JP2713322B2 - ポジテイブレジスト像形成方法 - Google Patents
ポジテイブレジスト像形成方法Info
- Publication number
- JP2713322B2 JP2713322B2 JP4047838A JP4783892A JP2713322B2 JP 2713322 B2 JP2713322 B2 JP 2713322B2 JP 4047838 A JP4047838 A JP 4047838A JP 4783892 A JP4783892 A JP 4783892A JP 2713322 B2 JP2713322 B2 JP 2713322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sulfosuccinimide
- alkyl
- image
- polyphenylsilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポジテイブレジスト合成
材料、使用方法及び使用装置に関し、半導体集積回路を
製造する際に、フオトレジストとして使用されるポリシ
ランの光学的感度を高めるものである。
材料、使用方法及び使用装置に関し、半導体集積回路を
製造する際に、フオトレジストとして使用されるポリシ
ランの光学的感度を高めるものである。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフイツク技術を用いて製造され
る微小電子装置においては、産業上回路密度を高めるこ
とが望まれている。領域密度を高める１つの方法として
レジストフイルムにおける回路パターンの解像度を改善
する方法がある。通常使用されている近及び中紫外線範
囲（300 〔nm〕から450 〔nm〕の範囲）より短い波長の
照射光（例えば220 〔nm〕から280 〔nm〕の範囲の深紫
外線）を使用すれば解像度を改善できる可能性がある。
しかしながら深紫外線を照射すれば、同量のエネルギ線
量に対してより少ない光子が移転して同じ光化学的応答
をする。さらに従来使用されているリソグラフ機器は深
紫外線領域における出力が大きく減衰する。従つて深紫
外線領域の照射光に対してさらに感度が良いレジスト材
料を開発することが当該技術分野において必要である。
る微小電子装置においては、産業上回路密度を高めるこ
とが望まれている。領域密度を高める１つの方法として
レジストフイルムにおける回路パターンの解像度を改善
する方法がある。通常使用されている近及び中紫外線範
囲（300 〔nm〕から450 〔nm〕の範囲）より短い波長の
照射光（例えば220 〔nm〕から280 〔nm〕の範囲の深紫
外線）を使用すれば解像度を改善できる可能性がある。
しかしながら深紫外線を照射すれば、同量のエネルギ線
量に対してより少ない光子が移転して同じ光化学的応答
をする。さらに従来使用されているリソグラフ機器は深
紫外線領域における出力が大きく減衰する。従つて深紫
外線領域の照射光に対してさらに感度が良いレジスト材
料を開発することが当該技術分野において必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来当該分野において
２層フオトレジストを作る場合のレジストとしてポリシ
ランを用いることが知られている。２層レジストは基板
上に付着された平面化ポリマ層上に酸素プラズマに耐性
があるポリシランの作像層を含んでいる。レジストに作
像するとき、照射光は露光されたポリシランを光化学的
作用によつて低い分子量の材料に減成させる。光化学的
減成作用はスペクトラルブリーチング量に比例するよう
に発生し、当該スペクトラルブリーチングは従来当該技
術分野において減成度を計測するために用いられてい
る。露光されたポリシランが減成すると一般的な有機溶
剤によつてポジテイブ像を湿式現像することができる。
続いてこの像は酸素プラズマ現像によつてその下にある
ポリマ層を通じて基板に転写される。しかしながら従来
のポリシランは感度が十分ではないために所定の写像を
するためには100 〜400 〔ミリジユール／cm2〕程度の
大きい光照射を必要とし、特に深紫外線を使用するよう
な通常の場合には一般的に望ましいとは言い得ない。
２層フオトレジストを作る場合のレジストとしてポリシ
ランを用いることが知られている。２層レジストは基板
上に付着された平面化ポリマ層上に酸素プラズマに耐性
があるポリシランの作像層を含んでいる。レジストに作
像するとき、照射光は露光されたポリシランを光化学的
作用によつて低い分子量の材料に減成させる。光化学的
減成作用はスペクトラルブリーチング量に比例するよう
に発生し、当該スペクトラルブリーチングは従来当該技
術分野において減成度を計測するために用いられてい
る。露光されたポリシランが減成すると一般的な有機溶
剤によつてポジテイブ像を湿式現像することができる。
続いてこの像は酸素プラズマ現像によつてその下にある
ポリマ層を通じて基板に転写される。しかしながら従来
のポリシランは感度が十分ではないために所定の写像を
するためには100 〜400 〔ミリジユール／cm2〕程度の
大きい光照射を必要とし、特に深紫外線を使用するよう
な通常の場合には一般的に望ましいとは言い得ない。
【０００４】ポリシランポリマはポリマに特定の作用物
質を組み合わせることによつて光学的減成を生じさせる
方向に増感されている。「マイクロリソグラフイ材料Ａ
ＣＳシンポジウムシリーズ２６６」、第293 頁、1984年
には、１、４バイス（トリクロロメチル）ベンゼン又は
１、３、５トライス（トリクロロメチル）トライアジン
をポリシランに混合することによつて照射光上のスペク
トラルブリーチング率を増大させることが開示されてい
る。しかしながら電子産業の分野においては、レジスト
組成中に塩素化された材料を使用しないようにすること
が望まれている。
質を組み合わせることによつて光学的減成を生じさせる
方向に増感されている。「マイクロリソグラフイ材料Ａ
ＣＳシンポジウムシリーズ２６６」、第293 頁、1984年
には、１、４バイス（トリクロロメチル）ベンゼン又は
１、３、５トライス（トリクロロメチル）トライアジン
をポリシランに混合することによつて照射光上のスペク
トラルブリーチング率を増大させることが開示されてい
る。しかしながら電子産業の分野においては、レジスト
組成中に塩素化された材料を使用しないようにすること
が望まれている。
【０００５】米国特許第3,932,352 号には、ポリオレフ
インフイルムのような合成樹脂材料の光学的減成を強め
るためにＮ−ハロスクシンイミドを使用することが開示
されている。しかしながら工業化する場合には、レジス
ト組成中にハロゲン化材料の使用を回避することが望ま
しい。従つて本発明の目的は、ポリシランレジスト合成
材料に対して改善された感光材料を提供することであ
る。他の目的及び効果を以下の説明によつて明らかにす
る。
インフイルムのような合成樹脂材料の光学的減成を強め
るためにＮ−ハロスクシンイミドを使用することが開示
されている。しかしながら工業化する場合には、レジス
ト組成中にハロゲン化材料の使用を回避することが望ま
しい。従つて本発明の目的は、ポリシランレジスト合成
材料に対して改善された感光材料を提供することであ
る。他の目的及び効果を以下の説明によつて明らかにす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においてはポリアリールシラン及びスルホスク
シンイミドを有するポジテイブレジスト合成材料を提供
する。本発明の合成材料に使用して好適なスルホスクシ
ンイミドはアルキル、ハロアルキル、及びフエニルスル
ホスクシンイミドを含む。
め本発明においてはポリアリールシラン及びスルホスク
シンイミドを有するポジテイブレジスト合成材料を提供
する。本発明の合成材料に使用して好適なスルホスクシ
ンイミドはアルキル、ハロアルキル、及びフエニルスル
ホスクシンイミドを含む。
【０００７】
【作用】本発明の合成材料を用いて、ポジテイブな階調
レジスト層を発生させることができることにより、これ
を集積回路に適用できる。
レジスト層を発生させることができることにより、これ
を集積回路に適用できる。
【０００８】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。本発明はポリアリールシラン及びスルホスクシン
イミドを有するポジテイブなレジスト合成材料を提供す
る。
する。本発明はポリアリールシラン及びスルホスクシン
イミドを有するポジテイブなレジスト合成材料を提供す
る。
【０００９】本発明の合成材料に用いて好適なポリアリ
ールシランはポリ（アルキルフエニル）シラン及びポリ
（ビスフエニル）シランを含むポリフエニルシランでな
る。好適なポリ（アルキルフエニル）シランはポリ低級
アルキル（Ｃ1〜Ｃ8）フエニルシランを含み、この場合
低級アルキル置換基はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシルなどのような線状、分岐状又は環状置換基
である。ポリシランのアルキル及びフエニル置換基はそ
れぞれ例えばアルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、
又はアルコキシアルキルのような種々の置換基の１つ又
は複数と置換され得る。ポリフエニルシランの光学的減
成を妨害することなく、しかもポリフエニルシランの所
望の特性に影響を与えないような他の好適な置換基は当
業者に良く知られている。またポリナフチルシランは本
発明の合成材料に用いることができる。
ールシランはポリ（アルキルフエニル）シラン及びポリ
（ビスフエニル）シランを含むポリフエニルシランでな
る。好適なポリ（アルキルフエニル）シランはポリ低級
アルキル（Ｃ1〜Ｃ8）フエニルシランを含み、この場合
低級アルキル置換基はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシルなどのような線状、分岐状又は環状置換基
である。ポリシランのアルキル及びフエニル置換基はそ
れぞれ例えばアルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、
又はアルコキシアルキルのような種々の置換基の１つ又
は複数と置換され得る。ポリフエニルシランの光学的減
成を妨害することなく、しかもポリフエニルシランの所
望の特性に影響を与えないような他の好適な置換基は当
業者に良く知られている。またポリナフチルシランは本
発明の合成材料に用いることができる。
【００１０】好適なポリフエニルシランは例えばポリ
（エチルフエニル）シラン、ポリ（エチル−ｐ−テルト
ブチルフエニル）シラン、ポリ（ヘキシルフエニル）シ
ラン及びポリ（エチル−ｐ−メタオキシフエニル）シラ
ンのようなポリ（アルキルフエニル）シランである。
（エチルフエニル）シラン、ポリ（エチル−ｐ−テルト
ブチルフエニル）シラン、ポリ（ヘキシルフエニル）シ
ラン及びポリ（エチル−ｐ−メタオキシフエニル）シラ
ンのようなポリ（アルキルフエニル）シランである。
【００１１】ポリマは例えばナトリウムを分散させてな
るトリウムのような溶剤内に対応するアルキル／フエニ
ル−フエニルジクロロシランモノマを高い温度で混合す
ることによつて必要に応じて調製できる。ジグリムすな
わち環状エーテルを加えれば、反応量を増大することが
できるが、ポリマの分子重量を低下させるおそれがあ
る。ポリフエニルシランについて良好な分子重量は約 3
0000〜3000000 である。室温以上のガラス遷移温度を有
するポリマが処理を容易にするために選択され、高い温
度は酸素プラズマ現像の間に寸法的な安定性を与える。
るトリウムのような溶剤内に対応するアルキル／フエニ
ル−フエニルジクロロシランモノマを高い温度で混合す
ることによつて必要に応じて調製できる。ジグリムすな
わち環状エーテルを加えれば、反応量を増大することが
できるが、ポリマの分子重量を低下させるおそれがあ
る。ポリフエニルシランについて良好な分子重量は約 3
0000〜3000000 である。室温以上のガラス遷移温度を有
するポリマが処理を容易にするために選択され、高い温
度は酸素プラズマ現像の間に寸法的な安定性を与える。
【００１２】本発明の合成において使用するポリフエニ
ルシランはアルキルフエニルシリレン及びビス−アルキ
シリレンのような他のシリレン集合材料によつて形成さ
れたコポリマとし得、またこのようなコポリマを有する
合成材料は本発明の合成材料と等価であると考えられ
る。
ルシランはアルキルフエニルシリレン及びビス−アルキ
シリレンのような他のシリレン集合材料によつて形成さ
れたコポリマとし得、またこのようなコポリマを有する
合成材料は本発明の合成材料と等価であると考えられ
る。
【００１３】また本発明の合成材料はスルホスクシンイ
ミドを有する。本発明の合成材料として使用するのに好
適なスルホスクシンイミドはアルキル、ハロアルキル及
びフエニルスルホスクシンイミドを含む。好適なスルホ
スクシンイミドは次の化学式
ミドを有する。本発明の合成材料として使用するのに好
適なスルホスクシンイミドはアルキル、ハロアルキル及
びフエニルスルホスクシンイミドを含む。好適なスルホ
スクシンイミドは次の化学式
【００１４】
【化２】 を有する。ここでＲ1はアルキル、アルキニル、ハロア
ルキル又はフエニルであり、Ｒ1及びＲ3はそれぞれ水素
化物、アルキル、アルキニル、フエニルであり若しくは
Ｒ2及びＲ3は共に環状アルキル又はアルキニル又はフエ
ニルである。Ｒ1は、アルキル又はアルキニルの場合、
線状又は分岐状又は環状であり、例えばメチル、エチ
ル、又はヘキシルのような好適な低級アルキル（Ｃ1〜
Ｃ8）である。Ｒ1は、ハロアルキルの場合、例えばペル
フルオロアルキル（例えばトリフルオロメチル）のよう
なペルハロアルキルが好適である。Ｒ2及びＲ3は、個別
に又は共にアルキル又はアルキニルである場合、線状、
分岐状又は環状であり、例えばメチル、エチル、ヘキシ
ル又はノボルミランのような好適な低級アルキル又はア
ルキニル（Ｃ1〜Ｃ8）とし得る。Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、
フエニルである場合、例えばアルキル、ハロアルキル、
シアノ又はスルホスクシンイミドの光感度特性を妨害し
ない電子引抜き置換基のような適切な他の置換基と置換
し得る。本発明の合成材料に用いられるスルホスクシン
イミドは従来知られている技術によつて容易に作ること
ができる。
ルキル又はフエニルであり、Ｒ1及びＲ3はそれぞれ水素
化物、アルキル、アルキニル、フエニルであり若しくは
Ｒ2及びＲ3は共に環状アルキル又はアルキニル又はフエ
ニルである。Ｒ1は、アルキル又はアルキニルの場合、
線状又は分岐状又は環状であり、例えばメチル、エチ
ル、又はヘキシルのような好適な低級アルキル（Ｃ1〜
Ｃ8）である。Ｒ1は、ハロアルキルの場合、例えばペル
フルオロアルキル（例えばトリフルオロメチル）のよう
なペルハロアルキルが好適である。Ｒ2及びＲ3は、個別
に又は共にアルキル又はアルキニルである場合、線状、
分岐状又は環状であり、例えばメチル、エチル、ヘキシ
ル又はノボルミランのような好適な低級アルキル又はア
ルキニル（Ｃ1〜Ｃ8）とし得る。Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、
フエニルである場合、例えばアルキル、ハロアルキル、
シアノ又はスルホスクシンイミドの光感度特性を妨害し
ない電子引抜き置換基のような適切な他の置換基と置換
し得る。本発明の合成材料に用いられるスルホスクシン
イミドは従来知られている技術によつて容易に作ること
ができる。
【００１５】本発明の合成材料はポリフエニルシランを
スルホスクシンイミドと混合することによつて容易に調
製することができる。通常合成材料はポリフエニルシラ
ンを約88〜97〔モル％〕（単位モノマの分子重量に基づ
いて）有すると共に、スルホスクシンイミドを約３〜12
〔モル％〕、好ましくは約８〔モル％〕含む。
スルホスクシンイミドと混合することによつて容易に調
製することができる。通常合成材料はポリフエニルシラ
ンを約88〜97〔モル％〕（単位モノマの分子重量に基づ
いて）有すると共に、スルホスクシンイミドを約３〜12
〔モル％〕、好ましくは約８〔モル％〕含む。
【００１６】フイルム内にポジテイブな階調レジスト像
を発生するための本発明による処理工程は、（ａ）ポリ
フエニルシラン及びスルホスクシンイミドでなるフイル
ムを形成するステツプと、（ｂ）フイルムを照射光に像
露出するステツプと、（ｃ）例えば有機溶剤によつて処
理することにより従来知られている技術によつて像を現
像するステツプとを有する。薄いフイルムは基板又は望
ましくは２層レジストの上部層に直接付着される。
を発生するための本発明による処理工程は、（ａ）ポリ
フエニルシラン及びスルホスクシンイミドでなるフイル
ムを形成するステツプと、（ｂ）フイルムを照射光に像
露出するステツプと、（ｃ）例えば有機溶剤によつて処
理することにより従来知られている技術によつて像を現
像するステツプとを有する。薄いフイルムは基板又は望
ましくは２層レジストの上部層に直接付着される。
【００１７】本発明による製造プロセスの第１のステツ
プは２層レジストのうち平面化された底部ポリマ層上に
又は基板上にフイルムを形成するステツプを含む。好適
な基板はシリコン、セラミツクス、ガラス、石英又はこ
れに類する材料を含む。フイルムは例えばスピン又はス
プレーコーテイング若しくはドクターブレードを用いて
形成され得る。
プは２層レジストのうち平面化された底部ポリマ層上に
又は基板上にフイルムを形成するステツプを含む。好適
な基板はシリコン、セラミツクス、ガラス、石英又はこ
れに類する材料を含む。フイルムは例えばスピン又はス
プレーコーテイング若しくはドクターブレードを用いて
形成され得る。
【００１８】製造プロセスの第２のステツプにおいて、
フイルムは約 200〜500 〔nm〕望ましくは 200〜300
〔nm〕の波長を有する電磁照射光に写像するように露出
される。望ましい照射光源は例えば水銀、重水素又はエ
キシマレーザ光源のような種々のアークランプを含む。
照射光はポリフエニルシランを光学的に減成させて有機
溶剤に溶ける低分子量片にする。スルホスクシンイミド
はポリフエニルシランの光学的な減成を加速させること
により、光学的減成を一段と急速にさせると共に、ポリ
フエニルシランを一段と小さい照射光線量によつて低級
分子量物質に減成させることができる。またスルホスク
シンイミドは例えば深紫外線のような比較的短い波長で
容易に光学的減成をする。
フイルムは約 200〜500 〔nm〕望ましくは 200〜300
〔nm〕の波長を有する電磁照射光に写像するように露出
される。望ましい照射光源は例えば水銀、重水素又はエ
キシマレーザ光源のような種々のアークランプを含む。
照射光はポリフエニルシランを光学的に減成させて有機
溶剤に溶ける低分子量片にする。スルホスクシンイミド
はポリフエニルシランの光学的な減成を加速させること
により、光学的減成を一段と急速にさせると共に、ポリ
フエニルシランを一段と小さい照射光線量によつて低級
分子量物質に減成させることができる。またスルホスク
シンイミドは例えば深紫外線のような比較的短い波長で
容易に光学的減成をする。
【００１９】第３のステツプは像の現像を含む。好適な
現像は、例えばトルエン−シクロヘキサノール、ｔ−ブ
チルアセテート−イソプロパノール、ｎ−ブチルアセテ
ート−イソプロパノール及び従来から用いられている他
の同様の混合液のような有機溶剤混合液を用いてなされ
得る。
現像は、例えばトルエン−シクロヘキサノール、ｔ−ブ
チルアセテート−イソプロパノール、ｎ−ブチルアセテ
ート−イソプロパノール及び従来から用いられている他
の同様の混合液のような有機溶剤混合液を用いてなされ
得る。
【００２０】本発明の好適な製造プロセスは２重レジス
ト層を含むと共に、（ａ）基板を平面化ポリマ層によつ
てコーテイングするステツプと、（ｂ）ポリマ層をポリ
フエニルシラン及びスルホスクシンイミドでなるフイル
ムによつてコーテイングするステツプと、（ｃ）フイル
ムを照射光に像転写するように露出するステツプと、
（ｄ）例えば有機溶剤を用いて処理することによつて従
来周知の技術により像をフイルム内に現像するステツプ
と、（ｅ）例えば酸素プラズマ現像例えばＯ2−ＲＩＥ
のような従来周知の技術によつて像をポリマを介して基
板に転写するステツプとを有する。好適な平面化ポリマ
は強く焼成したジアゾナフトキノンノバラツク、ポリイ
ミド、ポリエステル、ポリアクリレートなどを含む。コ
ーテイングプロセスの間に現像層が平面化層と混合しな
いことが望ましい。
ト層を含むと共に、（ａ）基板を平面化ポリマ層によつ
てコーテイングするステツプと、（ｂ）ポリマ層をポリ
フエニルシラン及びスルホスクシンイミドでなるフイル
ムによつてコーテイングするステツプと、（ｃ）フイル
ムを照射光に像転写するように露出するステツプと、
（ｄ）例えば有機溶剤を用いて処理することによつて従
来周知の技術により像をフイルム内に現像するステツプ
と、（ｅ）例えば酸素プラズマ現像例えばＯ2−ＲＩＥ
のような従来周知の技術によつて像をポリマを介して基
板に転写するステツプとを有する。好適な平面化ポリマ
は強く焼成したジアゾナフトキノンノバラツク、ポリイ
ミド、ポリエステル、ポリアクリレートなどを含む。コ
ーテイングプロセスの間に現像層が平面化層と混合しな
いことが望ましい。
【００２１】また本発明は集積回路について、当該集積
回路は、（ａ）非導通基板上にポリフエニルシラン及び
スルホスクシンイミドからなるフイルムを形成するステ
ツプと、（ｂ）フイルムを照射光に写像するように露出
するステツプと、（ｃ）従来知られた技術によつて基板
上に像を現像するステツプと、（ｄ）従来知られた技術
によつて基板上に現像されたフイルム内に回路を形成す
るステツプとによつて作られる。望ましくは２層レジス
ト内に回路を形成する。
回路は、（ａ）非導通基板上にポリフエニルシラン及び
スルホスクシンイミドからなるフイルムを形成するステ
ツプと、（ｂ）フイルムを照射光に写像するように露出
するステツプと、（ｃ）従来知られた技術によつて基板
上に像を現像するステツプと、（ｄ）従来知られた技術
によつて基板上に現像されたフイルム内に回路を形成す
るステツプとによつて作られる。望ましくは２層レジス
ト内に回路を形成する。
【００２２】２層レジストにおいて、ポリフエニルシラ
ン内の像は例えば酸素プラズマ現像のような従来知られ
た技術によつて下側にある平面化ポリマ層を通じて基板
に転写される。基板が露出された後回路パターンは、例
えば蒸着、スパツタリング、化学的蒸気付着又はレーザ
有機付着のような従来知られている技術によつて基板を
例えば導電性金属のような導電性材料によつてコーテイ
ングすることにより露出された領域に形成される。また
回路を作つているプロセスの間に誘電体材料が同様の手
段によつて付着される。例えばホウ素、リン又はヒ素の
ような非有機イオンがｐ又はｎ型ドープ回路トランジス
タを作るプロセスの間に基板内に注入される。回路を作
る他の手段は当該技術分野において良く知られている。
ン内の像は例えば酸素プラズマ現像のような従来知られ
た技術によつて下側にある平面化ポリマ層を通じて基板
に転写される。基板が露出された後回路パターンは、例
えば蒸着、スパツタリング、化学的蒸気付着又はレーザ
有機付着のような従来知られている技術によつて基板を
例えば導電性金属のような導電性材料によつてコーテイ
ングすることにより露出された領域に形成される。また
回路を作つているプロセスの間に誘電体材料が同様の手
段によつて付着される。例えばホウ素、リン又はヒ素の
ような非有機イオンがｐ又はｎ型ドープ回路トランジス
タを作るプロセスの間に基板内に注入される。回路を作
る他の手段は当該技術分野において良く知られている。
【００２３】次の実施例は本発明の合成材料を調製及び
使用する方法を詳細に説明している。詳細な調製は上述
の一段と一般的な調製方法の説明の範囲内についてなさ
れており、かつ例示説明をするために役立つ。実施例は
例示の目的だけのために示されておりかつ本発明の範囲
を制限する意図はない。すべての温度は摂氏で表され
る。
使用する方法を詳細に説明している。詳細な調製は上述
の一段と一般的な調製方法の説明の範囲内についてなさ
れており、かつ例示説明をするために役立つ。実施例は
例示の目的だけのために示されておりかつ本発明の範囲
を制限する意図はない。すべての温度は摂氏で表され
る。
【００２４】実施例１（合成例） （１）ポリ（エチルフエニルシラン） 凝縮器、アルゴン入口、取付型ロト管及びテフロンの機
械的攪拌機を有する正常で乾いた500 〔mL〕の容積をも
つ平らな底の樹脂フラスコに、55〔mL〕のトルエン及び
2.0 〔ｇ〕のナトリウム（ 0.087〔モル〕）を充填し
た。混合液は貫流されかつ1800〔rpm 〕の回転速度で45
分間攪拌されることにより均一化された。室温にまで冷
却された後、さらに25〔mL〕以上のトルエンが加えら
れ、混合液はオイルバス内において65〔℃〕にまで加熱
された。トルエン内に、8.7 〔ｇ〕のエチルフエニルジ
クロロシラン（ 0.087〔モル〕）の50パーセント（容
積）の溶剤が、攪拌されている（ 600〔rpm 〕で）状態
において、ほぼ10分間の間に滴下方法によつて加えら
れ、これにより粘性がありかつ紫色の反応混合液を生成
した。イソプロパノールを用いてクエンチングすること
により1.16〔ｇ〕（20〔％〕収量）の無色の固体を作る
ことにより得たポリ（エチルフエニルシラン）は、分子
重量Ｍが9.2 ×105〔Daltons 〕、ＣＨＳｉに対する分
析結果はＣが71.57、Ｈが7.51、Ｓｉが20.92 であり、
基礎構成はＣが71.47、Ｈが7.45、Ｓｉが20.91である。
械的攪拌機を有する正常で乾いた500 〔mL〕の容積をも
つ平らな底の樹脂フラスコに、55〔mL〕のトルエン及び
2.0 〔ｇ〕のナトリウム（ 0.087〔モル〕）を充填し
た。混合液は貫流されかつ1800〔rpm 〕の回転速度で45
分間攪拌されることにより均一化された。室温にまで冷
却された後、さらに25〔mL〕以上のトルエンが加えら
れ、混合液はオイルバス内において65〔℃〕にまで加熱
された。トルエン内に、8.7 〔ｇ〕のエチルフエニルジ
クロロシラン（ 0.087〔モル〕）の50パーセント（容
積）の溶剤が、攪拌されている（ 600〔rpm 〕で）状態
において、ほぼ10分間の間に滴下方法によつて加えら
れ、これにより粘性がありかつ紫色の反応混合液を生成
した。イソプロパノールを用いてクエンチングすること
により1.16〔ｇ〕（20〔％〕収量）の無色の固体を作る
ことにより得たポリ（エチルフエニルシラン）は、分子
重量Ｍが9.2 ×105〔Daltons 〕、ＣＨＳｉに対する分
析結果はＣが71.57、Ｈが7.51、Ｓｉが20.92 であり、
基礎構成はＣが71.47、Ｈが7.45、Ｓｉが20.91である。
【００２５】（２）Ｎ−（トリフルオロメチルスルフオ
ンオキシ）フエタルイミド「ＰＩＴ」 容積が 500〔mL〕で、取付ロト管、サーモカツプル、空
気入口及び上部攪拌機を装着した４ネツク型直径５Ｌで
底が丸型のフラスコに、372 〔ｇ〕（2.28〔モル〕）の
Ｎ−ハイドロオキシフエタルイミドと、2500〔mL〕のＣ
ＨＣｌ3を加えた。検濁液は氷内で５℃に冷却され、643
〔ｇ〕（2.28〔モル〕）の微小なアニドライドが10分
間に亘つて取付型ロト管を介して手際良く加えられ、続
いてチエーサとして 150〔mL〕のＣＨＣｌ3が加えられ
た。続いて取付型ロト管に、ＣＨＣｌによつて500 〔m
L〕に稀釈された180.4 〔ｇ〕のピリジンを満たした
後、温度が10〔℃〕以下（２時間）になるような速度で
滴下するように加えられた。ピリジンが過剰になると僅
かに発熱すると共に色が変化した。その後検濁液は500
〔mL〕のＣＨＣｌと共に室温に到達し、水によつて洗浄
された４×500 〔mL〕の溶液になる。続いて80〔ｇ〕の
脱色炭によつて濾過処理されたＭｇＳＯ4上において１
時間の間攪拌されながら水溶液が乾燥された。15分攪拌
した後、セライト（Celite）パツドによつて濾過されて
濾過液が回転蒸発器によつて40〔℃〕（30mmHg）によつ
て蒸発される。蒸発残留物は3500〔mL〕の沸騰シクロヘ
キサン内に取り込まれ、高い温度で濾過され、その結果
一夜で536 〔ｇ〕（80〔％〕）の白いブレーク状で、溶
解点が100.5 〜103 〔℃〕の結晶が得られた。
ンオキシ）フエタルイミド「ＰＩＴ」 容積が 500〔mL〕で、取付ロト管、サーモカツプル、空
気入口及び上部攪拌機を装着した４ネツク型直径５Ｌで
底が丸型のフラスコに、372 〔ｇ〕（2.28〔モル〕）の
Ｎ−ハイドロオキシフエタルイミドと、2500〔mL〕のＣ
ＨＣｌ3を加えた。検濁液は氷内で５℃に冷却され、643
〔ｇ〕（2.28〔モル〕）の微小なアニドライドが10分
間に亘つて取付型ロト管を介して手際良く加えられ、続
いてチエーサとして 150〔mL〕のＣＨＣｌ3が加えられ
た。続いて取付型ロト管に、ＣＨＣｌによつて500 〔m
L〕に稀釈された180.4 〔ｇ〕のピリジンを満たした
後、温度が10〔℃〕以下（２時間）になるような速度で
滴下するように加えられた。ピリジンが過剰になると僅
かに発熱すると共に色が変化した。その後検濁液は500
〔mL〕のＣＨＣｌと共に室温に到達し、水によつて洗浄
された４×500 〔mL〕の溶液になる。続いて80〔ｇ〕の
脱色炭によつて濾過処理されたＭｇＳＯ4上において１
時間の間攪拌されながら水溶液が乾燥された。15分攪拌
した後、セライト（Celite）パツドによつて濾過されて
濾過液が回転蒸発器によつて40〔℃〕（30mmHg）によつ
て蒸発される。蒸発残留物は3500〔mL〕の沸騰シクロヘ
キサン内に取り込まれ、高い温度で濾過され、その結果
一夜で536 〔ｇ〕（80〔％〕）の白いブレーク状で、溶
解点が100.5 〜103 〔℃〕の結晶が得られた。
【００２６】実施例２ （１）ＰＩＴ及びｐ−メチルフエニル−スルフオンオキ
シフタルイミド「ＰＩＴ−Ｔｏｓ」から選択されたスル
フオスクシンイミドを約10〔モル％〕もつた又はもたな
いポリメチルフエニルシラン「ＰＭＰＳ」のフイルム
（1.2 〜0.5 〔ミクロン〕）が石英基板上にスピンコー
トされた。フイルムは 254〔nm〕の照射光を12〜96〔ミ
リジユール／cm2〕で照射されてダイオードアレイ紫外
線可視スペクトロメータによつて波長λで測定された。
その測定結果は第１表
シフタルイミド「ＰＩＴ−Ｔｏｓ」から選択されたスル
フオスクシンイミドを約10〔モル％〕もつた又はもたな
いポリメチルフエニルシラン「ＰＭＰＳ」のフイルム
（1.2 〜0.5 〔ミクロン〕）が石英基板上にスピンコー
トされた。フイルムは 254〔nm〕の照射光を12〜96〔ミ
リジユール／cm2〕で照射されてダイオードアレイ紫外
線可視スペクトロメータによつて波長λで測定された。
その測定結果は第１表
【表１】 の通りである。
【００２７】（２）ＰＩＴをもつ又はもたないポリメチ
ルフエニルシラン及びポリ（エチル−ｔ−ブチルフエニ
ル）シランのフイルムがシリコンウエハ上にスピンコー
テイングされた。続いてフイルムは 254〔nm〕の照射光
を照射線量を変更しながら露出した後、ｔ−ブチルアセ
テート／イソプロピルアルコール30／70混合液に浸漬す
ることによつて現像された。ノーマライジングされたフ
イルムの厚さ残量によつて測定された場合の減成の程度
は、図１（ＰＩＴをもつ場合ともたない場合のポリメチ
ルフエニルシランについて）及び図２（ＰＩＴをもつ場
合ともたない場合のポリ（エチル−ｔ−ブチルフエニ
ル）シランについて）の感度対照曲線を得るように照射
線量の対数関数としてプロツトされた。
ルフエニルシラン及びポリ（エチル−ｔ−ブチルフエニ
ル）シランのフイルムがシリコンウエハ上にスピンコー
テイングされた。続いてフイルムは 254〔nm〕の照射光
を照射線量を変更しながら露出した後、ｔ−ブチルアセ
テート／イソプロピルアルコール30／70混合液に浸漬す
ることによつて現像された。ノーマライジングされたフ
イルムの厚さ残量によつて測定された場合の減成の程度
は、図１（ＰＩＴをもつ場合ともたない場合のポリメチ
ルフエニルシランについて）及び図２（ＰＩＴをもつ場
合ともたない場合のポリ（エチル−ｔ−ブチルフエニ
ル）シランについて）の感度対照曲線を得るように照射
線量の対数関数としてプロツトされた。
【００２８】上述においては本発明を特徴的な実施例に
ついて述べたが、その詳細は本発明を制限するものと考
えるべきではないことは、本発明の精神及び範囲から逸
脱することなく種々の実施例、変更例及び変形例が開示
され得ることから明らかであり、このような等価な実施
例は本発明の範囲に含むことを意図していると理解すべ
きである。
ついて述べたが、その詳細は本発明を制限するものと考
えるべきではないことは、本発明の精神及び範囲から逸
脱することなく種々の実施例、変更例及び変形例が開示
され得ることから明らかであり、このような等価な実施
例は本発明の範囲に含むことを意図していると理解すべ
きである。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、光学的感
度が良好なポジテイブレジスト合成材料を容易に製造す
ることができる。
度が良好なポジテイブレジスト合成材料を容易に製造す
ることができる。
【図１】図１は本発明によるポジテイブレジスト合成材
料の実験結果を示す曲線図である。
料の実験結果を示す曲線図である。
【図２】図２は他の実施例の実験結果を示す曲線図であ
る。
る。
フロントページの続き (72)発明者 ロバート・デニス・ミラー アメリカ合衆国、カリフオルニア州 95120、サン・ジヨセ、タム・オシヤン ター・ドライブ 6614番地 (72)発明者 グレゴリー・マイケル・ウオールラフ アメリカ合衆国、カリフオルニア州 95037、モーガン・ヒル、デル・モン テ・アベニユ 16925番地 (56)参考文献 特開 昭60−228542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−184746（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−206458（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−166544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−260947（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】（Ａ）基板上に平坦なポリマ層を形成する
ステップと、 （Ｂ）上記ポリマ層上にポリフエニルシラン及びスルホ
スクシンイミドからなるフイルムを形成するステツプ
と、 （Ｃ）上記フイルムを２００乃至３００ｎｍの波長の照
射光に像露出するステツプと、 （Ｄ）上記フイルム中に像を現像するステツプと、 （Ｅ）上記現像されたフィルムを通してプラズマ現像に
より上記ポリマ層に像を現像するステップと、 を具え、フイルムおよびポリマ層にポジテイブ階調のレ
ジスト像を発生するポジテイブレジスト像形成方法。 - 【請求項２】上記スルホスクシンイミドは、アルキルス
ルホスクシンイミド、ハロアルキルスルホスクシンイミ
ド又はフエニルスルホスクシンイミドであることを特徴
とする請求項１に記載のポジテイブレジスト像形成方
法。 - 【請求項３】上記スルホスクシンイミドは次の化学式 【化１】 を有し、Ｒ1はアルキル、アルキニル、ハロアルキル又
はフエニルであり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ水素化物、ア
ルキル、アルキニル、フエニルであり若しくはＲ2及び
Ｒ3は共に環状アルキル又はアルキニル又はフエニルで
あることを特徴とする請求項１に記載のポジテイブレジ
スト像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/664,260 US5204226A (en) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Photosensitizers for polysilanes |
| US07/664260 | 1991-03-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134416A JPH05134416A (ja) | 1993-05-28 |
| JP2713322B2 true JP2713322B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=24665283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4047838A Expired - Lifetime JP2713322B2 (ja) | 1991-03-04 | 1992-02-03 | ポジテイブレジスト像形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204226A (ja) |
| EP (1) | EP0502677A1 (ja) |
| JP (1) | JP2713322B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
| KR950002875B1 (ko) * | 1991-07-08 | 1995-03-27 | 가부시키가이샤 도시바 | 감광성 조성물 |
| US5866304A (en) * | 1993-12-28 | 1999-02-02 | Nec Corporation | Photosensitive resin and method for patterning by use of the same |
| JP2715881B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
| JP2776273B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | ビニル基を有する単量体 |
| EP0709410A3 (en) | 1994-10-26 | 1997-03-26 | Ocg Microelectronic Materials | Polymers |
| JP2856116B2 (ja) * | 1995-01-26 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2845225B2 (ja) * | 1995-12-11 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
| JP2907144B2 (ja) * | 1995-12-11 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 酸誘導体化合物、高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
| US6030747A (en) * | 1997-03-07 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask |
| US5985524A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-16 | International Business Machines Incorporated | Process for using bilayer photoresist |
| JP2943759B2 (ja) | 1997-04-16 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | （メタ）アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| US6106998A (en) * | 1997-06-19 | 2000-08-22 | Nec Corporation | Negative resist materials, pattern formation method making use thereof, and method of manufacturing semiconductor devices |
| WO2000001684A1 (fr) | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Derives de (meth)acrylate porteurs d'une structure lactone, compositions polymeres et photoresists et procede de formation de modeles a l'aide de ceux-ci |
| JP3589160B2 (ja) | 2000-07-07 | 2004-11-17 | 日本電気株式会社 | レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US6589711B1 (en) | 2001-04-04 | 2003-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual inlaid process using a bilayer resist |
| US6458691B1 (en) | 2001-04-04 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual inlaid process using an imaging layer to protect via from poisoning |
| JP3642316B2 (ja) | 2001-06-15 | 2005-04-27 | 日本電気株式会社 | 化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法 |
| JP2003034705A (ja) | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Nec Corp | フッ素含有フェニルマレイミド誘導体、重合体、化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US20030149052A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-08-07 | Memory Pharmaceuticals Corp. | Phosphodiesterase 4 inhibitors |
| BR0313000A (pt) | 2002-07-19 | 2005-07-12 | Memory Pharm Corp | Compostos, composição farmacêutica e método para efetuar a inibição da enzima pde4, realçar a cognição e/ou tratar a psicose em um paciente |
| EP1888528A2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-02-20 | Memory Pharmaceuticals Corporation | Phosphodiesterase 4 inhibitors |
| US20100029689A1 (en) * | 2008-07-02 | 2010-02-04 | Memory Pharmaceuticals Corporation | Phosphodiesterase 4 inhibitors |
| US8158338B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-04-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist sensitizer |
| US8323866B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Inorganic resist sensitizer |
| WO2010005428A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Massachusetts Institute Of Technology (Mit) | Resist sensitizer |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3163534A (en) * | 1961-03-13 | 1964-12-29 | Harris Intertype Corp | Lithographic plate including a hydrophilic barrier layer comprising a silane, an acrylic compound, and an organic metal ester |
| US3767628A (en) * | 1969-06-23 | 1973-10-23 | Goodyear Tire & Rubber | Age resisters and age resistant polymeric compositions |
| JPS5113013B2 (ja) * | 1972-05-31 | 1976-04-24 | ||
| US3932352A (en) * | 1974-03-22 | 1976-01-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | Photodegradable plastic composition containing a N-halo imide |
| US4009324A (en) * | 1975-05-30 | 1977-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | Photodegradable polyolefin composition containing an N-halo lactam |
| US4069054A (en) * | 1975-09-02 | 1978-01-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photopolymerizable composition containing a sensitized aromatic sulfonium compound and a cationacally polymerizable monomer |
| US4289845A (en) * | 1978-05-22 | 1981-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Fabrication based on radiation sensitive resists and related products |
| DE3470103D1 (en) * | 1983-06-24 | 1988-04-28 | Hitachi Ltd | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material |
| US4588801A (en) * | 1984-04-05 | 1986-05-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Polysilane positive photoresist materials and methods for their use |
| US4587205A (en) * | 1984-04-05 | 1986-05-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of using polysilane positive photoresist materials |
| GB8413395D0 (en) * | 1984-05-25 | 1984-07-04 | Ciba Geigy Ag | Production of images |
| JP2525568B2 (ja) * | 1985-01-18 | 1996-08-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
| US4639480A (en) * | 1985-05-17 | 1987-01-27 | Monsanto Company | Polyester compositions containing a phthalimide |
| GB8512998D0 (en) * | 1985-05-22 | 1985-06-26 | Ciba Geigy Ag | Production of images |
| JPS6299746A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | フオトレジスト組成物 |
| JPS62212646A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Nec Corp | 感光性組成物 |
| JPS62222247A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型フオトレジスト材料 |
| JPS62226147A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型レジスト材料 |
| JP2547626B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1996-10-23 | 富士写真フイルム株式会社 | モノマーの製造方法 |
| DE69027799T2 (de) * | 1989-03-14 | 1997-01-23 | Ibm | Chemisch amplifizierter Photolack |
-
1991
- 1991-03-04 US US07/664,260 patent/US5204226A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-03 JP JP4047838A patent/JP2713322B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-02 EP EP92301771A patent/EP0502677A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0502677A1 (en) | 1992-09-09 |
| JPH05134416A (ja) | 1993-05-28 |
| US5204226A (en) | 1993-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2713322B2 (ja) | ポジテイブレジスト像形成方法 | |
| KR101197526B1 (ko) | 마이크로전자 장치에 사용하기 위한 유기 실리케이트 수지조성물 | |
| US4521274A (en) | Bilevel resist | |
| JP2003043682A (ja) | 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法 | |
| JP2015507218A (ja) | リソグラフィ用途のための近赤外線吸収フィルム組成物およびこの組成物を用いたパターン形成方法 | |
| US4544729A (en) | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material | |
| US5866306A (en) | Process for use of photosensitive polysilanes as photoresist | |
| US4701342A (en) | Negative resist with oxygen plasma resistance | |
| WO1996008127A1 (fr) | Procede de fabrication d'un circuit electronique | |
| KR100493855B1 (ko) | 실록산계 수지 및 이를 이용한 저유전성 패턴막의 형성방법 | |
| JP2662141B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
| JPH05216237A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
| KR102521626B1 (ko) | 주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| JP2733131B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2938199B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂 | |
| KR102522001B1 (ko) | 클러스터 화합물 또는 이의 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| JP2004191993A (ja) | コンジュゲートポリマーパターン形成用組成物およびこれを用いるパターン形成方法 | |
| JP3563138B2 (ja) | 感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法 | |
| JP2628597B2 (ja) | シリコーン化合物 | |
| JP4341337B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び樹脂層の形成方法 | |
| RU2118964C1 (ru) | Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана | |
| JPS63113021A (ja) | ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物 | |
| JPH07152156A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPS62127737A (ja) | 現像液 | |
| JP2856916B2 (ja) | 電子回路の形成方法 |