JPH04107462A

JPH04107462A - 感光性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH04107462A
Application number: JP22610990A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Sakata; 坂田　美和; Toshio Ito; 伊東　敏雄
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1990-08-28
Filing date: 1990-08-28
Publication date: 1992-04-08
Anticipated expiration: 2013-03-30
Also published as: JP2733131B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、半導体装置等の製造に用いられるレジスト
の構成材料として使用可能な感光性樹脂組成物に関する
ものである。

（従来の技術）半導体装置の製造における基板加工、例えばＩＣにおけ
る金属配線パターンの形成は、被加工基板全面に配線用
金属膜を形成し、この上にレジスト膜を形成しこれを露
光・現像してレジストパターンを得、このレジストパタ
ーンをマスクとして金属膜をエツチングし、その後この
レジストパターンを除去するという手順で行われる。

しかし、ＩＣの高集積化、高速化に伴い、配線パターン
の超微細化や多層配線の採用か行われ、この超微細化に
おいては配線抵抗を下げるためにパターンのアスペクト
比か高くされる傾向にあることから、被加工基板上の段
差はますます大きくなる。このため、被加工基板上にレ
ジストバタンを形成する場合、以下に説明するような問
題か生しる。即ち、縮少投影露光装置の焦点深度以上に
段差が大きくなってしまう場合が生じるため、縮少投影
露光装置を用いて目的とする寸法のレジストパターンを
形成することか困難になる。特に、サブミクロン領域の
バターニングを行う場合は、開口数の大きなレンズを装
備した縮少投影露光装置が用いられるため焦点深度はま
すます浅くなるので、上記段差の問題はざらに顕著にな
り、従来のような一層しシストのみてはパターン形成出
来なくなるおそれかある。

そこで、以上のような困難を解決する従来の技術として
、例えば文献（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ＯｆＥｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ：５ＯＬＩＤ−３
ＴＡＴＥ　　５ＣＩＥＮＣＥＡＮＤ　　ＴＥＣＨＮ○「
○ＧＹ（（ジャーナルオブ　エレクトロケミカル　ソサ
エティー：ソリッドステート　サイエンス　アント　テ
クノロシー）１３２　（５）（１９８５，５）ｐｐ、１
１７８〜１１８２）に開示された技術が知られていた。

この技術は、二層レジスト法と称されるレジストパター
ン形成技術に加えて、遠紫外領域（２００〜３００（ｎ
ｍ））に感度を有するポジ型のレジストを用いるもので
あった。

ここで、二層レジスト法とは以下に説明するようなもの
である。

先ず、段差を有する被加工基板上に熱硬化性樹脂を厚く
形成し、これを熱硬化させ、基板を平坦化する。この上
に酸素プラズマによるエツチングに対し高い耐性を有す
る感光性樹脂層を極めて薄く形成し、その後、この感光
性樹脂層８露光現像してこれのパターンを形成する。次
に、このパターンをマスクとして、酸素ガスを用いた反
応性イオンエツチング（０２−Ｒ工Ｅ）により熱硬化性
樹脂層のエツチングを行い、高アスペクト比の層レジス
トパターンを得る。さらに、この二層レジストパターン
をマスクとして被加工基板上の下地金属層をエツチング
する。

層レジスト法の利点は、厚い平坦化層の上に感光性樹脂
層のパターンを形成するために、下地基板からの影響を
受けることなく、従って寸法変動なしに高アスペクト比
の微細パターンが形成出来ることである。

このような感光性樹脂層に用いるレジストとしてはケイ
素を含有したものかあり、上述の文献によれば、ポリ（
トリメチルシリルメチルメタクリレート−３−オキシミ
ノ−２−ブタノンメタウワレート）共重合体か開示され
ている。このレジストは、遠紫外線（Ｄｅｅ　ｐ−ＵＶ
）％用いｌｕｍのライン・アント・スペースバタンを２
５０ｍＪ／Ｃｍ２のドーズ量で解像できる感度を有し、
０．７５ｕｍの最小解像力を有するものであった。

（発明か解決しようとする課題）しかしながら、上述した従来のレジストは、ケイ層含有
率が９．６重量％と低いために、０２Ｒ工Ｅによるエツ
チング速度が１５ｎｍ／ｍｉｎと速い。即ち０２−ＲＩ
Ｅ耐性が低いという問題点かあった。また、解像力が十
分てはないという問題点かあった。

この発明は上述した点に鑑みなされたものであり、従っ
てこの発明の目的は、上述した問題点を解決し、膜質及
び加工精度の優れた感光性樹脂組成物を提供することに
ある。

（課題を解決するための手段）この目的の達成を図るため、この発明の感光性樹脂組成
物は、不飽和基、アルキル基及びハロゲン化アルキル基
からなる群より選ばれた１種又は複数の基を有するポリ
シロキサン誘導体と、ポリシリレンと、増感剤とから成
ることを特徴とする。

ここで、この感光性樹脂組成物の構成成分のっである上
述のポリシロキサン誘導体は、例えば、下記０式で示さ
れるもの若しくは下記０式で示されるもの、又は下記０
式で示されるもので置換基か異なるもの同士（３種以上
も含む。以下の混合物、共重合体において同様。）の混
合物、下記０式で示されるもので置換基か異なるもの同
士の混合物若しくは下記０式で示されるものと下記０式
で示されるものとの混合物、又は上記混合物同様な組み
合わせで得られる共重合体とするのが好適である。なお
、式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基である。また、日
、〜Ｂ４は、不飽和基、アルキル基及びハロゲン化アル
キル基からなる群より選ばれた基であり、同一であって
も異なっていても良い。また、ｎ、ｍは、正の整数であ
る。）ｓなあ、上述の０式で示されるポリシロキサン誘導体は、
この出願に係る出願人によって、特開昭６３−２１０８
３９号公報で開示している化合物であり、また、０式で
示されるポリシロキサン誘導体は、該公報の中で述へら
れている合成法中で用いられている原料のトリクロロシ
ランをジクロロシランとすることにより容易に得られる
化合物である。

これらポリシロキサン誘導体は、重量平均分子量か２．
Ｏ○○〜１００．○○Ｏ程度のものまでは合成段階でゲ
ル化することかなく、容易に入手することか可能である
。しかし、重量平均分子量が２．○ＯＯより小さいもの
は、結晶化か難しいためレジストパターン形成に不適当
てあり、かつパターニングに必要な露光量か極めて多く
なる。

従って、レジストとして使用することを考えた場合、０
式又は０式で示されるようなポリシロキサン誘導体はそ
の重量平均分子量か２，０００以上１００、Ｏ○０以下
のものとするのか良い。なお、ポリシロキサン誘導体の
両末端の○Ｈ基は保存安定性の点からトリメチルシリル
基等のような不活性な基で保護することは常識であり、
この発明においてもその手法をとるのか好適である。

また、感光性樹脂組成物の第二の構成成分であるポリシ
リレンは、昇華性の無いものか好ましい。具体的には、
例えば、下記０式で示されるポリシリレン、下記０式で
示されるポリシリレン及び下記０式で示されるポリシリ
レンの中から選ばれた１種以上のものとするのか好適で
ある（但し、ＲＡ　−Ｒｐは、下記の［ａ］〜［ｇ］か
らなる群より選ばれた基であり、全部か同一であっても
一部又は全部か異なっていでも良い。

■・・・炭素数か］Ｏ以下の鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基。

■・・・置換基を有していないフェニル基。

■・・・置換基を有していないナフチル基。

■・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及びハ
ロゲン基の中から選ばれた基を有するフェニル基。

■・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及びハ
ロゲン基の中から選ばれた基を有するナフチル基。

■・・・置換基を有していないピフェニル基。

■・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及びハ
ロゲン基の中から選ばれた基を有するビフェニル基。

また、■式中のケイ素数ρは２≦ｌ≦１０を満足する整
数。また、０式中のケイ素数ｉ、ｊ、には、０≦１≦７
．１≦ｊ≦８．１≦に≦８でかつｉ＋ｊ＋に≦９を満足
する整数。また、■式中のケイ素数ｑは２≦ｑ≦１０を
満足する整数である。）ｓポリシリレンのケイ素数や置換基の種類を変えることに
よって、ポリシリレンの吸収波長、吸収の大きさは容易
に変えられる。

ここて、ポリシリレンのポリシロキサン誘導体に対する
添加率（ポリシリレンのモル数Ｘ１００）／（ポリシリ
レンのモノし数十ボリシロキサン誘導体のモル数）は、
０．５〜１０ｍｏρ％の値にするのか好適である。０．
５ｍｏ１％より少いと感光性樹脂組成物の感度が極めて
低くなり、１０ｍｏβ％より多いと、■・・・本感光性
樹脂組成物の皮膜の基板への密着性が低下したり、■・
・・皮膜にポリシリレンの結晶が析出するため良好な皮
膜か得られす、■・・・また、本感光性樹脂組成物を層
レジスト法における上層レジストとして用いた場合の下
層エツチング時に必要な０２−ＲＩＥ耐性を損ねかねな
い程度にケイ素含有量か低下する恐れかあるからである
。

また、この感光性樹脂組成物の第三の構成成分である増
感剤は、種々のものを用い得るか、特にシリレン（後述
する）を捕獲する性質を有するヒトトロシラン化合物を
用いるのが好適である。このヒドロシラン化合物は、１
分子中に５ｉ−Ｈ結合を有するものであって、かつ、レ
ジストとして使用する点から固体であるものが望ましい
。具体的には、例えば、下記（Ｉ）〜（Ｖ）式で示され
る化合物の中から選ばれたものとするのか好適である（
但し、ＣＩ）及び（ＩＩ　）式中のＲ１（ＩＩＩ）式中
のＲ′は、アルキル基、置換基を有していないフェニル
基、置換基を有しているフェニル基、置換基を有してい
ないナフチル基、置換基を有しているナフチル基、置換
基を有していないビフエル基、置換基を有しているビフ
ェニル基の中から選ばれた基である。また（ＩＩＩ）〜
（Ｖ）式中日は、少なくとも１つは水素であり他は水素
、アルキル基、置換基を有していないフェニル基、置換
基を有しているフェニル基、置換基を有していないナフ
チル基、置換基を有しているナフチル基、置換基を有し
ていないビフェニル基、置換基を有しているビフェニル
基の中から選ばれ１．：基である。ざらに、（Ｉ）〜（
Ｖ）式中、ｒ、ｓ、　　士。

ｕ、ｖ、ｗは、ｒ＋ｓ＝４、ｒ≧１、＄≧１、ｔ＋ｕ−
６、Ｕ≧１．１≦ｖ≦５、］≦ｗ≦６を満足する正の整
数である。）ｓ（Ｒ）、Ｓｉ　（Ｈ）、　　　・・・（Ｉ）（Ｒ）　ｔ
Ｓ　ｉ２　（Ｈ）　ｕ　−（ＩＩ）ＲＲ日−８１−巳’−Ｓ　ｉ−Ｒ・・・（ＩＩＩ）日　　　
　　　　　　　　　日また、この感光性樹脂組成物において、ヒドロシラン化
合物の添加量は、ポリシリレン１ｍｏρに対し１〜１０
倍ｍＯβ相当量とするのか好適である。この量より少い
と増感作用か小さく、この量より多いと成膜性に問題か
生じるからである。

（作用）この発明の構成によれは、ポリシリレンは、その構造（
例えば、鎖状、環状（上記■、０式参照）、分岐の有無
（上記■、０式参照））や、ポリシリレンか有するケイ
素数や置換基の種類を変えることによって、波長２００
〜４００ｎｍの広い範囲に吸収を持ちその波長の光を受
けることにより５ｉ−３ｉ結合か切断されケイ素ラジカ
ル、シリレン等のような活性種を発生する感光剤になる
。例えば、上述の■式〜■式で示されるような構造のポ
リシリレンは、これか有するケイ素数や置換基の種類か
らいって、波長２００〜４００ｎｍの範囲の光を受ける
と上述の活性種を効率良く発生する。このため、当該ポ
リシロキサン誘導体か不飽和基を有する場合は、ケイ素
ラジカルかこの不飽和基へ付加して重合を開始させる。

また、当該ポリシロキサン誘導体かアルキル基及び又は
ハロゲン化アルキル基ヲ何する場合は、上記ケイ素ラジ
カルかアルキル基から水素の引き抜きやハロゲシ化アル
キル基からハロゲンの引き抜きを行なうので、重合か開
始される。当該ポリシロキサン誘導体の重合しブと部分
は有機溶媒に不溶になる。従って、当該感光性樹脂組成
物に対し光を選択的に照射することにより所望のレジス
トパターンか得られる。

また、当該感光性樹脂組成物は、増感剤を含有している
ため、これを含有していない場合より高感度なものにな
る。例えば、増感剤としてヒドロシラン化合物を用いる
構成の場合、ヒドロシラン化合物はシリレンを捕捉する
性質を有する。従って、光照射によってポリシリレンか
ら発せられる活性種のうちポリシロキサン誘導体のゲル
化に直接関与しないシリレンをヒドロシラン化合物か捕
捉し、これにより感光性樹脂組成物の高感度化か図れる
。

また、ポリシロキサン誘導体はケイ素含有率か少なくと
も１０数重量％となり、この結果、０２日ＩＥ耐性に優
れる感光性樹脂組成物か得られる。

（実施例）以下、この発明の感光性樹脂組成物の実施例について説
明する。なあ、以下の実施例では、この発明の理解を容
易とするため、薬品の使用量、皮膜の膜厚、ヘーキンウ
温度及び時間、エツチンク条件等を特定の値に設定して
いるか、これら値は単なる例示でありこの発明かこれら
値にのみ限定されるものでないことを理解されたい。

〈実施例１〉＊感光性樹脂組成物の調製先す、ポリシロキサン誘導体として上記０式中のＢ３及
びＢ４か共にアリル基であって重量平均分子量Ｍｗか２
０，０００のポリアリルシルセスキオキサン９３Ｃ］　
（１ｍｏＩ２）と、ポリシリレンとしてこの場合上記０
式で示されるポリシリレンの１種である下記（ａ）式て
示されるトチカメチルシクロヘキサシラン１０．８に］
　（０，０３１ｍ。

β）と、増感剤としてこの場合上記（Ｉ）式で示される
ヒドロシラン化合物の１種である下記（ｂ）式で示され
るジメチルフェニルシラン１０．６９（０，０７７５ｍ
ｏρ）とをキシレン８３７９に溶解し、この溶液を直径
０．２ｕｍの孔を首するメンブレンフィルターで濾過し
て、実施例］の感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製する
。但し、（ａ）　、　（ｂ）式中Ｍｅはメチル基、（ｂ
）式中ｐｈはフェニル基を示す。以下の（Ｃ）〜（ｈ）
の各式において同様。

＊パターニング実験（その′ｌ）次に、実施例］の感光性樹脂組成物を用い、露光に用い
る光源７１＃Ｘｅ−Ｈ９ランプとして、以下の手順でバ
ターニング実験を行う。

始めに、シリコン基板上に下層レジスト層を形成するた
め、回転塗布法によりシリコン基板上にフォトレジスト
にの実施例の場合シプレー社製ＭＰ２４００）を所定の
条件で塗布し、次いで、２００℃の温度のオーブン中に
この試料を１時間入れてフォトレジストを硬化させる。

これにより、膜厚か１．５に、１ｍの下層レジスト層を
形成した。

次に、回転塗布法によりこの下層レジスト層上に実施例
１の感光性樹脂組成物を膜厚か０．２ｕｍとなるように
塗布し、その後、ホットブレトを用いこの試料を８０℃
の温度で１分間ブリヘーキングする。

次に、この試料に最少の線幅か０．５ｕｍとされた１重
々のライン・アンド・スペースのテストパターンを有す
るマスクを密着させ、Ｘｅ−Ｈ９ランプ及び０Ｍ２５０
コールドミラーを装着している露光装置にの実施例では
、キャノン（株）社製ＰＬＡ５０１アライナ）により、
露光量を変えなから露光を行なう。

次に、露光済みの試料を、メチルイソブチルケトンと、
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）との１・１混合液（
容積比）中に４５秒問浸漬し現像を行ない、その後、Ｉ
ＰＡ中に３０秒問浸漬しリンスを行ない、その後、ホッ
トプレートを用い６０°Ｃの温度で１分間へ−りする。

現像の終了した試料を観察したところ、初期膜厚にの例
では回転塗布後の膜厚である０、２ｕｍ）に対する残膜
率が５０％となる露光量（Ｄ乳５）は、露光装置の積算
露光計のカウント数でいって１．２カウントにこで、１
カウント（ｃ　ｔ）＝３９ｍＪ／ａｍ２である。以下同
様。

）であることか分かった。また、得られたレジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、
最小解像寸法は、用いたマスクの最小寸法と同し０．５
ｕｍのライン・アント・スペース（Ｌ／Ｓ）であること
が分った。なお、この実験に用いたテストパターンの最
少線幅が０．５ｕｍであるために、０．５ｕｍの解像力
か確保されたことしか確認出来なかったか、実施例１の
感光性樹脂組成物はさらに高い解像力を有するものであ
ることは理解されたい（以下の各実施例のバターニング
実験においても同様。）ｓ＊パターニング実験（その２
）また、実施例１の感光性樹脂組成物を用い、露光に用い
る光源ｕＫｒＦエキシマレーザとしたこと以外は上述の
バターニング実験（その１）と同様な手順でバターニン
グ実験を行う。

なお、レーザ発振器は、ラムダフィジックス社製のもの
を用いている。このレーザ発振器は、１パルス当たり０
　、５０　ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　２の照射量が得られる
もので、パルス数により露光量が制御出来るものである
。

その結果、感度（ＤＯ５）は５０ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　
２であることか分った。また、０．５ｕｍのライン・ア
ント・スペースパターンか解像可能なことか分った。

＊バターニング実験（その３）また、実施例１の感光性樹脂組成物を下層レジストとし
て用い二層レジスト法によるバターニング実験を以下に
説明するように行う。

先ず、バターニング実験（その１）と同様な手順で下層
レジスト層（ＭＰ２４００層）及び第１実施例の感光性
樹脂組成物のパターンをそれぞれ形成する。但し、この
バターニング実験では、下層レジスト層の膜厚％２ｕｍ
とし、この下層レジスト上に形成する実施例１の感光性
樹脂組成物の露光前のベーキング温度Ｖ６０℃とし、×
ｅＨ９ランプによる露光量を１．８カウントとし、現像
時間を３０秒とし、リンス時間を２０秒としている。

次に、この試料を平行平板型のトライエツチング装置に
の実施例で日電アネルバ（株）製り巳Ｍ　４．５１　）
内に入れる。そして、０２ガス圧を１、ＯＰａ、０２ガ
ス流量＠２０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー兄度を０．１２Ｗ／
ｃｍ２、エツチング時間を３５分とした条件で、下層レ
ジスト層のエツチングを行う。

このエツチング後に得られた二層レジストパターンの断
面をＳＥＭ％用いて観察したところ、０．５ｕｍのライ
ン・アンド・スペースパターンであってアスペクト比が
４の然も矩形形状のライン・アント・スペースパターン
か形成されていることか分った。

上述の各バターニング実験結果から明らかなように、実
施例１の感光性樹脂組成物は、感度及び解像力共に従来
の感光性樹脂より優れていることか理解出来る。

＊０２−ＲＩＥ耐性の調査結果次に、実施例１の感光性樹脂組成物の０２−ＲＩＥ耐性
を以下のように調査する。

失す、回転塗布法によりシリコン基板上に実施例１の感
光性樹脂組成物を０．２ｕ、ｍの膜厚に塗布し、その後
、この試料をホットプレートを用い６０’Ｃの温度て１
分間ヘーキンウする。

次に、この試料％ＤＥＭ４５１　トライエツチンウ装置
内に入れた後バターニング実験（その３）のトライエ・
ンチング条件と同様な条件てエツチングする。但し、エ
ツチング時間は２０分とした。

上記エツチング終了後、実施例１の感光性樹脂組成物皮
膜の膜減り量を膜厚計にの場合、テラーホブンン社製の
タリステッフりを用いて測定したところ、４８ｎｍであ
った。

このエツチワク時の実施例１の感光性樹脂組成物のエツ
チング速度は、４８）／２０＝２．４ｎｍ／ｍｉｎであ
るといえ、従来の感光性樹脂のエツチング速度か１５ｎ
ｍ／ｍｉｎであり然もその際のエツチング条件はこの実
施例のものより緩いことを考えると、実施例１の感光性
樹脂組成物か従来より０２−ＲＩＥ耐性に優れるもので
あることか理解出来る。

英】ｌ江２次に、感光剤を上記０式で示されるポリシリレンの１種
である下記の（Ｃ）式で表わされる１゜２．３，４．５
−ペンタフェニルヘフタメチルベンタシランとしたこと
以タトは実施例１と同様にして、実施例２の感光性樹脂
組成物の塗布溶液を調製する。

次に、この実施例２の感光性樹脂組成物について、実施
例１のバターニング実験（その２）の手順と同様な手順
で感度（Ｄ％５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例２の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ乳５
）は５０ｍＪ／ｃｍ２であることが分った。また、０．
５ｕｍのライン・アント・スペスパターンが解像されて
いることが分った。

寅覇旧性Ｊ次に、感光剤を上記０式で示されるポリシリレンの１種
である下記の（ｄ）式で表わされる１゜１．４．４−テ
トラフェニルオクタメチルテトラシランとしたこと以外
は実施例１と同様にして、実施例３の感光性樹脂組成物
の塗布溶液を調製する。

東】ｌ外ρ 次に、感光剤を上記０式で示されるポリシリレンの１種
である下記の（ｅ）式で表わされる１、５ジフエニルテ
力メチルベンタシランとしたこと以外は実施例１と同様
にして、実施例４の感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製
する。

次に、この実施例３の感光性樹脂組成物について、実施
例１のバターニング実験（その２）の手順と同様な手順
で感度（Ｄ乳、５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例３の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ０５
）は１００ｍＪ／ｃｍ２であることか分っプと。また、
０．５日ｍのライン・アント・スペースパターンか解像
されていることか分った。

次に、この実施例４の感光性樹脂組成物につぃて、実施
例１のバターニング実験（その２）の手順と同様な手順
て感度（Ｄ’５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例４の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ乳５
）は９０　ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｒｎ　２であることか分っ
た。また、０．５ｕｍのライン・アント・スベスパター
ンか解像されでいることが分った。

東」１肪万次に、ポリシロキサン誘導体を、ポリ（アワルクロロメ
チルシルセスキオキサン）即ち０式のＲ３、Ｒ４各々が
アリル基及び又はクロロメチル基である共重合体のポリ
シロキサン誘導体であって、重量平均分子量ＭＷが３６
．０００のものとしたこと以外は実施例］と同様にして
、実施例５の感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製する。

次に、この実施例５の感光性樹脂組成物について、実施
例１のバターニング実験（その２）の手順と同様な手順
で感度ＣＤ％、５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例５の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ克５
）は６５　ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　２であることが分った
。また、０．５ｕｒｎのライン・アント・スベスパター
ンか解像されていることか分った。

犬】ｌ外足次に、ポリシロキサン誘導体を、ポリビニルシロキサン
（上記０式中のＲ１及びＢ２が共にビル基であるポリシ
リキサン誘導体）であって重量平均分子量か２４，００
０のものとし、また増感剤を、上記（１１１１）式で示
される化合物の１種である下記（ｆ）式で表わされるｐ
−ビス（ジメチルシリルヘンゼン）としたこと以外は実
施例１と同様にして、実施例６の感光性樹脂組成物の塗
布溶液を調製する。

Ｍｅ　　　　　　　　　　　Ｍｅ次に、この実施例６の感光゛注樹脂組成物１こついて、
実施例１のバターニング実験（その２）の手順と同様な
手順で感度（Ｄ０５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例６の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ０５
）は２５０ｍＪ／ｃｍ２であることか分った。また、０
．５ｕｍのライン・アント・スＢベースパターンか解像されていることか分った。

犬】ｌ外Ｊ次に、増感剤そ上記（ＩＶ）式類似のヒドロシラン化合
物の１種である下記（９）式で表わされる１、３−ジフ
ェニルテトラキス（ジメチルシロキシ）ジシロキサンと
したこと以外は実施例１と同様にして実施例７の感光性
樹脂組成物の塗布溶液を調製する。

Ｍｅ−３ｉ−Ｍｅ　　　Ｍｅ−８ｉ−Ｍｅ○ ○ ＭｅＳ　ｉ　−Ｍ　ｅＭ　ｅ　−３ｉ　−Ｍ　ｅて、実施例１のバターニング実験（その２）の手順と同
様な手順で感度（Ｄ−５）及び解像力をそれぞれ調査す
る。

この結果、実施例７の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ９ｒ
Ｌ５）は４５ｍＪ／ｃｍ２であることか分った。また、
０．５ｕｍのライン・アント・スペスパターンが解像さ
れていることか分った。

叉】ｌ外足次に、増感剤を上記（Ｖ）式で示されるヒドロシラン化
合物の１種である下記（ｈ）式で表わされる１、３，５
．７−チトラメチルシクロテトラシロキサンとしたこと
以外は実施例１と同様にして実施例８の感光性樹脂組成
物の塗布溶液を調製する。

次に、この実施例７の感光性樹脂組成物につい次に、こ
の実施例８の感光性樹脂組成物について、実施例１のバ
ターニング実験（その２）の手順と同様な手順で感度（
Ｄ肴５）及び解像力をそれぞれ調査する。

この結果、実施例８の感光性樹脂組成物の感度（Ｄ０５
）は７０　ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　２であることか分つた
。また、０．５ｕｍのライン・アンド・スペスパターン
か解像されていることか分った。

各実施例の感光性樹脂組成物の相違を明確にするため、
上述の実施例１〜実施例８の各感光性樹脂組成物の組成
並びにそれらの感度および解像力を別表１にまとめて示
した。

（発明の効果）上述した説明からも明らかなように、この発明の感光性
樹脂組成物は、０２−ＲＩＥ耐性が高いことで知られる
ポリシロキサン誘導体であって、不飽和基、アルキル基
及びハロゲン化アルキル基の中から選ばれた１種以上の
官能基を有するポリシロキサン誘導体と、この官能基に
対し反応性の高いシリルラジカルを効率的に発生するポ
リシリレンと、増感剤とて構成されているので、高感度
、高解像度、高０２−Ｒ工Ｅ耐性を示す。

従って、膜質及び加工精度に優れる感光性樹脂組成物か
提供出来る。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）不飽和基、アルキル基及びハロゲン化アルキル基
から成る群より選ばれた１種以上の基を有するポリシロ
キサン誘導体と、ポリシリレンと、増感剤とから成るこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物。
（２）前記ポリシロキサン誘導体を下記（１）式で示さ
れるものとしたことを特徴とする請求項１に記載の感光
性樹脂組成物（但し、ＴＭＳはトリメチルシリル基であ
る。また、Ｒ＿１及びＲ＿２は、不飽和基、アルキル基及び
ハロゲン化アルキル基からなる群より選ばれた基であり
、同一であっても異なっていても良い。また、ｎは、正
の整数である。）。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］
（３）前記ポリシロキサン誘導体を［２］式で示される
ものとしたことを特徴とする請求項１に記載の感光性樹
脂組成物（但し、ＴＭＳはトリメチルシリル基である。また、Ｒ＿３及びＲ＿４は、不飽和基、アルキル基及び
ハロゲン化アルキル基からなる群より選ばれた基であり
、同一であっても異なっていても良い。また、ｍは、正
の整数である。）。 ▲数式、化学式、表等があります▼［２］
（４）前記不飽和基を、ビニル基（ＣＨ＿２＝ＣＨ−）
、アリル基（ＣＨ＿２＝ＣＨＣＨ＿２−）、イソプロペ
ニル基（ＣＨ＿２＝Ｃ−ＣＨ＿３）及び２−プテニル基
（ＣＨ＿２＝ＣＨ−ＣＨ＿２−ＣＨ＿２−）としたこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光
性樹脂組成物。
（５）前記アルキル基を、メチル基、エチル基、ノルマ
ルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イ
ソブチル基及びターシャリブチル基としたことを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組
成物（但し、前記ポリシロキサン誘導体の置換基全てが
ターシャリブチル基となる場合を除く。）。
（６）前記ハロゲン化アルキル基を、クロロメチル基、
クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロブチル基、
ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモプロピル基、
ブロモブチル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、ヨ
ードプロピル基及びヨードブチル基としたことを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組
成物（但し、前記各ハロゲン化アルキル基中のハロゲン
数は、１以上当該基においてとり得る最大数以下の範囲
内のいずれの数でも良い。）。
（７）前記ポリシロキサン誘導体を、重量平均分子量が
２，０００〜１００，０００の範囲内のものとしたこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光
性樹脂組成物。
（８）前記ポリシロキサン誘導体を、請求項２に記載の
ポリシロキサン誘導体と請求項３に記載のポリシロキサ
ン誘導体との共重合体または混合物としたことを特徴と
する請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
（９）前記ポリシリレンを、下記［３］式で示されるポ
リシリレン、下記［４］式で示されるポリシリレン及び
下記［５］式で示されるポリシリレンの中から選ばれた
１種以上のものとしたことを特徴とする請求項１に記載
の感光性樹脂組成物（但し、Ｒ＿Ａ〜Ｒ＿Ｐ、は、下記
の［ａ］〜［ｇ］からなる群より選ばれた基であり、同
一であっても異なっていても良い。［ａ］・・・炭素数が１０以下の鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基。［ｂ］・・・置換基を有していないフェニル基。［ｃ］・・・置換基を有していないナフチル基。［ｄ］・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及
びハロゲン基の中から選ばれた基を有するフェニル基。［ｅ］・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及
びハロゲン基の中から選ばれた基を有するナフチル基。［ｆ］・・・置換基を有していないビフェニル基。［ｇ］・・・ニトロ基、炭素数５以下のアルコキシ基及
びハロゲン基の中から選ばれた基を有するビフェニル基
。また、［３］式中のケイ素数ｌは２≦ｌ≦１０を満足す
る整数。また、［４］式中のケイ素数ｉ、ｊ、ｋは、０
≦ｉ≦７、１≦ｊ≦８、１≦ｋ≦８でかつｉ＋ｊ＋ｋ≦
９を満足する整数。また、［５］式中のケイ素数ｑは２
≦ｑ≦１０を満足する整数である。）。 ▲数式、化学式、表等があります▼［５］
（１０）前記ポリシリレンの前記ポリシロキサン誘導体
に対する添加率を０．５〜１０ｍｏｌ％としたことを特
徴とする請求項１又は９に記載の感光性樹脂組成物。
（１１）前記増感剤を下記（ I ）〜（Ｖ）式で示され
るヒドロシラン化合物の中から選ばれたものとしたこと
を特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物（但し
、（ I ）及び（II）式中のＲ、（III）式中のＲ’は、
アルキル基、置換基を有していないフェニル基、置換基
を有しているフェニル基、置換基を有していないナフチ
ル基、置換基を有しているナフチル基、置換基を有して
いないビフェニル基、置換基を有しているビフェニル基
の中から選ばれた基である。また（III）〜（Ｖ）式中
のＲは、少なくとも１つは水素であり他は水素、アルキ
ル基、置換基を有していないフェニル基、置換基を有し
ているフェニル基、置換基を有していないナフチル基、
置換基を有しているナフチル基、置換基を有していない
ビフェニル基、置換基を有しているビフェニル基の中か
ら選ばれた基である。さらに、（ I ）〜（Ｖ）式中、
ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗは、ｒ＋ｓ＝４、ｒ≧１、ｓ≧
１、ｔ＋ｕ＝６、ｕ≧１、１≦ｖ≦５、１≦ｗ≦６を満
足する正の整数である。）。（Ｒ）＿ｒＳｉ（Ｈ）＿ｓ・・・（ I ）（Ｒ）＿ｔＳｉ＿２（Ｈ）＿ｕ・・・（II）▲数式、化
学式、表等があります▼・・・（III） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ）
（１２）前記増感剤の添加量を、前記ポリシリレンの１
〜１０倍ｍｏｌ相当量としたことを特徴とする請求項１
に記載の感光性樹脂組成物。