JPS6231849A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
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- JPS6231849A JPS6231849A JP60170782A JP17078285A JPS6231849A JP S6231849 A JPS6231849 A JP S6231849A JP 60170782 A JP60170782 A JP 60170782A JP 17078285 A JP17078285 A JP 17078285A JP S6231849 A JPS6231849 A JP S6231849A
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- JP
- Japan
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- sensitivity
- resist
- molecular weight
- resist material
- dispersion degree
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、紫外線あるいは電子線などの高エネルギー線
に対して高感麿かつ、高Ｗ？像性を有し、さらに、酸素
プラズマエツチング耐性に優れた微細バタン形成用のレ
ジスト材料に関するものである。
に対して高感麿かつ、高Ｗ？像性を有し、さらに、酸素
プラズマエツチング耐性に優れた微細バタン形成用のレ
ジスト材料に関するものである。
一般に、有機ポリシラン化合吻は下式に示すように、有
機ジクロルシラン化合物を窒素雰囲気下において、アル
カリ金属により脱クロル化することによって合成される
。
機ジクロルシラン化合物を窒素雰囲気下において、アル
カリ金属により脱クロル化することによって合成される
。
ＲＩ Ｒ４
ＲＩ
ＣＪ−８ｉ −Ｃ４＋ Ｃｊ−８ｉ −Ｃ１Ｒ２Ｒ３
ＲＩ Ｒ２
Ｎａ／トルエン １ｌ
−ｆＳｉ −８ｉ ＋ ＋ Ｎａ Ｃ１遠 流
１１ Ｒ３、Ｒａ ここで、Ｒ＋ 、Ｒ２、Ｒ３、ＲＪは水素、アルキル基
、アリール基のいずれかである。該合成法による生成物
の有機ポリシラン化合物は非常に巾広い分子量分布を持
ち、一般にバイモーダルな分子量分布になる（例えば１
９８４年発行高分子科学ジャーナル、ポリマーレターエ
ディジョン第２２＠２２５頁、Ｒ，ウェスト、その他著
（Ｒ，Ｗｅｓｔ ｅｔａｌ Ｊ、 Ｐｏｌｙｍ、
Ｓｃｉ、 ｐｏｌｙｍ、 １−ｅｔｔ 。
１１ Ｒ３、Ｒａ ここで、Ｒ＋ 、Ｒ２、Ｒ３、ＲＪは水素、アルキル基
、アリール基のいずれかである。該合成法による生成物
の有機ポリシラン化合物は非常に巾広い分子量分布を持
ち、一般にバイモーダルな分子量分布になる（例えば１
９８４年発行高分子科学ジャーナル、ポリマーレターエ
ディジョン第２２＠２２５頁、Ｒ，ウェスト、その他著
（Ｒ，Ｗｅｓｔ ｅｔａｌ Ｊ、 Ｐｏｌｙｍ、
Ｓｃｉ、 ｐｏｌｙｍ、 １−ｅｔｔ 。
Ｅｄ、、２２，２２５ （１９８４））。
また、右改ポリシラン化合物は、紫外線に対して高い光
反応性を持ち、固体膜は側鎖置換基に出来する分子構造
の違いによって、分解もしくは架橋反応を起こづ。また
、電子線によって架橋反応を起こす。これらの反応に着
目して、バタン形成材料としての応用が考えられる。特
に有機ポリシラン化合物はポリマ中に豊富に３ｉを含む
ために、酸素プラズマエツチング耐性が高く、微細加工
の有力な手法である２層レジスト法の上層レジストとし
て有用と期待できる。
反応性を持ち、固体膜は側鎖置換基に出来する分子構造
の違いによって、分解もしくは架橋反応を起こづ。また
、電子線によって架橋反応を起こす。これらの反応に着
目して、バタン形成材料としての応用が考えられる。特
に有機ポリシラン化合物はポリマ中に豊富に３ｉを含む
ために、酸素プラズマエツチング耐性が高く、微細加工
の有力な手法である２層レジスト法の上層レジストとし
て有用と期待できる。
しかしながら、これまでポリマは、解像性、感度等のレ
ジスト特性において満足のゆくものでなかった。つＪ、
す、ポジ形の場合は現像工程で残りバタンの膜減りが起
き、また、ネガ形の場合はポリマ中のど１分子成分にに
って現像工程で扱はバタン上に現像残りが生じる欠点が
ある。従って、これまで有機ポリシラン化合物を微細バ
タン形成用のレジスト材ｒ１として用いることは困難で
あった。
ジスト特性において満足のゆくものでなかった。つＪ、
す、ポジ形の場合は現像工程で残りバタンの膜減りが起
き、また、ネガ形の場合はポリマ中のど１分子成分にに
って現像工程で扱はバタン上に現像残りが生じる欠点が
ある。従って、これまで有機ポリシラン化合物を微細バ
タン形成用のレジスト材ｒ１として用いることは困難で
あった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、解像性、
感度、膜減り、現像残りなどの点において優れた物性を
示し、さらに高い酸素プラズマエツチング耐性を有し、
上記欠点を解決するレジスト材料の提供を目的とするも
のである。
感度、膜減り、現像残りなどの点において優れた物性を
示し、さらに高い酸素プラズマエツチング耐性を有し、
上記欠点を解決するレジスト材料の提供を目的とするも
のである。
〔問題点を解決するための手段］
本発明のレジスト材料は、分子量分散度の小さい有機ポ
リシラン化合物を主成分どし、高エネルギー線に感度を
有することを特徴とする。すなわち、出願人は鋭意検問
を単ねた結果、有機ポリシラン化合物のポジ形およびネ
ガ形レジストにおける感度と解像性、ポジ形における残
りバタンの膜減り、ネガ形における抜はバタンの現像残
り等は、レジスト材料である有機ポリシラン化合物の分
子出分散１ｇに大きく依存していることを見出した。
リシラン化合物を主成分どし、高エネルギー線に感度を
有することを特徴とする。すなわち、出願人は鋭意検問
を単ねた結果、有機ポリシラン化合物のポジ形およびネ
ガ形レジストにおける感度と解像性、ポジ形における残
りバタンの膜減り、ネガ形における抜はバタンの現像残
り等は、レジスト材料である有機ポリシラン化合物の分
子出分散１ｇに大きく依存していることを見出した。
つまり、分子量分散度の小さい有機ポリシラン化合物を
用いることにより、上記問題点に関して、より良好な結
果を得ることができるものである。
用いることにより、上記問題点に関して、より良好な結
果を得ることができるものである。
ポジ形のレジスト材料としては、分子量が１×１０５以
上、３×１０６未満、かつ、分散度が１以上３未満のも
のを用いるのが望ましい。分子色が１×１０５未満では
感度が低く、また、３×１０６以上では溶液が粘調とな
って基板への塗布が困難となる。分子Ｉｉ度が３以上で
は解像性が低下し、ポジ形の残りバタンにおいて膜減り
が顕著となる。
上、３×１０６未満、かつ、分散度が１以上３未満のも
のを用いるのが望ましい。分子色が１×１０５未満では
感度が低く、また、３×１０６以上では溶液が粘調とな
って基板への塗布が困難となる。分子Ｉｉ度が３以上で
は解像性が低下し、ポジ形の残りバタンにおいて膜減り
が顕著となる。
また、ネガ形のレジスト材料としては、分子量が５×１
０３以上、１×１０５未満、かつ、分散度が１以上３未
満のものを用いることが望ましい。
０３以上、１×１０５未満、かつ、分散度が１以上３未
満のものを用いることが望ましい。
分子色が５×１０３未満では感度が低く、また１×１０
５以上では解像性が低下する。分散度が３以上では解像
性が低下しネガ形の扱はバタン上での現像残りが顕著と
なる。
５以上では解像性が低下する。分散度が３以上では解像
性が低下しネガ形の扱はバタン上での現像残りが顕著と
なる。
本発明にあっては有機ポリシラン化合物のレジスト特性
において感度、解像性、膜減り、現像残り等が大幅に改
善される。
において感度、解像性、膜減り、現像残り等が大幅に改
善される。
以下、実施例を示して、本発明の作用効果を明確にする
。
。
実施例１
従来の有機ポリシラン化合物の合成法に従って合成した
ポリメチルプロピルシランは、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィ（以ＩＱＰＣど略ｔｌ’ ）によって分
子色測定を行なったところ、ポリスヂレン換算で、重量
平均分子量〈以後Ｍｗと略す）＝３２．７ｘｌＯ４，分
散度−２９であった（本発明における分子色測定はすべ
てＧＰＣによって行なった）。このポリメチルプロピル
シラン２、Ｏｇを良溶媒であるテｌ−ラヒドロフラン５
〇−に溶かし、撹拌しつつ、この中に貧溶媒であるメタ
ノール１１成を徐々に滴下した。高分子成分と低分子成
分の分子量が大きく異なるため、貧溶媒の吊は沈澱する
高分子成分がそれ以上増量しない点をもって肉眼で判断
することができる。本発明において良溶媒および貧溶媒
はテトラヒドロフランおよびメタノールに何ら制限する
ものでない。
ポリメチルプロピルシランは、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィ（以ＩＱＰＣど略ｔｌ’ ）によって分
子色測定を行なったところ、ポリスヂレン換算で、重量
平均分子量〈以後Ｍｗと略す）＝３２．７ｘｌＯ４，分
散度−２９であった（本発明における分子色測定はすべ
てＧＰＣによって行なった）。このポリメチルプロピル
シラン２、Ｏｇを良溶媒であるテｌ−ラヒドロフラン５
〇−に溶かし、撹拌しつつ、この中に貧溶媒であるメタ
ノール１１成を徐々に滴下した。高分子成分と低分子成
分の分子量が大きく異なるため、貧溶媒の吊は沈澱する
高分子成分がそれ以上増量しない点をもって肉眼で判断
することができる。本発明において良溶媒および貧溶媒
はテトラヒドロフランおよびメタノールに何ら制限する
ものでない。
３時間撹拌したのら、沈澱したポリマを戸取し、分子量
分別する際と同じ組成の良溶媒と貧溶媒の混合溶液にて
洗浄した。ポリマの収量は０．５８３でありＭＷ＝１４
８Ｘ１０’ 、分散度＝１．６であった。この収■は、
分別前の試料のＧＰＣの溶出曲線から予想される吊の９
０％であった。この分別したポリマの１．５％モノクロ
ルベンゼン溶液を用いてＳｉ基板上に膜厚０．３μｍに
スピンコードし、３０分間室温で真空乾燥した。遠紫外
ｐ；Ａ＜高エネルギー線）アライナ（キャノン（Ｃａｎ
ｏｎ） ＰＬＡ＝５２１ ＞で露光し、室温においてシ
クロヘキザノールで６０秒間現像したのち、メタノール
で３０秒間リンスした。ポリメチルプロピルシランは遠
紫外露光に対してポジ形のレジスト特性を示し、感度（
膜厚がＯになる点、以後り。
分別する際と同じ組成の良溶媒と貧溶媒の混合溶液にて
洗浄した。ポリマの収量は０．５８３でありＭＷ＝１４
８Ｘ１０’ 、分散度＝１．６であった。この収■は、
分別前の試料のＧＰＣの溶出曲線から予想される吊の９
０％であった。この分別したポリマの１．５％モノクロ
ルベンゼン溶液を用いてＳｉ基板上に膜厚０．３μｍに
スピンコードし、３０分間室温で真空乾燥した。遠紫外
ｐ；Ａ＜高エネルギー線）アライナ（キャノン（Ｃａｎ
ｏｎ） ＰＬＡ＝５２１ ＞で露光し、室温においてシ
クロヘキザノールで６０秒間現像したのち、メタノール
で３０秒間リンスした。ポリメチルプロピルシランは遠
紫外露光に対してポジ形のレジスト特性を示し、感度（
膜厚がＯになる点、以後り。
と略す） ＝ ３４ ｍＪ／ｃｉ、γ値＝２．１であっ
た。
た。
残りパタンの残膜率は９０％だった。分別前の試料につ
いて同様な評価を行なったところＤ０＝１３０１＋１Ｊ
／ｃａ（、γ値＝０．８であった。これらの感度曲線を
図１に示した。分別した試料の方が感度。
いて同様な評価を行なったところＤ０＝１３０１＋１Ｊ
／ｃａ（、γ値＝０．８であった。これらの感度曲線を
図１に示した。分別した試料の方が感度。
γ値ともに高く、また、残りパタンの残膜率も良い結果
が得られた。
が得られた。
実施例２
従来の有機ポリシラン化合物の合成法に従って合成した
ポリメチルフェニルシランはＭｗ＝１０゜３Ｘ１０’、
分散度＝９．５であった。このポリメチルフェニルシラ
ン２．０ｇをテトラヒドロフラン５０Ｉｎ１に溶かし撹
拌しつつメタノール１３ｄを徐々に滴下した。３時間撹
拌したのり沈澱したポリマを；戸数し、分子量分別する
際と同じ組成の良溶媒と貧溶媒の混合溶液にて洗浄した
。ポリマの収量はＯ，ｌ？でありＭＷ−２７Ｘ１０’
、分散度−２，１であった。この分別したポリマの３％
モノクロルベンゼン溶液を用いてＳｉ１！板上に膜厚０
．３μｍにスピンコードし、３０分間室温で真空乾燥し
た。遠紫外線アライナで露光し、室温において６０秒間
現像したのち、メタノールで３０秒間リンスした。ポリ
メチルフェニルシランは遠紫外露光に対してポジ形のレ
ジスト特性を示し、Ｄｏ ＝ １１０１Ｊ／ｃｄ、γ値
＝１．７であった。
ポリメチルフェニルシランはＭｗ＝１０゜３Ｘ１０’、
分散度＝９．５であった。このポリメチルフェニルシラ
ン２．０ｇをテトラヒドロフラン５０Ｉｎ１に溶かし撹
拌しつつメタノール１３ｄを徐々に滴下した。３時間撹
拌したのり沈澱したポリマを；戸数し、分子量分別する
際と同じ組成の良溶媒と貧溶媒の混合溶液にて洗浄した
。ポリマの収量はＯ，ｌ？でありＭＷ−２７Ｘ１０’
、分散度−２，１であった。この分別したポリマの３％
モノクロルベンゼン溶液を用いてＳｉ１！板上に膜厚０
．３μｍにスピンコードし、３０分間室温で真空乾燥し
た。遠紫外線アライナで露光し、室温において６０秒間
現像したのち、メタノールで３０秒間リンスした。ポリ
メチルフェニルシランは遠紫外露光に対してポジ形のレ
ジスト特性を示し、Ｄｏ ＝ １１０１Ｊ／ｃｄ、γ値
＝１．７であった。
また残りパタンの残膜率は１００％であった。分子量分
別を行なう前のポリマでは同様な評価法にてＤ ｏ ＝
２１０ｍＪ／ｉ、γ値＝０．７であった。
別を行なう前のポリマでは同様な評価法にてＤ ｏ ＝
２１０ｍＪ／ｉ、γ値＝０．７であった。
また、残りパタンの残膜率は９２％だった。
実施例３
実施例２において、高分子成分を１戸数したあとの１戸
液に１０倍過のメタノールを注ぎ、１晩放訝後、沈澱し
たポリメタルフェニルシランをｉ戸数した。収量は１．
４ｇ、ＭＷ ＝１．９Ｘ１０４．分散度＝２．３であっ
た。このポリマの７％七ノック１ルベンセン溶液を用い
てＳｉ基板上に膜厚０゜３μ■にスピンコートシ、３０
分間室温で真空乾燥した。電子線（高エネルギー線）描
画装置（エリオニクス ＥＬＳ−５００）にて描画し、
モノクロルベンビンで１５秒問現像したのち、メタノー
ルで３０秒間リンスした。ポリメチルフェニルシランは
電子線描画に対してネガ形のレジスト特性を示し、感度
（膜厚が５０％になる点、以後Ｄ５０と略す）＝３５０
μＣ／ ｃｉ 、γ値＝１．，６であった。、扱はパタ
ン上には現像残りはなかった。
液に１０倍過のメタノールを注ぎ、１晩放訝後、沈澱し
たポリメタルフェニルシランをｉ戸数した。収量は１．
４ｇ、ＭＷ ＝１．９Ｘ１０４．分散度＝２．３であっ
た。このポリマの７％七ノック１ルベンセン溶液を用い
てＳｉ基板上に膜厚０゜３μ■にスピンコートシ、３０
分間室温で真空乾燥した。電子線（高エネルギー線）描
画装置（エリオニクス ＥＬＳ−５００）にて描画し、
モノクロルベンビンで１５秒問現像したのち、メタノー
ルで３０秒間リンスした。ポリメチルフェニルシランは
電子線描画に対してネガ形のレジスト特性を示し、感度
（膜厚が５０％になる点、以後Ｄ５０と略す）＝３５０
μＣ／ ｃｉ 、γ値＝１．，６であった。、扱はパタ
ン上には現像残りはなかった。
分別前のポリマについて同様な評価を行なったところ、
Ｄｔｏ＝５２０μＣ／ｃｄ、γ値＝０．７であった。さ
らに、汰はバタン上に薄い現像残りが生じていた。
Ｄｔｏ＝５２０μＣ／ｃｄ、γ値＝０．７であった。さ
らに、汰はバタン上に薄い現像残りが生じていた。
実施例４
従来の有機ポリシラン化合宵の合成法に従って合成した
ジメチルシラン−ジフェニルシラン共重合体く組成モル
比−０，７６：０．２４）は万＝６．５Ｘ１０’ 、分
散度＝９．３であった。この共重合体２．０ｇをラトラ
ヒドロフラン５０ｄに溶かし、撹拌しつつメタノール１
５Ｉｄを徐々に滴下した。３時間撹拌したのち、溶液を
罎過し、）１液に１０倍ｍのメタノールを注いで、沈澱
したポリマを１戸数した。ポリマの収量は１．６ｇであ
り、ＭＷ＝８．５Ｘ１０’ 、分散度＝２．４であった
。このポリマの１０％モノクロルベン溶液を用いて８１
基板上に膜厚０．３μｍにスピンコードし、室温にて３
０分間真空乾燥した。アルゴン雰囲気下にて遠紫外線ア
ライナで露光した後、モノクロルベンピンで１５秒間現
像し、メタノールで３０秒間リンスした。共重合体は遠
紫外露光により、ネガ形のレジスト特性を示し、Ｄ５ｏ
＝ １３０ ｌＪ／ Ｃｉ、γ値＝１．８であった。
ジメチルシラン−ジフェニルシラン共重合体く組成モル
比−０，７６：０．２４）は万＝６．５Ｘ１０’ 、分
散度＝９．３であった。この共重合体２．０ｇをラトラ
ヒドロフラン５０ｄに溶かし、撹拌しつつメタノール１
５Ｉｄを徐々に滴下した。３時間撹拌したのち、溶液を
罎過し、）１液に１０倍ｍのメタノールを注いで、沈澱
したポリマを１戸数した。ポリマの収量は１．６ｇであ
り、ＭＷ＝８．５Ｘ１０’ 、分散度＝２．４であった
。このポリマの１０％モノクロルベン溶液を用いて８１
基板上に膜厚０．３μｍにスピンコードし、室温にて３
０分間真空乾燥した。アルゴン雰囲気下にて遠紫外線ア
ライナで露光した後、モノクロルベンピンで１５秒間現
像し、メタノールで３０秒間リンスした。共重合体は遠
紫外露光により、ネガ形のレジスト特性を示し、Ｄ５ｏ
＝ １３０ ｌＪ／ Ｃｉ、γ値＝１．８であった。
分別前のポリマについて同様な評価を行なったところＤ
ｓｏ ＝ ２１０ｍＪ／ｃ１ｉ、γ値＝１．１であった
。
ｓｏ ＝ ２１０ｍＪ／ｃ１ｉ、γ値＝１．１であった
。
実施例５
実施例４における遠紫外露光の評価に代えて、電子線描
画による評価を行なったところ、Ｄや＝４３０μＣ／ｃ
Ｉｉ、γ値＝１．９のネガ形の特性を示した。分別前の
ポリマではＤ ＝６１０μＣ／−９γ値＝１．１であ
った。
画による評価を行なったところ、Ｄや＝４３０μＣ／ｃ
Ｉｉ、γ値＝１．９のネガ形の特性を示した。分別前の
ポリマではＤ ＝６１０μＣ／−９γ値＝１．１であ
った。
実施例６
Ｓｉ基板上に下層レジストとしてＡＺ−１３５０（シッ
プレイ（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ） ）を１μｍ厚にスピンコ
ードし、２００℃で３０分間ベークした。その上ニ実施
例１ ＴｌｎうｈりＭＷ ＝ １４８Ｘ １０．＋ 。
プレイ（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ） ）を１μｍ厚にスピンコ
ードし、２００℃で３０分間ベークした。その上ニ実施
例１ ＴｌｎうｈりＭＷ ＝ １４８Ｘ １０．＋ 。
分散度＝１．６のポリメチルプロピルシランを上層レジ
ス１〜として０．２μｍ厚にスピンコー１へし、室温で
３０分間真空乾燥した。遠紫外線アライナを用いてコン
タクト露光によりマスクバタンの光転写を行なった。露
光量は６０ ｍＪ／ ｃｉとし、シクロへキナノールで
６０秒間現像接、メタノールで３０秒間リンスすること
により、上層レジストのポジ形のバタン形成を行なった
。上層レジストバタンをマスクとして平行平板型ドライ
エツチング装置（日用パリアン ＤＥＭ−４５１）を用
いて酸素プラズマエツチングを行なうことにより、下層
レジストのバタン形成を行なった。その結果、高アスペ
クト比を有するポジ形のバタンか得られ、ライン＆スペ
ースのバタンで最小加工寸法は０゜８μｍであった。ポ
リメチルプロピルシランとＡＺ−１３５０とのエツチン
グレート比は１４であった。
ス１〜として０．２μｍ厚にスピンコー１へし、室温で
３０分間真空乾燥した。遠紫外線アライナを用いてコン
タクト露光によりマスクバタンの光転写を行なった。露
光量は６０ ｍＪ／ ｃｉとし、シクロへキナノールで
６０秒間現像接、メタノールで３０秒間リンスすること
により、上層レジストのポジ形のバタン形成を行なった
。上層レジストバタンをマスクとして平行平板型ドライ
エツチング装置（日用パリアン ＤＥＭ−４５１）を用
いて酸素プラズマエツチングを行なうことにより、下層
レジストのバタン形成を行なった。その結果、高アスペ
クト比を有するポジ形のバタンか得られ、ライン＆スペ
ースのバタンで最小加工寸法は０゜８μｍであった。ポ
リメチルプロピルシランとＡＺ−１３５０とのエツチン
グレート比は１４であった。
分別前のポリメチルプロピルシランでは、同様な評価方
法によって最小加工寸法は１．２μｍにしかならず、分
別の効果は最小バタン寸法にも現われた。
法によって最小加工寸法は１．２μｍにしかならず、分
別の効果は最小バタン寸法にも現われた。
実施例７
ＳｉＷ板上に下層レジストとしてＡＺ−１３５０（シッ
プレイ（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ） ）を１μｍ厚にスピンコ
ードし、２００℃で３０分間ベータした。その上に実施
例３で得られたＭＷ＝１．９Ｘ１０’ 。
プレイ（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ） ）を１μｍ厚にスピンコ
ードし、２００℃で３０分間ベータした。その上に実施
例３で得られたＭＷ＝１．９Ｘ１０’ 。
分散度−２，３のポリメチルフェニルシランを上層レジ
ストとして０．２μｍ厚にスピンコードし、室温で３０
分間真空乾燥した。電子線描画装置でバタンを直接描画
し、モノクロルベンゼンで１５秒間現像したのち、メタ
ノールで３０秒問リンスして上層レジス１〜のネガ形の
バタン形成を行なった。上層レジストのバタンをマスク
として平行平板型ドライエツチング装置を用いて酸素プ
ラズマエツチングを行なうことにより、下層レジストの
バタン形成を行なった。その結果、高アスペクト比を有
するネガ形のバタンか得られ、ライン＆スペースのバタ
ンで最小加工寸法は０．９μｍであった。
ストとして０．２μｍ厚にスピンコードし、室温で３０
分間真空乾燥した。電子線描画装置でバタンを直接描画
し、モノクロルベンゼンで１５秒間現像したのち、メタ
ノールで３０秒問リンスして上層レジス１〜のネガ形の
バタン形成を行なった。上層レジストのバタンをマスク
として平行平板型ドライエツチング装置を用いて酸素プ
ラズマエツチングを行なうことにより、下層レジストの
バタン形成を行なった。その結果、高アスペクト比を有
するネガ形のバタンか得られ、ライン＆スペースのバタ
ンで最小加工寸法は０．９μｍであった。
分別前のポリメチルフェニルシランを用いた場合では、
同様な評価方法によって最小加工寸法は１．４μｍにし
かならなかった。
同様な評価方法によって最小加工寸法は１．４μｍにし
かならなかった。
以上の説明から明らかなように、本発明のレジスト材料
は、有機ポリシラン化合物のレジスト特性に３３いて、
感度、解像性、膜減り、現像残りなどの点が著しく改善
されている。また、このようなレジスト材料は高い酸素
プラズマエツチング耐性を持つことから、２層レジスト
として有望であり、上記のレジス１へ特性の改善を４１
１用することにより、す”ブミクロンの高いアスベク１
〜比を有するバタン形成を可能にすることができる。
は、有機ポリシラン化合物のレジスト特性に３３いて、
感度、解像性、膜減り、現像残りなどの点が著しく改善
されている。また、このようなレジスト材料は高い酸素
プラズマエツチング耐性を持つことから、２層レジスト
として有望であり、上記のレジス１へ特性の改善を４１
１用することにより、す”ブミクロンの高いアスベク１
〜比を有するバタン形成を可能にすることができる。
第１図はポリメチルプロピルシランの遠紫外線（２５４
ｎｍ）に対する感度曲線を示したものである。実線は分
子量分別して得られた重量平均分子量−１４８Ｘ１０’
、分散度１．６の試料、破線は分別前の重量平均分子ｆ
Ｍ＝３２．７Ｘ１０’ 。 分散度２９の試料を表す。
ｎｍ）に対する感度曲線を示したものである。実線は分
子量分別して得られた重量平均分子量−１４８Ｘ１０’
、分散度１．６の試料、破線は分別前の重量平均分子ｆ
Ｍ＝３２．７Ｘ１０’ 。 分散度２９の試料を表す。
Claims (3)
- （１）低分散度の有機ポリシラン化合物を主成分とし、
高エネルギー線に感度を有することを特徴とするレジス
ト材料。 - （２）重量平均分子量が１×１０＾５以上３×１０＾６
未満、かつ、分散度が１以上３未満であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジスト材料。 - （３）重量平均分子量が５×１０＾３以上１×１０＾５
未満、かつ、分散度が１以上３未満であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170782A JPS6231849A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170782A JPS6231849A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231849A true JPS6231849A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15911270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60170782A Pending JPS6231849A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4843137A (en) * | 1987-05-02 | 1989-06-27 | Dow Corning, Ltd. | Method for making polysilanes |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60170782A patent/JPS6231849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4843137A (en) * | 1987-05-02 | 1989-06-27 | Dow Corning, Ltd. | Method for making polysilanes |
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