JP2856116B2 - ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C07C2603/68—Dicyclopentadienes; Hydrogenated dicyclopentadienes
Description
【０００１】
【発明が属する技術の分野】本発明は、半導体製造プロ
セスにおけるフォトリソグラフィー工程に関し、特に波
長が２２０nm以下の遠紫外線を露光光とするリソグラフ
ィーに好適なフォトレジスト組成物に関するものであ
る。
セスにおけるフォトリソグラフィー工程に関し、特に波
長が２２０nm以下の遠紫外線を露光光とするリソグラフ
ィーに好適なフォトレジスト組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスに代表される各種電子デ
バイスの製造の分野では、デバイスの高密度、高集積化
への要求がますます高まっており、これらの要求を満た
すにはパターンの微細化が必須となってきている。この
ような状況からフォトリソグラフィー技術に対する要求
がますます厳しくなっている。
バイスの製造の分野では、デバイスの高密度、高集積化
への要求がますます高まっており、これらの要求を満た
すにはパターンの微細化が必須となってきている。この
ような状況からフォトリソグラフィー技術に対する要求
がますます厳しくなっている。
【０００３】パターンの微細化を図る手段の一つとして
は、レジストパターン形成の際に使用する露光光を短波
長化する方法があり、２５６Ｍビット（加工寸法が０．
２５μm 以下）ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリー）の量産プロセスには、露光光源とし
てｉ線（波長＝３６５nm）に変わりより短波長のＫｒＦ
エキシマレーザ（波長＝２４８nm）の利用が現在積極的
に検討されている。しかし、更に微細な加工技術（加工
寸法が０．２μm 以下）を必要とする集積度１Ｇ以上の
ＤＲＡＭの製造には、より短波長の光源が必要とされ、
特にＡｒＦエキシマレーザ（波長＝１９３nm）を用いた
フォトリソグラフィーが最近検討されてきている。
は、レジストパターン形成の際に使用する露光光を短波
長化する方法があり、２５６Ｍビット（加工寸法が０．
２５μm 以下）ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリー）の量産プロセスには、露光光源とし
てｉ線（波長＝３６５nm）に変わりより短波長のＫｒＦ
エキシマレーザ（波長＝２４８nm）の利用が現在積極的
に検討されている。しかし、更に微細な加工技術（加工
寸法が０．２μm 以下）を必要とする集積度１Ｇ以上の
ＤＲＡＭの製造には、より短波長の光源が必要とされ、
特にＡｒＦエキシマレーザ（波長＝１９３nm）を用いた
フォトリソグラフィーが最近検討されてきている。
【０００４】更に、微細加工に用いられるレジスト材料
には、加工寸法の微細化に対応する高解像性に加え、高
感度化の要求も高まってきている。これは、光源に高価
なエキシマレーザを使用するためコストパフォーマンス
の向上を実現する必要があるためである。レジストの高
感度化の方法として、感光剤に光酸発生剤を利用した化
学増幅型レジストが良く知られており、たとえば代表的
な例としては、特開平２−２７６６０号公報には、トリ
フェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアーセナートと
ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−
メチルスチレン）の組み合わせからなるレジストが記載
されている。化学増幅型レジストは現在ＫｒＦエキシマ
レーザ用レジストとして詳細に検討されている［例え
ば、ヒロシイトー、Ｃ．グラントウイルソン（Ｃ．Ｇｒ
ａｎｔｗｉｌｓｏｎ）、アメリカン・ケミカル・ソサイ
アテイ・シンポジウム・シリーズ（Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍ Ｓｅｒｉｅｓ）２４２巻、１１頁〜２３頁（１９８
４年）］。化学増幅型レジストの特徴は、感光剤（一般
に光酸発生剤と呼ばれる）が露光されることにより発生
するプロトン酸を、露光後の加熱処理によりレジスト固
相内を移動させ、当該酸によりレジスト樹脂などの化学
変化を触媒反応的に数百倍〜数千倍にも増幅させること
である。このようにして光反応効率（一光子あたりの反
応）が１未満の従来のレジストに比べて飛躍的な高感度
化を達成している。現在では開発されるレジストの大半
が化学増幅型であり、露光光源の短波長化に対応した高
感度材料の開発には、化学増幅機構の採用が必須となっ
ている。
には、加工寸法の微細化に対応する高解像性に加え、高
感度化の要求も高まってきている。これは、光源に高価
なエキシマレーザを使用するためコストパフォーマンス
の向上を実現する必要があるためである。レジストの高
感度化の方法として、感光剤に光酸発生剤を利用した化
学増幅型レジストが良く知られており、たとえば代表的
な例としては、特開平２−２７６６０号公報には、トリ
フェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアーセナートと
ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−
メチルスチレン）の組み合わせからなるレジストが記載
されている。化学増幅型レジストは現在ＫｒＦエキシマ
レーザ用レジストとして詳細に検討されている［例え
ば、ヒロシイトー、Ｃ．グラントウイルソン（Ｃ．Ｇｒ
ａｎｔｗｉｌｓｏｎ）、アメリカン・ケミカル・ソサイ
アテイ・シンポジウム・シリーズ（Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍ Ｓｅｒｉｅｓ）２４２巻、１１頁〜２３頁（１９８
４年）］。化学増幅型レジストの特徴は、感光剤（一般
に光酸発生剤と呼ばれる）が露光されることにより発生
するプロトン酸を、露光後の加熱処理によりレジスト固
相内を移動させ、当該酸によりレジスト樹脂などの化学
変化を触媒反応的に数百倍〜数千倍にも増幅させること
である。このようにして光反応効率（一光子あたりの反
応）が１未満の従来のレジストに比べて飛躍的な高感度
化を達成している。現在では開発されるレジストの大半
が化学増幅型であり、露光光源の短波長化に対応した高
感度材料の開発には、化学増幅機構の採用が必須となっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡｒＦエキシ
マレーザに代表される２２０nm以下の短波長光を用いた
リソグラフィーの場合、微細パターンを形成するための
フォトレジストには従来の材料では満足できない新たな
特性が要求される。
マレーザに代表される２２０nm以下の短波長光を用いた
リソグラフィーの場合、微細パターンを形成するための
フォトレジストには従来の材料では満足できない新たな
特性が要求される。
【０００６】即ち、感光剤（光酸発生剤）に関しては、 （１）２２０nm以下の露光光に対する高透明性 （２）露光光に対する高光反応性（光酸発生能） が要求されている。
【０００７】これらの要件を満足する新規な光酸発生剤
を発明者らは既に開発した（特開平７−２５８４６号公
報、特開平７−２８２３７号公報、特願平６−１６２２
４４号）。
を発明者らは既に開発した（特開平７−２５８４６号公
報、特開平７−２８２３７号公報、特願平６−１６２２
４４号）。
【０００８】更に樹脂成分に関しては、 （１）２２０nm以下の露光光に対する高透明性 （２）エッチング耐性 が必要とされている。
【０００９】ｇ線（４３６nm）、ｉ線（３６５nm）、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（２４８nm）を用いる従来のリソグ
ラフィーにおいては、フォトレジスト組成物の樹脂成分
はノボラック樹脂あるいはポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）など構造単位中に芳香環を有する樹脂が利用されて
おり、この芳香環のドライエッチング耐性により樹脂の
エッチング耐性を維持できた。しかし、２２０nm以下の
波長については芳香環による光吸収が極めて強く、この
ためこれら従来樹脂をそのまま２２０nm以下の短波長光
を用いたフォトリソグラフィーには適用できない（即
ち、レジストも表面で大部分の露光光が吸収され、露光
光が基板まで達しないため微細なレジストパターン形成
が出来ない。［笹子ら、”ＡｒＦエキシマレーザリソグ
ラフィー（３）−レジスト評価−”、第３５回応用物理
学会関係連合講演会講演予稿集、１ｐ−Ｋ−４（１９８
９）］）。従って、芳香環を含まず且つエッチング耐性
を有する樹脂材料が切望されている。
ｒＦエキシマレーザ（２４８nm）を用いる従来のリソグ
ラフィーにおいては、フォトレジスト組成物の樹脂成分
はノボラック樹脂あるいはポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）など構造単位中に芳香環を有する樹脂が利用されて
おり、この芳香環のドライエッチング耐性により樹脂の
エッチング耐性を維持できた。しかし、２２０nm以下の
波長については芳香環による光吸収が極めて強く、この
ためこれら従来樹脂をそのまま２２０nm以下の短波長光
を用いたフォトリソグラフィーには適用できない（即
ち、レジストも表面で大部分の露光光が吸収され、露光
光が基板まで達しないため微細なレジストパターン形成
が出来ない。［笹子ら、”ＡｒＦエキシマレーザリソグ
ラフィー（３）−レジスト評価−”、第３５回応用物理
学会関係連合講演会講演予稿集、１ｐ−Ｋ−４（１９８
９）］）。従って、芳香環を含まず且つエッチング耐性
を有する樹脂材料が切望されている。
【００１０】ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３nm）に対
し透明性を持ち、なおかつドライエッチング耐性を持つ
高分子化合物として、脂環族高分子であるアダマンチル
メタクリレート単位を持つ共重合体［高橋ら、ジャーナ
ル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テク
ノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙ
ｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）、７巻（１号）、３１頁〜４０頁（１９９４年）、
および特開平５−２６５２１２号公報］、あるいは、イ
ソボルニルメタクリレート単位を持つ共重合体［Ｒ．
Ｄ．アレン（Ｒ．Ｄ．Ａｌｌｅｎ）ら、ジャーナル・オ
ブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジ
ー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ
Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、
８巻（４号）、６２３頁〜６３６頁（１９９５年）］が
提案されている。
し透明性を持ち、なおかつドライエッチング耐性を持つ
高分子化合物として、脂環族高分子であるアダマンチル
メタクリレート単位を持つ共重合体［高橋ら、ジャーナ
ル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テク
ノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙ
ｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）、７巻（１号）、３１頁〜４０頁（１９９４年）、
および特開平５−２６５２１２号公報］、あるいは、イ
ソボルニルメタクリレート単位を持つ共重合体［Ｒ．
Ｄ．アレン（Ｒ．Ｄ．Ａｌｌｅｎ）ら、ジャーナル・オ
ブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジ
ー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ
Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、
８巻（４号）、６２３頁〜６３６頁（１９９５年）］が
提案されている。
【００１１】しかし、前者の樹脂においては、ドライエ
ッチング耐性を有するアダマンタン含有残基、又はイソ
ボルニル含有残基単位中に露光前後での溶解度差を発現
しうる残基を持たない。更にこれら脂環アルキル基には
アルカリ水溶液に対する溶解性及び基板密着性を有する
残基（例えば、カルボキシル基等）を有していない。こ
のため、脂環アルキル基を有するモノマーの単独重合体
では、疎水性が強くシリコン基板との密着性が悪く、均
一な塗布膜を再現性良く形成することは困難であり、し
かも露光前後での溶解度差を発現しうる残基を持たない
ため、露光によりレジストパターンを形成することがで
きない。そのため前者樹脂では例えば３−オキソシクロ
ヘキシルメタクリレートやｔ−ブチルメタクリレートな
どの溶解度差を発揮しうるコモノマーやメタクリル酸の
ような基板密着性を有するコモノマーとの共重合化体と
することにより初めてレジストの樹脂成分として利用で
きる。しかも、コモノマー含有率は５０モル％程度必要
であり、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートやメタクリル
酸のようなコモノマー単位のドライエッチング耐性が著
しく低いため、アダマンタン、又はイソボルナン骨格に
よるドライエッチング耐性効果が著しく低下し、耐ドラ
イエッチング性樹脂としての実用性に乏しい。このた
め、２２０nm以下の光に対する光透明性が高く、エッチ
ング耐性が高く、且つ露光前後の溶解度差を発揮しうる
官能基を有し、かつ露光後、アルカリ水溶液で現像で
き、基板密着性の向上した新しいフォトレジスト材料が
切望されている。
ッチング耐性を有するアダマンタン含有残基、又はイソ
ボルニル含有残基単位中に露光前後での溶解度差を発現
しうる残基を持たない。更にこれら脂環アルキル基には
アルカリ水溶液に対する溶解性及び基板密着性を有する
残基（例えば、カルボキシル基等）を有していない。こ
のため、脂環アルキル基を有するモノマーの単独重合体
では、疎水性が強くシリコン基板との密着性が悪く、均
一な塗布膜を再現性良く形成することは困難であり、し
かも露光前後での溶解度差を発現しうる残基を持たない
ため、露光によりレジストパターンを形成することがで
きない。そのため前者樹脂では例えば３−オキソシクロ
ヘキシルメタクリレートやｔ−ブチルメタクリレートな
どの溶解度差を発揮しうるコモノマーやメタクリル酸の
ような基板密着性を有するコモノマーとの共重合化体と
することにより初めてレジストの樹脂成分として利用で
きる。しかも、コモノマー含有率は５０モル％程度必要
であり、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートやメタクリル
酸のようなコモノマー単位のドライエッチング耐性が著
しく低いため、アダマンタン、又はイソボルナン骨格に
よるドライエッチング耐性効果が著しく低下し、耐ドラ
イエッチング性樹脂としての実用性に乏しい。このた
め、２２０nm以下の光に対する光透明性が高く、エッチ
ング耐性が高く、且つ露光前後の溶解度差を発揮しうる
官能基を有し、かつ露光後、アルカリ水溶液で現像で
き、基板密着性の向上した新しいフォトレジスト材料が
切望されている。
【００１２】本発明は上記事情に鑑みなされたもので２
２０nm以下の露光光、特に１８０nm以上２２０nm以下の
露光光を用いたリソグラフィーに用いられるフォトレジ
スト組成物において透明性、ドライエッチング耐性を維
持し、更に解像度、及び現像液に対する溶解性に優れた
フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
２０nm以下の露光光、特に１８０nm以上２２０nm以下の
露光光を用いたリソグラフィーに用いられるフォトレジ
スト組成物において透明性、ドライエッチング耐性を維
持し、更に解像度、及び現像液に対する溶解性に優れた
フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】発明者は鋭意研究の結
果、上記技術的課題は、以下に開示する一般式（１）で
示されるビニルモノマー、及びそれらの重合体により解
決できることを見出し本発明に至った。
果、上記技術的課題は、以下に開示する一般式（１）で
示されるビニルモノマー、及びそれらの重合体により解
決できることを見出し本発明に至った。
【００１４】即ち、本発明は一般式（１）で示されるビ
ニルモノマー、及び一般式（１）で示されるビニルモノ
マーを重合させて得られる重合体、もしくは一般式
（１）で示されるビニルモノマーと他の重合性化合物と
を共重合させて成る重合体を提供する。
ニルモノマー、及び一般式（１）で示されるビニルモノ
マーを重合させて得られる重合体、もしくは一般式
（１）で示されるビニルモノマーと他の重合性化合物と
を共重合させて成る重合体を提供する。
【００１５】
【化３】
【００１６】（上式において、Ｒ1 は水素原子或いはメ
チル基、Ｒ2 は炭素数７〜１３の２価の有橋環式炭化水
素基（具体的には、表１に示すようなトリシクロ［５．
２．１．０2,6 ］デカンジイル基、アダマンタンジイル
基、ノルボルナンジイル基、メチルノルボルナンジイル
基、イソボルナンジイル基、テトラシクロ［４．４．
０．１2,5 ．１7,10］ドデカンジイル基、メチルテトラ
シクロ［４．４．０．１2, 5 ．１7,10］ドデカンジイル
基等が挙げられが、これらだけに限定されるものではな
い）、Ｒ3 は酸により分解する基（具体的には、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、テト
ラヒドロフラン−２−イル基、４−メトキシテトラヒド
ロピラン−４−イル基、１−エトキシエチル基、１−ブ
トキシエチル基、或いは１−プロポキシエチル基、３−
オキソシクロヘキシル基等が挙げられるが、これらだけ
に限定されるものではない）、或いは水素原子、Ｘはア
ルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2
−等が挙げられるが、これらだけに限定されるものでは
ない）、又は酸素−炭素結合からなる連結基、Ｙはアル
キレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2 −
等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではな
い）、又は炭素−炭素結合からなる連結基）一般式
（１）で示されるビニルモノマーを重合させて得られる
重合体、もしくは一般式（１）で示されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体の具
体的な例としては一般式（２）で示される樹脂が挙げら
れるが、これらだけに限定されるものではない。
チル基、Ｒ2 は炭素数７〜１３の２価の有橋環式炭化水
素基（具体的には、表１に示すようなトリシクロ［５．
２．１．０2,6 ］デカンジイル基、アダマンタンジイル
基、ノルボルナンジイル基、メチルノルボルナンジイル
基、イソボルナンジイル基、テトラシクロ［４．４．
０．１2,5 ．１7,10］ドデカンジイル基、メチルテトラ
シクロ［４．４．０．１2, 5 ．１7,10］ドデカンジイル
基等が挙げられが、これらだけに限定されるものではな
い）、Ｒ3 は酸により分解する基（具体的には、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、テト
ラヒドロフラン−２−イル基、４−メトキシテトラヒド
ロピラン−４−イル基、１−エトキシエチル基、１−ブ
トキシエチル基、或いは１−プロポキシエチル基、３−
オキソシクロヘキシル基等が挙げられるが、これらだけ
に限定されるものではない）、或いは水素原子、Ｘはア
ルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2
−等が挙げられるが、これらだけに限定されるものでは
ない）、又は酸素−炭素結合からなる連結基、Ｙはアル
キレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2 −
等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではな
い）、又は炭素−炭素結合からなる連結基）一般式
（１）で示されるビニルモノマーを重合させて得られる
重合体、もしくは一般式（１）で示されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体の具
体的な例としては一般式（２）で示される樹脂が挙げら
れるが、これらだけに限定されるものではない。
【００１７】
【化４】
【００１８】（上式において、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ9 は水素
原子或いはメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 は炭素数７〜１３の２
価の有橋環式炭化水素基（具体的には、表１に示すよう
なトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカンジイル基、
アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、メチル
ノルボルナンジイル基、イソボルナンジイル基、テトラ
シクロ［４．４．０．１2,5 ．１7,10］ドデカンジイル
基、メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5 ．
１7,10］ドデカンジイル基等が挙げられが、これらだけ
に限定されるものではない）、Ｒ8 は酸により分解する
基（具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピ
ラン−２−イル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、
４−メトキシテトラヒドロピラン−４−イル基、１−エ
トキシエチル基、１−ブトキシエチル基、或いは１−プ
ロポキシエチル基、３−オキソシクロヘキシル基等が挙
げられるが、これらだけに限定されるものではない）、
Ｒ10は水素原子、又は炭素数１〜１０の炭化水素基（具
体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル
基、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニル基、ノ
ルボニル基、アダマンチル基、イソボルニル基（より好
ましくは、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニル
基、ノルボニル基、アダマンチル基、イソボルニル基等
の有橋環式炭化水素基）等が挙げられるが、これらだけ
に限定されるものではない）、ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．０、ｋ
は０〜１．０、ｍは０〜１．０、ｎは０〜０．９、Ａ、
Ｄはアルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2
ＣＨ2 −等が挙げられるが、これらだけに限定されるも
のではない）、又は酸素−炭素結合からなる連結基、
Ｂ、Ｅはアルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 −等が挙げられるが、これらだけに限定され
るものではない）、又は炭素−炭素結合からなる連結
基）を表す。また、重合体の重量平均分子量は１０００
〜５０００００である。）
原子或いはメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 は炭素数７〜１３の２
価の有橋環式炭化水素基（具体的には、表１に示すよう
なトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカンジイル基、
アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、メチル
ノルボルナンジイル基、イソボルナンジイル基、テトラ
シクロ［４．４．０．１2,5 ．１7,10］ドデカンジイル
基、メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5 ．
１7,10］ドデカンジイル基等が挙げられが、これらだけ
に限定されるものではない）、Ｒ8 は酸により分解する
基（具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピ
ラン−２−イル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、
４−メトキシテトラヒドロピラン−４−イル基、１−エ
トキシエチル基、１−ブトキシエチル基、或いは１−プ
ロポキシエチル基、３−オキソシクロヘキシル基等が挙
げられるが、これらだけに限定されるものではない）、
Ｒ10は水素原子、又は炭素数１〜１０の炭化水素基（具
体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル
基、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニル基、ノ
ルボニル基、アダマンチル基、イソボルニル基（より好
ましくは、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニル
基、ノルボニル基、アダマンチル基、イソボルニル基等
の有橋環式炭化水素基）等が挙げられるが、これらだけ
に限定されるものではない）、ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．０、ｋ
は０〜１．０、ｍは０〜１．０、ｎは０〜０．９、Ａ、
Ｄはアルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−ＣＨ2
ＣＨ2 −等が挙げられるが、これらだけに限定されるも
のではない）、又は酸素−炭素結合からなる連結基、
Ｂ、Ｅはアルキレン基（具体的には、−ＣＨ2 −、−Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 −等が挙げられるが、これらだけに限定され
るものではない）、又は炭素−炭素結合からなる連結
基）を表す。また、重合体の重量平均分子量は１０００
〜５０００００である。）
【００１９】
【表１】
【００２０】一般式（１）で示されるビニルモノマーの
うち、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2 がトリシクロ［５．２．
１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ3 が水素原
子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーは、例えば以下のようにして合
成される。即ち、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デ
カン−４，８−ジメタノールを乾燥テトラヒドロフラン
溶媒中、等モルの塩基（例えば、ピリジン）存在下で等
モルの塩化メタクリロイルを氷冷下で滴下し、室温で１
０時間反応させることにより、トリシクロ［５．２．
１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノールのモノアク
リレートをまず合成する。次にこの化合物を、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド溶媒中、ジクロム酸ピリジニウム
（３．５倍モル）と室温で１０時間反応させることによ
り目的とするビニルモノマーを得る。
うち、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2 がトリシクロ［５．２．
１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ3 が水素原
子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーは、例えば以下のようにして合
成される。即ち、トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デ
カン−４，８−ジメタノールを乾燥テトラヒドロフラン
溶媒中、等モルの塩基（例えば、ピリジン）存在下で等
モルの塩化メタクリロイルを氷冷下で滴下し、室温で１
０時間反応させることにより、トリシクロ［５．２．
１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノールのモノアク
リレートをまず合成する。次にこの化合物を、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド溶媒中、ジクロム酸ピリジニウム
（３．５倍モル）と室温で１０時間反応させることによ
り目的とするビニルモノマーを得る。
【００２１】一般式（１）のビニルモノマーのうち、Ｒ
1 がメチル基、Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．
０2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒド
ロピラン−２−イル基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭
素結合からなる連結基であるビニルモノマーは、例えば
以下のようにして合成される。即ち、上記記載の方法で
得たビニルモノマー（一般式（１）のＲ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基）を塩化メチレン溶媒
中、触媒量のｐ−トルエンスルホン酸存在下で、３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピランと氷冷下反応させることによ
り目的とするビニルモノマーを得る。
1 がメチル基、Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．
０2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒド
ロピラン−２−イル基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭
素結合からなる連結基であるビニルモノマーは、例えば
以下のようにして合成される。即ち、上記記載の方法で
得たビニルモノマー（一般式（１）のＲ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基）を塩化メチレン溶媒
中、触媒量のｐ−トルエンスルホン酸存在下で、３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピランと氷冷下反応させることによ
り目的とするビニルモノマーを得る。
【００２２】一般式（１）で表されるビニルモノマーの
単独重合体、及び一般式（１）で表されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体は、
ラジカル重合、イオン重合などの通常の重合方法によっ
て得ることが可能である。例えば乾燥テトラヒドロフラ
ン溶剤中、不活性ガス（アルゴン、窒素など）雰囲気
下、適当なラジカル開始剤（例えばアゾビスイソブチロ
ニトリル、モノマー／開始剤の仕込みモル比＝８〜２０
０）を加えて５０〜７０℃で０．５〜１２時間加熱攪拌
することにより実施される。また、本発明の重合体の重
量平均分子量は１０００〜５０００００であり、より好
ましくは５０００〜２０００００である。また共重合体
はモノマーの仕込み割合及びその他の重合条件を選定す
ることにより任意の共重合比を有する共重合体を得るこ
とが出来る。
単独重合体、及び一般式（１）で表されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体は、
ラジカル重合、イオン重合などの通常の重合方法によっ
て得ることが可能である。例えば乾燥テトラヒドロフラ
ン溶剤中、不活性ガス（アルゴン、窒素など）雰囲気
下、適当なラジカル開始剤（例えばアゾビスイソブチロ
ニトリル、モノマー／開始剤の仕込みモル比＝８〜２０
０）を加えて５０〜７０℃で０．５〜１２時間加熱攪拌
することにより実施される。また、本発明の重合体の重
量平均分子量は１０００〜５０００００であり、より好
ましくは５０００〜２０００００である。また共重合体
はモノマーの仕込み割合及びその他の重合条件を選定す
ることにより任意の共重合比を有する共重合体を得るこ
とが出来る。
【００２３】一般式（１）で表されるビニルモノマーの
単独重合体、及び一般式（１）で表されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体の薄
膜（膜厚＝１．０μm ）のＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３nm）の透過率は６５〜８０％と高く、実用的である
ことを確認した。更に重合体の塗布膜はシリコン基板に
対し密着性が良く、均一な塗布膜を再現性良く形成出来
ることを確認した。更に本発明の重合体はドライエッチ
ング耐性に優れていることを確認した。
単独重合体、及び一般式（１）で表されるビニルモノマ
ーと他の重合性化合物とを共重合させて成る重合体の薄
膜（膜厚＝１．０μm ）のＡｒＦエキシマレーザ光（１
９３nm）の透過率は６５〜８０％と高く、実用的である
ことを確認した。更に重合体の塗布膜はシリコン基板に
対し密着性が良く、均一な塗布膜を再現性良く形成出来
ることを確認した。更に本発明の重合体はドライエッチ
ング耐性に優れていることを確認した。
【００２４】本発明のフォトレジスト組成物の基本的な
構成要素は、本発明に記載された重合体、光酸発生剤、
溶剤である。
構成要素は、本発明に記載された重合体、光酸発生剤、
溶剤である。
【００２５】本発明において使用される光酸発生剤とし
て好ましいものは、３００nm以下、好ましくは２２０nm
以下の光で酸を発生する光酸発生剤であることが望まし
く、なおかつ先に示した本発明における重合体等との混
合物が有機溶媒に十分に溶解し、かつその溶液がスピン
コートなどの製膜法で均一な塗布膜が形成可能なもので
あれば、いかなる光酸発生剤でもよい。また、単独、２
種以上を混合して用いたり、適当な増感剤と組み合わせ
て用いてもよい。
て好ましいものは、３００nm以下、好ましくは２２０nm
以下の光で酸を発生する光酸発生剤であることが望まし
く、なおかつ先に示した本発明における重合体等との混
合物が有機溶媒に十分に溶解し、かつその溶液がスピン
コートなどの製膜法で均一な塗布膜が形成可能なもので
あれば、いかなる光酸発生剤でもよい。また、単独、２
種以上を混合して用いたり、適当な増感剤と組み合わせ
て用いてもよい。
【００２６】使用可能な光酸発生剤の例としては、例え
ば、ジャーナル・オブ・ジ・オーガニック・ケミストリ
ー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）４３巻、１５号、３０５５頁〜３
０５８頁（１９７８年）に記載されているＪ．Ｖ．クリ
ベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）らのトリフェニルス
ルホニウム塩誘導体、およびそれに代表される他のオニ
ウム塩（例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホ
スホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩などの
化合物）や、２、６−ジニトロベンジルエステル類
［Ｏ．ナラマス（Ｏ．Ｎａｌａｍａｓｕ）ら、ＳＰＩＥ
プロシーディング、１２６２巻、３２頁（１９９０
年）］、１、２、３−トリ（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼン［タクミウエノら、プロシーディング・オブ・
ＰＭＥ’８９、講談社、４１３〜４２４頁（１９９０
年）］、特開平７−２５８４６号、特開平７−２８２３
７号、及び特願平６−１６２２４４号で開示された一般
式（３）で表されるスルホニウム塩、或いは特開平５−
１３４４１６号公報で開示された一般式（４）で表され
るスルホサクシンイミドが挙げられるが、これらだけに
限定されるものではない。
ば、ジャーナル・オブ・ジ・オーガニック・ケミストリ
ー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）４３巻、１５号、３０５５頁〜３
０５８頁（１９７８年）に記載されているＪ．Ｖ．クリ
ベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）らのトリフェニルス
ルホニウム塩誘導体、およびそれに代表される他のオニ
ウム塩（例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホ
スホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩などの
化合物）や、２、６−ジニトロベンジルエステル類
［Ｏ．ナラマス（Ｏ．Ｎａｌａｍａｓｕ）ら、ＳＰＩＥ
プロシーディング、１２６２巻、３２頁（１９９０
年）］、１、２、３−トリ（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼン［タクミウエノら、プロシーディング・オブ・
ＰＭＥ’８９、講談社、４１３〜４２４頁（１９９０
年）］、特開平７−２５８４６号、特開平７−２８２３
７号、及び特願平６−１６２２４４号で開示された一般
式（３）で表されるスルホニウム塩、或いは特開平５−
１３４４１６号公報で開示された一般式（４）で表され
るスルホサクシンイミドが挙げられるが、これらだけに
限定されるものではない。
【００２７】
【化５】
【００２８】（ただし、Ｒ11およびＲ12は直鎖状、分枝
状、または環状のアルキル基、Ｒ13は直鎖状、分枝状、
または環状のアルキル基、２−オキソ環状アルキル基、
あるいは２−オキソ直鎖状または分枝状アルキル基、Ｚ
- はＢＦ4 - 、ＡｓＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＰＦ6 - 、Ｃ
Ｆ3 ＣＯＯ- 、ＣｌＯ4 - 、ＣＦ3 ＳＯ3 - 、アルキル
スルホナート、或いはアリールスルホナート等の対イオ
ンである。）
状、または環状のアルキル基、Ｒ13は直鎖状、分枝状、
または環状のアルキル基、２−オキソ環状アルキル基、
あるいは２−オキソ直鎖状または分枝状アルキル基、Ｚ
- はＢＦ4 - 、ＡｓＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＰＦ6 - 、Ｃ
Ｆ3 ＣＯＯ- 、ＣｌＯ4 - 、ＣＦ3 ＳＯ3 - 、アルキル
スルホナート、或いはアリールスルホナート等の対イオ
ンである。）
【００２９】
【化６】
【００３０】（ただし、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立
して水素、直鎖状、分枝状または環状のアルキル基であ
り、Ｒ16は直鎖状、分枝状、環状のアルキル基、または
トリフルオロメチルなどのペルフルオロアルキルに代表
されるハロアルキル基である。） 波長が２２０nm以下の露光光を使用する場合、感光性樹
脂組成物の光透過性を高めるには上記の光酸発生剤の
内、特に一般式（３）あるいは一般式（４）で表される
光酸発生剤を使用することがより好ましい。これは、Ｋ
ｒＦエキシマレーザリソグラフィー用に多用されている
光酸発生剤［例えばクリベロらの上記文献記載のトリフ
ェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナート
（以後ＴＰＳと略す）］は２２０nm以下の遠紫外線領域
で極めて強い光吸収性を有するため、本発明における光
酸発生剤として使用するにはその使用量が制限される。
ここで、例えばＡｒＦエキシマレーザ光の中心波長であ
る１９３．４nmにおける透過率を比較すると、ＴＰＳを
全膜重量に対し１．５重量部含有するポリメチルメタク
リレート塗布膜（膜厚１μm ）の透過率は、約５０％で
あり、同様に５．５重量部含有する塗布膜の透過率は約
６％であった。これに対し、一般式（３）で示したスル
ホニウム塩誘導体のうち、例えばシクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホナートを含有するポリメチルメタクリレ
ート塗布膜の透過率は、５重量部含有するもので７１
％、さらに３０重量部含有する塗布膜においても５５％
と高い透過率を示した。また一般式（４）で示す光酸発
生剤のうち、例えばＮ−ヒドロキシスクシイミドトリフ
ルオロメタンスルホナートを５重量部含有する塗布膜で
は約５０％であった。このように一般式（３）、（４）
で示した光酸発生剤はいずれも１８５．５〜２２０nmの
遠紫外領域の光吸収が著しく少なく、露光光に対する透
明性という点ではＡｒＦエキシマレーザリソグラフィー
用レジストの構成成分としてさらに好適であることが明
らかである。具体的には、２−オキソシクロヘキシルメ
チル（２−ノルボルニル）スルホニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、シクロヘキシルメチル（２−オキソ
シクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、２
−シクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチ
ル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフル
オロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎーヒドロキシス
クシイミドトリフルオロメタンスルホナート、などが挙
げられるが、これらだけに限定されるものではない。
して水素、直鎖状、分枝状または環状のアルキル基であ
り、Ｒ16は直鎖状、分枝状、環状のアルキル基、または
トリフルオロメチルなどのペルフルオロアルキルに代表
されるハロアルキル基である。） 波長が２２０nm以下の露光光を使用する場合、感光性樹
脂組成物の光透過性を高めるには上記の光酸発生剤の
内、特に一般式（３）あるいは一般式（４）で表される
光酸発生剤を使用することがより好ましい。これは、Ｋ
ｒＦエキシマレーザリソグラフィー用に多用されている
光酸発生剤［例えばクリベロらの上記文献記載のトリフ
ェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナート
（以後ＴＰＳと略す）］は２２０nm以下の遠紫外線領域
で極めて強い光吸収性を有するため、本発明における光
酸発生剤として使用するにはその使用量が制限される。
ここで、例えばＡｒＦエキシマレーザ光の中心波長であ
る１９３．４nmにおける透過率を比較すると、ＴＰＳを
全膜重量に対し１．５重量部含有するポリメチルメタク
リレート塗布膜（膜厚１μm ）の透過率は、約５０％で
あり、同様に５．５重量部含有する塗布膜の透過率は約
６％であった。これに対し、一般式（３）で示したスル
ホニウム塩誘導体のうち、例えばシクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホナートを含有するポリメチルメタクリレ
ート塗布膜の透過率は、５重量部含有するもので７１
％、さらに３０重量部含有する塗布膜においても５５％
と高い透過率を示した。また一般式（４）で示す光酸発
生剤のうち、例えばＮ−ヒドロキシスクシイミドトリフ
ルオロメタンスルホナートを５重量部含有する塗布膜で
は約５０％であった。このように一般式（３）、（４）
で示した光酸発生剤はいずれも１８５．５〜２２０nmの
遠紫外領域の光吸収が著しく少なく、露光光に対する透
明性という点ではＡｒＦエキシマレーザリソグラフィー
用レジストの構成成分としてさらに好適であることが明
らかである。具体的には、２−オキソシクロヘキシルメ
チル（２−ノルボルニル）スルホニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、シクロヘキシルメチル（２−オキソ
シクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、２
−シクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチ
ル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフル
オロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎーヒドロキシス
クシイミドトリフルオロメタンスルホナート、などが挙
げられるが、これらだけに限定されるものではない。
【００３１】本発明のフォトレジスト組成物において、
光酸発生剤は単独でも用いられるが、２種以上を混合し
て用いても良い。光酸発生剤の含有率は、それ自身を含
む全構成成分１００重量部に対して通常０．２〜３０重
量部、好ましくは１〜１５重量部である。この含有率が
０．５重量部未満では本発明の感度が著しく低下し、パ
ターンの形成が困難である。また３０重量部を越える
と、均一な塗布膜の形成が困難になり、さらに現像後に
は残さ（スカム）が発生し易くなるなどの問題が生ず
る。また高分子化合物の含有率は、それ自身を含む全構
成分１００重量部に対して通常７０〜９９．８重量部、
好ましくは８５〜９９重量部である。本発明にて用いる
溶剤として好ましいものは、高分子化合物と光酸発生剤
からなる成分が充分に溶解し、かつその溶液がスピンコ
ート法などの方法で均一な塗布膜が形成可能な有機溶媒
であればいかなる溶媒でもよい。また、単独でも２種類
以上を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−プロピ
ルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルア
ルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メ
チル、乳酸エチル、酢酸２−メトキシブチル、酢酸２−
エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノー
ル、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、などが挙
げられるが、もちろんこれらだけに限定されるものでは
ない。
光酸発生剤は単独でも用いられるが、２種以上を混合し
て用いても良い。光酸発生剤の含有率は、それ自身を含
む全構成成分１００重量部に対して通常０．２〜３０重
量部、好ましくは１〜１５重量部である。この含有率が
０．５重量部未満では本発明の感度が著しく低下し、パ
ターンの形成が困難である。また３０重量部を越える
と、均一な塗布膜の形成が困難になり、さらに現像後に
は残さ（スカム）が発生し易くなるなどの問題が生ず
る。また高分子化合物の含有率は、それ自身を含む全構
成分１００重量部に対して通常７０〜９９．８重量部、
好ましくは８５〜９９重量部である。本発明にて用いる
溶剤として好ましいものは、高分子化合物と光酸発生剤
からなる成分が充分に溶解し、かつその溶液がスピンコ
ート法などの方法で均一な塗布膜が形成可能な有機溶媒
であればいかなる溶媒でもよい。また、単独でも２種類
以上を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−プロピ
ルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルア
ルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メ
チル、乳酸エチル、酢酸２−メトキシブチル、酢酸２−
エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノー
ル、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、などが挙
げられるが、もちろんこれらだけに限定されるものでは
ない。
【００３２】また本発明のフォトレジスト組成物の「基
本的な」構成成分は、上記の光酸発生剤、高分子化合
物、溶剤であるが、必要に応じて溶解阻止剤、界面活性
剤、色素、安定剤、塗布性改良剤、染料などの他の成分
を添加しても構わない。
本的な」構成成分は、上記の光酸発生剤、高分子化合
物、溶剤であるが、必要に応じて溶解阻止剤、界面活性
剤、色素、安定剤、塗布性改良剤、染料などの他の成分
を添加しても構わない。
【００３３】本発明のフォトレジスト組成物は２２０nm
以下の光の透明性が高く、ドライエッチング耐性が高
く、且つ露光前後の溶解度差を発揮しうる官能基を有
し、基板密着性の向上した新しいフォトレジスト材料と
して利用できる。そして、本発明のフォトレジスト組成
物を、２２０nm以下の露光光を用いたリソグラフィーに
用いることにより、微細パターンが形成可能となる。
以下の光の透明性が高く、ドライエッチング耐性が高
く、且つ露光前後の溶解度差を発揮しうる官能基を有
し、基板密着性の向上した新しいフォトレジスト材料と
して利用できる。そして、本発明のフォトレジスト組成
物を、２２０nm以下の露光光を用いたリソグラフィーに
用いることにより、微細パターンが形成可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】次に実施例により本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制
限されるものではない。
詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制
限されるものではない。
【００３５】
【実施例１】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基であるビニルモノマーの
合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基であるビニルモノマーの
合成
【００３６】
【化７】
【００３７】塩化カルシウム乾燥管、等圧滴下ロート、
温度計付き５００ｍｌ用４つ口フラスコに、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノール
（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎ
ｙ， Ｉｎｃ．（Ｕ．Ｓ．Ａ．），製品番号 Ｂ４，５
９０−９）５０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、乾燥ピリジン２
５．７６ｇ（０．２５ｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラ
ン３００ｍｌを仕込んだ。攪拌後均一溶液とした後、氷
水浴にて冷却した。この溶液をテフロンバーにて激しく
攪拌しながら、塩化メタクリロイル（東京化成（株））
２６．５３ｇ（０．２５ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフ
ラン１００ｍｌに溶解した溶液を滴下ロートからゆっく
り滴下した。滴下終了後、攪拌しながら氷水浴中で１時
間、引き続き室温で１０時間反応させた。沈殿を濾別
後、濾液を集め減圧下で溶媒を留去した。残渣を塩化メ
チレン５００ｍｌに溶解後、この溶液を０．５Ｎ塩酸、
飽和食塩水、３％炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水の
順で処理した。塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで脱
水処理後、濾過。エバポレータを用い溶媒を除去して得
られた残渣を、シリカゲルカラムで分離精製することに
より粘性液体のトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカ
ン−４，８−ジメタノールモノメタクリレートを２９．
６ｇ得た（収率４４％）。次に、塩化カルシウム乾燥
管、等圧滴下ロート、温度計付き１００ｍｌ用４つ口フ
ラスコに、ジクロム酸ピリジニウム２４．９ｇ（６６．
２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌ
を仕込んだ。攪拌後均一溶液とした後、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノール
モノメタクリレート５ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド１０ｍｌに溶解した溶液を滴下
した。滴下終了後、室温で１０時間反応させた。反応溶
液を水５００ｍｌで希釈し、有機層をジエチルエーテル
で抽出した（１５０ｍｌ×３）。エーテル層を硫酸マグ
ネシウムで脱水処理後、濾過した。エバポレータを用い
て溶媒を除去して得られた残渣を、シリカゲルカラムで
分離精製することにより目的物を２．１２ｇ得た（粘性
液体、収率４０％）。ＩＲは島津製作所ＩＲ−４７０
型、1 Ｈ−ＮＭＲはブルカ−社ＡＭＸ−４００型の分析
装置を用いて測定した。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．４（６９．０） Ｈ： ８．３（８．０） 但し、括弧内の数値はＣ16Ｈ22Ｏ4 （ＭＷ＝２７８．３
４７４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３３５０（νOH）、２９５
０（νCH）、１６９６（νC=O ），１６２６（νC=C
）、１１６６（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：０．９５〜２．７４（ｍ，１４
Ｈ）、１．９５（ｓ，３Ｈ）、３．８８〜４．１７
（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１
Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、９．５８〜１０．８（ｂｒ
ｓ，１Ｈ）
温度計付き５００ｍｌ用４つ口フラスコに、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノール
（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎ
ｙ， Ｉｎｃ．（Ｕ．Ｓ．Ａ．），製品番号 Ｂ４，５
９０−９）５０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、乾燥ピリジン２
５．７６ｇ（０．２５ｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラ
ン３００ｍｌを仕込んだ。攪拌後均一溶液とした後、氷
水浴にて冷却した。この溶液をテフロンバーにて激しく
攪拌しながら、塩化メタクリロイル（東京化成（株））
２６．５３ｇ（０．２５ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフ
ラン１００ｍｌに溶解した溶液を滴下ロートからゆっく
り滴下した。滴下終了後、攪拌しながら氷水浴中で１時
間、引き続き室温で１０時間反応させた。沈殿を濾別
後、濾液を集め減圧下で溶媒を留去した。残渣を塩化メ
チレン５００ｍｌに溶解後、この溶液を０．５Ｎ塩酸、
飽和食塩水、３％炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水の
順で処理した。塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで脱
水処理後、濾過。エバポレータを用い溶媒を除去して得
られた残渣を、シリカゲルカラムで分離精製することに
より粘性液体のトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカ
ン−４，８−ジメタノールモノメタクリレートを２９．
６ｇ得た（収率４４％）。次に、塩化カルシウム乾燥
管、等圧滴下ロート、温度計付き１００ｍｌ用４つ口フ
ラスコに、ジクロム酸ピリジニウム２４．９ｇ（６６．
２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌ
を仕込んだ。攪拌後均一溶液とした後、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジメタノール
モノメタクリレート５ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド１０ｍｌに溶解した溶液を滴下
した。滴下終了後、室温で１０時間反応させた。反応溶
液を水５００ｍｌで希釈し、有機層をジエチルエーテル
で抽出した（１５０ｍｌ×３）。エーテル層を硫酸マグ
ネシウムで脱水処理後、濾過した。エバポレータを用い
て溶媒を除去して得られた残渣を、シリカゲルカラムで
分離精製することにより目的物を２．１２ｇ得た（粘性
液体、収率４０％）。ＩＲは島津製作所ＩＲ−４７０
型、1 Ｈ−ＮＭＲはブルカ−社ＡＭＸ−４００型の分析
装置を用いて測定した。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．４（６９．０） Ｈ： ８．３（８．０） 但し、括弧内の数値はＣ16Ｈ22Ｏ4 （ＭＷ＝２７８．３
４７４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３３５０（νOH）、２９５
０（νCH）、１６９６（νC=O ），１６２６（νC=C
）、１１６６（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：０．９５〜２．７４（ｍ，１４
Ｈ）、１．９５（ｓ，３Ｈ）、３．８８〜４．１７
（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１
Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、９．５８〜１０．８（ｂｒ
ｓ，１Ｈ）
【実施例２】一般式（１）において、Ｒ1 が水素原子、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基であるビニルモノマーの
合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが
炭素−炭素結合からなる連結基であるビニルモノマーの
合成
【００３８】
【化８】
【００３９】実施例１と同様に、但し、塩化メタクリロ
イルに代えて塩化アクリロイルを用いて合成を行った
（粘性液体、収率２０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．６（６８．２） Ｈ： ８．０（７．６） 但し、括弧内の数値はＣ15Ｈ20Ｏ4 （ＭＷ＝２６４．３
２０６）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３３５０（νOH）、２９５
０（νCH）、１７００（νC=O ），１６３０（νC=C
）、１１６８（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：０．９５〜２．７４（ｍ，１４
Ｈ）、３．８８〜４．１７（ｍ，２Ｈ）、５．６〜６．
４（ｍ，３Ｈ）、９．５８〜１０．８（ｂｒ ｓ，１
Ｈ）
イルに代えて塩化アクリロイルを用いて合成を行った
（粘性液体、収率２０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．６（６８．２） Ｈ： ８．０（７．６） 但し、括弧内の数値はＣ15Ｈ20Ｏ4 （ＭＷ＝２６４．３
２０６）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３３５０（νOH）、２９５
０（νCH）、１７００（νC=O ），１６３０（νC=C
）、１１６８（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：０．９５〜２．７４（ｍ，１４
Ｈ）、３．８８〜４．１７（ｍ，２Ｈ）、５．６〜６．
４（ｍ，３Ｈ）、９．５８〜１０．８（ｂｒ ｓ，１
Ｈ）
【実施例３】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒドロピラン−２−イル
基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーの合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒドロピラン−２−イル
基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーの合成
【００４０】
【化９】
【００４１】塩化カルシウム乾燥管、温度計付き２００
ｍｌ用３つ口フラスコに、実施例１で得られたビニルモ
ノマー（一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2
がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−
ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素
−炭素結合からなる連結基）６ｇ（０．０２２ｍｏ
ｌ）、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン４．５４ｇ
（０．０５４ｍｏｌ）と塩化メチレン８０ｍｌを加え氷
冷する。そこにｐ−トルエンスルホン酸・一水和物２０
ｍｇを加え、３０分間攪拌する。反応終了後、ジエチル
エーテル１２０ｍｌで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液８０ｍｌ、飽和食塩水８０ｍｌ、水１５０ｍｌの
順で洗浄する。有機層を硫酸マグネシウムで脱水処理
後、濾過した。エバポレーターを用いて溶媒と未反応の
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを除去することにより
目的物を６．５９ｇ得た（粘性液体、収率８４％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．２（６９．６） Ｈ： ８．０（８．３） 但し、括弧内の数値はＣ21Ｈ30Ｏ5 （ＭＷ＝３６２．４
６５）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７０（νCH）、１７１
６（νC=O ）、１６３２（νC=C ）、１１６６（νC-O
）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．２〜２．７（ｍ，２０Ｈ）、
１．９５（ｓ，３Ｈ）、３．４７〜３．５７（ｍ，１
Ｈ）、３．６３〜３．７３（ｍ，１Ｈ）、３．８〜４．
１（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｓ，１Ｈ）、５．９４
（ｓ，１Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、
ｍｌ用３つ口フラスコに、実施例１で得られたビニルモ
ノマー（一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2
がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−
ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素
−炭素結合からなる連結基）６ｇ（０．０２２ｍｏ
ｌ）、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン４．５４ｇ
（０．０５４ｍｏｌ）と塩化メチレン８０ｍｌを加え氷
冷する。そこにｐ−トルエンスルホン酸・一水和物２０
ｍｇを加え、３０分間攪拌する。反応終了後、ジエチル
エーテル１２０ｍｌで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液８０ｍｌ、飽和食塩水８０ｍｌ、水１５０ｍｌの
順で洗浄する。有機層を硫酸マグネシウムで脱水処理
後、濾過した。エバポレーターを用いて溶媒と未反応の
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを除去することにより
目的物を６．５９ｇ得た（粘性液体、収率８４％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．２（６９．６） Ｈ： ８．０（８．３） 但し、括弧内の数値はＣ21Ｈ30Ｏ5 （ＭＷ＝３６２．４
６５）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７０（νCH）、１７１
６（νC=O ）、１６３２（νC=C ）、１１６６（νC-O
）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．２〜２．７（ｍ，２０Ｈ）、
１．９５（ｓ，３Ｈ）、３．４７〜３．５７（ｍ，１
Ｈ）、３．６３〜３．７３（ｍ，１Ｈ）、３．８〜４．
１（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｓ，１Ｈ）、５．９４
（ｓ，１Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、
【実施例４】一般式（１）において、Ｒ1 が水素原子、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒドロフラン−２−イル
基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーの合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がテトラヒドロフラン−２−イル
基、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結
基であるビニルモノマーの合成
【００４２】
【化１０】
【００４３】実施例３と同様に、但し実施例１で得たビ
ニルモノマーの代わりに実施例２で得たビニルモノマー
を、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの代わりに２，３
−ジヒドロフランを用いて合成した（粘性液体、収率６
２％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．３（６８．２） Ｈ： ８．１（７．８） 但し、括弧内の数値はＣ19Ｈ26Ｏ5 （ＭＷ＝３３４．４
１１４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７４（νCH）、１７１
８（νC=O ）、１６３０（νC=C ）、１１６６（νC-O-
Ｃ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．１〜２．８（ｍ，１８Ｈ）、
３．５〜３．８（ｍ，２Ｈ）、３．８〜４．１（ｍ，２
Ｈ）、５．６〜６．５（ｍ，４Ｈ）、
ニルモノマーの代わりに実施例２で得たビニルモノマー
を、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの代わりに２，３
−ジヒドロフランを用いて合成した（粘性液体、収率６
２％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．３（６８．２） Ｈ： ８．１（７．８） 但し、括弧内の数値はＣ19Ｈ26Ｏ5 （ＭＷ＝３３４．４
１１４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７４（νCH）、１７１
８（νC=O ）、１６３０（νC=C ）、１１６６（νC-O-
Ｃ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．１〜２．８（ｍ，１８Ｈ）、
３．５〜３．８（ｍ，２Ｈ）、３．８〜４．１（ｍ，２
Ｈ）、５．６〜６．５（ｍ，４Ｈ）、
【実施例５】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が１−エトキシエチル基、Ｘが−Ｃ
Ｈ2−、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニ
ルモノマーの合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が１−エトキシエチル基、Ｘが−Ｃ
Ｈ2−、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニ
ルモノマーの合成
【００４４】
【化１１】
【００４５】塩化カルシウム乾燥管、温度計付き２００
ｍｌ用３つ口フラスコに、実施例１で得られたビニルモ
ノマー（一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2
がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−
ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素
−炭素結合からなる連結基）６ｇ（０．０２２ｍｏ
ｌ）、ビニルエチルエーテル１．３０ｇ（０．０２２ｍ
ｏｌ）と塩化メチレン６０ｍｌを加え氷冷する。そこに
ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物１５ｍｇを加え、１
時間攪拌する。反応終了後、ジエチルエーテル１２０ｍ
ｌで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液８０ｍｌ、
飽和食塩水８０ｍｌ、水１５０ｍｌの順で洗浄する。有
機層を硫酸マグネシウムで脱水処理後、濾過した。エバ
ポレータを用いて溶媒を除去することにより目的物を
５．６７ｇ得た（粘性液体、収率９０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．９（６８．５） Ｈ： ８．９（８．６） 但し、括弧内の数値はＣ20Ｈ30Ｏ5 （ＭＷ＝３５０．４
５４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７２（νCH）、１７２
０（νC=O ）、１６３０（νC=C ）、１１６６（νC-O
）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．０〜２．７（ｍ，１４Ｈ）、
１．２（ｔ，３Ｈ）、１．４５（ｄ，３Ｈ）、１．９５
（ｓ，３Ｈ）、３．７５（ｑ，２Ｈ）、３．８〜４．１
（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｓ，１Ｈ）、５．９（ｑ，１
Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、
ｍｌ用３つ口フラスコに、実施例１で得られたビニルモ
ノマー（一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2
がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−
ジイル基、Ｒ3 が水素原子、Ｘが−ＣＨ2 −、Ｙが炭素
−炭素結合からなる連結基）６ｇ（０．０２２ｍｏ
ｌ）、ビニルエチルエーテル１．３０ｇ（０．０２２ｍ
ｏｌ）と塩化メチレン６０ｍｌを加え氷冷する。そこに
ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物１５ｍｇを加え、１
時間攪拌する。反応終了後、ジエチルエーテル１２０ｍ
ｌで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液８０ｍｌ、
飽和食塩水８０ｍｌ、水１５０ｍｌの順で洗浄する。有
機層を硫酸マグネシウムで脱水処理後、濾過した。エバ
ポレータを用いて溶媒を除去することにより目的物を
５．６７ｇ得た（粘性液体、収率９０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６８．９（６８．５） Ｈ： ８．９（８．６） 但し、括弧内の数値はＣ20Ｈ30Ｏ5 （ＭＷ＝３５０．４
５４）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０，２８７２（νCH）、１７２
０（νC=O ）、１６３０（νC=C ）、１１６６（νC-O
）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．０〜２．７（ｍ，１４Ｈ）、
１．２（ｔ，３Ｈ）、１．４５（ｄ，３Ｈ）、１．９５
（ｓ，３Ｈ）、３．７５（ｑ，２Ｈ）、３．８〜４．１
（ｍ，２Ｈ）、５．５５（ｓ，１Ｈ）、５．９（ｑ，１
Ｈ）、６．１（ｓ，１Ｈ）、
【実施例６】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が１−ブトキシエチル基、Ｘが−Ｃ
Ｈ2−、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニ
ルモノマーの合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 が１−ブトキシエチル基、Ｘが−Ｃ
Ｈ2−、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニ
ルモノマーの合成
【００４６】
【化１２】
【００４７】実施例５と同様に、但しビニルエチルエー
テルに代えてブチルビニルエーテルを用いて合成した
（粘性液体、収率７０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．５（６９．８） Ｈ： ８．７（９．１） 但し、括弧内の数値はＣ22Ｈ34Ｏ5 （ＭＷ＝３７８．５
０７６）の計算値を表す。
テルに代えてブチルビニルエーテルを用いて合成した
（粘性液体、収率７０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：６９．５（６９．８） Ｈ： ８．７（９．１） 但し、括弧内の数値はＣ22Ｈ34Ｏ5 （ＭＷ＝３７８．５
０７６）の計算値を表す。
【００４８】
【実施例７】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｘが−ＣＨ
2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニル
モノマーの合成
Ｒ2 がトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，
８−ジイル基、Ｒ3 がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｘが−ＣＨ
2 −、Ｙが炭素−炭素結合からなる連結基であるビニル
モノマーの合成
【００４９】
【化１３】
【００５０】塩化カルシウム管を付けた１００ｍｌ丸底
フラスコに実施例１で得たビニルモノマー５ｇ（０．０
１８ｍｏｌ）と塩化メチレン３０ｍｌ、ｔ−ブチルアル
コール３．９９ｇ（０．０５４ｍｏｌ）、４−ジメチル
アミノピリジン１．７６ｇ（０．０１４ｍｏｌ）を入
れ、０℃に冷却する。そこにジシクロヘキシルカルボジ
イミド４．０８ｇ（０．０２０ｍｏｌ）を徐々に加え
る。０℃で５分間攪拌した後、室温で４時間攪拌する。
析出したシクロヘキシル尿素を濾別し、濾液を０．５Ｍ
塩酸（２×１０ｍｌ）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
（２×１０ｍｌ）の順で洗浄する。有機層を硫酸マグネ
シウムで脱水処理後、濾過した。エバポレータを用いて
溶媒を除去しシリカゲルカラムで精製することにより目
的物を５．６７ｇ得た（粘性液体、収率９０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：７１．４（７１．８） Ｈ： ８．７（９．０） 但し、括弧内の数値はＣ20Ｈ30Ｏ4 （ＭＷ＝３３４．４
５４６）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０、２８７４（νCH）、１７１
６（νC=O ），１６２６（νC=C ）、１１６６（νC-O
）
フラスコに実施例１で得たビニルモノマー５ｇ（０．０
１８ｍｏｌ）と塩化メチレン３０ｍｌ、ｔ−ブチルアル
コール３．９９ｇ（０．０５４ｍｏｌ）、４−ジメチル
アミノピリジン１．７６ｇ（０．０１４ｍｏｌ）を入
れ、０℃に冷却する。そこにジシクロヘキシルカルボジ
イミド４．０８ｇ（０．０２０ｍｏｌ）を徐々に加え
る。０℃で５分間攪拌した後、室温で４時間攪拌する。
析出したシクロヘキシル尿素を濾別し、濾液を０．５Ｍ
塩酸（２×１０ｍｌ）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
（２×１０ｍｌ）の順で洗浄する。有機層を硫酸マグネ
シウムで脱水処理後、濾過した。エバポレータを用いて
溶媒を除去しシリカゲルカラムで精製することにより目
的物を５．６７ｇ得た（粘性液体、収率９０％）。 元素分析値（重量％） Ｃ：７１．４（７１．８） Ｈ： ８．７（９．０） 但し、括弧内の数値はＣ20Ｈ30Ｏ4 （ＭＷ＝３３４．４
５４６）の計算値を表す。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２９５０、２８７４（νCH）、１７１
６（νC=O ），１６２６（νC=C ）、１１６６（νC-O
）
【実施例８】一般式（１）において、Ｒ1 がメチル基、
Ｒ2 がノルボルナンジイル基、Ｒ3が水素原子、Ｘが酸
素−炭素結合からなる連結基、Ｙが炭素−炭素結合から
なる連結基であるビニルモノマーの合成
Ｒ2 がノルボルナンジイル基、Ｒ3が水素原子、Ｘが酸
素−炭素結合からなる連結基、Ｙが炭素−炭素結合から
なる連結基であるビニルモノマーの合成
【００５１】
【化１４】
【００５２】２００ｍｌ３つ口フラスコに、ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸ｔｅ
ｒｔ−ブチルエステル５０ｇとメタクリル酸１３３ｇ、
濃硫酸１．３５ｇ、水２ｇを加え、６０〜７０℃で５時
間反応させる。放冷後、未反応のメタクリル酸を減圧下
留去し、更に残渣をシリカゲルカラムで分離精製するこ
とにより粘性液体の目的物を２ｇ得た。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３６００（νOH）、２９６
０、２８８０（νCH）、１７０４（νC=O ），１６２８
（νC=C ）、１１６８（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．２５〜２．０５（６Ｈ）、１．
９２（３Ｈ）、２．３〜２．８５（３Ｈ） ４．６９〜４．７４（１Ｈ）、５．５３（１Ｈ）、６．
０６（１Ｈ）
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸ｔｅ
ｒｔ−ブチルエステル５０ｇとメタクリル酸１３３ｇ、
濃硫酸１．３５ｇ、水２ｇを加え、６０〜７０℃で５時
間反応させる。放冷後、未反応のメタクリル酸を減圧下
留去し、更に残渣をシリカゲルカラムで分離精製するこ
とにより粘性液体の目的物を２ｇ得た。 ＩＲ（ｃｍ-1）：２４００〜３６００（νOH）、２９６
０、２８８０（νCH）、１７０４（νC=O ），１６２８
（νC=C ）、１１６８（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 、内部標準物質：テトラメチ
ルシラン）ｐｐｍ：１．２５〜２．０５（６Ｈ）、１．
９２（３Ｈ）、２．３〜２．８５（３Ｈ） ４．６９〜４．７４（１Ｈ）、５．５３（１Ｈ）、６．
０６（１Ｈ）
【実施例９】実施例１で得られたビニルモノマーの重合
体（一般式（２）において、Ｒ4 がメチル基、Ｒ5 がト
リシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイ
ル基、Ａが−ＣＨ2 −、Ｂが炭素−炭素結合からなる連
結基、ｍ、ｎが０）の合成
体（一般式（２）において、Ｒ4 がメチル基、Ｒ5 がト
リシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイ
ル基、Ａが−ＣＨ2 −、Ｂが炭素−炭素結合からなる連
結基、ｍ、ｎが０）の合成
【００５３】
【化１５】
【００５４】塩化カルシウム管付き還流管を付けた５０
ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
１．５８ｇ（５．６８ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフ
ラン１４ｍｌに溶解し、そこに重合開始剤であるアゾビ
スイソブチロニトリル（以後ＡＩＢＮと略す）９１．５
ｍｇ（４０ｍｍｏｌ・ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪
拌する。６時間後放冷し、反応混合物をリグロイン３０
０ｍｌに注ぎ、析出した沈殿を炉別する。更にもう一度
再沈精製を行うことにより目的物を０．７６７ｇ得た
（収率４９％）。
ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
１．５８ｇ（５．６８ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフ
ラン１４ｍｌに溶解し、そこに重合開始剤であるアゾビ
スイソブチロニトリル（以後ＡＩＢＮと略す）９１．５
ｍｇ（４０ｍｍｏｌ・ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪
拌する。６時間後放冷し、反応混合物をリグロイン３０
０ｍｌに注ぎ、析出した沈殿を炉別する。更にもう一度
再沈精製を行うことにより目的物を０．７６７ｇ得た
（収率４９％）。
【００５５】分子量は、テトラヒドロフランを溶媒と
し、昭和電工製ＧＰＣカラム（ＧＰＣＫＦ−８０３）を
用いて測定した。 分子量：ＭＷ＝６０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．５３（ポリ
スチレン換算） ＩＲ（ｃｍ-1）：２８００〜３６００（νOH）、２９５
０（νCH）、１７２２，１６９６（νC=O ）、１１７０
（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（（ＣＤ3 ）2 ＳＯ、内部標準物質：テト
ラメチルシラン）ｐｐｍ：０．７〜２．８（ｍ，１９
Ｈ）、３．４〜４．０（ｍ，２Ｈ）、１１．８〜１ ２．１（ｂｒ ｓ，１Ｈ）
し、昭和電工製ＧＰＣカラム（ＧＰＣＫＦ−８０３）を
用いて測定した。 分子量：ＭＷ＝６０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．５３（ポリ
スチレン換算） ＩＲ（ｃｍ-1）：２８００〜３６００（νOH）、２９５
０（νCH）、１７２２，１６９６（νC=O ）、１１７０
（νC-O ）1 Ｈ−ＮＭＲ（（ＣＤ3 ）2 ＳＯ、内部標準物質：テト
ラメチルシラン）ｐｐｍ：０．７〜２．８（ｍ，１９
Ｈ）、３．４〜４．０（ｍ，２Ｈ）、１１．８〜１ ２．１（ｂｒ ｓ，１Ｈ）
【実施例１０】実施例１で得られたビニルモノマーと実
施例３で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 が
トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジ
イル基、Ｒ8 がテトラヒドロピラン−２−イル基、Ａ、
Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結
基、ｎが０）の合成
施例３で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 が
トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジ
イル基、Ｒ8 がテトラヒドロピラン−２−イル基、Ａ、
Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結
基、ｎが０）の合成
【００５６】
【化１６】
【００５７】塩化カルシウム管付き還流管を付けた１０
０ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
２ｇ（０．００７ｍｏｌ）と実施例３で得たビニルモノ
マー１０．４２ｇ（０．０２９ｍｏｌ）を乾燥テトラヒ
ドロフラン５０ｍｌに溶解し、そこにＡＩＢＮ１６３ｍ
ｇ（２０ｍｍｏｌ・ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪拌
する。６時間後放冷し、反応混合物をリグロイン６００
ｍｌに注ぎ、析出した沈殿を炉別する。更にもう一度再
沈精製を行うことにより目的物を５．５ｇ得た（収率５
９％）。また、この時の共重合比は1 Ｈ−ＮＭＲの積分
比から２：８であった（ｋ＝０．２、ｍ＝０．８）。 分子量：ＭＷ＝２８０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．２５（ポ
リスチレン換算）
０ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
２ｇ（０．００７ｍｏｌ）と実施例３で得たビニルモノ
マー１０．４２ｇ（０．０２９ｍｏｌ）を乾燥テトラヒ
ドロフラン５０ｍｌに溶解し、そこにＡＩＢＮ１６３ｍ
ｇ（２０ｍｍｏｌ・ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪拌
する。６時間後放冷し、反応混合物をリグロイン６００
ｍｌに注ぎ、析出した沈殿を炉別する。更にもう一度再
沈精製を行うことにより目的物を５．５ｇ得た（収率５
９％）。また、この時の共重合比は1 Ｈ−ＮＭＲの積分
比から２：８であった（ｋ＝０．２、ｍ＝０．８）。 分子量：ＭＷ＝２８０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．２５（ポ
リスチレン換算）
【実施例１１，１２】実施例１０と同様に、但し実施例
１で得たビニルモノマーと実施例３で得たビニルモノマ
ーの仕込み比を代えて重合した。得られた重合体の共重
合比（ｋ／ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下の
表２に示す。
１で得たビニルモノマーと実施例３で得たビニルモノマ
ーの仕込み比を代えて重合した。得られた重合体の共重
合比（ｋ／ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下の
表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】
【実施例１３，１４】実施例１０と同様に、但しＡＩＢ
Ｎの量（濃度）代えて重合した。以下の表に、重合体の
共重合比（ｋ／ｍ）、重量平均分子量（ＭＷ）を示す。
Ｎの量（濃度）代えて重合した。以下の表に、重合体の
共重合比（ｋ／ｍ）、重量平均分子量（ＭＷ）を示す。
【００６０】
【表３】
【００６１】
【実施例１５】実施例１で得られたビニルモノマーと実
施例７で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 が
トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジ
イル基、Ｒ8 がｔｅｒｔ−ブチル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2
−、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結基、ｎが０）
の合成
施例７で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 が
トリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジ
イル基、Ｒ8 がｔｅｒｔ−ブチル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2
−、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結基、ｎが０）
の合成
【００６２】
【化１７】
【００６３】実施例１０と同様に、但し実施例３で得た
ビニルモノマーに代えて実施例７で得たビニルモノマー
を用い、更に仕込み比を代えて重合した。得られた重合
体の共重合比（ｋ／ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）
を以下に示す。
ビニルモノマーに代えて実施例７で得たビニルモノマー
を用い、更に仕込み比を代えて重合した。得られた重合
体の共重合比（ｋ／ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）
を以下に示す。
【００６４】
【表４】
【００６５】
【実施例１６】実施例１で得られたビニルモノマーと実
施例３で得られたビニルモノマー、及びトリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレートとの三
元共重合体（一般式（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ9
がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 がトリシクロ［５．２．１．０
2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ8 がテトラヒドロ
ピラン−２−イル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭
素−炭素結合からなる連結基、Ｒ10がトリシクロ［５．
２．１．０2,6 ］デカニル基）の合成
施例３で得られたビニルモノマー、及びトリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレートとの三
元共重合体（一般式（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ9
がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 がトリシクロ［５．２．１．０
2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ8 がテトラヒドロ
ピラン−２−イル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭
素−炭素結合からなる連結基、Ｒ10がトリシクロ［５．
２．１．０2,6 ］デカニル基）の合成
【００６６】
【化１８】
【００６７】塩化カルシウム管付き還流管を付けた２０
０ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
１ｇ（０．００４ｍｏｌ）と実施例３で得たビニルモノ
マー３．９１ｇ（０．０１１ｍｏｌ）、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレート（日立
化成（株）商品番号ＦＡ−５１３Ｍ）４．７５ｇ（０．
０２２ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラン７５ｍｌに溶
解し、そこにＡＩＢＮ２４５ｍｇ（２０ｍｍｏｌ・
ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪拌する。６時間後放冷
し、反応混合物をリグロイン６００ｍｌに注ぎ、析出し
た沈殿を炉別する。更にもう一度再沈精製を行うことに
より目的物を６．８ｇ得た（収率５３％）。また、この
時ｋ＝０．１、ｍ＝０．３１、ｎ＝０．５９であった。 分子量：ＭＷ＝３２０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．３３（ポ
リスチレン換算）
０ｍｌナスフラスコ中、実施例１で得たビニルモノマー
１ｇ（０．００４ｍｏｌ）と実施例３で得たビニルモノ
マー３．９１ｇ（０．０１１ｍｏｌ）、トリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレート（日立
化成（株）商品番号ＦＡ−５１３Ｍ）４．７５ｇ（０．
０２２ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラン７５ｍｌに溶
解し、そこにＡＩＢＮ２４５ｍｇ（２０ｍｍｏｌ・
ｌ-1）を加え、６０〜６５℃で攪拌する。６時間後放冷
し、反応混合物をリグロイン６００ｍｌに注ぎ、析出し
た沈殿を炉別する。更にもう一度再沈精製を行うことに
より目的物を６．８ｇ得た（収率５３％）。また、この
時ｋ＝０．１、ｍ＝０．３１、ｎ＝０．５９であった。 分子量：ＭＷ＝３２０００、ＭＷ／ＭＮ＝２．３３（ポ
リスチレン換算）
【実施例１７，１８】実施例１６と同様に、但し実施例
１で得たビニルモノマーと実施例３で得たビニルモノマ
ー、及びトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニルメ
タクリレートの仕込み比を代えて合成した。得られた重
合体の共重合比（ｋ／ｍ／ｎ）、及び重量平均分子量
（ＭＷ）を以下に示す。
１で得たビニルモノマーと実施例３で得たビニルモノマ
ー、及びトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカニルメ
タクリレートの仕込み比を代えて合成した。得られた重
合体の共重合比（ｋ／ｍ／ｎ）、及び重量平均分子量
（ＭＷ）を以下に示す。
【００６８】
【表５】
【００６９】
【実施例１９】実施例１７と同様に、但しＡＩＢＮの量
（濃度）２０ｍｍｏｌ・ｌ-1を４０ｍｍｏｌ・ｌ-1に代
えて重合した。得られた重合体の共重合比（ｋ／ｍ／
ｎ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下に示す。
（濃度）２０ｍｍｏｌ・ｌ-1を４０ｍｍｏｌ・ｌ-1に代
えて重合した。得られた重合体の共重合比（ｋ／ｍ／
ｎ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下に示す。
【００７０】
【表６】
【００７１】
【実施例２０】実施例１で得られたビニルモノマーと実
施例３で得られたビニルモノマー、及びイソボルニルメ
タクリレートとの三元共重合体（一般式（２）におい
て、Ｒ4、Ｒ6 、Ｒ9 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 がトリシ
クロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイル
基、Ｒ8 がテトラヒドロピラン−２−イル基、Ｒ10がイ
ソボルニル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭素−炭
素結合からなる連結基）の合成
施例３で得られたビニルモノマー、及びイソボルニルメ
タクリレートとの三元共重合体（一般式（２）におい
て、Ｒ4、Ｒ6 、Ｒ9 がメチル基、Ｒ5 、Ｒ7 がトリシ
クロ［５．２．１．０2,6 ］デカン−４，８−ジイル
基、Ｒ8 がテトラヒドロピラン−２−イル基、Ｒ10がイ
ソボルニル基、Ａ、Ｄが−ＣＨ2 −、Ｂ、Ｅが炭素−炭
素結合からなる連結基）の合成
【００７２】
【化１９】
【００７３】実施例１６と同様に、但しトリシクロ
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレートに代え
てイソボルニルメタクリレート（共栄社化学（株）商品
名ライトエステル ＩＢ−Ｘ）を用いて重合した。得ら
れた重合体の共重合比（ｋ／ｍ／ｎ）、及び重量平均分
子量（ＭＷ）を以下に示す。
［５．２．１．０2,6 ］デカニルメタクリレートに代え
てイソボルニルメタクリレート（共栄社化学（株）商品
名ライトエステル ＩＢ−Ｘ）を用いて重合した。得ら
れた重合体の共重合比（ｋ／ｍ／ｎ）、及び重量平均分
子量（ＭＷ）を以下に示す。
【００７４】
【表７】
【００７５】
【実施例２１】実施例８で得られたビニルモノマーと実
施例７で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 がノルボ
ルナンジイル基、Ｒ7 がトリシクロ［５．２．１．０
2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ8 がｔｅｒｔ−ブ
チル基、Ａが酸素−炭素結合からなる連結基、Ｄが−Ｃ
Ｈ2−、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結基、ｎが
０）の合成
施例７で得られたビニルモノマーの共重合体（一般式
（２）において、Ｒ4 、Ｒ6 がメチル基、Ｒ5 がノルボ
ルナンジイル基、Ｒ7 がトリシクロ［５．２．１．０
2,6 ］デカン−４，８−ジイル基、Ｒ8 がｔｅｒｔ−ブ
チル基、Ａが酸素−炭素結合からなる連結基、Ｄが−Ｃ
Ｈ2−、Ｂ、Ｅが炭素−炭素結合からなる連結基、ｎが
０）の合成
【００７６】
【化２０】
【００７７】実施例１５と同様に、但し実施例１で得た
ビニルモノマーに代えて実施例８で得たビニルモノマー
を用いて重合した。得られた重合体の共重合比（ｋ／
ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下に示す。
ビニルモノマーに代えて実施例８で得たビニルモノマー
を用いて重合した。得られた重合体の共重合比（ｋ／
ｍ）、及び重量平均分子量（ＭＷ）を以下に示す。
【００７８】
【表８】
【００７９】
【実施例２２】下記の組成からなるレジストを調製し
た。以下の実験はイエローランプ下にておこなった。 （ａ）樹脂（実施例１１） ０．９７０ｇ （ｂ）シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート（光
酸発生剤：一般式（３）の化合物）０．０３０ｇ （ｃ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート（溶媒）４．０００ｇ 上記混合物を０．２μm のテフロンフィルターを用いて
ろ過し、レジストを調製した。３インチ石英基板上に上
記レジストをスピンコート塗布し、９０℃、６０秒間ホ
ットプレート上でベーキングをおこない、膜厚が１．０
μm の薄膜を形成した。得られた膜の透過率の波長依存
性を紫外可視分光光度計を用いて測定した結果、この薄
膜の１９３．４nmにおける透過率は６５％であり、単層
レジストとして充分な透明性を示すことを確認した。
た。以下の実験はイエローランプ下にておこなった。 （ａ）樹脂（実施例１１） ０．９７０ｇ （ｂ）シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート（光
酸発生剤：一般式（３）の化合物）０．０３０ｇ （ｃ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート（溶媒）４．０００ｇ 上記混合物を０．２μm のテフロンフィルターを用いて
ろ過し、レジストを調製した。３インチ石英基板上に上
記レジストをスピンコート塗布し、９０℃、６０秒間ホ
ットプレート上でベーキングをおこない、膜厚が１．０
μm の薄膜を形成した。得られた膜の透過率の波長依存
性を紫外可視分光光度計を用いて測定した結果、この薄
膜の１９３．４nmにおける透過率は６５％であり、単層
レジストとして充分な透明性を示すことを確認した。
【００８０】
【実施例２３】実施例２２と同様にして、但し実施例１
１の樹脂に代えて実施例１７の樹脂を用いて行った。そ
の結果、薄膜の１９３．４nmにおける透過率は６７％で
あり、単層レジストとして充分な透明性を示すことを確
認した。
１の樹脂に代えて実施例１７の樹脂を用いて行った。そ
の結果、薄膜の１９３．４nmにおける透過率は６７％で
あり、単層レジストとして充分な透明性を示すことを確
認した。
【００８１】
【実施例２４】実施例２２と同様にして、但し実施例１
１の樹脂に代えて実施例２１の樹脂を、シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナートに代えて２−オキソシクロ
ヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナートを用いて行った。その結
果、薄膜の１９３．４nmにおける透過率は６８％であ
り、単層レジストとして充分な透明性を示すことを確認
した。
１の樹脂に代えて実施例２１の樹脂を、シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナートに代えて２−オキソシクロ
ヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナートを用いて行った。その結
果、薄膜の１９３．４nmにおける透過率は６８％であ
り、単層レジストとして充分な透明性を示すことを確認
した。
【００８２】
【実施例２５】実施例１１で得た樹脂２ｇをジエチレン
グリコールジメチルエーテル１０ｇに溶解し、更に０．
２μm のテフロンフィルターを用いてろ過し、３インチ
シリコン基板上にスピンコート塗布し、９０℃、６０秒
間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚０．７μ
m の薄膜を形成した。得られた膜を日電アネルバ製ＤＥ
Ｍ４５１リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置
を用いてＣＦ4 ガスに対するエッチング速度を測定した
（エッチング条件：Ｐｏｗｅｒ＝１００Ｗ、圧力＝５Ｐ
ａ、ガス流量＝３０ｓｃｃｍ）。その結果を表９に示
す。同様にして、実施例１５で得た樹脂、及び実施例１
７で得た樹脂についてもエッチング速度を測定した。な
お比較例として分子構造に有橋環式炭化水素基も持たな
い樹脂であるポリメチルメタクリレート塗布膜の結果も
示す。
グリコールジメチルエーテル１０ｇに溶解し、更に０．
２μm のテフロンフィルターを用いてろ過し、３インチ
シリコン基板上にスピンコート塗布し、９０℃、６０秒
間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚０．７μ
m の薄膜を形成した。得られた膜を日電アネルバ製ＤＥ
Ｍ４５１リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置
を用いてＣＦ4 ガスに対するエッチング速度を測定した
（エッチング条件：Ｐｏｗｅｒ＝１００Ｗ、圧力＝５Ｐ
ａ、ガス流量＝３０ｓｃｃｍ）。その結果を表９に示
す。同様にして、実施例１５で得た樹脂、及び実施例１
７で得た樹脂についてもエッチング速度を測定した。な
お比較例として分子構造に有橋環式炭化水素基も持たな
い樹脂であるポリメチルメタクリレート塗布膜の結果も
示す。
【００８３】
【表９】
【００８４】上記の結果から、本発明で用いた樹脂はＣ
Ｆ4 ガスに対するエッチング速度が遅く、ドライエッチ
ング耐性に優れていることが示された。
Ｆ4 ガスに対するエッチング速度が遅く、ドライエッチ
ング耐性に優れていることが示された。
【００８５】
【実施例２６】実施例２２で示したレジストを用い、窒
素で充分パージされた密着型露光実験機中に成膜したウ
ェハーを静置した。石英板上にクロムでパターンを描い
たマスクをレジスト膜上に密着させ、そのマスクを通し
てＡｒＦエキシマレーザ光を照射した。その後すぐさま
９０℃、６０秒間ホットプレート上でベークし、液温２
３℃のアルカリ現像液（２．３重量部のテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイドを含有する水溶液）で６０
秒間浸漬法による現像をおこない、続けて６０秒間純水
でリンス処理をそれぞれおこなった。この結果、レジス
ト膜の露光部分のみが現像液に溶解除去され、ポジ型の
パターンが得られた。この実験において露光量が約３０
ｍＪ／cm2 のとき０．２５μm Ｌ／Ｓの解像性が得られ
た。このとき走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製作所製、
ＳＥ−４１００）にて解像したパターンを観察したが、
現像残り、パターン剥がれなどの現象はみられなかっ
た。
素で充分パージされた密着型露光実験機中に成膜したウ
ェハーを静置した。石英板上にクロムでパターンを描い
たマスクをレジスト膜上に密着させ、そのマスクを通し
てＡｒＦエキシマレーザ光を照射した。その後すぐさま
９０℃、６０秒間ホットプレート上でベークし、液温２
３℃のアルカリ現像液（２．３重量部のテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイドを含有する水溶液）で６０
秒間浸漬法による現像をおこない、続けて６０秒間純水
でリンス処理をそれぞれおこなった。この結果、レジス
ト膜の露光部分のみが現像液に溶解除去され、ポジ型の
パターンが得られた。この実験において露光量が約３０
ｍＪ／cm2 のとき０．２５μm Ｌ／Ｓの解像性が得られ
た。このとき走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製作所製、
ＳＥ−４１００）にて解像したパターンを観察したが、
現像残り、パターン剥がれなどの現象はみられなかっ
た。
【００８６】
【実施例２７】実施例２６と同様にして、但し実施例２
２のレジストの代わりに実施例２３のレジストを用いて
行った。その結果、露光量３５ｍＪ／cm2 の時、解像度
は０．２５μm Ｌ／Ｓであった。
２のレジストの代わりに実施例２３のレジストを用いて
行った。その結果、露光量３５ｍＪ／cm2 の時、解像度
は０．２５μm Ｌ／Ｓであった。
【００８７】
【実施例２８】実施例２６と同様にして、但し実施例２
２のレジストの代わりに実施例２４のレジストを用いて
行った。その結果、露光量２８ｍＪ／cm2 の時、解像度
は０．２５μm Ｌ／Ｓであった。
２のレジストの代わりに実施例２４のレジストを用いて
行った。その結果、露光量２８ｍＪ／cm2 の時、解像度
は０．２５μm Ｌ／Ｓであった。
【００８８】
【発明の効果】以上に説明したことから明らかなよう
に、本発明のフォトレジスト組成物は、２２０nm以下の
遠紫外領域に対し高い透明性を有し、かつ遠紫外線の露
光光に対し高い感度、解像度を示し、更にドライエッチ
ング耐性が良く、２２０nm以下の遠紫外線とくにＡｒＦ
エキシマレーザを露光光とするフォトレジストに最適で
あり、本発明のフォトレジスト組成物を用いることで、
半導体素子製造に必要な微細パターン形成が可能であ
る。
に、本発明のフォトレジスト組成物は、２２０nm以下の
遠紫外領域に対し高い透明性を有し、かつ遠紫外線の露
光光に対し高い感度、解像度を示し、更にドライエッチ
ング耐性が良く、２２０nm以下の遠紫外線とくにＡｒＦ
エキシマレーザを露光光とするフォトレジストに最適で
あり、本発明のフォトレジスト組成物を用いることで、
半導体素子製造に必要な微細パターン形成が可能であ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 33/14 Ｃ０８Ｌ 33/14 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ 7/039 ５０１ 7/039 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 長谷川 悦雄 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−252324（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−265212（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−33350（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−105810（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−201611（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−194109（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−194108（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−194107（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−12626（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−221841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−113007（ＪＰ，Ａ) Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃ ｉ．Ｔｅｃｈ．，（1995）８（４）ｐ. 623−626 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 61/35 C07C 69/757 C07D 309/12 C08F 20/26 C08K 5/00 C08L 33/14 G03F 7/004 503 G03F 7/039 501 H01L 21/027 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（１）で示されることを特徴とする
ビニルモノマー。 【化１】 （上式において、Ｒ1 は水素原子或いはメチル基、Ｒ2
は炭素数７〜１３の２価の有橋環式炭化水素基、Ｒ3 は
酸により分解する基、或いは水素原子、Ｘはアルキレン
基、又は酸素−炭素結合からなる連結基、Ｙはアルキレ
ン基、又は炭素−炭素結合からなる連結基） - 【請求項２】 請求項１記載の一般式（１）で示される
ビニルモノマー同士を重合、もしくは他の化合物と共重
合して得られる下記一般式（１’）で示される単位を有
することを特徴とする重合体。 - 【請求項３】一般式（２）で示されることを特徴とする
重合体。 【化２】 （上式において、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ9 は水素原子或いはメ
チル基、Ｒ5 、Ｒ7 は炭素数７〜１３の２価の有橋環式
炭化水素基、Ｒ8 は酸により分解する基、Ｒ10は水素原
子、又は炭素数１〜１０の炭化水素基、ｋ＋ｍ＋ｎ＝
１．０、ｋは０〜１．０、ｍは０〜１．０、ｎは０〜
０．９、Ａ、Ｄはアルキレン基、又は酸素−炭素結合か
らなる連結基、Ｂ、Ｅはアルキレン基、又は炭素−炭素
結合からなる連結基を表す。また、重合体の重量平均分
子量は１０００〜５０００００である。） - 【請求項４】少なくとも請求項２ないし３記載の重合体
を７０〜９８．８重量部、露光により酸を発生する光酸
発生剤を０．２〜３０重量部含有することを特徴とする
フォトレジスト組成物。 - 【請求項５】請求項４記載のフォトレジスト組成物を被
加工基板上に塗布し、プリベーク後、２２０nm以下の遠
紫外線により選択的に露光し、次いでベークを行った後
に現像して、レジストパターンを形成することを特徴と
するパターン形成方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
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| US08/588,607 US5665518A (en) | 1995-01-26 | 1996-01-19 | Photoresist and monomer and polymer for composing the photoresist |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-11043 | 1995-01-26 | ||
| JP1104395 | 1995-01-26 | ||
| JP7203150A JP2856116B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-08-09 | ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259626A JPH08259626A (ja) | 1996-10-08 |
| JP2856116B2 true JP2856116B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=26346418
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|---|---|---|---|
| JP7203150A Expired - Lifetime JP2856116B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-08-09 | ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
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| JP (1) | JP2856116B2 (ja) |
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| US6638685B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-10-28 | Nec Corporation | Photoacid generator containing two kinds of sulfonium salt compound, chemically amplified resist containing the same and pattern transfer method |
| US7192682B2 (en) | 2002-06-28 | 2007-03-20 | Nec Corporation | Unsaturated monomers, polymers, chemically-amplified resist composition, and process of pattern formation |
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| US6692887B1 (en) | 1996-02-09 | 2004-02-17 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| JP3804138B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2006-08-02 | Ｊｓｒ株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物 |
| JP3691897B2 (ja) | 1996-03-07 | 2005-09-07 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
| AU725653B2 (en) * | 1996-03-07 | 2000-10-19 | B.F. Goodrich Company, The | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
| KR100219573B1 (ko) * | 1996-08-05 | 1999-09-01 | 윤종용 | 감광성 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| JP3645365B2 (ja) * | 1996-08-15 | 2005-05-11 | 富士写真フイルム株式会社 | 遠紫外線露光用感光性樹脂組成物 |
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| US6030747A (en) * | 1997-03-07 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask |
| JP2973998B2 (ja) | 1997-03-07 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2943759B2 (ja) | 1997-04-16 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | （メタ）アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
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| JP3055617B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | ネガ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
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1995
- 1995-08-09 JP JP7203150A patent/JP2856116B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-19 US US08/588,607 patent/US5665518A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08259626A (ja) | 1996-10-08 |
| US5665518A (en) | 1997-09-09 |
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