JPS60212756A - パタン形成材料及びパタン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はネガバタンを高精度に再現し、かつドライエツ
チング耐性の高い高エネルギー線感応材料及びその使用
方法に関する。

〔従来技術〕

従来、ＩＣ及びＬＦ３工等の製造ではレジストと呼ばれ
る高分子化合物等の布積組成物で被加工基板を被覆し、
高エネルギー線をバタン状に照射してレジストに潜像を
形成し、これを現像してバタン状のレジスト膜を形成し
たのち、被加工基板を腐食液に浸すことＫよ）基板のレ
ジストに覆われていない部分を化学的にエツチングある
いは不純物をドーピングするなどの処理を行ってきた。

しかし、近年集積回路の高集積化に伴い、更に微細なバ
タンを形成することが望まれている。

特に１腐食液に浸しエツチングする湿式法ではサイドエ
ツチングが生じるため、これを避けるためにガスプラズ
マを用いた反応性イオンエツチングなどのドライエツチ
ングによる加工が盛んＫなってきた。しかし、従来のレ
ジストはドライエツチングによシ被加工基板と同様にエ
ツチングされてしまうため、レジスト膜厚を厚くするこ
とによって、これに対処してきている。

したがって、ドライエツチング耐性の高いレジスト材料
が望まれているが、いまだ十分な耐性を有する材料は見
出されていない。

一方、配線の多量化、三次元プレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパタンを形
成することが望まれている。

したがって段差をカバーするために、レジスト膜を厚く
する必要が生じる。

更に、高速のイオンを基板に到達させることなく捕獲す
るためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならない
。しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い
解像性が低下し、微細なバタンを形成することができな
かった。

この問題を解決するために、レジストを一層ではなく多
層化することにより、形状比の高いレジストパタンを形
成する方法が提案されている。すなわち、第１層目に有
機高分子材料の厚膜を形成し、その上の第２層に薄膜の
レジスト材料層を形成したのち、第２層のレジスト材料
に高エネルギー線を照射し、現像したのち得られるバタ
ンをマスクとして第１層の有機高分子材料をドライエツ
チングすることにょシ、高形状比のバタンを得ようとす
るものである。しかし、この方法では第２層に通常のレ
ジストを用いた場合、第１層と第２層の材料のドライエ
ツチング速度の比、すなわち選択比が大きくとれなかっ
たシ、大きくするためには、かなシ長いエツチング時間
を必要とした。例えば、秋谷ら（第４３回応用物理学会
学術講演会講演予稿集ｐ２１５）によれば第１層にポリ
メチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡ　と略記する）を
、第２層にクロロメチル化ポリスチレンを用いた系で、
四塩化炭素をエツチングガスとしたドライエツチングを
行えば、その選択比は非常に高くなシ、高形状比のレジ
ストパタンが形成できることを報告している。しかしこ
の場合には、ＰＭＭＡ　のエツチング速度も小さくなっ
てしまうため、厚いｐＭＭＡ　をエツチングするのに時
間がかがシ、また、四塩化炭素で下地基板も同時にエツ
チングしてしまう欠点がある。

酸素プラズマを用いる多層レジスト系としては１層目の
厚膜高分子材料層と、２層目のレジストとの中間に酸素
プラズマ耐性の高い無機物層を設ける３層構造のレジス
トが提案されている。この場合はレジスト材料で形成し
たバタンをマスクとして四塩化炭素、四フッ化炭素又は
７にゴ７’Ｊのガスを用いて無機物層をドライエラチン
クシ、ついで無機物層バタンをマスクドして、酸素で有
機高分子材料層をドライエツチングすることになる。そ
して、この場合には、酸素プラズマは１層目の厚膜高分
子材料を速やかにエツチングでき、基板は全くエツチン
グされないため、エツチングの終点をモニターせずとも
所望のプロファイルを有するレジストバタンが形成でき
る。しかしながら、工程数が大幅に増加するという欠点
を有する。

一方、酸素プラズマによるドライエツチング耐性の高い
シリコーン系レジストを第２層に用いた場合には、第２
層のレジストパタンをマスクドして第１層の有機高分子
材料をドライエツチングする際に酸素プラズマが使える
ため、短時間で少ない工程数にょシ高形状比のレジスト
パタンを形成できる。しかし、現在知られているシリコ
ーン系レジストではガラス転移温度が室温よシ相当低く
、分子量の低いポリマーは液状あるいは半液状のため、
非常に扱い難く、高エネルギー線に対しても感度が悪く
なる。

他方、分子量を高くするとゴム状になシ若干扱いやすく
なシ、壕だ感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
め、バタンのりねｐ等の解偉度の低下を招く等の欠点が
あった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入してお夛、こ
れも解像性を低下させている原因となっている。

〔発明の目的〕

本発明は、これらの欠点を解消するためなされたもので
ちり、その目的は、高エネルギー線に対して、高感度、
高解像性を有し、しかもドライエツチング耐性の高い高
エネルギー線感応材料及びその使用方法を提供すること
にある。

〔発明の構成〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はバタン形成
材料の発明であって、下記一般式Ｉ〜■　： １　１　１ 〔式中、ｘＬハロゲン又は−〇Ｈ，Ｙ　（但しＹはハロ
ゲン、−００００Ｈ＝ＯＩＩＩＲ、−００％　０１１−
ＯＵＲ、−ＮＨＯ馬ＣＥ−Ｒは水素、アルキル基、フェ
ニル基又は置換フェニル基を示す）、Ｒ′は水素又はア
ルキル基を示し、ｎは１〜５の数であシ、式■、■、ｖ
１■中にＸが複数個結合している場合には同−又は異な
っていてよい〕で表される基よシなる群から選択した少
なくとも１種の基を酸素で結合した構造単位を含む高エ
ネルギー線感応材料であって、式１〜■で表される基の
数の和が２５以上でアシ、かつ弐■、■〜■で表される
基の数の和が全系の数の２５％以下であ）、更に式１、
ＩＶ、Ｖ、■で表される基の数の和が全系の数の１０％
以上であるシリコーンポリマーを含むことを特徴とする
。

まだ、本発明の第２の発明はバタン形成方法の発明であ
って、基板上に高エネルギー線感応材料の膜を形成し、
熱処理し、その後高エネルギー線を照射して形成膜の一
部分を選択的に露光し、次いで未露光部分を現偉液によ
シ選択的に除去してバタンを形成する方法において、該
高エネルギー線感応材料として、第１の発明のバタン形
成材料を使用することを特徴とする。

そして、本発明の第３の発明は、他のバタン形成方法の
発明であって、基板上に有機高分子材層を設け、その上
に高エネルギー線感応材料層を設け、その後高エネルギ
ー線を所望のバタン状に照射し、照射部位のみ該高エネ
ルギー線感応材料を架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸
漬し、非照射部の高エネルギー線感応材料を除去したの
ち、これをマスクとして酸素を用いるドライエツチング
により該高エネルギー線感応材料に覆われていない部分
の該有機高分子材層をエツチング除去するととＫよシバ
タンを形成する方法において、該高エネルギー線感応材
料として、第１の発明のバタン形成材料を使用すること
を特徴とする。

本発明における一般式中のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。また、ハ
ロゲンとしてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ
る。更に１ガラス転移温度（Ｔ？）を上げるため、フェ
ニル基とその誘導体の含有率が高い方が好ましく、全系
の数の７５％以上が、フェニル基とその誘導体のみを側
鎖とする構造単位から成ることが望ましい。

一方、感応基（式中Ｘ）の導入された基は多い方がよく
、好ましくは１０％以上であるととが望ましい。

本発明における最も重要な点は、２置換あるいは１置換
のシロキサン構造を主鎖骨格とし、フェニル基を側鎖に
有するシリコーンポリマーに感応基Ｘを導入することに
よシ、高感度、高解像性の高エネルギー線感応材料にな
ることを見出した点にある。更に１主鎖骨格中に１置換
シロキサン構造を導入することにより、分岐構造やはし
ご状構造を実現しシリコン含有率を上げて酸素ガスによ
るドライエツチングに対する耐性を向上させると共に、
ガラス転移温度を上昇させている。したがって、室温で
は固体であり、しかも分岐構造やはしご状構造があるＫ
もかかわらずシロキサン結合の高い可とり性のたメ、ベ
ンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン及びアセト
ン等のケトン類、ジエチルエーテル等のエーテル類、酢
酸アミル及び酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム
、塩化メチレン及びトリクロロエチレン等のノ・ログン
化炭化水素など多くの有機溶剤に可溶であり、これをス
ピンコードなどにより基板に塗布すれば優れた被膜が形
成できる。この優れた溶解性により、塗布溶媒あるいは
現像溶媒を幅広く選択できるため、下地基材に応じて、
これを使いわけることができる。この性質は感応基Ｘを
導入しても変化力く、シたがって従来のシリコーン系レ
ジストが液体あるいはゴム状であったのに対し、格段に
扱いやすいものにすることができた。以上を本発明の材
料の構成要素と作用及びその効果の点からまとめると表
１のようになる。

表　１ 本発明のシリコーンポリマーの製造方法としては、ヘキ
サフェニルシクロトリ襖キサン、オクタフェニルシクロ
テトラシロキサンなど環状フェニルシロキサンを水酸化
カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物やブチルリチウ
ムなどのアルカリ金属のアルキル化物で開環させ、塩酸
で処理して得られる、両末端が水酸基のジフェニルシロ
キサンオリゴマーや、ジフェニルシランジオールを塩化
第２スズなどのルイス酸の存在下クロロメチルメチルエ
ーテル等のノ〜ロゲン化メチルアルキルエーテルを反応
剤及び溶媒として反応させることにより、クロロメチル
基等の反応基を導入し、しかも高分子量で分岐やはしご
状構造を形成する方法が挙げられる。また、フェニルシ
ロキサン単独ではなく、メチルフェニルシロキサン等と
共重合させてもよい。更に１フエニルトリクロロシラン
等の三官能性モノマーを混合することにより、分岐やは
しご状構造を増加させることもできる。

また、Ｘが一００００Ｈ−０１１Ｒ、−００５０Ｈ，、
ＣＨＲ。

合には、一旦Ｘをクロロメチル基とし、上記の官能基の
有機酸若しくはその反応性銹導体あるいはアルカリ金属
アルコラードあるいは有機アミンを反応させることによ
シ得られる。本発明における高エネルギー線としては、
紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、イオンビームが挙げ
られる。ｘが一００００Ｈ＝（３ＨＲ、−０ＣＲ，０Ｈ
−ＯＨＲ、−ＮＨＣＢ、ＣＥ＝ＯＨＨの場合には、紫外
線を光源として使用することが好ましく、この際には増
感剤、架橋剤等の添加剤を加えてもよい。

他方、Ｘが上記官能基以外の場合には、遠紫外線、Ｘ線
、電子線、イオンビームを光源として使用することが好
ましい。

以下に本発明における高エネルギＴ線感応材料及びその
原料の製造例を示す。

製造例１ オクタフェニルシクロテトラシロキサン５０２をテトラ
ヒドロフラン１００ｔｄＫ溶解させ水酸化カリウム２５
０〜を添加してガラス管に入れ、脱気封管し、重合温度
７０℃で、１０時間反応させた。内容物を希塩酸（α１
Ｎ）−メタノール（１：４）溶液に注ぎ込み白色のポリ
マーを得た。ポリマーは数回希塩酸（α１ｎ）で洗浄後
、メタノール−テトラヒドロフラン系で再沈殿すること
によシ精製した。得られたポリマーの赤外線吸収スペク
トルでは１０００〜１２００ロー１にシロキサン結合に
起因する大きな吸収、１６００α−１と１７００６ｎ−
’　Ｋフェニル基に起因する吸収、５４００ｃｒｎ−１
に水酸基に起因する吸収がみられ、末端に水酸基を有す
るジフェニルシロキサンが生成していることが確認され
た。また、元素分析の結果シリコンと酸素の比は１：　
１．０５であった。

次に、得られたポリマー２０２をクロロホルムかシ弘５
００耐に溶解し、塩化第２スズ５〇−を触媒として０℃
で２０時間反応させた。反応液をメタノールに注ぎ白色
のポリマーを得た。

このポリマーの赤外線吸収スペクトルでは８００ｃｒｎ
−１にジ置換フェニルに起因する吸収が、また２２００
＝１にクロロメチル基のメチレン基に起因する吸収がみ
られ、クロロメチル化されていることが確認された。ま
た、ゲルパーミェーションクロマトグラフィーから計算
し九重事平均分子舶ｔは５．３Ｘ１０４、分散度込し晶
は３３であった。更に、元素分析よ請求めたクロロメチ
ル化率は２０％であった。他方、シリコンと酸素の比は
１：１．２８であシ、紫外線吸収スペクトルからめたフ
ェニル基の量とシリコンの比は１．６　：　１であった
。このことからフェニル基が脱離して主鎖骨格中に分岐
やはしご状構造ができていることが確認された。

製造例２ フェニルトリクロロシラン５ｆ１ジフエニルジクロロシ
ラン１０ダをＮ−メチルピロリドン４０ｔｎｔ中に溶解
したのち、水２０−１濃塩酸１０ｇｔを加え、３０℃で
２４時間放置した。沈殿物を水洗したのちテトラヒドロ
フラン４０ｍｇに溶解させ、メタノール中に注入し白色
ポリマー１２２を得た。Ｍｗ−１，８ＸＩＤ’、Ｍｙ／
Ｍｎ＝２．０であった。また、Ｅｌｉと００比は、１：
１．２であった。

製造例３ 製造例２で得られたポリマー６ｔを２０−のクロロホル
ムに溶解させ、塩化第２鉄０．０４　ｒ、ヨウ素０．０
１　ｆを入れ９．９９の塩素ガスを２４時間吹込む。反
応後メタノール中に注ぎ白色の塩素化フェニルシロキサ
ンポリマーを得た。塩素化率３６％、ｉ≧２．２Ｘ１屯
庁シバ冨２．３であった。

製造例４ 製造例２で得られたポリマー１Ｏｆを５０−のクロロホ
ルムに溶解させ、塩化第２鉄２ｖを入れ、４時間で１６
２の臭素を滴下させる。１日放置後メタノール中に注ぎ
淡い茶色の臭素化フェニルシロキサンポリマーを得た。

臭素化率５５％、Ｍｗ−２，８Ｘ　１０’、ｉ−晶−２
，５であった。

製造例５ 製造例２で得られたポリマー５．２２を１５０−〇ニト
ロベンゼンに溶解しそれに５．１ｆのヨウ素、１．９ｆ
のヨウ素酸、５−の四塩化炭素、５ｄの濃硫酸、５−の
水を加えて９０℃で３５時間かくはんする。反応板少量
の希硫酸を加えたメタノール中に注ぎ、細かい綿くず状
で淡黄色のヨウ素化フェニルシロキサンポリマーを得た
。ヨウ素化率５０％、ＭＷＩＩＩＩ　Ａ　９　Ｘ　１０
’、Ｍｗ／Ｍｎ−五〇であった。

製造例６ 製造例１で得られたクロロメチル化フェニルシロキサン
ポリマー３０ｆを臭化カリウム３６２と共に１５０ｍの
Ｎ２Ｍ−ジメチルホルムアミドに溶解し、８０℃で４時
間かくはん後、大量の水−メタノール混合溶液に注ぎ、
ブロモメチル化フェニルシロキサンポリマーを得た。ク
ロロメチル基けはｌｆ　ｆ　Ｏ０％ブロモメチル基に変
換し、Ｍｗ−５，８Ｘ　１０’、Ｍｙ／Ｍｎ　ｗ五７で
あった。

製造例７ 製造例１で得られたクロロメチル化フェニルシロキサン
ポリマー３０ｆをヨウ化カリウム５５２と共に１５０−
のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、製造例６と
同様の方法でヨードメチル化フェニルシロキサンポリマ
ーを得た。

Ｍｗ−＆２Ｘ１０’、Ｍｙ／Ｍｎ　寓４．１であった。

製造例８ 製造例１で得られたクロロメチル化フェニルシロキサン
ポリマー３ｏｆを１５０−のピリジンに溶解させ、１０
℃にてα２５モルのアクリル酸を３時間で滴下させ５時
間放置した。反応後メタノール中に注ぎ、アクリロイル
オキシメチル化フェニルシロキサンポリマーヲ得り。

ＭｗＮ５．６　Ｘ　１０’、Ｍｙ／Ｍｎ　ａｍ　！Ｌ５
であった。

製造例９ 製造例８と同様の方法にてα２５モルのメククリル酸を
滴下し、メタクリロイルオキシメチル化フェニルシロキ
サンポリマーヲ得り。Ｍｗｓ＋＋５、９　Ｘ　１０’、
Ｍｗ／Ｍｎ　ｍ　ｌ　６であった。

製造例１０ 製造例８と同様の方法にてα２５モルの桂皮酸を滴下し
、シンナモイルオキシメチル化フェニルシロキサンポリ
マーヲ得り。Ｍ！−６，ｌＸ１０’、Ｍｗ／Ｍｎ　−４
，０であった。

製造例１１ 製造例８と同様の方法にて１２５モルのグリシドールを
滴下し、グリシジルオキシメチル化フェニルシロキテン
ポリマーヲ得り。Ｍｗｍ　５．７×１０４、Ｗ韮は４７
であった。

〔実施例〕

次に本発明を実施例によシ更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。

実施例１ 製造例１．５〜１１で得られた高エネルギー線感応材料
をメチルイソブチルケトンに溶解し、シリコンウェハに
約α５μ湛の厚さに塗布し、１００℃で２０分間窒素気
流中プリベークした。

プリベーク後、加速電圧２０ｋＶの電子線照射を行った
。照射バタンは感度曲線をめるバタンを用いた。照射後
ウェハをメチルエチルケトン：インプロピルアルコール
＝４：１の混合溶媒で現像し、イソプロピルアルコール
でリンスした。感度の目安となる初期膜厚の５０％が残
る電子線照射量と解像性の目安となるγ値を表２Ｋまと
めて示す。

表　２ また解像性を評価するバタンで電子線照射・現像を行い
、ヒゲやブリッジがなく解像しうる最小ライン／スペー
スを表３に示す。

表　３ 実施例２ シリコンウェハＫＡＺ−１！１５０　レジスト（シブレ
イ社製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間
加熱し不溶化させた。このＡＺレジストの上に実施例１
で用いた高エネルギー線感応材料を実施例１と同様な操
作で約０３μ毒の厚さに塗布し、１００℃で２０分間窒
素気流中グリベークした。プリベーク後、加速電圧２０
ｋＶの電子線照射を行った。照射後メチルエチルケトン
：イソプロピルアルコール−４＝１の混合溶媒で現像し
、イソプロピルアルコールでリンスした。その結果ＡＺ
レジスト上に０．５μｍライン／スペースのバタンか形
成できた。（製造例８．９．１０．１１の材料を除く）
その後平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガスを
エッチャントガスとしてエツチングを行った。（印加パ
ワーＳＯＷ、エツチング室内圧８０ミリトル、酸素ガス
流量５０　ｓＣａｍ）このエツチング条件では感応性シ
ロキサンポリマーのエツチング速度はほとんど０であっ
た。またＡＺレジストのエツチング速度は８００Ａ／分
であシ、２８分間エツチングすることによりＡＺレジス
トは完全に消失した。エツチング後０３μｍライン／ス
ペースのバタンか２．３μ情の膜厚で形成できた。

製造例８．９．１０．１１の材料については人２レジス
ト上に［ｌＬ７μ、ライン／スペースのバタンか形成で
き、上記と同じ方法にて酸素ガスによりＡＺレジストを
エツチングした。エツチング後０．７μｍライン／スペ
ースのバタンか２．３μ情の膜厚で形成できた。

実施例３〜５ 実施例１の方法において製造例１，６〜７のポリマーを
用い電子線照射の代シＫＸ線（実施例３）、遠紫外線（
実施例４）、イオンビーム（実施例５）を用いて照射し
た。この時、初期膜厚の５０％が残る各高エネルギー線
照射量を表４に示す。

表　４ 実施例６ 実施例１の方法において製造例８〜１０のポリマーを用
い電子線照射の代シに超高圧水銀灯によシ紫外線を照射
した。初期膜厚の１００％が露光する最小照射量を表５
に示す。

表　５ 製造例３〜７で得られた高エネルギー線感応材料は紫外
線に対しては感度が低く３Ｊ／♂以上の照射量でもバタ
ン形成できなかった。

更に、上記実施例ではハロゲン元素として塩素、臭素、
ヨウ素しか示していないが、これがフッ素であっても同
様の効果が得られる。

（発明の効果〕 以上説明したように１本発明で得られたシリコーン樹脂
は、従来のシリコーン樹脂に比べ高いガラス転移温度を
有し、更に高エネルギー線感応基として高い反応性と高
解像性を阻害する連鎖反応性の少ないフェニル基に結合
した高エネルギー線感応基を有するため、高エネルギー
線に対して高い反応性と高い解像性を有している。また
、環状シロキサンモノマーはリビング重合ができるため
、非常に分子量分布の小さいすなわち解像性の高いレジ
スト材料が得られる。

更に、樹脂はいずれも白色粉末で溶剤性、スピンコード
による塗布性にも優れ、従来の液状に近いシリコーン樹
脂より扱いやすい。

更Ｋまた、下層に厚い有機物膜を有する２　１ｇ！レジ
ストの上層として使用すれば、著しく高い形状比を有す
るサブミクロンバタンを形成することができる。

以上のことは半導体素子等の製造に大きな効果がみられ
る。

特許出願人　日本電信電話公社 代理人　中　本　宏 同　井　上　昭

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　下記一般式Ｉ〜■： １　１　１ 〔式中、又はハロゲン又は−０−Ｙ（但しＹはハロゲン
   、−００００Ｈ＝ＯＨＲ，−００４ＯＨ＝ＯＨＲ。 ０す を示し、Ｒは水素、アルキル基、フェニル基又は置換フ
   ェニル基を示す）、Ｒ′は水素又はアルキル基を示し、
   ｎは１〜５の数であり、式１．ＩＶ、Ｖ、■中にＸが複
   数個結合している場合には同−又は異なっていてよい〕
   で表される基よシなる群から選択した少なくとも１種の
   基を酸素で結合した構造単位を含む筒エネルギー線感応
   材料であって、式■〜■で表される基の数の和が２５以
   上であり、かつ弐■、■〜■で表される基の数の和が全
   系の数の２５％以下であシ、更に式１．ＩＶ、ｖ１■で
   表される基の数の和が全系の数の１０％以上であるシリ
   コーンポリマーを含むことを特徴とするバタン形成材料
   。 Ｚ　基板上に高エネルギー線感応材料の膜を形成し、熱
   処理し、その後高エネルギー線を照射して形成膜の一部
   分を選択的に露光し、次いで未露光部分の膜を現像液に
   より選択的に除去してバタンを形成する方法において、
   該高エネルギー線感応材料として、下記一般式１〜■　
   ： １　１　Ｉ Ｃ式中、又はハロゲン又は−〇％Ｙ　（但しＹ＃：ｊハ
   ロゲン、−０００ＣＨ＝ＯＨＲ、−Ｏｎ、ＯＨ＝　Ｃｊ
   ＨＲ。 を示し、Ｒは水素、アルキル基、フェニル基又は置換フ
   ェニル基を示す）、Ｒ′は水素又はアルキル基を示し、
   ｎは１〜５の数であり、式１、ＩＶ、■、■中にＸが複
   数個結合している場合には同−又は異なっていてよい〕
   で表される基よシなる群から選択した少なくとも１種の
   基を酸素で結合した構造単位を含む高エネルギー線感応
   材料であって、式１−Ｎで表される基の数の和が２５以
   上であり、かっ式■、■〜■で表される基の数の和か全
   系の数の２５％以下であシ、更に式１．　■、Ｖ、■で
   表される基の数の和が全系の数の１０％以上であるシリ
   コーンポリマーを含む材料を使用することを特徴とする
   バタン形成方法。 五　基板上に有機高分子材層を設け、その上に高エネル
   ギー線感応材料層を設け、その後高エネルギー線を所望
   のバタン状に照射し、照射部位のみ該高エネルギー線感
   応材料を架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸漬し、非照
   射部の高エネルギー線感応材料を除去したのち、これを
   マスクとして酸素を用いるドライエツチングによシ該高
   エネルギーＭ感応材料に覆われていない部分の該有機高
   分子材層をエツチング除去することにょシバタンを形成
   する方法において、該高エネルギー線感応材料として、
   下記一般式１〜■： 〔式中、又はハロゲン又は−（！Ｈ，Ｙ　（但しＹはハ
   ロゲン、−ＱＣ！ＯＯＨ，＝ＯＨＲ，−００４ＯＨ±Ｏ
   ＨＲ。 を示し、Ｒは水素、アルキル基、フェニル基又は置換フ
   ェニル基を示す）、Ｒ′は水素又はアルキル基を示し、
   ｎは１〜５の数であシ、式１１■、■、■中にＸが複数
   個結合している場合には同−又は異なっていてよい〕で
   表される基よりなる群から選択した少なくとも１種の基
   を酸素で結合した構造単位を含む高エネルギー線感応材
   料であって、式■〜■で表される基の数の和が２５以上
   であシ、かつ式■、■〜■で表される基の数の和か全系
   の数の２５％以下であり、更に式１、Ｎ、ｖ。 ■で表される基の数の和か全系の数の１０％以上である
   シリコーンポリマーを含む利料を使用することを特徴と
   するバタン形成方法。