JPS63113021A - ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物 - Google Patents
ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物に
関する。
関する。
(従来の技術)
半導体素子、集積回路等の電子部品の製作にはフtトエ
ッチングによる微細加工技術が用いられている。例えば
、シリコン単結晶ウェハなどにフォトレジスト層をスピ
ンコーティングにより形成させ、その上に所望のパター
ンを持つマスクを重ね、露光、現像、リンスなどを行い
、画像形成後、エツチングにより数μm幅の線形成や窓
あけ番行っている。上記微細加工技術において、製品の
精度は、大部分が使用されるフォトレジストの性能、例
えば基板上での解像力、光感応性の精度、基板との接着
性あるいはエツチングに対する耐性などに左右される。
ッチングによる微細加工技術が用いられている。例えば
、シリコン単結晶ウェハなどにフォトレジスト層をスピ
ンコーティングにより形成させ、その上に所望のパター
ンを持つマスクを重ね、露光、現像、リンスなどを行い
、画像形成後、エツチングにより数μm幅の線形成や窓
あけ番行っている。上記微細加工技術において、製品の
精度は、大部分が使用されるフォトレジストの性能、例
えば基板上での解像力、光感応性の精度、基板との接着
性あるいはエツチングに対する耐性などに左右される。
フォトレジストとしてポリシラン系の重合体が注目され
てきている。このようなものとして、特開昭60−22
8542号公報記載のものがある。この発明のポリシラ
ンは、化学線の照射により光解重合して揮発性生成物を
生成する。この性質を利用し、ポジ型パターン形成のフ
ォトレジストとして使用することができる。しかし、こ
のようなドライ現像では、微細なパターンを精度よく形
成することができないという欠点があった。
てきている。このようなものとして、特開昭60−22
8542号公報記載のものがある。この発明のポリシラ
ンは、化学線の照射により光解重合して揮発性生成物を
生成する。この性質を利用し、ポジ型パターン形成のフ
ォトレジストとして使用することができる。しかし、こ
のようなドライ現像では、微細なパターンを精度よく形
成することができないという欠点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように、ポリシラン系のフォトレジストでは、微
細なパターンを精度よく形成することができないという
欠点があった。このような欠点を解決する1つの方法と
して、アルカリ現俸をするということが考えられる。し
かし、ポリシランはアルカリ溶液に不溶性であるため、
アルカリ現像できないという問題点があった。
細なパターンを精度よく形成することができないという
欠点があった。このような欠点を解決する1つの方法と
して、アルカリ現俸をするということが考えられる。し
かし、ポリシランはアルカリ溶液に不溶性であるため、
アルカリ現像できないという問題点があった。
本発明は以上のような問題点に鑑みなされたものであり
、アルカリ可溶性が良好なポリシラン及びそれを用いた
感光性組成物を提供することを目的とする。
、アルカリ可溶性が良好なポリシラン及びそれを用いた
感光性組成物を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段と作用)まず、第1の発
明は次式で表わされるポリシランである。
明は次式で表わされるポリシランである。
(式中几、へ几、は同一であっても、異なっていてもよ
く、各々水素原子、炭素数l5−10のアルキル基又は
炭素数6へ14の非置換もしくは置換アリ−ル基を表わ
す。R4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素数6
〜14の非置換もしくは置換フ、二しン基を表わす。R
3〜R,は同一であっても異なっていてもよく、各々水
素原子、水酸基、アルコキシ基炭素数l〜lOのアルキ
ル基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリー
ル基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及
びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表わす。)式
中、炭素数1へ10のアルキル基とは、メチル。
く、各々水素原子、炭素数l5−10のアルキル基又は
炭素数6へ14の非置換もしくは置換アリ−ル基を表わ
す。R4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素数6
〜14の非置換もしくは置換フ、二しン基を表わす。R
3〜R,は同一であっても異なっていてもよく、各々水
素原子、水酸基、アルコキシ基炭素数l〜lOのアルキ
ル基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリー
ル基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及
びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表わす。)式
中、炭素数1へ10のアルキル基とは、メチル。
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソフチル
+ t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、ノニル、デシルなどを意味し、炭素数6〜14の
非置換もしくは置換アリール基とは、フェニル、p−)
リル、p−メトキシフェニル、p−クロロフェニル、
p −ト+)フルオロメチ)Lyフgニール、 O)
!J/L’、 O/トキシフェニル。
+ t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、ノニル、デシルなどを意味し、炭素数6〜14の
非置換もしくは置換アリール基とは、フェニル、p−)
リル、p−メトキシフェニル、p−クロロフェニル、
p −ト+)フルオロメチ)Lyフgニール、 O)
!J/L’、 O/トキシフェニル。
す
p−トリメチルシリルフ、ニル、p−ブチルフ。
ニル、l−ナフチル、2−ナフチル、6−メチル−2−
ナフチル、6−メドキシー2−ナフチルなどを意味する
。
ナフチル、6−メドキシー2−ナフチルなどを意味する
。
具体的には、
■
CH−CH3
などが挙げられる。
本発明のポリシランは、数平均分子量が4000〜s
o o、o o oであることが好ましい。2000未
満では溶剤に溶かし、塗布した際に良好な塗膜が得られ
ず、1,000,000を超えると溶剤に対する溶解性
が悪くなる。
o o、o o oであることが好ましい。2000未
満では溶剤に溶かし、塗布した際に良好な塗膜が得られ
ず、1,000,000を超えると溶剤に対する溶解性
が悪くなる。
本発明のポリシランは、シリルエーテルで保腹シタフェ
ノール性のヒドロキシル基を有するジクロロシランをキ
シレン中金属ナトリウムと反応させて容易に得ることが
できる。例えば、次のような方法により合成する。m−
フェノールジクロロシランの水酸基をトリメチルシリル
基で保護し、トリエンまたはキシレン中で金属ナトリウ
ムと反CH。
ノール性のヒドロキシル基を有するジクロロシランをキ
シレン中金属ナトリウムと反応させて容易に得ることが
できる。例えば、次のような方法により合成する。m−
フェノールジクロロシランの水酸基をトリメチルシリル
基で保護し、トリエンまたはキシレン中で金属ナトリウ
ムと反CH。
■
Cl−8i −CI
CH。
C)ICH。
回
\OH
応させてたのち、保蒋基を加水分解により除去しフェノ
ール性水酸基を有するポリシランを得る。
ール性水酸基を有するポリシランを得る。
共重合体を得るには、ジメチルジクロロシラン。
フェニルメチルジクロロシランのようなジクロロシラン
を加えて金属ナトリウムと反応させる。
を加えて金属ナトリウムと反応させる。
本発明のポリシランは、光、電子線、X線等の高エネル
ギー線により分解する。
ギー線により分解する。
この性質を利用しレジスト材料として使用することがで
きる。その際、照射する高エネルギー線の種類とポリシ
ランの置換基の組合わせにより、ポジ型、ネガ型両方の
パターン形成が可能となる。
きる。その際、照射する高エネルギー線の種類とポリシ
ランの置換基の組合わせにより、ポジ型、ネガ型両方の
パターン形成が可能となる。
これは高エネルギー線照射により分解し、低分子″量化
したポリシランが照射前の状態よりもアルカリ性溶液に
対する溶解性が高くなる場合と、照射による分解で新し
くできた活性種が反応しより高分子量化されアルカリ可
溶性が低くなる場合があるからである。
したポリシランが照射前の状態よりもアルカリ性溶液に
対する溶解性が高くなる場合と、照射による分解で新し
くできた活性種が反応しより高分子量化されアルカリ可
溶性が低くなる場合があるからである。
また、アクリロイル基(メタクロイル基、ビニル基、ベ
ンジル基)のように高エネルギー線により重合する官能
基をフェノール性OH基、あるいはフェニル基に一部導
入することによりネガ型のレジスト材料として使用する
ことができる。この場合、露光した部分が高分子量化し
、他の部分よりもアルカリ溶液に対する溶解性が低くな
る。
ンジル基)のように高エネルギー線により重合する官能
基をフェノール性OH基、あるいはフェニル基に一部導
入することによりネガ型のレジスト材料として使用する
ことができる。この場合、露光した部分が高分子量化し
、他の部分よりもアルカリ溶液に対する溶解性が低くな
る。
本発明のポリシランは高温で加熱することによりSiC
になるので、セラミックの材料として使用することもで
きる。
になるので、セラミックの材料として使用することもで
きる。
第2の発明は、
(a)次式で表わされるポリシランと
(式中R1〜R+3は同一であっても、異なっていても
よく、各々水素原子、炭素数l510のアルキル基又は
炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基を表わ
す。R4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素数6
へ14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす。R
1−几・は同一であっても異なっていてもよく、各々水
素原子、水酸基、アルコキシ品素数1〜10のアルキン
基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール
基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及び
kは正の整゛数、mは0を含む正の整数を表わす。)(
b)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物。
よく、各々水素原子、炭素数l510のアルキル基又は
炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基を表わ
す。R4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素数6
へ14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす。R
1−几・は同一であっても異なっていてもよく、各々水
素原子、水酸基、アルコキシ品素数1〜10のアルキン
基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール
基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及び
kは正の整゛数、mは0を含む正の整数を表わす。)(
b)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物。
本発明で用いられる有機溶剤としてはポリシランを溶解
するものであればどのようなものであってもよく、格別
に限定されるものではないが、極性有機溶剤であること
が好ましい。
するものであればどのようなものであってもよく、格別
に限定されるものではないが、極性有機溶剤であること
が好ましい。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、メチ
ルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤、酢酸エチル
、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル系溶剤など
がある。各溶剤を単独で用いても2種以上の混合溶剤と
して用いてもよい。
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、メチ
ルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤、酢酸エチル
、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル系溶剤など
がある。各溶剤を単独で用いても2種以上の混合溶剤と
して用いてもよい。
本発明の組成物は、必要に応じて、紫外線吸収剤、界面
活性剤、増感剤などの溢加剤が配合されていてもよい。
活性剤、増感剤などの溢加剤が配合されていてもよい。
本発明では、アルカリ可溶性樹脂を含有させてもよい。
アルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ溶液に可溶なも
のであればいかなるものであってもよく、例えば、フェ
ノール類とホルムアルデヒドとの縮合によって得られる
ノボラック樹脂が挙げられる。このフェノール類として
は、例えば、フェノール、0−クロロフェノール、m−
クロロフェノール、p−クロロフェノール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、ビスフェノールA、4−クロロ
−3−クレゾールが挙げられる。これらのうち1種もし
くは2種以上のものとホルマリンを縮合させることによ
って、前記のノボラック樹脂は得られるが、かかる樹脂
はノボラック樹脂に限られず、ポリ(p−ビニルツーノ
ール)、ポリ(p−インプロペニルフェノール)、ポI
J(m−イソプロペニルフェノール)、p−ヒドロキシ
スチレンとメタクリル酸メチルとの共重合体sp−ヒド
ロキシスチレンとアクリル酸メチルとの共重合体、p−
イソプロペニルフェノールとアクリル酸メチルとの共重
合体、p−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸との共重
合体など構造単位に芳香環とヒドロキシ基を有する樹脂
であればいかなるものでもよい。好ましぐは、ポリ(p
−ビニルフェノール)% ;t!す(p−ビニルフェノ
ール)トメタクリル酸メチルの共重合体が挙げられる。
のであればいかなるものであってもよく、例えば、フェ
ノール類とホルムアルデヒドとの縮合によって得られる
ノボラック樹脂が挙げられる。このフェノール類として
は、例えば、フェノール、0−クロロフェノール、m−
クロロフェノール、p−クロロフェノール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、ビスフェノールA、4−クロロ
−3−クレゾールが挙げられる。これらのうち1種もし
くは2種以上のものとホルマリンを縮合させることによ
って、前記のノボラック樹脂は得られるが、かかる樹脂
はノボラック樹脂に限られず、ポリ(p−ビニルツーノ
ール)、ポリ(p−インプロペニルフェノール)、ポI
J(m−イソプロペニルフェノール)、p−ヒドロキシ
スチレンとメタクリル酸メチルとの共重合体sp−ヒド
ロキシスチレンとアクリル酸メチルとの共重合体、p−
イソプロペニルフェノールとアクリル酸メチルとの共重
合体、p−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸との共重
合体など構造単位に芳香環とヒドロキシ基を有する樹脂
であればいかなるものでもよい。好ましぐは、ポリ(p
−ビニルフェノール)% ;t!す(p−ビニルフェノ
ール)トメタクリル酸メチルの共重合体が挙げられる。
これらの樹脂は[1もしくは2種以上の混合系で使用さ
れる。
れる。
このアルカリ可溶性樹脂の配合割合が10重量部未満で
は成膜性に劣り、2000重合部を超えると感度が劣っ
てくる。よって10S2000重量部である。
は成膜性に劣り、2000重合部を超えると感度が劣っ
てくる。よって10S2000重量部である。
本発明の感光性組成物は、必要に応じて、貯蔵安定性を
はかるための熱重合防止剤、基板からのハレーシ嘗ンを
防止するためのハレーシ冒ン防止剤、基板との密着性を
向上させるための密着性向上剤などが配合されていても
よい。
はかるための熱重合防止剤、基板からのハレーシ嘗ンを
防止するためのハレーシ冒ン防止剤、基板との密着性を
向上させるための密着性向上剤などが配合されていても
よい。
第3の発明は、
(a)次式で表わされるポリシランと
(式中R3〜R3は同一であっても、異なっていてもよ
く、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又は炭
素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基≧表わす
。R6は炭素数1〜1oのアルキレン基又は炭素数6〜
14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす。R1
〜R・は同一であっても異なっていてもよく、各々水素
原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1へ10のアルキル
基、又は炭素数6S14の非置換もしくは置換フェニレ
ン基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及
びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表わす。)の
)感光剤 (C)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物である。
く、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又は炭
素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基≧表わす
。R6は炭素数1〜1oのアルキレン基又は炭素数6〜
14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす。R1
〜R・は同一であっても異なっていてもよく、各々水素
原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1へ10のアルキル
基、又は炭素数6S14の非置換もしくは置換フェニレ
ン基を表わすが、少なくとも1個は水酸基である。n及
びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表わす。)の
)感光剤 (C)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物である。
本発明で用いられる感光剤としては、ジアゾ化金物のよ
うにポジ画像を形成するものでも、アジド化合物のよう
にネガ画像を形成するものであってもよく、一般に感光
剤として知られているものであれば格別限定されない。
うにポジ画像を形成するものでも、アジド化合物のよう
にネガ画像を形成するものであってもよく、一般に感光
剤として知られているものであれば格別限定されない。
この感光剤としては、例えば、ナフトキノンジアジド化
合物、アジド化合物が挙げられる。このナフトキノンジ
アジド化合物としては例えば、1゜2−ナフトキノン−
2−ジアジド−5−スルホン酸クロリドとフェノール性
の水酸基を有する化合物とから合成されるスルホン酸エ
ステルがあげられ、フェノール性水酸基を有する化合物
として例えば、3,4.5−トリヒドロキシ安息香酸エ
チルエステル、 2,3.4− )リヒドロキシベンゾ
フェノン、2.4.2’、4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、ケルセチン、モリンアリザリン、キニザリ
ン、プルプリンが挙げられる。また、アジド化合物とし
ては3,3′−ジアジドシフ、ニルスルホン、2−メト
キシ−4′−アジドカルコン、1−(p−アジドラ1ニ
ル)−4−(2−フリル)−1,3−ブタジェンが挙げ
られる。これらの中でも、溶剤に対する溶解性が必要で
あり、露光装置の光源の波長に対して感度を有する必要
がある。現在広く用いられているステッパーでは436
nmの光源が用いられているため、436nmに対応と
しては、ビス(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−
5−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノンエステル、1−(p−アジドフェニル)−4
−(2−フリル) −1,3−ブタジェンなどが好まし
い。これらのアジド化合物は1種もしくは2種以上の混
合系で使用される。
合物、アジド化合物が挙げられる。このナフトキノンジ
アジド化合物としては例えば、1゜2−ナフトキノン−
2−ジアジド−5−スルホン酸クロリドとフェノール性
の水酸基を有する化合物とから合成されるスルホン酸エ
ステルがあげられ、フェノール性水酸基を有する化合物
として例えば、3,4.5−トリヒドロキシ安息香酸エ
チルエステル、 2,3.4− )リヒドロキシベンゾ
フェノン、2.4.2’、4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、ケルセチン、モリンアリザリン、キニザリ
ン、プルプリンが挙げられる。また、アジド化合物とし
ては3,3′−ジアジドシフ、ニルスルホン、2−メト
キシ−4′−アジドカルコン、1−(p−アジドラ1ニ
ル)−4−(2−フリル)−1,3−ブタジェンが挙げ
られる。これらの中でも、溶剤に対する溶解性が必要で
あり、露光装置の光源の波長に対して感度を有する必要
がある。現在広く用いられているステッパーでは436
nmの光源が用いられているため、436nmに対応と
しては、ビス(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−
5−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノンエステル、1−(p−アジドフェニル)−4
−(2−フリル) −1,3−ブタジェンなどが好まし
い。これらのアジド化合物は1種もしくは2種以上の混
合系で使用される。
この感光剤の配合割合が5重量部未満では露光部と未感
光部の溶解性の差が小さくなり、良好なパターンを与え
ず、100重量部を超えると塗膜性能が悪くなる。好ま
しくは10〜50M量部である。
光部の溶解性の差が小さくなり、良好なパターンを与え
ず、100重量部を超えると塗膜性能が悪くなる。好ま
しくは10〜50M量部である。
本発明の組成物は、必要に応じて、紫外線吸収剤、界面
活性剤、増感剤などの添加剤が配合されていてもよい。
活性剤、増感剤などの添加剤が配合されていてもよい。
本発明で用いられる有機溶剤はポリシラン及び感光剤を
溶解するものであればどのようなものであってもよいが
、柩性有機溶剤が好ましく、第2の発明で挙げたものが
本発明でも用いられる。
溶解するものであればどのようなものであってもよいが
、柩性有機溶剤が好ましく、第2の発明で挙げたものが
本発明でも用いられる。
また、本発明では第2の発明で詳述したようなアルカリ
可溶性樹脂を含有させてもよい。
可溶性樹脂を含有させてもよい。
本発明の感光性組成物は、必要に応じて、貯蔵安定性を
はかるための熱重合防止剤、基板からのハレーシ■ンを
防止するためのハレーシ嘗ン防止剤、基板との密着性を
向上させるための密着性向上剤などが配合されていても
よい。
はかるための熱重合防止剤、基板からのハレーシ■ンを
防止するためのハレーシ嘗ン防止剤、基板との密着性を
向上させるための密着性向上剤などが配合されていても
よい。
次に、本発明の感光性組成物の使用例について説明する
。
。
微細パターンを製造すべき物質上に、まず、平担化剤と
して市販のレジストを所定の厚さに塗布する。この平担
化剤は、半導体素子の製造において支障を生じない純度
を有するものであわば、いかなるものであってもよい。
して市販のレジストを所定の厚さに塗布する。この平担
化剤は、半導体素子の製造において支障を生じない純度
を有するものであわば、いかなるものであってもよい。
該樹脂としては、例えば、置換O−キノンジアジドとノ
ボラック樹脂からなるポジ型レジスト、ポリスチレン、
ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ノ
ボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニルアルコール、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェン、ポリ
酢酸ビニル及びポリビニルブチラールポリイシド等が挙
げられる。これらの樹脂は単独で又は混合系で用いられ
る。そしてこの塗布層を100S250℃で30〜15
0分焼き固めた後、その上に、上記の感光性組成物を塗
布する。塗布する方法としては、スピナーを用いた回転
塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可能である。次に
適当な温度(通常150℃以下、好ましくは70〜12
0℃)で乾燥し塗膜される塗膜厚は塗布手段、溶液の樹
脂分濃度、粘度等によって調整が可能である。
ボラック樹脂からなるポジ型レジスト、ポリスチレン、
ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ノ
ボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニルアルコール、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェン、ポリ
酢酸ビニル及びポリビニルブチラールポリイシド等が挙
げられる。これらの樹脂は単独で又は混合系で用いられ
る。そしてこの塗布層を100S250℃で30〜15
0分焼き固めた後、その上に、上記の感光性組成物を塗
布する。塗布する方法としては、スピナーを用いた回転
塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可能である。次に
適当な温度(通常150℃以下、好ましくは70〜12
0℃)で乾燥し塗膜される塗膜厚は塗布手段、溶液の樹
脂分濃度、粘度等によって調整が可能である。
微細パターンを製造すべき物質としては、例えばシリコ
ンの酸化膜、クロム、アルミニウム、銅などの蒸着され
た基板があげられる。
ンの酸化膜、クロム、アルミニウム、銅などの蒸着され
た基板があげられる。
上記の物質に塗布された感光性組成物の所望部を露光す
ることにより、露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性
が高くなる。この時に要する最適露光量は、組成によっ
ても異なるが、通常1 mJ /d〜10100O/<
メの範囲とされる。
ることにより、露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性
が高くなる。この時に要する最適露光量は、組成によっ
ても異なるが、通常1 mJ /d〜10100O/<
メの範囲とされる。
また、照射においては、密着、投影のいずれの露光方式
によってもパターンの製造は可能である。
によってもパターンの製造は可能である。
その後、ホットプレートを用いて50S120℃で30
秒〜15分間加熱する。これにより、露光部分に気泡状
のものが生じる。その後、アルカリ水溶液でこの気泡状
のものが生じた露光部を除去してレジストパターンを製
造する現像工程において、テトラメチルアンモニウム水
溶液等のテトラアルキルアンモニウム水溶液、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ水溶液など
を使用する。
秒〜15分間加熱する。これにより、露光部分に気泡状
のものが生じる。その後、アルカリ水溶液でこの気泡状
のものが生じた露光部を除去してレジストパターンを製
造する現像工程において、テトラメチルアンモニウム水
溶液等のテトラアルキルアンモニウム水溶液、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ水溶液など
を使用する。
これらの水溶液は、通常15重量−以下の濃度とされる
。
。
現像は、浸漬法、スプレー現像法などによって行なわれ
る。
る。
次に形成されたレジストパターンをマスクにして平担化
層を酸素几IEでエツチングする。
層を酸素几IEでエツチングする。
その際、未露光部には酸素RIEにさらされる事tこよ
って表面層に二酸化ケイ素(Sin、)的な膜が形成さ
れ、露光部tc B出している平担化層の10倍〜10
0倍の耐酸素RIEを有するようになる。露光部の下の
平担化層番全て酸素几IEによりエツチングすると最適
なパターンプロファイルが得られる。
って表面層に二酸化ケイ素(Sin、)的な膜が形成さ
れ、露光部tc B出している平担化層の10倍〜10
0倍の耐酸素RIEを有するようになる。露光部の下の
平担化層番全て酸素几IEによりエツチングすると最適
なパターンプロファイルが得られる。
以上のようにして形成されたパターンをマスクにして基
板のエツチングを行なう。エツチングは、ウェットエツ
チング、ドライエツチングなどが行なわれ、 31Im
以下の微細なパターンを形成する場合は、ドライエツチ
ングが好ましい〇 ウェットエツチング剤としては、シリコンの酸化膜の場
合は、フッ酸水溶液、フッ化アンイニウム水溶液などが
、アルミニウムの場合は、リン酸水溶液、酢酸水溶液、
硝酸水溶液などが、クロムの場合は、硝酸セリウムアン
モニウム水溶液などが使われる。
板のエツチングを行なう。エツチングは、ウェットエツ
チング、ドライエツチングなどが行なわれ、 31Im
以下の微細なパターンを形成する場合は、ドライエツチ
ングが好ましい〇 ウェットエツチング剤としては、シリコンの酸化膜の場
合は、フッ酸水溶液、フッ化アンイニウム水溶液などが
、アルミニウムの場合は、リン酸水溶液、酢酸水溶液、
硝酸水溶液などが、クロムの場合は、硝酸セリウムアン
モニウム水溶液などが使われる。
ドライエツチング用ガスとしては、OF’、 、C,F
。
。
CC4、BCIs、CIR,HCI、H,などが必要に
応じて組み合わせて用いられる。
応じて組み合わせて用いられる。
エツチングの条件は、微細パターンを製造すべき物質の
m類と感光性組成物の組み合わせによって、反応槽内の
つ、ットエッチング剤の濃度、ドライエツチング用ガス
の濃度、反応温度、反応時間などによって決められ、特
にその方法等に制限される。
m類と感光性組成物の組み合わせによって、反応槽内の
つ、ットエッチング剤の濃度、ドライエツチング用ガス
の濃度、反応温度、反応時間などによって決められ、特
にその方法等に制限される。
エツチング後lこ、上記の基板上に残存する未露光部は
、J−100(ナガセ化成社製)等の剥離剤。
、J−100(ナガセ化成社製)等の剥離剤。
酸素ガスプラズマなどによって、上記の物質上から除去
される。
される。
上記の工程以外にその目的に応じて更に必要な工程をつ
け加えることも何らさしつかえない。たとえば現像後上
記の物質から現像液を洗浄除去する目的で行なうリンス
(通常は水を用いる)工程。
け加えることも何らさしつかえない。たとえば現像後上
記の物質から現像液を洗浄除去する目的で行なうリンス
(通常は水を用いる)工程。
感光性組成物と微細パターンを製造すべき物質との接着
剤を向上させる目的から塗布前に行なう前処理の工程、
現像の前あるいは後に行なうベークの工程、ドライエツ
チングの前に行なう紫外線の再照射の工程などがあげら
れる。なお、本発明の感光性組成物は、従来の単層のレ
ジストとして用いてもよい。
剤を向上させる目的から塗布前に行なう前処理の工程、
現像の前あるいは後に行なうベークの工程、ドライエツ
チングの前に行なう紫外線の再照射の工程などがあげら
れる。なお、本発明の感光性組成物は、従来の単層のレ
ジストとして用いてもよい。
以下に、実施例および比較例を掲げ、本発明をさらに詳
しく説明する。
しく説明する。
(実施例)
実施例1゜
メタインプロペニルフェノール135F、トリメチルシ
リルクロライド109gを脱水エーテル中(sooll
)に溶かしトリエチルアミン101.!i+を滴下する
。塩を口過後、口液を濃縮後蒸留して、トリメチル−シ
リルメタイソプ口ペニルフ、ニルエーテル(以下rIJ
と略す)を得た。
リルクロライド109gを脱水エーテル中(sooll
)に溶かしトリエチルアミン101.!i+を滴下する
。塩を口過後、口液を濃縮後蒸留して、トリメチル−シ
リルメタイソプ口ペニルフ、ニルエーテル(以下rIJ
と略す)を得た。
181J(7) (1) 、 7“ 。
=tv −) 9 Cl /L/ ′5 7177
c, 、i−c。
c, 、i−c。
1、 *([E3mals IIG さ、キ″″
中で反応させ 。□−。H317、99の(II
)、7.2Ii のジメチルジクロルシラ (It)ン、ナトリウム
を100mJ の脱水キシレン中、130℃20時間反応させる。反応
物をメタノール中にそそぎ不溶物を口過後、口液を濃縮
する。さらに水を加え、不溶物を口過後、塩酸水溶液で
酸性にし、エーテルで抽出後、濃縮し、ポリシランを得
た。
中で反応させ 。□−。H317、99の(II
)、7.2Ii のジメチルジクロルシラ (It)ン、ナトリウム
を100mJ の脱水キシレン中、130℃20時間反応させる。反応
物をメタノール中にそそぎ不溶物を口過後、口液を濃縮
する。さらに水を加え、不溶物を口過後、塩酸水溶液で
酸性にし、エーテルで抽出後、濃縮し、ポリシランを得
た。
CH−CH3 第2図に&Bスペクトルこの
ポリシランは、メタノール、 THF 、 NaOH゛
溶液であった。これに対し、OH基を有していい同様の
構造のポリシランは、メタノール。
ポリシランは、メタノール、 THF 、 NaOH゛
溶液であった。これに対し、OH基を有していい同様の
構造のポリシランは、メタノール。
(F 、 NaOH水溶液水溶液溶ζ不溶た。
・飾物2〜4
実施例1と同様にビニル化合物を反応させ上述、′)よ
うな実施例2S4のポリシランを得た。これは、メタノ
ール、 THF 、 NaOH水溶液に可溶でパった。
うな実施例2S4のポリシランを得た。これは、メタノ
ール、 THF 、 NaOH水溶液に可溶でパった。
実施例2のH − NMRスペクトルを第3図7、′、
実施例3のH − NMRスペクトルを第4図に、′ノ
ド施例4のH − NM几スペクトルを第5図に示す。
実施例3のH − NMRスペクトルを第4図に、′ノ
ド施例4のH − NM几スペクトルを第5図に示す。
実施例5
206gの(1)とメチルジクロロシラン115g。
塩化白金酸5Iをトリエン中で反応させたのち蒸留し、
〔1v〕を得た。
〔1v〕を得た。
soyの(:IV) 、 31の分散 CH。
ナトリウムを200mlの脱水 Cl−8i−CIト
ルエン中、110℃、1.5時間 CH。
ルエン中、110℃、1.5時間 CH。
反応させた。反応物をろ過し CHCH。
反応物をa縮し、少量のメタ
ノールに溶かし、水中で再沈してポリシラン(V)回
(V)
C)ICH。
CHC)(。
CHCH。
実施例5で用いたクロルシラン(ff)と、ジメチジク
ロロシランを反応させて実施例6のポリマを、(IV)
とメチルフェニルジクロロシランを反させて実施例7の
ポリマーを、o−)リルメチジクロロシランを反応させ
て実施例8のポリマを得た。反応条件等は実施例5と同
様である。
ロロシランを反応させて実施例6のポリマを、(IV)
とメチルフェニルジクロロシランを反させて実施例7の
ポリマーを、o−)リルメチジクロロシランを反応させ
て実施例8のポリマを得た。反応条件等は実施例5と同
様である。
、7.8のH’−NMRスペクトルをそれぞれ第8,9
0図に示す。
0図に示す。
6施例9
シリコーンウェハ上にノボラック樹脂を酢酸セコソルブ
に溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で1時間
加熱して、下層を形成した。ポリシラン(V)5gをシ
クロヘキサノン10gに溶解した溶液を下層の上にスピ
ナーで塗布し、ホットプレート上で120℃5分乾燥さ
せ、0.40μmの感光性塗膜を形成した。
に溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で1時間
加熱して、下層を形成した。ポリシラン(V)5gをシ
クロヘキサノン10gに溶解した溶液を下層の上にスピ
ナーで塗布し、ホットプレート上で120℃5分乾燥さ
せ、0.40μmの感光性塗膜を形成した。
その後2540mの単色光で露光し、0.6% NaO
H水溶液で40秒間現像し、80℃で30分間乾燥する
ことにより上層にレジストパターンを形成した。
H水溶液で40秒間現像し、80℃で30分間乾燥する
ことにより上層にレジストパターンを形成した。
次いで、この上層に形成されたパターンを用いて酸素几
IE (2,0X10 Torr 0.06W/cm
) テ下層を30分間エツチングを行った結果、0.5
μmのラインとスペースが形成された。
IE (2,0X10 Torr 0.06W/cm
) テ下層を30分間エツチングを行った結果、0.5
μmのラインとスペースが形成された。
実施例10
実施例6のポリシラン5yをシクロヘキサノン10gに
溶解し、ろ過した溶液を実施例9と同様に炸裂した下層
上に塗布し、0.60μmの感光性塗膜を形成した。
溶解し、ろ過した溶液を実施例9と同様に炸裂した下層
上に塗布し、0.60μmの感光性塗膜を形成した。
ソノ後、249nmノ単色光で露光し、1.0%NaO
H水溶液で40秒間現像し、90℃で30分間幹燥する
ことによって上層にレジストパターンを形成した。次い
でこの上層に、形成されたパターンを用い、て酸素RI
Eで下層をエツチングした結果、0,5μmのラインと
スペースが形成された。
H水溶液で40秒間現像し、90℃で30分間幹燥する
ことによって上層にレジストパターンを形成した。次い
でこの上層に、形成されたパターンを用い、て酸素RI
Eで下層をエツチングした結果、0,5μmのラインと
スペースが形成された。
実施例11
実施例7のポリシランをシクロヘキサノンに溶かし、実
施例10と同様の方法により0.6μmのラインとスペ
ースが形成された。
施例10と同様の方法により0.6μmのラインとスペ
ースが形成された。
実施例12
実施例8のポリシランをシクロヘキサノンに浴かし、実
施例10と同様の方法により、0.6μmのラインとス
ペースが形成された。
施例10と同様の方法により、0.6μmのラインとス
ペースが形成された。
実施例13
「
(式中、” e Y ”’ 1 a 1である)で示さ
れる数平均分子量: 7000の重合体511m、p−
タレゾールノボラック樹脂(数平均分子量:1zoo)
Bおよびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル41E−シクロヘキサノン100Iに溶
解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
れる数平均分子量: 7000の重合体511m、p−
タレゾールノボラック樹脂(数平均分子量:1zoo)
Bおよびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル41E−シクロヘキサノン100Iに溶
解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
次に、平担化剤を十分に厚く塗布した基板を200℃で
1時間加熱し、ついで0.2μmのフィルターを通した
本発明の感光性組成物を0.6μmの厚さに塗布し、8
0℃で5分間プリベークした後、436℃m−c’露光
(50mJ/d)l、た。その後、800で5分間ホッ
トプレートで加熱し、ついで3.0m1i%の水酸化テ
トラメチルアンモニウム水溶液で1分間かけて現像した
。その後、形成されたレジストパターンをマスクとして
平担化層を61!素几IEでエツチングした。しかる後
、断面を定食型曜子顕倣競で観察したところ、膜厚が1
.5μmで0.5μmのラインとスペースで急峻なプロ
ファイルを有するものであることが判った。
1時間加熱し、ついで0.2μmのフィルターを通した
本発明の感光性組成物を0.6μmの厚さに塗布し、8
0℃で5分間プリベークした後、436℃m−c’露光
(50mJ/d)l、た。その後、800で5分間ホッ
トプレートで加熱し、ついで3.0m1i%の水酸化テ
トラメチルアンモニウム水溶液で1分間かけて現像した
。その後、形成されたレジストパターンをマスクとして
平担化層を61!素几IEでエツチングした。しかる後
、断面を定食型曜子顕倣競で観察したところ、膜厚が1
.5μmで0.5μmのラインとスペースで急峻なプロ
ファイルを有するものであることが判った。
0″J□“ 占、
(式中s X:y=l:tである)
で示される数平均分子ffi : 7000の重合体1
0y1およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−5−スルホンI!II) −2,3,4−)クヒドロ
キシベンゾフ息ノンエステル4gをシクロヘキサノン1
009に浴解し、混合・授押して本発明の感光性組成(
式中、x:y=4:1である) で示される数平均分子量: 30000の重合体10g
、およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンエステル4Iをシクロヘキサノン100Iに溶
解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
0y1およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−5−スルホンI!II) −2,3,4−)クヒドロ
キシベンゾフ息ノンエステル4gをシクロヘキサノン1
009に浴解し、混合・授押して本発明の感光性組成(
式中、x:y=4:1である) で示される数平均分子量: 30000の重合体10g
、およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンエステル4Iをシクロヘキサノン100Iに溶
解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
実施例14〜16で得られた組成物を用いて、実施例1
と同様の操作を行ない、形成されたパターンを観察した
ところ感度は5QmJ/cmで0.5μmのラインとス
ペースの急峻なプロファイルを得するものであった。
と同様の操作を行ない、形成されたパターンを観察した
ところ感度は5QmJ/cmで0.5μmのラインとス
ペースの急峻なプロファイルを得するものであった。
実施例17
で示される数平均分子ffi:3000の重合体5.l
il、m。
il、m。
p−タレゾールノボラック樹脂(数平均分子量:120
0 ) 59およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジ
アジド−5−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾフェノンエステル4&をシクロヘキサノン1
00.lilに溶解し、混合・攪拌し本発明の感光性
゛組成物を得た。
0 ) 59およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジ
アジド−5−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾフェノンエステル4&をシクロヘキサノン1
00.lilに溶解し、混合・攪拌し本発明の感光性
゛組成物を得た。
実施例13と同様の操作で、形成されたパターンを観察
したところ、感度は60mJA−IItで0.5μmの
ラインとスペースの急峻なプロファイルを得するもので
あった。
したところ、感度は60mJA−IItで0.5μmの
ラインとスペースの急峻なプロファイルを得するもので
あった。
実施例18
で示される数平均分子−Jl : 40000の重合体
1611およびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−5−スルホンtk2)−2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノンエステル4Iをシクロへキサノン50
gに浴解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得
た。
1611およびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−5−スルホンtk2)−2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノンエステル4Iをシクロへキサノン50
gに浴解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得
た。
次にシリコンウェハ上に、ノボラック樹脂を酢酸セロソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し220℃で1時
間加熱して1.5μm厚の下層を形成した。その上に本
発明の感光性組成物を0.6μmの厚さに塗布し、90
℃で5分間プリベークした後、436℃1mで露光(、
50mJ/c++f ) l、た。その後3.0重t%
の水酸化テトラメチルアンセニウム水溶液で60秒間現
像した。その後形成されたレジストパターンをマス々と
して平担化層を酸素几IEでエツチングした。しかる後
、断面を走査形電子顕微鏡で観察したところ、膜厚が1
.5μmで0.5μmラインとスペースで急峻なプロフ
ァイルを有するものであることが判った。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し220℃で1時
間加熱して1.5μm厚の下層を形成した。その上に本
発明の感光性組成物を0.6μmの厚さに塗布し、90
℃で5分間プリベークした後、436℃1mで露光(、
50mJ/c++f ) l、た。その後3.0重t%
の水酸化テトラメチルアンセニウム水溶液で60秒間現
像した。その後形成されたレジストパターンをマス々と
して平担化層を酸素几IEでエツチングした。しかる後
、断面を走査形電子顕微鏡で観察したところ、膜厚が1
.5μmで0.5μmラインとスペースで急峻なプロフ
ァイルを有するものであることが判った。
実施例19
で示される数平均分子1150000の重合体20g、
およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンエステル5gをシクロへキサノン50gに溶解し、
混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンエステル5gをシクロへキサノン50gに溶解し、
混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
実施例20
(式中、x:y=1:1である)
で示される数平均分子量10000の重合°体20g、
およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンシフ
1ノンエステル5gを、エチルセロソルブアセテートs
o、yに溶解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物
を得た。
およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンシフ
1ノンエステル5gを、エチルセロソルブアセテートs
o、yに溶解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物
を得た。
実施例21
(式中、x:y=2:1である)
で示される数平均分子i 10000の重合体209、
およびジ(1、2−+フトキノンー2−ジアジドー5−
スルホン酸) −2,3,4−)リヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル5gをエチルセロソルブアセテート50
gに溶解し、混合−攪拌して本発明の感光性組成物を得
た。
およびジ(1、2−+フトキノンー2−ジアジドー5−
スルホン酸) −2,3,4−)リヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル5gをエチルセロソルブアセテート50
gに溶解し、混合−攪拌して本発明の感光性組成物を得
た。
実施例22
(式中、x:y=4:1である)
で示・される数平均分子量15000の重合体20y1
2よびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸) −2,3,4−1−リヒドロキシベンゾ
フェノンエステル5gをシクロへキサノン701!i+
に溶解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た
。
2よびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸) −2,3,4−1−リヒドロキシベンゾ
フェノンエステル5gをシクロへキサノン701!i+
に溶解し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た
。
実施例23
\OH
(式中、x:y=2:iである)
で示される数平均分子量20000の重合体2011お
よびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンエステル5gをシクロへキサノン70,9に溶解し
1混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
よびジ(l、2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンエステル5gをシクロへキサノン70,9に溶解し
1混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
実施例24
で示される数平均分子量30000の重合体30g、お
よびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンエステルlogをシクロへキサノン100g溶解し、
混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
よびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸)−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンエステルlogをシクロへキサノン100g溶解し、
混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
実施例25
で示される数平均分子量40000の重合体20Ji’
、およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンエステル5Iをシクロへキサノン50gに溶解
し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
、およびジ(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホン酸) −2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンエステル5Iをシクロへキサノン50gに溶解
し、混合・攪拌して本発明の感光性組成物を得た。
実施例19〜25で得られた組成物を用いて実施例18
と同様の操作を行ない、形成されたパターンを観察した
ところ、感度は50 mJ/allで0.5μmのライ
ンとスペースの急峻なプロファイルを有するものであっ
た。
と同様の操作を行ない、形成されたパターンを観察した
ところ、感度は50 mJ/allで0.5μmのライ
ンとスペースの急峻なプロファイルを有するものであっ
た。
本発明によれば、アルカリ溶液に対する溶解性が良好な
ポリシランを得ることができる。
ポリシランを得ることができる。
本発明の感光性組成物は、感度、酸素プラズマに対する
耐性が優れている。また、基鈑の段差の影響を受けない
ので、膜厚を薄くでき、その結果パターン解像性が向上
し、微細加工に極めて好都合となる。さらに、アルカリ
溶液で現像できるため、有機溶剤で現像を行なう場合に
比べて膨潤しに<<、微細なパターンが形成できる。
耐性が優れている。また、基鈑の段差の影響を受けない
ので、膜厚を薄くでき、その結果パターン解像性が向上
し、微細加工に極めて好都合となる。さらに、アルカリ
溶液で現像できるため、有機溶剤で現像を行なう場合に
比べて膨潤しに<<、微細なパターンが形成できる。
第1図及び第2図は、本発明の一実施例のIH−NMR
スペクトル及びIRスペクトルを表わす図であり、第3
図〜第10図は他の実施例のIRスペクトル及びIH−
NM几スペクトルを表わす図である。
スペクトル及びIRスペクトルを表わす図であり、第3
図〜第10図は他の実施例のIRスペクトル及びIH−
NM几スペクトルを表わす図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)次式で表わされるポリシラン ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1〜R_3は同一であっても、異なっていて
もよく、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル基を
表わす。R_4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭
素数6〜14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わ
す。R_5〜R_9は同一であっても異なっていてもよ
く、各々水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜
10のアルキル基、又は炭素数6〜14の非置換もしく
は置換アリール基を表わすが、少なくとも1個は水酸基
である。n及びkは正の整数、mは0を含む正の整数を
表わす。)(2)(a)次式で表わされるポリシランと
▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1〜R_3は同一であっても、異なっていて
もよく、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又
は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基を表
わす。R_4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素
数6〜14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす
。R_5〜R_9は同一であっても異なっていてもよく
、各々水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜1
0のアルキル基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは
置換アリール基を表わすが、少なくとも1個は水酸基で
ある。n及びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表
わす。)(b)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物。 (3)(a)次式で表わされるポリシランと▲数式、化
学式、表等があります▼ (式中R_1〜R_3は同一であっても、異なっていて
もよく、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又
は炭素数6〜14の非置換もしくは置換アリール基を表
わす。R_4は炭素数1〜10のアルキレン基又は炭素
数6〜14の非置換もしくは置換フェニレン基を表わす
。R_5〜R_9は同一であっても異なっていてもよく
、各々水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1〜1
0のアルキル基、又は炭素数6〜14の非置換もしくは
置換アリール基を表わすが少なくとも1個は水酸基であ
る。n及びkは正の整数、mは0を含む正の整数を表わ
す。) (b)感光剤 (c)有機溶剤 を含有することを特徴とする感光性組成物。 (4)アルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とする
特許請求の範囲第2項又は第3項記載の感光性組成物。 (5)(a)のポリシラン100重量部に対し(b)感
光剤が5〜100重量部であることを特徴とする特許請
求の範囲第3項又は第4項記載の感光性組成物。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-114673 | 1986-05-21 | ||
JP11467386 | 1986-05-21 | ||
JP12808186 | 1986-06-04 | ||
JP61-128081 | 1986-06-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63113021A true JPS63113021A (ja) | 1988-05-18 |
JPH0684432B2 JPH0684432B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=26453372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27663986A Expired - Fee Related JPH0684432B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-11-21 | ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0684432B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
US5336736A (en) * | 1991-03-29 | 1994-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilane and polysilane composition |
US5362559A (en) * | 1991-03-26 | 1994-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilane monomolecular film and polysilane built-up film |
US5407987A (en) * | 1993-03-01 | 1995-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polycyclic aromatic group - pendant polysilanes and conductive polymers derived therefrom |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP27663986A patent/JPH0684432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
US5362559A (en) * | 1991-03-26 | 1994-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilane monomolecular film and polysilane built-up film |
US5336736A (en) * | 1991-03-29 | 1994-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilane and polysilane composition |
US5407987A (en) * | 1993-03-01 | 1995-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polycyclic aromatic group - pendant polysilanes and conductive polymers derived therefrom |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0684432B2 (ja) | 1994-10-26 |
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |