JPS6120031A - レジスト材料およびその製造方法 - Google Patents
レジスト材料およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6120031A JPS6120031A JP14162784A JP14162784A JPS6120031A JP S6120031 A JPS6120031 A JP S6120031A JP 14162784 A JP14162784 A JP 14162784A JP 14162784 A JP14162784 A JP 14162784A JP S6120031 A JPS6120031 A JP S6120031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- resist material
- group
- represented
- resolution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はネガパターンを高精度に再現し、かつドライエ
ツチング耐性の高いレジスト材料とその製造方法に関す
るものである。
ツチング耐性の高いレジスト材料とその製造方法に関す
るものである。
近年ＬＳＩの高集積化に伴い、レジストを一層ではなく
多層構造にして微細パタンを形成する多層レジスト法が
必要とてれている。
多層構造にして微細パタンを形成する多層レジスト法が
必要とてれている。
しかしながら、多層レジスト法は、工程数が大幅に増加
するという欠点を有する。
するという欠点を有する。
一方、酸素プラズマによるドライエツチング耐性の高い
シリコーン系レジストを２層レジストの上層に用いた場
合には、上層のレジストパターンをマスクとして下層の
有機高分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズ
マが使えるため、短時間で少ない工程数にエリ高形状比
のレジストパターンを形成できる。
シリコーン系レジストを２層レジストの上層に用いた場
合には、上層のレジストパターンをマスクとして下層の
有機高分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズ
マが使えるため、短時間で少ない工程数にエリ高形状比
のレジストパターンを形成できる。
しかし、現在知られているシリコーン系レジストではガ
ラス転移温度が室温エリ相当低く、分子量の低いポリマ
ーは液状あるいは半液状のため、非常に扱い難く、高エ
ネルギー線に対しても感度が悪くなる。
ラス転移温度が室温エリ相当低く、分子量の低いポリマ
ーは液状あるいは半液状のため、非常に扱い難く、高エ
ネルギー線に対しても感度が悪くなる。
他方、分子量を高くするとゴム状になり若干扱いやすく
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めパターンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点が
あった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性を低下させている原因となっている。
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めパターンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点が
あった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性を低下させている原因となっている。
本発明のレジスト材料は、次の一般式（■）。
ＲＩ Ｒ３
（式中Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３は同一または異なり、アルキル
基、フェニル基、置換フェニル基工りなる群から選択し
た７種の基を示し、ｍは０または正の整数を示し、ｔと
ｎは正の整数を示す、）で表わされるシロキサンポリマ
ーエリなるものであり。
基、フェニル基、置換フェニル基工りなる群から選択し
た７種の基を示し、ｍは０または正の整数を示し、ｔと
ｎは正の整数を示す、）で表わされるシロキサンポリマ
ーエリなるものであり。
また本発明のレジスト材料の製造方法は１次の式％式％
で表わされるジクロルシラン化合物と、次の弐ｄｌｌ）
で表わされるジフェニルシランジオールとを脱塩酸縮合
反応せしめて５次の式（転） （式中ｔ−ｍは正の整数を示す、）で表わされるシロキ
サンポリマーを得るものである。
で表わされるジフェニルシランジオールとを脱塩酸縮合
反応せしめて５次の式（転） （式中ｔ−ｍは正の整数を示す、）で表わされるシロキ
サンポリマーを得るものである。
本発明のレジスト材料は、高いガラス転移温度（Ｔｇ）
を有し、フェニル基に結合したクロロメチル基を有する
ため高エネルギー線に対して高い反応性と高い解像性を
有している。ｔた。Ｓｉ含有率が高く、酸素プラズマ耐
性も優れている。
を有し、フェニル基に結合したクロロメチル基を有する
ため高エネルギー線に対して高い反応性と高い解像性を
有している。ｔた。Ｓｉ含有率が高く、酸素プラズマ耐
性も優れている。
本発明における最も重要な点は、フェニル基を含有する
シリコーンポリマーにクロロメチル基を導入することに
エリ、高感度、高解像性のレジスト材料となることを見
出した点にある。更に、フェニル基含有シリコーンポリ
マーは、酸素ガスばかりでなく、ＣＣｌ４、ＣＦ２Ｃｌ
２．など反応性イオンエツチングに用いられるエッチャ
ントガスに対しても高い耐性を示した。しかもフェニル
基を７ｊモル％以上含有しているポリマーは室温で固体
となり、しかも、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、モノクロロベンゼンな
どの有機溶媒に工〈溶解し、これをスピンコードなどに
エリ基板に塗布すれば優れた被膜が形成できる。この性
質はクロロメチル基を導入しても変化なく、シたがって
従来のシリコーン系レジストが液体あるいはゴム状であ
ったのに対し、格段に扱いやすいものにすることができ
友。
シリコーンポリマーにクロロメチル基を導入することに
エリ、高感度、高解像性のレジスト材料となることを見
出した点にある。更に、フェニル基含有シリコーンポリ
マーは、酸素ガスばかりでなく、ＣＣｌ４、ＣＦ２Ｃｌ
２．など反応性イオンエツチングに用いられるエッチャ
ントガスに対しても高い耐性を示した。しかもフェニル
基を７ｊモル％以上含有しているポリマーは室温で固体
となり、しかも、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、モノクロロベンゼンな
どの有機溶媒に工〈溶解し、これをスピンコードなどに
エリ基板に塗布すれば優れた被膜が形成できる。この性
質はクロロメチル基を導入しても変化なく、シたがって
従来のシリコーン系レジストが液体あるいはゴム状であ
ったのに対し、格段に扱いやすいものにすることができ
友。
また、一般式（Ｉ）中のアルキル基としては、メチル基
、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
更に、アルキル基の含量は少ない方がよく、好ましくは
、２ｊモル％以下であることが望ましい。一方、クロロ
メチル化されたフェニル基は多い方がよく、好ましくは
２０モル％以上あることが望ましい。τΣらに、一般式
（１）中のｎは大きい程高感度となるが、Ｓ１含有量の
低下を招くため酸素プラズマに対する耐性が低下する欠
点があり、ｎは／か２が好ましい。
、２ｊモル％以下であることが望ましい。一方、クロロ
メチル化されたフェニル基は多い方がよく、好ましくは
２０モル％以上あることが望ましい。τΣらに、一般式
（１）中のｎは大きい程高感度となるが、Ｓ１含有量の
低下を招くため酸素プラズマに対する耐性が低下する欠
点があり、ｎは／か２が好ましい。
本発明の一般式（１）で示される高分子化合物の製造法
としては、シランジオール化合物の脱水縮合図心あるい
はシランジオール化合物とシランジクロライド化合物の
脱塩酸縮合反応が利用できる。
としては、シランジオール化合物の脱水縮合図心あるい
はシランジオール化合物とシランジクロライド化合物の
脱塩酸縮合反応が利用できる。
しかしながらシランジオール化合物は一般に高重合体を
得ることが困難である。
得ることが困難である。
製造例／
クロロメチルフェネチルメチルジクロル７２７９１モル
とジンエニルシランジオールθ１モルのピリジン溶液−
〇〇−をｊθθ−の丸底フラスコに入れ７９時間かん流
した。
とジンエニルシランジオールθ１モルのピリジン溶液−
〇〇−をｊθθ−の丸底フラスコに入れ７９時間かん流
した。
反応液を水−メタノール（／：４ｔ）溶液に注ぎこみ白
色の重合体を得た。重合体は数回メタノール−キシレン
系で再沈殿することにより精製した。
色の重合体を得た。重合体は数回メタノール−キシレン
系で再沈殿することにより精製した。
得られた（クロルメチルフェネチルメチル−ジフェニル
）ポリシロキサンは重量平均分子量Ｍ ｗ ＝ 、ｉ
’１万 Ｍｗ７．ｎ＝２０、ｌｊラス転移温ｔＬｇθ
℃であった。
）ポリシロキサンは重量平均分子量Ｍ ｗ ＝ 、ｉ
’１万 Ｍｗ７．ｎ＝２０、ｌｊラス転移温ｔＬｇθ
℃であった。
製造例２
クロルメチルフェネチルフェニルシランジオール６１モ
ルとジフェニルシランジオール０１モルの／θθｒｎｔ
＃Ｉ液をｊθθ−丸底フラスコに入れ。
ルとジフェニルシランジオール０１モルの／θθｒｎｔ
＃Ｉ液をｊθθ−丸底フラスコに入れ。
触媒としてｎ−ヘキシルアミンーコーエチルへ中セイト
を６０１モル添加したのち、７０時開かん流した０反応
中に生成する水は除去することに工り反応を促進させた
。
を６０１モル添加したのち、７０時開かん流した０反応
中に生成する水は除去することに工り反応を促進させた
。
反応液をメタノール中に注ぎこみ白色固体のポリマーを
得た。これをメチルエチルケトン−メタノールで再沈を
繰返し、精製したのち、真空乾燥した。ゲルパーミニ−
ジョンクロマトグラフィーから計算した重量平均分子量
はＭｗ−５’θθθ。
得た。これをメチルエチルケトン−メタノールで再沈を
繰返し、精製したのち、真空乾燥した。ゲルパーミニ−
ジョンクロマトグラフィーから計算した重量平均分子量
はＭｗ−５’θθθ。
分散度Ｍｗ／Ｍｎ＝／：ｊであった。ガラス転移温度は
７２０℃であった。
７２０℃であった。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが１本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例／
製造例／で得た（クロルメチルフェネチルメチル−ジフ
ェニル）ポリシロキサンをメチルイソブチルケトンに溶
解し、シリコンウェハに約θｊμｍの厚さに塗布し７０
０℃で２０分間窒素気流中プリベークした。プリベーク
後、加速電圧コθ「の電子線照射を行つ友、照射後ウェ
ハをメチルエチルケトン：イソプロビルアルコール＝ｑ
：／の混合溶媒で現偉し、イソプロビルアルコールでリ
ンスした。現像後の残膜率と照射量の関係（感度曲線）
から求めた感度Ｄ５０（初期膜厚の５０％が残る電子線
照射量）はユθ×／θ Ｃ／−であり実用上十分に利用
可能な感度である。また解像性の目安となるγ値は、２
．５であり高い値を示す、実際電子線照射後上記と同一
組成の現像リンスを行ったところ６５μｍライン／スペ
ースはいわゆるヒゲやブリッジがなくパターンは相互に
分離しており十分に解像できた。
ェニル）ポリシロキサンをメチルイソブチルケトンに溶
解し、シリコンウェハに約θｊμｍの厚さに塗布し７０
０℃で２０分間窒素気流中プリベークした。プリベーク
後、加速電圧コθ「の電子線照射を行つ友、照射後ウェ
ハをメチルエチルケトン：イソプロビルアルコール＝ｑ
：／の混合溶媒で現偉し、イソプロビルアルコールでリ
ンスした。現像後の残膜率と照射量の関係（感度曲線）
から求めた感度Ｄ５０（初期膜厚の５０％が残る電子線
照射量）はユθ×／θ Ｃ／−であり実用上十分に利用
可能な感度である。また解像性の目安となるγ値は、２
．５であり高い値を示す、実際電子線照射後上記と同一
組成の現像リンスを行ったところ６５μｍライン／スペ
ースはいわゆるヒゲやブリッジがなくパターンは相互に
分離しており十分に解像できた。
実施例２
製造例−で得られた（クロロメチルフェネチルフェニル
−ジフェニル）ポリシロキサンのレジスト特性を実施例
／と同様にして測定した。
−ジフェニル）ポリシロキサンのレジスト特性を実施例
／と同様にして測定した。
Ｄ５０ ｄθＸ／θ Ｃ／ｄ γ値、２．ｇであっ
た。
た。
分子量が製造Ｍ／のボリマエり低いため、実施例／と比
較して感度が低い、パタンは実施例／と同様に６５μｍ
ライン／スペースが解像できた。
較して感度が低い、パタンは実施例／と同様に６５μｍ
ライン／スペースが解像できた。
実施例３〜ｊ
実施例／の方法において電子線照射の代りにＸ線（実施
例３）遠紫外線（実施例４ｔ）、イオンビ−ム（実施例
ｊ）を用いて照射した。この時、初期膜厚の５θ％が残
る谷高エネルギー線照装置を表／に示す。
例３）遠紫外線（実施例４ｔ）、イオンビ−ム（実施例
ｊ）を用いて照射した。この時、初期膜厚の５θ％が残
る谷高エネルギー線照装置を表／に示す。
表 ７
実施例６
実施例／の方法で形成したバタンを酸素ガスを用いた反
応性イオンエツチングでエツチングした。
応性イオンエツチングでエツチングした。
その結果エツチング速度は一θλ／分であり。
ＡＺ−／３５θＪホトレジストと比較して２０倍の耐性
であった。
であった。
以上説明したように１本発明のレジスト材をなすシリコ
ーン樹脂は、従来のものに比べ高いガラス転移温度を有
し、更に高エネルギー線感ｐ基として高い反応性と高解
像性を阻害する連鎖反応性の少ないフェニル基に結合し
たクロロメチル基を有するため、高エネルギー線に対し
て高い反応性と高い解像性を有している。また酸素プラ
ズマ耐性に優れるため下層に厚い有機物膜を有する２層
しシストの上層として使用すれば、著しく高い形状比を
有するサブミクロ／パターンを形成できる。
ーン樹脂は、従来のものに比べ高いガラス転移温度を有
し、更に高エネルギー線感ｐ基として高い反応性と高解
像性を阻害する連鎖反応性の少ないフェニル基に結合し
たクロロメチル基を有するため、高エネルギー線に対し
て高い反応性と高い解像性を有している。また酸素プラ
ズマ耐性に優れるため下層に厚い有機物膜を有する２層
しシストの上層として使用すれば、著しく高い形状比を
有するサブミクロ／パターンを形成できる。
以上のことは半導体素子等の製造に太き々効果がみられ
る。
る。
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は同一または異なり、ア
ルキル基、フェニル基、置換フェニル基よりなる群から
選択した１種の基を示し、ｍは０または正の整数を、ｌ
とｎはいずれも正の整数を示す。）で表わされる化合物
からなるレジスト材料。 - （２）式▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるジクロルシラン化合物と、 式▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるジフェニルシランジオールとを脱塩酸縮合
反応させることを特徴とする 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｌ、ｍは正の整数を示す） よりなるレジスト材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14162784A JPS6120031A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジスト材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14162784A JPS6120031A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジスト材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120031A true JPS6120031A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15296435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14162784A Pending JPS6120031A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジスト材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120031A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63126537U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-18 | ||
| CN102115479A (zh) * | 2011-01-28 | 2011-07-06 | 上海树脂厂有限公司 | 二苯基硅二醇的提纯方法 |
| CN107955170A (zh) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种用于密封的硅酮弹性体及其制备方法和应用 |
| CN108707231A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-10-26 | 哈尔滨工程大学 | 一种甲基苯基硅树脂及涂层的制备方法 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP14162784A patent/JPS6120031A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63126537U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-18 | ||
| CN102115479A (zh) * | 2011-01-28 | 2011-07-06 | 上海树脂厂有限公司 | 二苯基硅二醇的提纯方法 |
| CN107955170A (zh) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种用于密封的硅酮弹性体及其制备方法和应用 |
| CN107955170B (zh) * | 2016-10-14 | 2020-01-14 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种用于密封的硅酮弹性体及其制备方法和应用 |
| CN108707231A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-10-26 | 哈尔滨工程大学 | 一种甲基苯基硅树脂及涂层的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0122398B1 (en) | Pattern forming material and method for forming pattern therewith | |
| WO1999009457A1 (fr) | Resine de reserve sa composition et procede de creation de motifs l'utilisant | |
| KR100574482B1 (ko) | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 | |
| KR101230529B1 (ko) | 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| EP0164598B1 (en) | Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same | |
| JPS60119550A (ja) | パタン形成材料及びパタン形成方法 | |
| JPH1160733A (ja) | 重合体、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法 | |
| JPS6120031A (ja) | レジスト材料およびその製造方法 | |
| JPH1160734A (ja) | 重合体、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法 | |
| JPS60220340A (ja) | 感光性樹脂組成物及びパタ−ン形成方法 | |
| JPS6080844A (ja) | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 | |
| JPH0314333B2 (ja) | ||
| JPS6127537A (ja) | レジスト剤 | |
| JPH0320125B2 (ja) | ||
| JPS6273250A (ja) | パタ−ン形成用材料およびパタ−ン形成方法 | |
| JPS62269138A (ja) | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 | |
| JPS6231849A (ja) | レジスト材料 | |
| JPS62280839A (ja) | レジスト材料およびパタ−ン形成方法 | |
| JPH01101311A (ja) | ケイ素原子含有エチレン系重合体 | |
| JPS62254143A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS62172342A (ja) | パタ−ン形成用材料 | |
| JPH0222942B2 (ja) | ||
| JPH05323612A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
| JPS61105544A (ja) | パタン形成用材料及びパタン形成方法 | |
| JPS59148056A (ja) | 高エネルギ−線感応材料及びその使用方法 |