JPH05216237A - 放射線感応性樹脂組成物 - Google Patents
放射線感応性樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度かつ高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を有する新
規な放射線感応性樹脂組成物を提供すること。 【構成】 ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）０．５
ｇと、酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナート５０ｍｇと、溶剤としての
２−メトキシ酢酸エチル４ｍｌとを混合して放射線感応
性樹脂組成物を構成する。
規な放射線感応性樹脂組成物を提供すること。 【構成】 ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）０．５
ｇと、酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナート５０ｍｇと、溶剤としての
２−メトキシ酢酸エチル４ｍｌとを混合して放射線感応
性樹脂組成物を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等の製造
で用いられるレジストの構成材料などとして使用可能
で、光、電子ビーム、Ｘ線またはイオンビーム等の放射
線に感応する新規な放射線感応性樹脂組成物に関するも
のである。
で用いられるレジストの構成材料などとして使用可能
で、光、電子ビーム、Ｘ線またはイオンビーム等の放射
線に感応する新規な放射線感応性樹脂組成物に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴いサブミクロンオ
ーダーの加工技術が必要になってきている。このため、
例えば、ＬＳＩ製造工程中のエッチング工程では、高精
度かつ微細な加工が可能なドライエッチング技術が採用
されている。
ーダーの加工技術が必要になってきている。このため、
例えば、ＬＳＩ製造工程中のエッチング工程では、高精
度かつ微細な加工が可能なドライエッチング技術が採用
されている。
【０００３】ここで、ドライエッチング技術とは、加工
すべき基板をレジストで覆い、このレジストを光や電子
線等を用いパターニングし、得られたパターンをマスク
として反応性ガスプラズマにより基板のマスクから露出
する部分をエッチングする技術である。従って、ドライ
エッチング技術で用いられるレジストは、サブミクロン
オーダーの解像力と、充分な反応性ガスプラズマ耐性を
有する材料で構成されている。
すべき基板をレジストで覆い、このレジストを光や電子
線等を用いパターニングし、得られたパターンをマスク
として反応性ガスプラズマにより基板のマスクから露出
する部分をエッチングする技術である。従って、ドライ
エッチング技術で用いられるレジストは、サブミクロン
オーダーの解像力と、充分な反応性ガスプラズマ耐性を
有する材料で構成されている。
【０００４】しかし、ＬＳＩの高集積化とともに、被加
工基板の段差はますます大きくなり、また、被加工基板
には高アスペクト比のパターンが形成されるようになっ
ている。このため、レジスト層の膜厚は、段差の平坦化
が図れまた加工終了までレジスト層がマスクとして維持
されるように、厚くされる傾向がある。従って、レジス
トの露光を光で行う場合は露光光学系の焦点深度の制約
を顕著に受け、電子線で行う場合は電子の散乱現象を顕
著に受けるため、レジストの解像力は低下し、単一のレ
ジスト層では基板を所望通りに加工することが難しくな
りつつある。
工基板の段差はますます大きくなり、また、被加工基板
には高アスペクト比のパターンが形成されるようになっ
ている。このため、レジスト層の膜厚は、段差の平坦化
が図れまた加工終了までレジスト層がマスクとして維持
されるように、厚くされる傾向がある。従って、レジス
トの露光を光で行う場合は露光光学系の焦点深度の制約
を顕著に受け、電子線で行う場合は電子の散乱現象を顕
著に受けるため、レジストの解像力は低下し、単一のレ
ジスト層では基板を所望通りに加工することが難しくな
りつつある。
【０００５】そこで、新しいレジストプロセスの１つと
して、二層レジスト法と称されるレジストプロセスが検
討されている。これは、基板段差を平坦化するための厚
いポリマー層（以下、下層と称する。通常は、ポリイミ
ドや熱硬化させたフォトレジストで構成される層）と、
このポリマー層上に形成されたＯ2 −ＲＩＥ耐性を有す
る薄いフォトレジスト層又は電子線レジスト層（以下、
これら層を上層と称する。）とを用いたレジストプロセ
スである。具体的には、上層が高解像なパターンを得る
役目を担い、この上層パターンをマスクとし下層をＯ2
−ＲＩＥによりパターニングし、これで得られた下層パ
ターンが基板加工時のドライエッチングのマスクの役目
を担う、という構成のプロセスである。
して、二層レジスト法と称されるレジストプロセスが検
討されている。これは、基板段差を平坦化するための厚
いポリマー層（以下、下層と称する。通常は、ポリイミ
ドや熱硬化させたフォトレジストで構成される層）と、
このポリマー層上に形成されたＯ2 −ＲＩＥ耐性を有す
る薄いフォトレジスト層又は電子線レジスト層（以下、
これら層を上層と称する。）とを用いたレジストプロセ
スである。具体的には、上層が高解像なパターンを得る
役目を担い、この上層パターンをマスクとし下層をＯ2
−ＲＩＥによりパターニングし、これで得られた下層パ
ターンが基板加工時のドライエッチングのマスクの役目
を担う、という構成のプロセスである。
【０００６】上層用のレジストは、下層レジストより高
いＯ2 −ＲＩＥ耐性を有する必要があるため、シリコン
系の感光性樹脂組成物で構成されることが多い。具体的
には、バインダーとしてのシリコーン樹脂に光架橋剤若
しくは光重合開始剤を配合したものが知られており、こ
れはネガ型レジストとして利用出来る。
いＯ2 −ＲＩＥ耐性を有する必要があるため、シリコン
系の感光性樹脂組成物で構成されることが多い。具体的
には、バインダーとしてのシリコーン樹脂に光架橋剤若
しくは光重合開始剤を配合したものが知られており、こ
れはネガ型レジストとして利用出来る。
【０００７】このような感光性樹脂組成物の従来例とし
て以下に述べるようなものがあった。
て以下に述べるようなものがあった。
【０００８】特開昭６１−２００３０号公報に開示のも
の。これは、ポリ（アクリロイルオキシメチルフェニル
エチルシルセスキオキサン）のような二重結合を有する
樹脂とビスアジドとから成る組成物であり、窒素雰囲気
の下で高感度の紫外線用レジストとして使用可能なもの
であった。
の。これは、ポリ（アクリロイルオキシメチルフェニル
エチルシルセスキオキサン）のような二重結合を有する
樹脂とビスアジドとから成る組成物であり、窒素雰囲気
の下で高感度の紫外線用レジストとして使用可能なもの
であった。
【０００９】また、特公昭６０−４９６４７号公報に
は、光重合開始剤としてポリシランを用いる感光性樹脂
組成物が開示されている。具体的には、二重結合を有す
るポリ（オルガノシロキサン）とドデカメチルシクロヘ
キサシランとから成る組成物が紫外線硬化樹脂として良
好な性質を有することが示されている。
は、光重合開始剤としてポリシランを用いる感光性樹脂
組成物が開示されている。具体的には、二重結合を有す
るポリ（オルガノシロキサン）とドデカメチルシクロヘ
キサシランとから成る組成物が紫外線硬化樹脂として良
好な性質を有することが示されている。
【００１０】また、特開昭５５−１２７０２３号公報に
は、光重合開始剤として有機過酸化物を用いた感光性樹
脂組成物が開示されている。具体的には、二重結合を有
するポリ（オルガノシロキサン）と好適な有機過酸化物
（例えばペルオキシエステルのようなもの）とを用いた
組成物が、これに紫外線を照射することによって均一な
硬化皮膜となることが示されている。
は、光重合開始剤として有機過酸化物を用いた感光性樹
脂組成物が開示されている。具体的には、二重結合を有
するポリ（オルガノシロキサン）と好適な有機過酸化物
（例えばペルオキシエステルのようなもの）とを用いた
組成物が、これに紫外線を照射することによって均一な
硬化皮膜となることが示されている。
【００１１】また、上述の各組成物とは全く別の思想に
基づく上層レジスト用の感光性樹脂組成物として以下に
述べるようなものがあった。
基づく上層レジスト用の感光性樹脂組成物として以下に
述べるようなものがあった。
【００１２】例えば特開昭６１−１４４６３９号公報に
開示のもの。これは、ＯＦＰＲ−８００（東京応化工業
（株）製レジスト）のような汎用のポジ型フォトレジス
トにポリ（フェニルシルセスキオキサン）及びシス−
（１，３，５，７−テトラヒドロキシ）−１，３，５，
７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを少量添加
したものであり、アルカリ現像出来るポジ型レジストと
して使用可能である。
開示のもの。これは、ＯＦＰＲ−８００（東京応化工業
（株）製レジスト）のような汎用のポジ型フォトレジス
トにポリ（フェニルシルセスキオキサン）及びシス−
（１，３，５，７−テトラヒドロキシ）−１，３，５，
７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを少量添加
したものであり、アルカリ現像出来るポジ型レジストと
して使用可能である。
【００１３】また、ポリ（シロキサン）以外の物質をバ
インダとして用いることも検討されている。例えば特開
昭６１−１９８１５１号公報には、トリアルキルシリル
基を有するノボラック樹脂をジアゾナフトキノン感光剤
と共に用いた、可視光に感度を有するポジの感光性樹脂
組成物が開示されている。
インダとして用いることも検討されている。例えば特開
昭６１−１９８１５１号公報には、トリアルキルシリル
基を有するノボラック樹脂をジアゾナフトキノン感光剤
と共に用いた、可視光に感度を有するポジの感光性樹脂
組成物が開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
感光性樹脂組成物を二層レジストプロセスの上層レジス
トとして使用した場合、以下のような問題点があった。
感光性樹脂組成物を二層レジストプロセスの上層レジス
トとして使用した場合、以下のような問題点があった。
【００１５】（ａ）一般に有機ラジカルを介在して進む
光硬化反応は酸素によって阻害されるので、この原理に
より光硬化する感光性樹脂組成物の場合（例えばビスア
ジドを光重合開始剤としている特開昭６１−２００３０
号公報に開示の感光性樹脂組成物の場合）、露光は窒素
雰囲気中で行わなければ高感度化が図れなかった。この
問題は、光重合開始剤を有機過酸化物で構成している特
開昭５５−１２７０２３号公報に開示の感光性樹脂組成
物の場合も同様に生じる。したがって、この組成物は有
機過酸化物を用いることで硬化膜の特性向上はみられる
ものの、硬化のための時間は長く必要であった。
光硬化反応は酸素によって阻害されるので、この原理に
より光硬化する感光性樹脂組成物の場合（例えばビスア
ジドを光重合開始剤としている特開昭６１−２００３０
号公報に開示の感光性樹脂組成物の場合）、露光は窒素
雰囲気中で行わなければ高感度化が図れなかった。この
問題は、光重合開始剤を有機過酸化物で構成している特
開昭５５−１２７０２３号公報に開示の感光性樹脂組成
物の場合も同様に生じる。したがって、この組成物は有
機過酸化物を用いることで硬化膜の特性向上はみられる
ものの、硬化のための時間は長く必要であった。
【００１６】（ｂ）また、ポリシランを光重合開始剤と
している特公昭６０−４９６４７号公報に開示の感光性
樹脂組成物は、この出願の発明者の知見によれば、ビス
アジドを用いた組成物程ではないが、酸素が存在すると
やはり高感度化が阻害される。
している特公昭６０−４９６４７号公報に開示の感光性
樹脂組成物は、この出願の発明者の知見によれば、ビス
アジドを用いた組成物程ではないが、酸素が存在すると
やはり高感度化が阻害される。
【００１７】上記（ａ）、（ｂ）のような問題点がある
と、酸素雰囲気で露光した場合はスループットを高く出
来ず、また、窒素雰囲気で露光するためには、窒素をウ
エハ近傍に供給するための諸設備が必要になるので、問
題である。
と、酸素雰囲気で露光した場合はスループットを高く出
来ず、また、窒素雰囲気で露光するためには、窒素をウ
エハ近傍に供給するための諸設備が必要になるので、問
題である。
【００１８】（ｃ）また、汎用フォトレジストにケイ素
化合物を添加する構成の特開昭６１−１４４６３９号公
報に開示されている感光性樹脂組成物、また、ポリ（シ
ロキサン）以外のものをバインダとして用いている特開
昭６１−１９８１５１号公報に開示の感光性樹脂組成物
は、添加するケイ素化合物のケイ素含有率、用いるバイ
ンダのケイ素含有率が低いため、充分なＯ2 −ＲＩＥ耐
性を示さない。
化合物を添加する構成の特開昭６１−１４４６３９号公
報に開示されている感光性樹脂組成物、また、ポリ（シ
ロキサン）以外のものをバインダとして用いている特開
昭６１−１９８１５１号公報に開示の感光性樹脂組成物
は、添加するケイ素化合物のケイ素含有率、用いるバイ
ンダのケイ素含有率が低いため、充分なＯ2 −ＲＩＥ耐
性を示さない。
【００１９】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的は、高感度かつ高いＯ
2 −ＲＩＥ耐性を有する新規な放射線感応性樹脂組成物
を提供することにある。
のであり、従ってこの発明の目的は、高感度かつ高いＯ
2 −ＲＩＥ耐性を有する新規な放射線感応性樹脂組成物
を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段及び作用】この目的の達成
を図るため、この発明の放射線感応性樹脂組成物によれ
ば、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する線状のポ
リ（シロキサン）と、光、電子ビーム、Ｘ線またはイオ
ンビーム等の放射線の作用により酸を発生する酸発生剤
とを含むことを特徴とする。
を図るため、この発明の放射線感応性樹脂組成物によれ
ば、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する線状のポ
リ（シロキサン）と、光、電子ビーム、Ｘ線またはイオ
ンビーム等の放射線の作用により酸を発生する酸発生剤
とを含むことを特徴とする。
【００２１】このような放射線感応性樹脂組成物では、
放射線が照射された部分において、酸発生剤から酸が生
じこの酸によりその部分のポリ（シロキサン）のＣ−Ｏ
−Ｓｉ結合が切断されてシラノールが生成すると考えら
れる。すなわち、下記の（２）式（ただし、酸素にメチ
ル基が結合した例で示してある。）のようにＣ−Ｏ結合
が酸あるいは水の存在下に切断され、シラノールが生成
されると考えられる。シラノールは縮合し易いので、結
局、この放射線感応性樹脂組成物の放射線が照射された
部分は、下記の（３）式のようにシロキサンに変換され
分子量が増加しゲル化する。このようにゲル化した部分
は例えば現像液に不溶になるから、この放射線感応性樹
脂組成物はネガ型レジストとして使用できる。そして、
このように生じるシロキサンは、ＳｉＯ2 とほぼ同等の
物質であるのでケイ素含有率が高いため、当該放射線感
応性樹脂組成物に高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を与える。ま
た、ポリ（シロキサン）の上記ゲル化は酸発生剤からわ
ずかな酸が作用することで生じるから、当該放射線感応
性樹脂組成物を露光する際の露光量は酸発生剤から所望
の酸を発生させ得る露光量で良いことになるので、当該
組成物は高感度なものとなる。
放射線が照射された部分において、酸発生剤から酸が生
じこの酸によりその部分のポリ（シロキサン）のＣ−Ｏ
−Ｓｉ結合が切断されてシラノールが生成すると考えら
れる。すなわち、下記の（２）式（ただし、酸素にメチ
ル基が結合した例で示してある。）のようにＣ−Ｏ結合
が酸あるいは水の存在下に切断され、シラノールが生成
されると考えられる。シラノールは縮合し易いので、結
局、この放射線感応性樹脂組成物の放射線が照射された
部分は、下記の（３）式のようにシロキサンに変換され
分子量が増加しゲル化する。このようにゲル化した部分
は例えば現像液に不溶になるから、この放射線感応性樹
脂組成物はネガ型レジストとして使用できる。そして、
このように生じるシロキサンは、ＳｉＯ2 とほぼ同等の
物質であるのでケイ素含有率が高いため、当該放射線感
応性樹脂組成物に高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を与える。ま
た、ポリ（シロキサン）の上記ゲル化は酸発生剤からわ
ずかな酸が作用することで生じるから、当該放射線感応
性樹脂組成物を露光する際の露光量は酸発生剤から所望
の酸を発生させ得る露光量で良いことになるので、当該
組成物は高感度なものとなる。
【００２２】
【化２】
【００２３】さらに、この発明で用いるポリ（シロキサ
ン）は、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有している
ため上記縮合反応はこのポリ（シロキサン）鎖上で多数
引き起こされるので、３次元的に架橋する。このため放
射線照射部の架橋密度を高くできるので当該ポリ（シロ
キサン）自体の分子量を低いものとできる。
ン）は、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有している
ため上記縮合反応はこのポリ（シロキサン）鎖上で多数
引き起こされるので、３次元的に架橋する。このため放
射線照射部の架橋密度を高くできるので当該ポリ（シロ
キサン）自体の分子量を低いものとできる。
【００２４】なお、用いるポリ（シロキサン）の好適な
分子量範囲は、当該放射線感応性樹脂組成物の用途に応
じ任意に選べる。当該放射線感応性樹脂組成物を例えば
レジストとして使用する場合であれば、固体フィルムの
形成が可能なこと、レジスト塗布溶液調製のために溶剤
に可溶であること、所望の解像度が得られることなどが
必要であるため、その分子量は５００〜１０００００の
範囲、より好ましくは１０００〜５００００の範囲とす
るのが良い。
分子量範囲は、当該放射線感応性樹脂組成物の用途に応
じ任意に選べる。当該放射線感応性樹脂組成物を例えば
レジストとして使用する場合であれば、固体フィルムの
形成が可能なこと、レジスト塗布溶液調製のために溶剤
に可溶であること、所望の解像度が得られることなどが
必要であるため、その分子量は５００〜１０００００の
範囲、より好ましくは１０００〜５００００の範囲とす
るのが良い。
【００２５】用い得るポリ（シロキサン）は、上述のよ
うなものであれば種々のものであることができるが、例
えば下記の（１）式で表わされるポリ（ジアルコキシシ
ロキサン）またはポリ（ジアリールオキシシロキサン）
とするのが好適である。ただし、（１）式中のＲ1 、Ｒ
2 は第１級アルキル基、第２級アルキル基、第３級アル
キル基またはアリール基であり互いに同じでも異なって
も良い。またＲ3 は水素またはトリメチルシリル基であ
る。このようなポリ（シロキサン）は、主鎖の両側にＣ
−Ｏ結合をもつため酸発生剤から発せられた酸の作用が
より及び易くかつ架橋密度も高くできるからである。
うなものであれば種々のものであることができるが、例
えば下記の（１）式で表わされるポリ（ジアルコキシシ
ロキサン）またはポリ（ジアリールオキシシロキサン）
とするのが好適である。ただし、（１）式中のＲ1 、Ｒ
2 は第１級アルキル基、第２級アルキル基、第３級アル
キル基またはアリール基であり互いに同じでも異なって
も良い。またＲ3 は水素またはトリメチルシリル基であ
る。このようなポリ（シロキサン）は、主鎖の両側にＣ
−Ｏ結合をもつため酸発生剤から発せられた酸の作用が
より及び易くかつ架橋密度も高くできるからである。
【００２６】また、必要によってはラダー状のポリ（シ
ロキサン）を併せて用いても良い。
ロキサン）を併せて用いても良い。
【００２７】
【化３】
【００２８】また、この発明の放射線感応性樹脂組成物
の他の必須成分である酸発生剤は、従来から知られてい
る種々のものを使用出来る。しかし、ハロゲン化水素酸
はその触媒作用が弱いのであまり適さない。例えば、下
記（Ｉ）式、（II）式で表わされる各種のスルホニウム
塩、下記（III ）式、（IV）式で表わされる各種のヨー
ドニウム塩、下記の（Ｖ）式、（VI）式で表わされる、
トリクロロメチル基を少なくとも１個有する各種の芳香
族化合物、下記（VII ）式で表わされる各種のｐ−トル
エンスルホナート等は、ハロゲン化水素酸より強い酸を
発生するので好適である。
の他の必須成分である酸発生剤は、従来から知られてい
る種々のものを使用出来る。しかし、ハロゲン化水素酸
はその触媒作用が弱いのであまり適さない。例えば、下
記（Ｉ）式、（II）式で表わされる各種のスルホニウム
塩、下記（III ）式、（IV）式で表わされる各種のヨー
ドニウム塩、下記の（Ｖ）式、（VI）式で表わされる、
トリクロロメチル基を少なくとも１個有する各種の芳香
族化合物、下記（VII ）式で表わされる各種のｐ−トル
エンスルホナート等は、ハロゲン化水素酸より強い酸を
発生するので好適である。
【００２９】
【化４】
【００３０】
【化５】
【００３１】ただし、（Ｉ）式〜（IV）式中のＸ- は例
えばＢＦ4 - 、ＡｓＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＣｌＯ4 - 、
またはＣＦ3 ＳＯ3 - である。また、（Ｖ）式中のＲは
例えばＣＣｌ3 または下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）または（Ｅ）式で示されるものである。また、
（VI）式中のＲ1 は例えばＣｌまたはＨであり、Ｒ2 は
例えばＣｌまたはＣＣｌ3 である。また、（VII ）式中
のＲは例えば下記（Ｆ）式または（Ｇ）式で示されるも
のである。
えばＢＦ4 - 、ＡｓＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＣｌＯ4 - 、
またはＣＦ3 ＳＯ3 - である。また、（Ｖ）式中のＲは
例えばＣＣｌ3 または下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）または（Ｅ）式で示されるものである。また、
（VI）式中のＲ1 は例えばＣｌまたはＨであり、Ｒ2 は
例えばＣｌまたはＣＣｌ3 である。また、（VII ）式中
のＲは例えば下記（Ｆ）式または（Ｇ）式で示されるも
のである。
【００３２】
【化６】
【００３３】上述の各酸発生剤はいくつかを除いて市販
されている。または、上記トリアリールスルホニウム塩
は、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等により研究されている
ので（例えば文献：ジャーナル オブ ポリマー サイ
エンス．，ポリマー ケミストリー エディション
（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃ
ｈｅｍ．Ｅｄ．，１８，２６７７（１９８０））、この
文献に開示の合成方法に従って合成出来る。また、ジア
リールヨードニウム塩は、同じく、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅ
ｌｌｏ等により研究されているので（例えば文献：Ｊ．
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅ
ｍ．Ｅｄ．，２２，６９（１９８４））、この文献に開
示の合成方法に従って合成出来る。
されている。または、上記トリアリールスルホニウム塩
は、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等により研究されている
ので（例えば文献：ジャーナル オブ ポリマー サイ
エンス．，ポリマー ケミストリー エディション
（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃ
ｈｅｍ．Ｅｄ．，１８，２６７７（１９８０））、この
文献に開示の合成方法に従って合成出来る。また、ジア
リールヨードニウム塩は、同じく、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅ
ｌｌｏ等により研究されているので（例えば文献：Ｊ．
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅ
ｍ．Ｅｄ．，２２，６９（１９８４））、この文献に開
示の合成方法に従って合成出来る。
【００３４】これら酸発生剤は、用いるポリ（シロキサ
ン）の重量に対し０．０１〜５０％の範囲、好ましくは
０．０５〜３０重量％の範囲の量で添加するのが良い。
この範囲を外れると、当該放射線感応性樹脂組成物の感
度が低かったり、その塗布膜が脆弱になったりするから
である。
ン）の重量に対し０．０１〜５０％の範囲、好ましくは
０．０５〜３０重量％の範囲の量で添加するのが良い。
この範囲を外れると、当該放射線感応性樹脂組成物の感
度が低かったり、その塗布膜が脆弱になったりするから
である。
【００３５】また、この放射線感応性樹脂組成物の使用
にあたってスピンコート法により当該組成物を基板上に
塗布しこの皮膜を基板上に形成する場合は、そのための
塗布溶液調製のための溶剤が必要になる。この溶剤とし
ては、例えば、２−メトキシ酢酸エチル、クロロベンゼ
ン、キシレン、ジオキサン、メチルイソブチルケトン
（ＭＩＢＫ）、酢酸イソアミル等を挙げることが出来
る。
にあたってスピンコート法により当該組成物を基板上に
塗布しこの皮膜を基板上に形成する場合は、そのための
塗布溶液調製のための溶剤が必要になる。この溶剤とし
ては、例えば、２−メトキシ酢酸エチル、クロロベンゼ
ン、キシレン、ジオキサン、メチルイソブチルケトン
（ＭＩＢＫ）、酢酸イソアミル等を挙げることが出来
る。
【００３６】また、この放射線感応性樹脂組成物の使用
にあたっては、当該組成物の皮膜に放射線を照射後該試
料を加熱処理をすることにより、該皮膜の放射線照射部
分の現像液に対する不溶化が容易になる。
にあたっては、当該組成物の皮膜に放射線を照射後該試
料を加熱処理をすることにより、該皮膜の放射線照射部
分の現像液に対する不溶化が容易になる。
【００３７】
【実施例】以下、この発明の放射線感応性樹脂組成物の
実施例について説明する。なお、以下の説明中で述べ
る、使用材料及び材料の使用量、処理時間、温度、膜厚
等の数値的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎな
い。従って、この発明がこれら条件にのみ限定されるも
のでないことは理解されたい。
実施例について説明する。なお、以下の説明中で述べ
る、使用材料及び材料の使用量、処理時間、温度、膜厚
等の数値的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎな
い。従って、この発明がこれら条件にのみ限定されるも
のでないことは理解されたい。
【００３８】１．放射線感応性樹脂組成物の調製 先ず、次の手順で、実施例の放射線感応性樹脂組成物に
用いるポリ（シロキサン）を合成し、さらに、レジスト
溶液を調製する。
用いるポリ（シロキサン）を合成し、さらに、レジスト
溶液を調製する。
【００３９】１−１．ポリ（シロキサン）の合成 単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する線状のポリ
（シロキサン）として、この実施例では、上記（１）式
中のＲ1 、Ｒ2 各々がｔ−ブチル基であり、Ｒ3がトリ
メチルシリル基であるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）を以下のように合成する。
（シロキサン）として、この実施例では、上記（１）式
中のＲ1 、Ｒ2 各々がｔ−ブチル基であり、Ｒ3がトリ
メチルシリル基であるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）を以下のように合成する。
【００４０】メカニカルスターラー、ジムロート、温度
計及びラバーセプタムを装着した容量３００ｍｌの４つ
口フラスコを用意する。ラバーセプタムをはずし、この
４つ口フラスコ中に、ジアセトキシ−ジ−ｔ−ブトキシ
シラン（ｔ−ＢｕＯ）2 （ＣＨ3 ＣＯ2 ）2 Ｓｉを５．
８ｇ（２０ｍｍｏｌ）及びＭＩＢＫを１００ｍｌ（基質
濃度として０．２ｍｏｌ／ｌになる。）それぞれ入れ
る。これを水冷（２５℃位）する。次に、このフラスコ
中にトリエチルアミン（Ｅｔ3 Ｎ）を０．２８ｍｌ（２
ｍｍｏｌ）及びＨ2 Ｏを３．６ｍｌ（２００ｍｍｏｌ）
それぞれ加える。
計及びラバーセプタムを装着した容量３００ｍｌの４つ
口フラスコを用意する。ラバーセプタムをはずし、この
４つ口フラスコ中に、ジアセトキシ−ジ−ｔ−ブトキシ
シラン（ｔ−ＢｕＯ）2 （ＣＨ3 ＣＯ2 ）2 Ｓｉを５．
８ｇ（２０ｍｍｏｌ）及びＭＩＢＫを１００ｍｌ（基質
濃度として０．２ｍｏｌ／ｌになる。）それぞれ入れ
る。これを水冷（２５℃位）する。次に、このフラスコ
中にトリエチルアミン（Ｅｔ3 Ｎ）を０．２８ｍｌ（２
ｍｍｏｌ）及びＨ2 Ｏを３．６ｍｌ（２００ｍｍｏｌ）
それぞれ加える。
【００４１】次に、このフラスコ中のものを２４℃の温
度で１時間攪拌した後、オイルバスを用い３０分間で８
０℃の温度に到達させる。このまま１２時間反応を続け
る。室温まで冷却後、反応液をＭｇＳＯ4 の入った三角
フラスコに移し乾燥させる。
度で１時間攪拌した後、オイルバスを用い３０分間で８
０℃の温度に到達させる。このまま１２時間反応を続け
る。室温まで冷却後、反応液をＭｇＳＯ4 の入った三角
フラスコに移し乾燥させる。
【００４２】次に、上述の直接乾燥した溶液を、温度
計、ジムロート、滴下ロート、ラバーセプタム、マグネ
チックスターラーバーを装着した３つ口フラスコに入
れ、氷浴で冷却する。次に、この３つ口フラスコに、ト
リメチルクロロシラン５．０ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）をシ
リンジでセプタムを通して入れ、次いで、滴下ロートか
らＥｔ3 Ｎ５．６ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）をゆっくり加え
る。
計、ジムロート、滴下ロート、ラバーセプタム、マグネ
チックスターラーバーを装着した３つ口フラスコに入
れ、氷浴で冷却する。次に、この３つ口フラスコに、ト
リメチルクロロシラン５．０ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）をシ
リンジでセプタムを通して入れ、次いで、滴下ロートか
らＥｔ3 Ｎ５．６ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）をゆっくり加え
る。
【００４３】次に、このフラスコ中のものを１夜攪拌し
た後、オイルバスを用いて６０℃に加熱し、１時間攪拌
する。冷却後、濾過を行なう。次に、全量が３０ｍｌ程
度になるまでＭＩＢＫを留去した後トルエンで置き換え
る。全量が２０ｍｌ程度になったところで留去を中止
し、これを多量のメタノール中に投入する。これにより
白色の沈殿が得られる。これを濾取し室温で１夜真空乾
燥したところ、２．１ｇの生成物が得られた。
た後、オイルバスを用いて６０℃に加熱し、１時間攪拌
する。冷却後、濾過を行なう。次に、全量が３０ｍｌ程
度になるまでＭＩＢＫを留去した後トルエンで置き換え
る。全量が２０ｍｌ程度になったところで留去を中止
し、これを多量のメタノール中に投入する。これにより
白色の沈殿が得られる。これを濾取し室温で１夜真空乾
燥したところ、２．１ｇの生成物が得られた。
【００４４】この生成物を重クロロホルム中ＮＭＲによ
り分析したところ、ｔ−ブチル基に由来するピークがδ
１．３に観測され、トリメチルシリル基に由来するピー
クがδ０．０９に観測された。また、ＩＲにより分析し
たところ、波数１１５０ｃｍ-1にシロキサンに基づく強
い吸収が観測され、波数１３７０ｃｍ-1にｔ−ブチル基
に基づく吸収が観測された。また、ＧＰＣ（ゲル浸透ク
ロマトグラフィー）による分子量測定の結果、重量平均
分子量ＭW は２００００、比分散Ｍw ／Ｍn は２．５で
あった。
り分析したところ、ｔ−ブチル基に由来するピークがδ
１．３に観測され、トリメチルシリル基に由来するピー
クがδ０．０９に観測された。また、ＩＲにより分析し
たところ、波数１１５０ｃｍ-1にシロキサンに基づく強
い吸収が観測され、波数１３７０ｃｍ-1にｔ−ブチル基
に基づく吸収が観測された。また、ＧＰＣ（ゲル浸透ク
ロマトグラフィー）による分子量測定の結果、重量平均
分子量ＭW は２００００、比分散Ｍw ／Ｍn は２．５で
あった。
【００４５】１−２．レジスト溶液の調製 上述のように合成したポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）０．５０ｇと、酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホナート（前記（Ｉ）
式のもので式中のＸ- がＣＦ3 ＳＯ3 - のもの）５０ｍ
ｇと、溶剤としての２−メトキシ酢酸エチル４ｍｌとを
混合する。この混合物を直径０．２μｍの孔を有するメ
ンブレンフィルタで濾過したものをレジスト溶液とす
る。
ン）０．５０ｇと、酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホナート（前記（Ｉ）
式のもので式中のＸ- がＣＦ3 ＳＯ3 - のもの）５０ｍ
ｇと、溶剤としての２−メトキシ酢酸エチル４ｍｌとを
混合する。この混合物を直径０．２μｍの孔を有するメ
ンブレンフィルタで濾過したものをレジスト溶液とす
る。
【００４６】２．放射線感応性樹脂組成物の評価 ２−１．単体での評価 次に、上述のように調製したレジスト溶液を用い先ず当
該放射線感応性樹脂組成物単体での感度、解像度などの
評価を行なう。
該放射線感応性樹脂組成物単体での感度、解像度などの
評価を行なう。
【００４７】このため、このレジスト溶液をシリコンウ
エハに所定条件で塗布する。次に、ホットプレートを用
いて８０℃の温度で１分間このシリコンウエハをプリベ
ークする。プリベーク後のレジスト皮膜の厚さは０．２
μｍであった。
エハに所定条件で塗布する。次に、ホットプレートを用
いて８０℃の温度で１分間このシリコンウエハをプリベ
ークする。プリベーク後のレジスト皮膜の厚さは０．２
μｍであった。
【００４８】次に、この皮膜に加速電圧２０ＫＶの電子
線を用い評価用図形を露光量を種々に変えて適当数描画
する。なお、電子線描画装置としてエリオニクス社製Ｅ
ＬＳ３３００を用いた。
線を用い評価用図形を露光量を種々に変えて適当数描画
する。なお、電子線描画装置としてエリオニクス社製Ｅ
ＬＳ３３００を用いた。
【００４９】次に、露光済みの試料をホットプレートを
用い１６０℃の温度で２分間ベークする。その後、この
試料をメチルイソブチルケトンで３０秒間現像し、次い
で、シクロヘキサンで３０秒間リンスする。次に、この
試料の残存膜厚を、膜厚計（この場合テーラーホブソン
社製のタリステップを用いた。）により測定し、これを
初期膜厚（プリベーク後の膜厚＝０．２μｍ）で規格化
し、この値を露光量の対数に対してプロットして曲線
（いわゆる特性曲線）を求める。この曲線からこの実施
例のレジストの感度を求めたところ、１．６μＣ／ｃｍ
2 であることが分かった。また、コントラストγは、
５．０であることが分った。また、得られたパターンを
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、０．３
μｍのラインアンドスペースパターンが露光量２μＣ／
ｃｍ2 において解像できていることが分かった。
用い１６０℃の温度で２分間ベークする。その後、この
試料をメチルイソブチルケトンで３０秒間現像し、次い
で、シクロヘキサンで３０秒間リンスする。次に、この
試料の残存膜厚を、膜厚計（この場合テーラーホブソン
社製のタリステップを用いた。）により測定し、これを
初期膜厚（プリベーク後の膜厚＝０．２μｍ）で規格化
し、この値を露光量の対数に対してプロットして曲線
（いわゆる特性曲線）を求める。この曲線からこの実施
例のレジストの感度を求めたところ、１．６μＣ／ｃｍ
2 であることが分かった。また、コントラストγは、
５．０であることが分った。また、得られたパターンを
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、０．３
μｍのラインアンドスペースパターンが露光量２μＣ／
ｃｍ2 において解像できていることが分かった。
【００５０】２−２．２層レジスト法に適用した場合の
評価 先ず、回転塗布法によりシリコンウエハ上にフォトレジ
ストを塗布しさらにこれを熱硬化させることにより、こ
のシリコンウエハ上に膜厚２μｍの下層レジスト層を形
成する。
評価 先ず、回転塗布法によりシリコンウエハ上にフォトレジ
ストを塗布しさらにこれを熱硬化させることにより、こ
のシリコンウエハ上に膜厚２μｍの下層レジスト層を形
成する。
【００５１】次に、この下層レジスト層上に、上述の２
−１項の条件と同様の条件で上記レジスト溶液を塗布し
またプリベークをして、０．２μｍ厚のレジスト皮膜を
形成する。次に、露光量を２．４μＣ／ｃｍ2 としたこ
と以外は上述の２−１項と同様な条件で電子線によりこ
のレジスト皮膜に評価用図形を描画する。その後、上述
の２−１項と同様な条件で露光後のベーク及び現像・リ
ンスを行なう。
−１項の条件と同様の条件で上記レジスト溶液を塗布し
またプリベークをして、０．２μｍ厚のレジスト皮膜を
形成する。次に、露光量を２．４μＣ／ｃｍ2 としたこ
と以外は上述の２−１項と同様な条件で電子線によりこ
のレジスト皮膜に評価用図形を描画する。その後、上述
の２−１項と同様な条件で露光後のベーク及び現像・リ
ンスを行なう。
【００５２】得られた資料をＤＥＭ４５１と称される日
電アネルバ社製のドライエッチング装置の反応槽内にセ
ットし、該反応槽内のガス圧力を１．３Ｐａとし、ＲＦ
パワー密度を０．１２Ｗ／ｃｍ2 とし、酸素ガス流量を
５０ｓｃｃｍとした条件の酸素プラズマにより試料を４
０分間エッチングする。
電アネルバ社製のドライエッチング装置の反応槽内にセ
ットし、該反応槽内のガス圧力を１．３Ｐａとし、ＲＦ
パワー密度を０．１２Ｗ／ｃｍ2 とし、酸素ガス流量を
５０ｓｃｃｍとした条件の酸素プラズマにより試料を４
０分間エッチングする。
【００５３】エッチング終了後の試料をＳＥＭを用いて
観察したところ、厚みが約２μｍの０．５μｍライン・
アンド・スペースパターンであってライン部の側壁がシ
リコンウエハ面に対しほぼ垂直なパターンが形成されて
いることが分かった。
観察したところ、厚みが約２μｍの０．５μｍライン・
アンド・スペースパターンであってライン部の側壁がシ
リコンウエハ面に対しほぼ垂直なパターンが形成されて
いることが分かった。
【００５４】２−３．露光済み皮膜の評価 次に、シリコンウエハ上に上述の２−１項の手順と同様
な手順によりレジスト皮膜を形成しさらにプリベークを
行なう。その後、上記電子線描画装置を用い加速電圧２
０ＫＶの電子線により露光量を２．０μＣとした条件で
この皮膜に５００μｍ角の図形を描画する。露光済みの
試料をホットプレートを用い１６０℃の温度で５分間ベ
ークする。その後、この試料の上記５００μｍ角の図形
領域を顕微ＩＲの方法で分析する。この結果、シロキサ
ンに基づく大きな吸収が波数１１５０ｃｍ-1付近に観測
されたが、有機基に基づく吸収はほとんど認められなか
った。このことから、この実施例の放射線感応性樹脂組
成物の電子線露光部分はＳｉＯ2 とほぼ同等の物質に変
わっていることが理解できる。
な手順によりレジスト皮膜を形成しさらにプリベークを
行なう。その後、上記電子線描画装置を用い加速電圧２
０ＫＶの電子線により露光量を２．０μＣとした条件で
この皮膜に５００μｍ角の図形を描画する。露光済みの
試料をホットプレートを用い１６０℃の温度で５分間ベ
ークする。その後、この試料の上記５００μｍ角の図形
領域を顕微ＩＲの方法で分析する。この結果、シロキサ
ンに基づく大きな吸収が波数１１５０ｃｍ-1付近に観測
されたが、有機基に基づく吸収はほとんど認められなか
った。このことから、この実施例の放射線感応性樹脂組
成物の電子線露光部分はＳｉＯ2 とほぼ同等の物質に変
わっていることが理解できる。
【００５５】上述においては、この発明の放射線感応性
樹脂組成物の実施例について説明したが、この発明は上
述の実施例に限られるものではない。
樹脂組成物の実施例について説明したが、この発明は上
述の実施例に限られるものではない。
【００５６】例えば、上述の実施例ではポリ（シロキサ
ン）として、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）を用
い、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホナートを用いていたが、これは一例に
すぎない。ポリ（シロキサン）を上記（１）式で示され
るもの等の他の好適なものとし、酸発生剤を上記（Ｉ）
〜（VII ）式で示されるもの等の他の好適なものとした
場合も、実施例と同様な効果を得ることができる。
ン）として、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）を用
い、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホナートを用いていたが、これは一例に
すぎない。ポリ（シロキサン）を上記（１）式で示され
るもの等の他の好適なものとし、酸発生剤を上記（Ｉ）
〜（VII ）式で示されるもの等の他の好適なものとした
場合も、実施例と同様な効果を得ることができる。
【００５７】また、上述の実施例では、放射線として電
子線を用いて当該放射線感応性樹脂組成物を露光してい
たが、露光に用いる放射線は電子線に限られず、光、Ｘ
線またはイオンビーム等の他の放射線でも実施例と同様
な効果が得られる。
子線を用いて当該放射線感応性樹脂組成物を露光してい
たが、露光に用いる放射線は電子線に限られず、光、Ｘ
線またはイオンビーム等の他の放射線でも実施例と同様
な効果が得られる。
【００５８】また、上述の実施例ではこの発明の放射線
感応性樹脂組成物をパターン形成用のレジストの構成材
料に用いた例を説明したが、この発明の放射線感応性樹
脂組成物は３層レジスト法の中間層の構成材料としても
使用できる。またその用途はレジストのみに限られるも
のではない。例えば、半導体素子を保護するためのジャ
ンクションコーテイング剤、バッファーコーティング剤
などとしても使用出来る。
感応性樹脂組成物をパターン形成用のレジストの構成材
料に用いた例を説明したが、この発明の放射線感応性樹
脂組成物は３層レジスト法の中間層の構成材料としても
使用できる。またその用途はレジストのみに限られるも
のではない。例えば、半導体素子を保護するためのジャ
ンクションコーテイング剤、バッファーコーティング剤
などとしても使用出来る。
【００５９】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の放射線感応性樹脂組成物は、放射線が照射され
た部分において、酸発生剤から酸が生じこの酸によりそ
の部分のポリ（シロキサン）のＣ−Ｏ−Ｓｉ結合が切断
されてシラノールが生成されこれが縮合してゲル化が起
こる。このためこの部分は例えば現像液に不溶になるか
ら、この放射線感応性樹脂組成物はネガ型レジストとし
て使用できる。また、このゲル化した部分は、ＳｉＯ2
とほぼ同等の物質となるのでケイ素含有率が高いため、
Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れた放射線感応性樹脂組成物が得
られる。
の発明の放射線感応性樹脂組成物は、放射線が照射され
た部分において、酸発生剤から酸が生じこの酸によりそ
の部分のポリ（シロキサン）のＣ−Ｏ−Ｓｉ結合が切断
されてシラノールが生成されこれが縮合してゲル化が起
こる。このためこの部分は例えば現像液に不溶になるか
ら、この放射線感応性樹脂組成物はネガ型レジストとし
て使用できる。また、このゲル化した部分は、ＳｉＯ2
とほぼ同等の物質となるのでケイ素含有率が高いため、
Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れた放射線感応性樹脂組成物が得
られる。
【００６０】また、上記ゲル化は、当該組成物に放射線
をわずかの量照射することで酸発生剤から生じる酸によ
り生じるので当該組成物に対する露光量は少なくて済む
ので高感度な放射線感応性樹脂組成物が得られる。
をわずかの量照射することで酸発生剤から生じる酸によ
り生じるので当該組成物に対する露光量は少なくて済む
ので高感度な放射線感応性樹脂組成物が得られる。
【００６１】また、この発明で用いるポリ（シロキサ
ン）は、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有している
ため上記縮合反応はこのポリ（シロキサン）鎖上で多数
引き起こされるので、３次元的に架橋する。このため放
射線照射部の架橋密度を高くできるので当該ポリ（シロ
キサン）自体の分子量を低いものとできる。
ン）は、単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有している
ため上記縮合反応はこのポリ（シロキサン）鎖上で多数
引き起こされるので、３次元的に架橋する。このため放
射線照射部の架橋密度を高くできるので当該ポリ（シロ
キサン）自体の分子量を低いものとできる。
【００６２】また、用いるポリ（シロキサン）を上記の
（１）式で表わされるポリ（ジアルコキシシロキサン）
またはポリ（ジアリールオキシシロキサン）とする構成
の場合、主鎖の両側にＣ−Ｏ結合をもつポリ（シロキサ
ン）となるので、酸発生剤から発せられた酸の作用がよ
り及び易くかつ架橋密度も高くできるのでより有利であ
る。
（１）式で表わされるポリ（ジアルコキシシロキサン）
またはポリ（ジアリールオキシシロキサン）とする構成
の場合、主鎖の両側にＣ−Ｏ結合をもつポリ（シロキサ
ン）となるので、酸発生剤から発せられた酸の作用がよ
り及び易くかつ架橋密度も高くできるのでより有利であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 単量体単位毎にＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有す
る線状のポリ（シロキサン）と、放射線の作用により分
解して酸を発生する酸発生剤とを含むことを特徴とする
放射線感応性樹脂組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載の放射性感応性樹脂組成
物において、 前記ポリ（シロキサン）を下記の（１）式で表わされる
ポリ（ジアルコキシシロキサン）またはポリ（ジアリー
ルオキシシロキサン）としたことを特徴とする放射線感
応性樹脂組成物（ただし、（１）式中のＲ1 、Ｒ2 は第
１級アルキル基、第２級アルキル基、第３級アルキル基
またはアリール基であり互いに同じでも異なっても良
い。またＲ3 は水素またはトリメチルシリル基である。
また、ｎは重合度である。）。 【化１】 - 【請求項３】 請求項１に記載の放射線感応性樹脂組成
物において、 前記酸発生剤をスルホニウム塩とし、その添加量を前記
ポリ（シロキサン）の重量に対し０．０１〜５０％とし
たことを特徴とする放射線感応性樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１に記載の放射性感応性樹脂組成
物において、 前記酸発生剤をヨードニウム塩とし、その添加量を前記
ポリ（シロキサン）の重量に対し０．０１〜５０％とし
たことを特徴とする放射線感応性樹脂組成物。 - 【請求項５】 請求項１に記載の放射性感応性樹脂組成
物において、 前記酸発生剤をトリクロロメチル基を少なくとも１個有
する芳香族化合物とし、その添加量を前記ポリ（シロキ
サン）の重量に対し０．０１〜５０％としたことを特徴
とする放射線感応性樹脂組成物。 - 【請求項６】 請求項１に記載の放射性感応性樹脂組成
物において、 前記酸発生剤をｐ−トルエンスルホナートとし、その添
加量を前記ポリ（シロキサン）の重量に対し０．０１〜
５０％としたことを特徴とする放射線感応性樹脂組成
物。
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