JPS60212757A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
- Publication number
- JPS60212757A JPS60212757A JP6748784A JP6748784A JPS60212757A JP S60212757 A JPS60212757 A JP S60212757A JP 6748784 A JP6748784 A JP 6748784A JP 6748784 A JP6748784 A JP 6748784A JP S60212757 A JPS60212757 A JP S60212757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist material
- energy rays
- group
- resolution
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線、軟Ｘ線等の藁エネルギー線用レジスト
材料に関する。
材料に関する。
ＬＳＩの製造に用いられるレジストについて、高精細で
高アスペクト比のパターン全形成するために、レジスト
全２層構造とする２層レジスト法が提案されている。
高アスペクト比のパターン全形成するために、レジスト
全２層構造とする２層レジスト法が提案されている。
すなわち、有機高分子材料層の上に薄いレジスト層を置
き、レジストパターン全形成依、それ全マスクとし、酸
素ガスプラズマにエリ有機高分子材料をエツチングする
。このレジストには酸素プラズマ耐性に優れていると同
時に高感度、高解像性が要求され、酸素プラズマ耐性に
優れたシリコン含有ポリマーに高感応性基全導入したレ
ジスト材料が有望視されている。
き、レジストパターン全形成依、それ全マスクとし、酸
素ガスプラズマにエリ有機高分子材料をエツチングする
。このレジストには酸素プラズマ耐性に優れていると同
時に高感度、高解像性が要求され、酸素プラズマ耐性に
優れたシリコン含有ポリマーに高感応性基全導入したレ
ジスト材料が有望視されている。
しかし、現在知られているシリコーン系レジストではガ
ラス転移温度（Ｔｆ）が室温エフ低く、分子量の低いポ
リマーはゴム状のため、非常に扱い難く、高エネルギー
線に対しても感度が悪くなる。感Ｋｋ向上させるため、
高分子量化した場合、分子量の分散度が大きくなり解像
性が悪くなるという欠点があった。
ラス転移温度（Ｔｆ）が室温エフ低く、分子量の低いポ
リマーはゴム状のため、非常に扱い難く、高エネルギー
線に対しても感度が悪くなる。感Ｋｋ向上させるため、
高分子量化した場合、分子量の分散度が大きくなり解像
性が悪くなるという欠点があった。
本発明の目的は、高エネルギー線に高感度でしかも解像
性の良い、２層レジスト用のレジスト材料を提供するこ
とにある。
性の良い、２層レジスト用のレジスト材料を提供するこ
とにある。
本発明全概説すれば、木兄ＦＪＡはレジスト材料に関す
る発明であって、下記一般式Ｉ：〔式中Ｘ及びＹは同−
又は異なり、式 へ 〇 ＣＨ。
る発明であって、下記一般式Ｉ：〔式中Ｘ及びＹは同−
又は異なり、式 へ 〇 ＣＨ。
１１
及び−ＯＨ，−０−０−０：ＯＨ，アクなる群から選択
した１種の基を示す）で表される基よりなる群から選択
したｉｌｌ［の基、２は−Ｈ又は−ｏｎ、、ｖ及びＷ↓
りなる群から選択した１種の基、ｍ及びｎは０又は正の
整数金示すが両者が同時に０となることはなく、そして
ｐ及びｑは０又は正の整数を示す〕で表されること１＊
＊とする。
した１種の基を示す）で表される基よりなる群から選択
したｉｌｌ［の基、２は−Ｈ又は−ｏｎ、、ｖ及びＷ↓
りなる群から選択した１種の基、ｍ及びｎは０又は正の
整数金示すが両者が同時に０となることはなく、そして
ｐ及びｑは０又は正の整数を示す〕で表されること１＊
＊とする。
本発明のレジスト材料は側鎖にフェニル基を含有するた
めガラス転移温度が高く高解像性が期待できる。また側
鎖のフェニル基に高エネルギー線に対し高い反応性を示
す感応性基金有すること金特徴とするレジスト材料であ
る。
めガラス転移温度が高く高解像性が期待できる。また側
鎖のフェニル基に高エネルギー線に対し高い反応性を示
す感応性基金有すること金特徴とするレジスト材料であ
る。
本発明の最も重要な点は酸素プラズマ耐性に優れるシリ
ル基含有ポリマーに感応性基金導入することにより、高
感度、高解像性の高エネルギー線用レジスト材料になる
ことを見出した点にある。
ル基含有ポリマーに感応性基金導入することにより、高
感度、高解像性の高エネルギー線用レジスト材料になる
ことを見出した点にある。
感応性基の導入方法は感応性基を有するモノ？８・
Ａ：感応性基
ｔＭ合させる、あるいはシリル基含有ポリマーに直接導
入する方法がある。前者の方が導入率が高くできる利点
があるが、高分子量化できない場合がある。シリル基含
有ポリマーはビニルモノマー（例えばＯＨ，＝ＣＨ）あ
るいはアクＨｓ リル系七ツマ−（例えば（Ｊ、： ｃ ）の単独重合体
あるいは共重合体からなる。後者のアクリル系モノマー
の添加ｆ−ＪＴｆ の低下、８１含有率の低下金招く欠
点があるが、重合体の可とう性を改善しフィルム形成能
を改善する利点含有する。
入する方法がある。前者の方が導入率が高くできる利点
があるが、高分子量化できない場合がある。シリル基含
有ポリマーはビニルモノマー（例えばＯＨ，＝ＣＨ）あ
るいはアクＨｓ リル系七ツマ−（例えば（Ｊ、： ｃ ）の単独重合体
あるいは共重合体からなる。後者のアクリル系モノマー
の添加ｆ−ＪＴｆ の低下、８１含有率の低下金招く欠
点があるが、重合体の可とう性を改善しフィルム形成能
を改善する利点含有する。
特に高解像度のパターンを、形成したい場合には単分散
高重合体を得るため、ブチルリチウム等の触媒でアニオ
ンリビング重合させる方法が好ましい。
高重合体を得るため、ブチルリチウム等の触媒でアニオ
ンリビング重合させる方法が好ましい。
以下に木兄ＦＩＡＫおけるレジスト材料又はその原料の
製造例を示す。
製造例を示す。
製造例１
フェニルジメチルビニルブラン１ａｒ、（フェニルジメ
チル）シリルメチルメタクリレート５ｆｆｒ、トルエン
１００−に浴解させ、十分脱気脱水後ブチルリチウムの
１０チトルエン溶液を５ ｍ１滴下して一６０℃で２４
時間リビング重合させた。反応液全メタノール中に注ぎ
込み白色固体の共重合体を得た。これをメチルエチルケ
トン−メタノールで再沈全繰返し、精製し九〇ち、真空
乾燥した。ゲルパーミェーションクロマトグラフィーか
ら計算した重量平均分子量西＝７５Ｘ１０’、分散度韮
／庇＝１．２ であった。
チル）シリルメチルメタクリレート５ｆｆｒ、トルエン
１００−に浴解させ、十分脱気脱水後ブチルリチウムの
１０チトルエン溶液を５ ｍ１滴下して一６０℃で２４
時間リビング重合させた。反応液全メタノール中に注ぎ
込み白色固体の共重合体を得た。これをメチルエチルケ
トン−メタノールで再沈全繰返し、精製し九〇ち、真空
乾燥した。ゲルパーミェーションクロマトグラフィーか
ら計算した重量平均分子量西＝７５Ｘ１０’、分散度韮
／庇＝１．２ であった。
製造例２
（フェニルジメチル）シリルメチルメタクリレ−）１５
ｆｔ製造例１と同様に単独でリビング重合し、Ｍｖｔ
＝９５Ｘ１０’、Ｍｙ／ Ｍｎ＝ｘ−１，１ノ重合体會
得た。
ｆｔ製造例１と同様に単独でリビング重合し、Ｍｖｔ
＝９５Ｘ１０’、Ｍｙ／ Ｍｎ＝ｘ−１，１ノ重合体會
得た。
製造例３
フェニルジメチルビニルシラン１５ｆｔ−製造例１と同
様に単独でリビング重合させ、韮＝８５ Ｘ １１）４
、Ｍｙ／Ｍｎ＝１．１の重合体奮得た。
様に単独でリビング重合させ、韮＝８５ Ｘ １１）４
、Ｍｙ／Ｍｎ＝１．１の重合体奮得た。
製造例４
製造例１．２．３で得た共重合体あるいは重合体２０ｆ
ｔ−クロロメチルメチルエーテル５０〇−に浴かし塩化
第二スズ２０ｄ’ｉ触媒として、−５℃で１０時間反応
させた。反応液をメタノール中に注ぎ込み白色固体のク
ロロメチル化されたレジスト材料を得た。
ｔ−クロロメチルメチルエーテル５０〇−に浴かし塩化
第二スズ２０ｄ’ｉ触媒として、−５℃で１０時間反応
させた。反応液をメタノール中に注ぎ込み白色固体のク
ロロメチル化されたレジスト材料を得た。
赤外線吸収スペクトルにおいて８００ ｃｍ−’ Ｋジ
置換フェニルに帰属される吸収が、また２ ２００ ｃ
ｍ−”にクロロメチル基のメチレン基に帰属される吸収
がみられ、クロロメチル化されたことが確認できた。
置換フェニルに帰属される吸収が、また２ ２００ ｃ
ｍ−”にクロロメチル基のメチレン基に帰属される吸収
がみられ、クロロメチル化されたことが確認できた。
製造例５
製造例１．２．５で得られたポリマー６９ｆ２０−のク
ロロホルムＫｆｆｊ解させ、塩化第二鉄α０４ｆ、”Ｉ
つ累α０１２を入れ９．９ Ｉ Ｑ）塩素ガスｔ−２４
時間吹込む。反応後メタノール中に注ぎ白色の塩素化さ
れたレジスト材料を得た。
ロロホルムＫｆｆｊ解させ、塩化第二鉄α０４ｆ、”Ｉ
つ累α０１２を入れ９．９ Ｉ Ｑ）塩素ガスｔ−２４
時間吹込む。反応後メタノール中に注ぎ白色の塩素化さ
れたレジスト材料を得た。
製造例６
製造例４で得られたクロロメチル化されたレジスト材料
５０９１１５０−のピリジンに溶解させ、１０℃にて１
２５モルのメタクリル酸を５時間で滴下させ、Ｓ時間放
置した。反応後メタノール中に注ぎ、沈殿となったメタ
クリロイルオキシメチル化されたレジスト材料ｅｌた。
５０９１１５０−のピリジンに溶解させ、１０℃にて１
２５モルのメタクリル酸を５時間で滴下させ、Ｓ時間放
置した。反応後メタノール中に注ぎ、沈殿となったメタ
クリロイルオキシメチル化されたレジスト材料ｅｌた。
次に本発明全実施例によＶ更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１
製造例４で得られたレジスト材料をメチルイソブチルケ
トンに浴解し、シリコンウエノ・に約α５μｍの厚さに
塗布し、１００℃で２０分間電素気流中プリベークした
。グリベーク後、加速電圧２０ ｋＶ の電子線照射全
行った。照射ノくターンは感度曲線をめるＩ（ターンを
用いた。
トンに浴解し、シリコンウエノ・に約α５μｍの厚さに
塗布し、１００℃で２０分間電素気流中プリベークした
。グリベーク後、加速電圧２０ ｋＶ の電子線照射全
行った。照射ノくターンは感度曲線をめるＩ（ターンを
用いた。
照射後ウエノ・ｔメチルエチルケトン：イソプロピルア
ルコール＝４：１の混合溶媒で現像し、イソプロピルア
ルコールでリンスした。感度の目安となる初期膜厚の５
０％が残る電子線照射ｔ （Ｄｓｏ ）と解像性の目安
となるγ値を表ＩＫまとめて示す。
ルコール＝４：１の混合溶媒で現像し、イソプロピルア
ルコールでリンスした。感度の目安となる初期膜厚の５
０％が残る電子線照射ｔ （Ｄｓｏ ）と解像性の目安
となるγ値を表ＩＫまとめて示す。
嵌 １
実施例２
製造例５で得られたレジスト材料のレジスト特性を実施
例１と同様にしてめた。その結果ｔ−表２に示す。
例１と同様にしてめた。その結果ｔ−表２に示す。
表 ２
実施例Ｓ
製造例６で得られたレジスト材料のレジスト％性を実施
例１と同様にしてめた。その結果を表５に示す。
例１と同様にしてめた。その結果を表５に示す。
表 ５
実施例４．５．６
製造例４で得られたレジスト材料について実施例１の方
法において電子線照射の代りにＸ線（実施例４）、遠紫
外線（実施例５）％イオンビーム（実施例６）を用いて
照射した。この時、初期膜厚の５０％が残る各高エネル
ギー線照射量１に表４Ｉ／ｃ示す。
法において電子線照射の代りにＸ線（実施例４）、遠紫
外線（実施例５）％イオンビーム（実施例６）を用いて
照射した。この時、初期膜厚の５０％が残る各高エネル
ギー線照射量１に表４Ｉ／ｃ示す。
表 ４
実施例７
製造例６で得られ起レジスト材料について、実施例１の
方法において電子線照射の代りに超高圧水銀灯に工ｐ紫
外１Ｍｔ照射した。初期膜厚の１００％が露光する最小
照射ｍを表５に示す。
方法において電子線照射の代りに超高圧水銀灯に工ｐ紫
外１Ｍｔ照射した。初期膜厚の１００％が露光する最小
照射ｍを表５に示す。
表 ５
〔発明の効果〕
以上説明し７’（工うに、本発明で得られたシリル基含
有ポリマーに、従来のシリコーン樹脂に比べ高いガラス
転移温度含有し、更に高エネルギー線感応性基として高
い反応性と高解像性全阻害する連鎖反応性の少ないフェ
ニル基に結合した高エネルギー線感応性基を有するため
、高エネルギー線に対して高い反応性と高い解像性を有
している。また、ポリマーはリビング重合に工９得られ
るので、非常に分子量分布の小さいすなわち解像性の高
いレジスト材料が得られる。この↓つな為感度・高解像
性の２層レジスト用レジスト材料はＶＬＳＩ 等のサブ
ミクロン加工に大きな効果がある。
有ポリマーに、従来のシリコーン樹脂に比べ高いガラス
転移温度含有し、更に高エネルギー線感応性基として高
い反応性と高解像性全阻害する連鎖反応性の少ないフェ
ニル基に結合した高エネルギー線感応性基を有するため
、高エネルギー線に対して高い反応性と高い解像性を有
している。また、ポリマーはリビング重合に工９得られ
るので、非常に分子量分布の小さいすなわち解像性の高
いレジスト材料が得られる。この↓つな為感度・高解像
性の２層レジスト用レジスト材料はＶＬＳＩ 等のサブ
ミクロン加工に大きな効果がある。
特許出願人 日本電信電話公社
代理人 中 本 宏
同 井 上 昭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 下記一般式１ニ −ＯＨ，Ｃ４及び−ＯＨ，−０−０−０＝ＯＨ，よりな
る群から選択した１ａの基奮示す）で表される基よりな
る群から選択しｆｃｌａｌの基、２は−Ｈ又は−０Ｈ３
、■及びＷは同−又は異なり、式示すが両者が同時に０
となることはなく、そしてｐ及びｑに０又は正の整数金
示す〕で表されることを特徴とするレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6748784A JPS60212757A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6748784A JPS60212757A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212757A true JPS60212757A (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=13346383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6748784A Pending JPS60212757A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60212757A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| US4730031A (en) * | 1985-01-23 | 1988-03-08 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Polymers of substituted 1,3-butadiene compounds having reactive silyl groups and process for their preparation |
| US7026099B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6748784A patent/JPS60212757A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4730031A (en) * | 1985-01-23 | 1988-03-08 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Polymers of substituted 1,3-butadiene compounds having reactive silyl groups and process for their preparation |
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| US7026099B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
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