JPS63157145A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子、磁気バブル素子および光応用部
品等の製造に利用しうる感光性樹脂組成物に関する。

〔従来技術および問題点〕

近年集積回路の高集積化に伴い、さらに微細なパターン
を形成することが望まれている。特に、腐社液に浸しエ
ツチングする湿式法ではナイドエツチングが生じるため
、これを避けるためにガスプラズマを用いた反応性イオ
ンエツチングなどのドライエツチングによる加工が盛ん
になってきた。

しかし、従来のレジストはドライエツチングにより被加
工基板と同様にエツチングされてしまうため、レジスト
膜厚を厚くすることによって、これに対処してきている
。したがって、ドライエツチング耐性の高いレジスト材
料が望まれているが、いまだ十分な耐性を有する材料は
見比されていない。

一方、配線の多量化、三次元アレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパターンを
形成することが望まれている。したがって段差をカバー
するために、レジスト膜を厚くする必要が生じる。

さらに、高速のイオンを基板に到達させることなく捕獲
するためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならな
い。しかし、従来のレジストでは、Ｕが、厚くなるに従
い解像度の低下が起り、微細なパターンを形成すること
ができなかった。

この問題を解決するために、レジストを一層ではなく多
層化することにより、形状比の高いレジストパターンに
形成する方法が提案されている（Ｂ、Ｊ、Ｌｉｎ　５ｏ
ｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌ、　２４７３（１
９８１））。

すなわち、第１層目に有機厚膜高分子層を形成し、その
上に酸素プラズマによるドライエツチング耐性の高いシ
リコーン系レジストを第２ＦｆＪに用いた場合には、第
２層のレジストパターンをマスクとして第１層の有機高
分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズマが使
えるため、短時間で少ない工程数により高形状比のレジ
ストパターンを形成できる。しかし、現在知られている
シリコーン系レジストではガラス転移温度が室温より相
当低く、分子最の低いポリマは液状あるいは半液状のた
め、非常に扱い難く、光に対しても感度が悪くなる（Ｈ
，ｔｌａｔｚａｋｉｓ　ｅｔａｌ　Ｐｒｏｃ、Ｉｎｔ、
Ｃｏｎｆ。

Ｈｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　、Ｌａｕｓａｎｎ
ｅ、１９８１　（Ｓｗｉｓｓ　Ｆｅｄｅｒａｌ　Ｉｎ５
ｔｉｔｕｔｅ　ｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｌａｕｓ
ａｎｎｅ、１９８１　）ｐ３８６　）。

他方、分子ｍを高くするとゴム状になり若干扱いやすく
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めパターンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点が
あった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性を低下させている原因となっている。

また、スルーブツトを向上させるためには、紫外線に高
密度なレジストが必要であり、高解懺性パターン形成の
ためにはアルカリ現像タイプの非膨潤レジストが必要で
ある。

本発明はこれらの欠点を解消するためになされたもので
あり、その目的は光に対して高感度、高解像性を有し、
しかもドライエツチング耐性の高い感光性樹脂組成物を
提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、ネガ形とポジ形の感光性樹脂組成
物の発明であって、まず、ネガ形の感光性樹脂組成物は
下記一般式（Ｉ）あるいは（Ｉｔ）〔式中Ｘは、Ｒ”’
−Ｃ−（Ｒ″’は炭化水素または置換炭化水素を表わす
。）、カルボキシル基。

−ＣＨ−Ｒ”’ ０Ｈの中から選ばれた一種を示し、互いに同じであって
も異なっていてもよく、Ｒ，Ｒ’およびＲ１′は、同一
または異なり、水素、アルキル基およびフェニル基より
なる群から選択した１種の基を示し、ＪＳｍおよびｎは
、０または正の整数を示し、Ｊとｍが同時にＯになるこ
とはない。

〕で表わされるシロキサンポリマと、芳香族アジド化合
物および増感剤とを包含することを特徴とするものであ
る。

本発明のレジスト材料は、ポリマの主鎖がポリシロキサ
ン構造であることから、０２ＲＩＥ耐性が非常に高く微
細で高７スペクト比のパターン形成に有利である。また
、ポリシロキサン構造であるにもかかわらずフェニル基
が側鎖に多く存在するため、Ｔｇが室温以上であり、レ
ジストとして使用できる。さらにフェニル基に カルボキシル基等の親水基が導入されているためポリマ
はアルカリ水溶液に可溶である。このためアルカリ現像
が可能な非膨潤形レジストとして使用できる特徴がある
。

本発明に係る成分である芳香族アジド化合物の例として
は、 で示される化合物がある。これらの添加量は前記式（Ｉ
）のシロキサンポリマあるいは、前記式（ＩＩ）のフェ
ニルシルセスキオキサンポリマに対し０．５〜３０Ｉｆ
ｆｉ％が好ましい。０．５重め５未満では架橋せず、３
０重１％を越えると長期保存安定性および塗布性が悪く
なる。

また、本発明に係る感光性樹脂組成物の１つの成分であ
る増感剤としては、従来のフォトレジストで用いられる
ものが使用できる。例えばベンゾインメチルエーテル等
のベンゾイン系化合物、アゾビスイソブチロニトリル等
のアゾ化合物、クロロフィル、メチレンブルー、エオシ
ンＹ等の色素とｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム等
の還元剤を組合せた色素レドックス系化合物、ジベンゾ
チアゾイルジスルフィド等の含硫黄化合物、過酸化ベン
ゾイル等の有機過酸化合物、ベンゾフェノン、ミヒラー
ケトン等の芳香族カルボニル化合物。

ニトロベンゼン、ｐ−ニトロフェノール、ｐ−二トロア
ニリン等の芳香族ニトロ化合物、アントラキノン等のキ
ノン系化合物、５−ニトロアセナフテンなどのアセナフ
テン系化合物を挙げることができる。

本発明の第２の発明はポジ形の感光性樹脂組成物に関す
るものであって、一般式（Ｉ）あるいは（Ｉ［）で表わ
されるポリシロキサンと下記に示されるジアゾナフトキ
ノン化合物を１種以上包含することを特徴とする。

ジアゾナフトキノン系化合物を添加した感光性樹脂組成
物は、紫外線（ＬＩＶ）照射により照射部分のオルトナ
フトキノン系化合物が相応するインデンカルボン酸とな
り照射部はアルカリ現像で除去されるためポジ形レジス
ト特性を示す。

この感光性樹脂組成物においてジアゾナフトキノン系化
合物はアルカリ液に対するレジストの溶解防止剤として
の役割を果す。ジアゾナフトキノン系化合物の添加渚は
、通常５〜３０重量％の範囲とされる。５重Ｒ％未満で
はポリマ化合物のアルカリ現像液に対する溶解を抑制す
ることができず、アルカリ現像ができなくなり、また３
０重１％を越えるとレジスト材料としてのＳｉ含有率が
低下し、酸素プラズマ耐性が減少して不都合を来す。

一般には１０重旦％程度が好ましい添加Ｍである。

本発明における最も重要な点は、上記感光性樹脂組成物
が光に対して高感度であり、しかも酸素ガス、四塩化炭
素＊　ＣＦ２　Ｃｆ２などの反応性イオンエツチングに
用いられるエッチャントガスにエツチングされにくいこ
とにある。

本発明の一般式（Ｉ）で示されるシロキサンポリマの製
造法としては、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサンなど環状フェニ
ルシロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水
酸化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル
化物で開環重合させ、得られたポリジフェニルシロキサ
ンにアシル基、（−Ｃ−Ｒ’“）、カルボキシルＩ 一ＣＨ−Ｒ”基などの反応性基を導入する方法がＨ 考えられる。

また、環状フェニルシロキサン単独ではなく、テトラメ
ヂルテトラフェニルシクロテトラシロキサンやオクタメ
チルシクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよい
。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合には
、分子量のそろった単分散ポリマが好ましいが、シクロ
シロキサンは、ブチルリチウム等の触媒で７ニオンリビ
ング重合をさせ、得られたポリマに反応性基を導入する
ことにより所望の単分散ポリマを得ることができる。

本発明の一般式（Ｉｔ）で示されるフェニルシルセスキ
オキサンポリマの製造法としては、るシラン化合物を加
水分解することにより容易に得られるフェニルシルセス
キオキサンポリマに反応性基を導入することが考えられ
る。

以下に本発明における感光性樹脂組成物の成分であるシ
ロキサンポリマの製造例を示す。

ｒ製造例１ノ ヘキサフェニルシクロトリシロキサン１Ｃｌをトルエン
１００ｍに溶解させ、十分脱気脱水後、ブチルリチウム
の１０％トルエン溶液を５ｄｌ下して一６０℃で１０時
間リビング重合させた。反応液をメタノール中に注ぎこ
み白色固体のポリマを得た。これをメヂルエチルケトン
ーメタノールで再沈を繰返し、精製したのち、真空乾燥
した。

このようにして、ゲルパーミェーションクロマトグラフ
ィーから計算したｆｆｉｆｆｉ平均分子量が四−８、９
Ｘ１０３　、分散度ＭＷ／Ｍｎ−１．１ｒあるポリジフ
ェニルシロキサンを得た。

かき混ぜ機，温度計，滴下潟斗をつけた３００−のフラ
スコに無水塩化アルミニウム１５ｇ．塩化アセデル５０
１Ｉｄｌをとり撹拌する。つぎに、上記ポリジフェニル
シロキサン５ｇを塩化アセチル５０ａｉ！に溶かした溶
液を徐々に滴下する。温度を２５℃に保ち反応を進める
。反応の進行とともに塩化水素が発生する。３時間反応
後、冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくか
き混ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が酸性である
ことを確かめてから沈澱したポリマを濾別する。希塩酸
−水でよく洗い、最後に真空乾燥器で乾燥する。

得られたポリマの分子…は９９００であった。また、赤
外線吸収スペクトルでは１６７０ｃｍ−’にカルボニル
基の吸収が、ＮＭＲでろ−２，４にメチル基の吸収がみ
られ、アセチル化されたことが確認できた。この時のア
セチル化率はＮＭＲから６０％であった。

「製造例２」 フェニルトリクロロシラン７ｇをＮ−メチルピロリドン
２０−に溶解したのち、Ｈｚｏｌｏｄ。

ｉ１塩１５ｍを加え、３０℃で２４時間放置した。

沈澱物を水洗したのち、テトラヒドロフラン２０戒に溶
解し、メタノール中に注ぎ白色の重合体を得た。得られ
たポリフェニルシルセスキオキサンは、ＭＷ＝１．０Ｘ
ＩＯ’　、ＭＷ／Ｍｎ−１，８であった。

上記ポリフェニルシルセスキオキサンを製造例１と同様
にアセチル化し２分子ｆｆ１１．２Ｘ１０’　。

アセチル化率５５％のポリマを（ｑた。

「製造例３」 かき混ぜ機、温度計１滴下漏斗をつけた３００ｄのフラ
スコに塩化第２スズ２５戴、無水酢酸５０ｄをとり撹拌
する。つぎに、ジフェニルシランジオール６ｑを無水酸
Ｍ５０雇に溶かした溶液を徐々に滴下する。以下製造例
１と同様な方法でアセデル化ポリシロキサンを得た。得
られたポリマの分子量は８５０ｏであり、アセチル化率
は４２％であった。

「製造例４」 製造例１において、塩化アセチル５０ｍのかわりに塩化
プロピオニル５０−を用いた以外は同様の方法でプロピ
オニル化されたポリジフェニルシロキサンを１ｑた。

「製造例５」 製造例４において、ポリジフェニルシロキサンのかわり
にポリフェニルシルセスキオキサンを用いてプロピオニ
ル化されたポリフェニルシルセスキオキサンを（ワた。

「製造例６」 製造例２で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン６Ｑを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水澄液１０
０ｄに加え、１２２時間還流る。

得られた透明な液に塩酸を加えることにより酸性にする
と沈澱が生じる。濾別して黄白色固体を得た。赤外線吸
収スペクトルにおいて１６７００１１−’のカルボニル
基の吸収が消滅し１７００ｃｍ→にカルボニル基の吸収
がみられ、カルボキシル化されたことが認められた。収
率は７０％であった。

「製造例７」 製造例１で得られたアシル化ポリジフェニルシロキサン
６ｇを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水澄液１００ｄ
に加え、１２時間遠流ザる。以下、製造例３と同様にし
て、カルボキシル化を行なった。収率は６５％であった
。

「製造例８」 製造例２で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン５ｇをテトラヒドロフラン１００ｄに溶かし、これ
に３ｇのＬ！／Ｖｉ４を加え、３時間還流を行った。反
応終了後、５％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率は５５％であった。

生成物の赤外線吸収スペクトルでは、原料でみられた１
６７０ｃｍ−’のカルボニル基の吸収が消え、３１００
〜３４００ｃｍ−’の付近に○Ｈ基に起因する吸収が見
られ、還元されたことが確認できた。

「製造例９」 製造例１で得たアシル化ポリジフェニルシロキサン５ｇ
をテトラヒドロフラン１００ｍに溶かし、これに３９の
１．ｉ＃ｌＩ４を加え、還流を行った。反応終了後、５
％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白色固体を得た
。収率は６６％であった。

製造例１〜９で得られたポリマは、いずれもアルカリ水
溶液に可♂であり、これを用いた感光性樹脂はアルカリ
水溶液で現像できる。光照射により架橋した部分はアル
カリ水溶液で膨潤しないため高解像度のパターン形成が
可能となる。

次に実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明は
これらにより限定されるものでｔよない。

「実施例１」 製造例１で得たボリア２ｇをエチルセルソルブ１０−に
溶解し、これに２−アジドピレン５００■、および増感
剤としてミヒラーケトン３０Ｉ＋ｓ＋を添加した。次に
石英板に約０．５μｍの厚さに塗布し、８０℃で２０分
間窒素気流中ブリベー、りした。プリベーク後、コダッ
クフォトグラフィックステップタブレットをマスクとし
窒素雰囲気で超高圧水銀灯を用いて照射した。照射後石
英板をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水
溶液中に入れ、６０秒間現像し、３０秒間水でリンスし
た。このとき初期膜厚の５０％が残る光照射員は、１５
１１１Ｊ／ｃｉであり、実用上十分利用可能な感度であ
る。

また、１．０μｍ以下のラインアンドスペースのパター
ンをもつクロムマスクを通して光照射後、上記と同一組
成の現像液で現像を行ったところマスクのパターンを忠
実に解像できた。

「実施例２」 シリコンウェハにＡＺ−１３５０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し、不溶化させた。このＡＺレジストの上に実施例１の
感光性樹脂組成物を実施例１と同様な操作で約０．３μ
ｍのｊ７さに塗布し、８０℃で２０分間窒素気流中プリ
ベークした。プリベーク後、１．０μｍ以下のラインア
ンドスペースのパターンをもつクロムマスクを通して光
照射後、実施例１と同一組成の現像液で現像を行ったと
ころ、マスクのパターンがＡＺレジスト上に転写された
。その後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガ
スをエッチ１Ｆントガスとしてエツチングを行った。こ
のエツチング条件（印加パワー５０Ｗ、エツチング室内
圧８０ミリトル）では、感光性樹脂組成物のエツチング
速度は１０人／分以下、一方ＡＺレジストのエツチング
速度は１５００人／分であり、１５分エツチングするこ
とによりこの感光性樹脂に覆われていない部分のＡＺレ
ジストは完全に消失し、約２．３μｍの高さをもつパタ
ーンが形成できた。

「実施例３」 実施例１において、製造例１で得たポリマのかわりに製
造例２〜９で得たポリマを用い、実施例１と同様の照射
、現像を行った。この時、初期膜厚の５０％が残る光照
射化は、表１に示す値であった。また、１．０μｍ以下
のラインアンドスペースのパターンをもつクロムマスク
を通して光照射し、現像をしたところ、マスクのパター
ンを忠実に解像できた。そして、実施例２と同様の方法
で約２．３μｍの高さをもつパターンが形成できた。

「実施例４〜１２」 実施例１において、２−アジドピレンにかえて、下に示
す芳香族アジド化合物をそれぞれ用い、３ＫＷの超高圧
水銀灯を照射後、現像した。このと「実施例１３〜１９
および比較例」 実施例１において増感剤ミヒラーケトンに代えて５−ニ
トロアセナフテン（実施例１３）、２−二Ｉ・ロフルオ
レン（実施例１４）、１−ニトロピレン（実施例１５）
、１．８−ジニトロピレン（実施例１６）、１．２−ベ
ンゾアントラキノン（実施例１７）、ピレン−１，６−
キノン（実施例１８）、シアノアクリジン（実施例１９
）をそれぞれ３０ｍｇ添加した。また、増感剤無添加の
試料も用意したく比較例１）。これらを実施例１の方法
で塗布、光照射、現像し、初期膜厚の５０％が残る光照
射聞を表３に示す。

「実施例２０Ｊ 実施例４において、０．５μ〜１．０μｍのフォトマス
クを用いて照射し、現像したのら、得られたパターン寸
法を表４に示す。

「比較例２」 実施例２０において、製造例１で１りられたポリマのか
わりに、ポリビニルメチルシロキサンを用いて実施例２
０と同様の操作を行ったが、マスクパターン３．０μｍ
以下では膨潤のため全く解像しなかった。

「実施例２１〜２５」 実施例１と同様の方法で得たパターンをＣＦ４（実施例
２１）、ＣｈＣＬｚ（実施例２２）、ＣＣ１４（実施例
２３）、０２（実施例２４）、＾ｒ（実施例２５）の各
ガスをエッチャントガスとして反応性イオンエツチング
を行った。この時のエツチング条件と感光性樹脂組成物
のエツチング速度を表５に示す。

「実施例２６〜２８」 実施例１において、高エネルギ線源として用いた超高圧
水銀灯のかわりに、電子線源（実施例２６）、Ｘ線源（
実施例２７）、遠紫外線源（実施例２８）を用いて、実
施例１と同様の方法で初期膜厚の５０％が残る光照射１
求めた。その結果を表６に示す。

また、解像性評価を行った結果、いずれも０゜５μｍ以
下のパターンが解像できた。

「実施例２９」 製造例１〜って得られたレジスト材料にで表わされるジ
アゾナフトキノン化合物を２０１酊％添加した感光性樹
脂組成物を約０．２μｍ厚さでシリコンウェハに塗布し
、８０℃で２０分間プリベークした。ブリベータ後、オ
ーク社のジェットライトを用いて紫外線照射した。照射
後、実施例１と同じ現像液で現像し、照射部の残膜がＯ
となるところの照射量を感度とした。

表７に感度と解像性を示す。解像性ｔようイン＆スペー
スパターンを形成して評価し、いずれの材料も０．５μ
ｍ幅のパターンが形成できた。

感光性樹脂組成物はネガ形よりも解像性が優れていた。

「実施例３０」 実施例２９のジアゾナフトキノン化合物に代えて で表される化合物を用い、実施例２９と同様に感度と解
像性を測定した。その結果を表８に示す。

「実施例３１」 実施例２におけるパターン形成におけるネガ形の感光性
樹脂組成物に代えて、実施例２９のポジ形感光性樹脂組
成物を用い、実施例２と同様の方法でパターン形成を１
１つだ。

実施例２９のいづれの感光性樹脂組成物でも２μｍ以上
の畠さをもつパターンが形成できた。

Ｃ表　　１〕 〔表　　２〕 〔表　　３〕 Ｃ表　　４〕 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明で得られた感光性樹脂組成
物は、高いガラス転移温度を有するシリコーン樹脂と高
い光反応性を示す芳香族アジド化合物およびジアゾナフ
トキノン化合物からなるため、フォトレジストとして十
分な感光性と解像性を有している。特に、シリコーン樹
脂の高いガラス転移温度により、従来問題となった現像
時の膨潤が抑えられ、解像性の向上が著しい。さらに、
環状シロキサンモノマは、リビング重合ができるため、
分子量分布の非常に狭い、すなわち、解像性の高いレジ
スト材料となりうる。また、樹脂は白色粉末で、溶解性
がよく、スピンコードによる塗布性にも優れ、従来の液
体に近いシリコーン樹脂に比べはるかに扱いやすい。

さらに、従来のフォトレジストに比べ、はるかに高いド
ライエツチング耐性を有する。これは特に酸素プラズマ
をエッチャントとした反応性イオンエツチングにおいて
著しい。したがって、本発明の感光性樹脂組成物を単独
で使用しても作業性、経済性、レジスト性能などの点で
十分に効果があるが、下層に厚い有機ポリマを有する２
層レジストの上層として使用すれば、さらに大きな効果
が得られる。

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物により形成された
パターンをマスクとして、下層の有機ポリマを０２ドラ
イエツチングすれば、この感光性樹脂組成物に覆われた
部分はほとんどエツチングされないため、形状比の高い
パターンを形成することができる。

さらに、従来３層以上の多層レジストでなければ形成で
きなかったパターンを２層でできるため、工程数と作業
時間を大幅に短縮できる。

以上のように、本発明の感光性樹脂組成物を用いること
により、厚く微細なパターンが形成できるため、段差ご
えのパターン形成や高加速イオン打込みを行う際に非常
に有用となる。

手冶ｌこ省ＩＴ正智Ｊ（自発） 昭和６２年５月２７日

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中Ｘは、Ｒ″′▲数式、化学式、表等があります▼
   （Ｒ″′は炭化水素または置換炭化水素を表わす。）、
   カルボキシル基、▲数式、化学式、表等があります▼の
   中から選ばれた一種を示し、互いに周じであっても異な
   っていてもよく、Ｒ、Ｒ′およびＲ″は、同一または異
   なり、水素、アルキル基およびフエニル基よりなる群か
   ら選択した１種の基を示し、ｌ、ｍおよびｎは、０また
   は正の整数を示し、ｌとｍが同時に０になることはない
   。〕で表わされるシロキサンポリマと、芳香族アジド化
   合物および増感剤とを包含することを特徴とする感光性
   樹脂組成物。
2. （２）芳香族アジド化合物が ［１］▲数式、化学式、表等があります▼［２］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［３］▲数式、化学式、表等があります▼［４］▲数式
   、化学式、表等があります▼［５］▲数式、化学式、表
   等があります▼［６］▲数式、化学式、表等があります
   ▼ ［７］▲数式、化学式、表等があります▼［８］▲数式
   、化学式、表等があります▼［９］▲数式、化学式、表
   等があります▼［１０］▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ よりなる群から選択した１種以上のものである特許請求
   の範囲第１項に記載の感光性樹脂組成物。
3. （３）増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニトロ化合物、キノン
   系化合物、アントロン系化合物およびアセナフテン系化
   合物よりなる群から選］択した１種のものである特許請
   求の範囲第１項に記載の感光性樹脂組成物。
4. （４）一般式（II）； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） 〔式中Ｘは、Ｒ″′▲数式、化学式、表等があります▼
   （Ｒ″′は炭化水素または置換炭化水素を表わす。）、
   カルボキシル基、▲数式、化学式、表等があります▼の
   中から選ばれた一種を示し、互いに同じであっても異な
   っていてもよく、Ｒ、Ｒ′およびＲ″は、同一または異
   なり、水素、アルキル基およびフエニル基よりなる群か
   ら選択した１種の基を示し、ｌ、ｍおよびｎは、０また
   は正の整数を示し、ｌとｍが同時に０になることはない
   。〕で表わされるシロキサンポリマと、芳香族アジド化
   合物および増感剤とを包含することを特徴とする感光性
   樹脂組成物。
5. （５）芳香族アジド化合物が ［１］▲数式、化学式、表等があります▼［２］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［３］▲数式、化学式、表等があります▼［４］▲数式
   、化学式、表等があります▼［５］▲数式、化学式、表
   等があります▼［６］▲数式、化学式、表等があります
   ▼ ［７］▲数式、化学式、表等があります▼［８］▲数式
   、化学式、表等があります▼［９］▲数式、化学式、表
   等があります▼［１０］▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ よりなる群から選択した１種以上のものである特許請求
   の範囲第４項に記載の感光性樹脂組成物。
6. （６）増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニトロ化合物、キノン
   系化合物、アントロン系化合物およびアセナフテン系化
   合物よりなる群から選択した１種のものである特許請求
   の範囲第４項に記載の感光性樹脂組成物。
7. （７）下記一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化水素あるいは置
   換炭化水素を表す。）、カルボキシル基の群から選ばれ
   た一種であり、同じでも異なってもよい。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
   アルキル基およびフエニル基よりなる群から選ばれる１
   種の基を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。〕で表わされ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
   等があります▼ るポリシロキサンと上記に示されるジアゾナフトキノン
   化合物１種以上を包含することを特徴とする感光性樹脂
   組成物。
8. （８）下記一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化水素あるいは置
   換炭化水素を表す。）、カルボキシル基の群から選ばれ
   た一種であり、同じでも異なってもよい。 Ｒ′、Ｒ″、Ｒ″′は同一または異なり、水素、アルキ
   ル基およびフエニル基よりなる群から選ばれる１種の基
   を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。〕で表わされるポリシロキサ
   ンと下記に示されるジアゾナフト ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
   等があります▼ キノン化合物１種以上を包含することを特徴とする感光
   性樹脂組成物。