形成する
。

（発明の実施例） 次に本発明を実施例について説明すると共に、光反応性
重合体について製造例を示すが、本発明けこれによりな
んら限定されるものではない。

製造例１ 再結晶によシ精製したβ−ナフチルメタクリレ〜トロ０
ｆｉ）ルエン！＋０Ｏｒｎｔに溶解し、ラジカル開始剤
としてアゾビスインブチロニトリル１１を加えた溶液を
ガラス管に入れ、脱気封管し恒温槽で重合温度６０℃で
１２時間反応させた。内容物をメタノールに注ぎこみ白
色の重合体を得た。重合体は数回メタノール−トルエン
系で再沈殿することにより精製した。得られたポリ−β
−ナフチルメタクリレートは重量平均分子量Ｍｗ＝　１
．ｌ　７ＸＩ　０５．分散度Ｍｗ／Ｍｎ＝′！ｈ、７９
であった。

次にポリβ−ナフチルメタクリレート５１を、クロロメ
チルメチルエーテル２５０ゴに溶解させ、四塩化第２ス
ズ５−を加え反応温度−１０℃で反応させた。３時間抜
水−メタノール混合溶媒中に注ぎこみ、反応を停止させ
て白色の重合体を得た。得られたクロロメチル化ポリβ
−ナフチルメタクリレートはＭｗ　＝　１．５７　Ｘ　
１０５Ｍｗ／　Ｍｎ　＝　４．１６であり、元素分析に
よる塩素含有率は、５．２５％であり、クロロメチル化
度は０．５４であった。

製造例２ 再結晶によシ精製したα−ナフチルメタクリレート２．
Ｏｆｉトルエン１００−に溶解しラジカル重合開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル０．’５ｆｆ加え、ガ
ラス管に入れ、脱気封管し、重合温度６５〜７０℃、１
０時間反応させた。内容物をメタノールに注ぎこみ白色
の重合体を得た。重合体は数回メタノール−トルエン系
で再沈殿することにより精製した。得られたポリα−ナ
フチルメタクリレートは重量平均分子量Ｍｗ　＝　４．
４　Ｘ　１０’、分散度Ｍｗ　／　Ｍｎ　＝　２．５７
であった。

このポリα−ナフチルメタクリレート５ｆｆクロロメチ
ルメチルエーテル２５０ｔｎｔに溶解させ、四塩化第２
スズ６−を加え反応温度−１０℃で反応させた。５時間
抜水−メタノール混合溶媒中に注ぎこみ反応を停止させ
白色の重合体全行た。・ クロロメチル化ポリα−ナフチルメタクリレートは匹＝
　５．２７　Ｘ　＋　０’、分散度Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８
４であり、元素分析による塩素含有率は１２．５９％で
あり、クロロメチル化度＝０．９１であった。

製造例３ クローメチル化ポリα−ナフチルメタクリレ−１１ｆＱ
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２５ｍ１に溶解し、粉砕
、乾燥したＫＢｒ　１．２　ｆ　ｆ加え、１００℃で２
時間反応させた。反応混合物をメタノールで洗浄し減圧
乾燥して白色重合体を得た。赤外線吸収スペクトルでク
ロロメチル基の＋　２８０　ｃｍ−’の吸収が消失した
ことから塩素が臭素に置換されたことが確かめられた。

得られたブロモメチル化ポリα−ナフチルメタクリレー
トは匹＝４．９Ｘ１０’、分散度ｉ／寵＝２．５４であ
った。

製造例４ クロロメチル化ポリ−β−ナフチルメタクリレ−）１ｆ
’ｉＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２５−に溶解し、製
造例３と全く同一の反応条件で反応させた。得られた重
合体は、Ｍｗ＝ｊ、５２Ｘ　１０５、Ｍｗ／Ｍｎ　　＝
　４．２３であった。

製造例５ 再結晶により精製した１−ビニルナフタレン２０ｆｉ）
ルエン１００−に溶解し、ラジカル重合開始剤としてア
ゾビスイソブチロニトリル１１１ｆ’ｉ加え、ガラス管
に入れ、脱気封管し、重合温度６５〜７０℃、１０時間
反応させた。

内容物をメタノールに注ぎ込み白色の重合体を得た。得
られたポリビニルナフタレンは重量平均分子量Ｍｗ　＝
　ａ２　Ｘ　＋　Ｏ’、分散度ｉ／籠　−２，４２であ
った。

このポリ−１−ビニルナフタレン５ｆ′ｆｆ：クロロメ
チルメチルエーテル２５０　ｍｌに溶解させ四塩化第２
スズ６ｍｌ？加え反応温度−１８℃で反応させた。２時
間後、水・メタノール混合溶媒中に注ぎこみ反応全停止
させ、白色の重合体を得た。

クロロメチル化ポリ−１−ビニルナフタレンは韮＝　９
．２　Ｘ　１０’　　分散度応し西＝　２．８２であり
元素分析によりクロロメチル化度は０．２５であった。

製造例６ 再結晶により精製した２−ビニルナフタレン２０ｆ全ト
ルエンに溶解し製造例５と同一の条件で重合させた。得
られた重合体は、匹＝５、２　Ｘ　１０’、ｉ／籠＝λ
７１であった。

このポリ−２−ビニルナフタレン５２をクロロメチルメ
チルエーテル２５０−に溶解させ、以下製造例５と同様
の条件で反応させた。得られたクロロメチル化ポリ−２
−ビニルナフタレンはＭｗ　＝　！ｌＬ８　Ｘ　１０’
、Ｍｗ／Ｍｎ　＝　２．８１　ｆあった。元素分析によ
りクロロメチル化度はα２２であった。

製造例７ 蒸留あるいは再結晶によシ精梨したβ−ナフチルメタク
リレートとスチレンを仕込み比１：１でアゾビスイソブ
チロニトリル全重合開始剤として製造例１と同じ条件で
共重合させた。得られた共重合体は韮−５，２Ｘ　ｊ　
Ｏ’、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８であった。

この共重合体を製造例１と同じ条件でクロロメチル化を
行った。得られたクロロメチル化体は、Ｍｗ＝６．５Ｘ
ＩＤ’、Ｍｗ／　Ｍｎ　＝　５．５であった。

元素分析よりクロロメチル化度はα２３であった。

製造例８ ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（Ｍｗ＝９．ＯＸ　＋　
０’、　ＭＹ／匹＝４．９）２０りをモノクロロベンゼ
ン２００ｆに溶解し、ブロムコハク酸イミド２７．６ｔ
、ベンゾイルパーオキサイド０．２４２を加え、よく攪
拌しつつ１５０〜１６０℃の油浴で２時間別□熱環流し
た。次に反応物をメタノール中に注ぎこみ重合体を得た
。重合体は淡黄色の粉末であった。元素分析による臭素
の含量は３ａ５チであり、カルバゾール壌１個あたり１
．５個の臭素が結合していることに相当した。

この重合体はＭｗ　＝　＆９　Ｘ　＋　Ｑ、　Ｍｗ／篇
＝４．０であった。

実施例１ 製造例１で得られたクロロメチル化ポリβ−ナフチルメ
タクリレート１２をクロロベンゼン１０づに溶解し、こ
れに増感剤としてミヒラーフケトン０．０３４’ｉ添加
した。つぎに石英板に約１．０μｍの厚さに塗布し、８
０℃で２０分間窒素気流中プリベークした。プリベーク
後コダツクホトグラフィックステップタブレットをマス
クとし窒素雰囲気下で超高圧水鋏灯で照射した。照射後
石英板をクロロベンゼンで２０秒間現像しイングロビル
アルコールで６０秒間リンスした。現像後の残膜率と照
射量の関係を添付図面に示す。この時初期膜厚の５０％
が残る。

光照射量は９０　ｍ１７ｃｍ”であシ実用上十分利用可
能な感度であった。又この感度は大気中で照射してもほ
とんど変わらない値であった。

添付図面に示す感度曲線における傾きで表わされる解像
性の目安となるγ値は１．６であり高い値を示した。実
際１０μｍ以下のライン／スペースのバタンをもつクロ
ムマスクを通して光照射後上記と同一条件の現像を行っ
たところ、マスクのバタンを忠実に解像できた。

この感光性樹脂組成物に加速電圧２０　ＫＶ　の電子線
照射を行ったところ、初期膜厚の５０チが残る電子□線
照射量は１．２　Ｘ　１０−’　０７ｃｍ２であシ実用
上十分に利用可能な感度であり、又０，８μｍ　ライン
／スペースが十分に解像できることから電子線レジスト
としても使用できるが判る。

又１００μｍの電極バタンをもつクロムマスクを通して
光照射し、その後電子線で１．０μｍの配線バタン全照
射し、上記と同一条件で現像を行ったところ設計通シの
バタン全解像できた。

実施例２ 製造例１で得られたクロロメチル化ポリ−β−ナフチル
メタクリレート１ｆと０．０５２のミヒラーズケトンｆ
　１０　ｍｅのクロロベンゼンに溶解した。つぎにアル
ミニウムを蒸着したシリコン基板及びポリシリコン基板
にそれぞれ約１．０μｍの厚さに塗布し、実施例１の光
および電子線を照射後現像する方法によりバタン形成し
た。

次にそれぞれ四塩化炭素、四フッ化炭素をエツチングガ
スとして５５０Ｗの反応性スパッタエツチング装置でド
ライエツチングを行った。アルミニウムとのエツチング
速度比は１／４であり、又ポリシリコンとのエツチング
速度比す１１５であシ高い耐ドライエツチング性を示す
。

実施例３ 製造例２で得られたクロロメチル化ポリ−α−ナフチル
メタクリレ−）　１　ｆｉクロロベンゼン１０ｍ１に溶
解し、これに増感剤としてミヒラーズケトン（：１．０
６ｆｆ添加した。つぎに石英板に約１．０μｍの厚さに
塗布し８０℃で２０分間窒素気流中プリベークした。プ
リベーク後コダツクホトグラフインクステップタブレッ
トをマスクとし窒素気流下で超高圧水銀灯で照射した。

照射後石英板をクロロベンゼンで２０秒間現像しインプ
ロピルアルコールで６０秒間リンスジた。この時初期膜
厚の５０％が残る光照射量は１２０　ｙ＠：ｆ／ｃｒｌ
であり実用上十分利用可能な感度であった。又この感度
は大気中で照射してもほとんど変わらない値であった。

解像性の目安となるγ値は１．５であシ、高い値を示し
た。

電子線照射による５０％が残る電子線照射量は４．４　
Ｘ　１０−’　Ｃ／ｃＪであシ又γ値は１．７であった
。

実施例４ 製造例６．４で得られたブロモメチル化ポリナフチルメ
タクリレート１を奮りロルペンゼ／に溶解し、これに増
感剤としてミヒラーフケトン０．０６ｆｆ添加した。以
下実施例１．３と同様な処理を行い、第１表に示すよう
な特性が得られた。

第　　　　１　　　表 実施例５ 製造例５．６で得られた重合体ｔｒｉキシレン１０ｍ１
に溶解しミヒラージケトン０．０５ｆ全添加した。つぎ
に石英板に約１．０μｍ　の厚さに塗布し、８０℃で２
０分間窒素気流中プリベークした。プリベーク後コダツ
クホトグラフィックステップタブレット全マスクとし、
窒累雰囲気下で超高圧水銀灯で照射した。照射後石英板
全メチルエチルケトンで３０秒間現像しイソプロピルア
ルコールで６０秒間リンスした。得うれた特性を第２表
に示す。

第　　　２　　　表 実施例６ 製造例７で得られた重合体１Ｆをキシレン１０ゴに溶解
しミヒラーフケトンα０３ｆ全添加した。以下実施例１
と同様に光照射したところ、初期膜厚の５０％が残る光
照射量は１０５ｍＪ／ｅｒｒ？であり、γ値は１．３で
あった。

実施例７ 製造例１で得られたクロロメチル化ポリβ−ナフチルメ
タクリレート１１をクロロベンゼン１０−に溶解し、こ
れに増感剤として、ベンゾイン、アントラキノン、ス１
４−ジクロロベンゾフェノンをそれぞれα０５１ｊ添加
した。以下実施例１と同様な処理全行い第３表に示すよ
うな結果が得られた。

第　　　３　　　表 実施例８ 製造例８で得られ友ブロム化ポリーＮ−ビニルカルバゾ
ール１ｆをクロロベンゼン１ｏｔｎｔＫ溶解し、これに
増感剤として、ミヒラーズケト７０．０６ｆｆ添加した
。つぎに石英板に約１．０μｍの厚さに塗布して２０分
間窒素気流中プリベークした。プリベーク後コダックホ
トグラフイクステップタブレットをマスクとし窒素気流
下で超高圧水銀灯で照射した。照射後石英板をテトラヒ
ドロフランで２０秒間現像しイングロビルアルコールで
６０秒間リンスした。この時初期膜厚の５０％が残る光
照射量は５０　ｍＪ／ｉであった。また電子線照射によ
る５０％が残る照射州：は７．５　Ｘ　Ｉ　Ｑ”−７Ｃ
ｊ／ｄであり、実用上十分利用できる感度であった。

（発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明の効果は要約す
れば次のとおりである。

ｆｌＪ　　本発明の感光性樹脂組成物は多環芳香環状基
に高反応性の炭素−ハロゲン結合を形成するハロゲン化
メチル基又はハロゲン原子の置換基を有するので、光に
対して約＋　００　ｍＪ／ｃｒｌと高い感度をもち、又
照射雰囲気によって感度が変化しないため露光装置の簡
易化が可能である。

（２）　　電子線や軟Ｘ線等の高エネルギ線に対しても
高感度、高解像性であり、高エネルギ線レジストとして
も使用可能である。

（３）　　単位構造中に多環芳香環状基を含むので耐ド
ライエツチング性に優れておりアルミニウム、シリコン
基板の加工が可能である。

したがって、本発明の感光性樹脂組成物及びその使用方
法は半導体、光応用部品及び磁気バブ肖素子製造等のバ
タン形成用に有用である。

【図面の簡単な説明】

添付図面は本発明の一具体例であるクロロメチル化ポリ
−β−ナフチルメタクリレートとミヒラーズケトンから
なる感光性ワ・［脂組成物の現像後における光照射量と
残膜率との関係を示すグラフである。 特許出願人　　日本電信電話公社 代理人　　　中　　本　　　　　宏 井　　　上　　　　　　昭

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　置換基としてハロゲン化メチル基又はハロゲ
   ン原子金有する多環芳香環状基全側鎖に有する線状重合
   体及び増感剤を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物
   。
2. （２）線状重合体が置換基として・・ロゲン化メチル基
   を有するナフチル基、アントリル基、フエナントリル基
   又はアセナフチニル基を側鎖に有する線状重合体である
   特許請求の範囲第１項記載の感光性樹脂組成物。
3. （３）線状重合体が置換基として・・ロゲン原子を有す
   るカルバゾリル基を側鎖に有する線状重合体である特許
   請求の範囲第１項記載の感光性樹脂組成物。
4. （４）置換基としてハロゲン化メチル基又はノ・ロゲン
   原子を有する多環芳香環状基を側鎖に有する線状重合体
   及び増感剤を含む感光性樹脂組成物を被加工基板上に塗
   布し、熱処理し、その後肢感光性樹脂組成物の膜に光を
   照射して照射部分のみを架橋させ、次いで有機現像溶媒
   に浸漬して非照射部分の組成物全除去して微細パタンの
   形成を行うことを特徴とする感光性樹脂組成物の使用方
   法。
5. （５）　　置換基としてノ・ロゲン化メチル基又はノ・
   ロゲン原子を有する多環芳香環状基を側鎖に有する線状
   重合体及び増感剤を含む感光性樹脂組成物全被加工基板
   上に塗布し、熱処理し、その後肢感光性樹脂組成物の膜
   に光及び高エネルギ線全照射して照射部分のみを架橋さ
   せ、次いで有機現像溶媒に浸漬して非照射部分の組成物
   全除去して微細パタンの形成を行うこと全特徴とする感
   光性樹脂組成物の使用方法。