JPS62127737A

JPS62127737A - 現像液

Info

Publication number: JPS62127737A
Application number: JP26612885A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Kamoshita; 鴨志田　洋一; Takao Koshiba; 小柴　孝夫; Takao Miura; 孝夫三浦; Yoshiyuki Harita; 榛田　善行
Original assignee: Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1985-11-28
Filing date: 1985-11-28
Publication date: 1987-06-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、現像液に関し、更に詳細にはハロゲン含有ポ
リスチレン系樹脂からなるネガ型レジストとして好適な
パターン形成材料の現像液に関する。

〔従来の技術〕

従来、集積回路用の製造工程においては、環化ポリイソ
プレン系皐ガ型レジストやキノンジアジド−ノボランク
樹脂系ポジ型レジストを基板に塗布し、コンタクトアラ
イナ−やステッパーを用いて紫外線照射によりマスクパ
ターンを転写し、現像することによりレジストパターン
を形成し、更にフン化水素酸やリン酸の水溶液に浸漬し
、ウェットエツチングするという方法が取られてきた。

しかしながら、集積回路を微細化するためには、紫外線
の回折現象やウェットエツチングによるサイドエツチン
グが妨げとなる。

それゆえ、紫外線の回折現象を最小限にするために、波
長の短い遠紫外線、電子線、ある、いはＸ線などの電離
放射線を照射し現像することによりレジストパターンを
形成し、エソチング工程にプラズマを用いた反応性イオ
ンエツチングや反応性イオンビームエツチングなどのド
ライエラチングラ行い、異方性エツチングによるサイド
エツチングをなくすという方法が採用されつつある。

このような製造工程に用いられるレジストは、電離放射
線に対して高感度であり、かつドライエツチングに対し
て高い耐性を持つ必要があり、このようなレジストとし
てはハロゲン含有ポリスチレン系樹脂からなるネガ型レ
ジストを挙げることができる。

かかるハロゲン含有ポリスチレン系樹脂からなるネガ型
レジストは、電離放射線に対して高感度であり、耐ドラ
イエツチング性も優れているが、現像時に膨潤するため
解像度が低いという問題点を有している。

このような問題点を解消するため、ハロゲン含有ポリス
チレン系樹脂からなるネガ型レジストを現像するにあた
り、架橋したハロゲン含有ポリスチレン樹脂からなるネ
ガ型レジストの膨潤度の三乗根が１．３〜１．８になる
現像液を使用することにより、解像度の優れた鮮明な微
細レジストパターンを得るハロゲン含有ポリスチレン系
樹脂からなるネガ型レジストの現像方法が提案されてい
る（特開昭６０−８３９４０号公報）。

ここで、前記ネガ型レジストの架橋とは、高分子を３次
元的な網目状の構造に変化させることであり、その架橋
した高分子と親和性の高い単一溶媒もしくは混合溶媒中
へ浸漬すると一定時間経過後に膨潤し、膨潤平衡に達す
る。このときの膨潤した高分子の体積分率の逆数を膨潤
度と定義する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、前記先行技術では、膨潤度の三乗根が１．３
未満では現像残りがあり、鮮明な画像は得られないとさ
れており、使用される現像液の範囲が限定されていた。

本発明は、かかる従来技術の有する技術的課題を背景に
なされたもので、ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂から
なるネガ型レジストとして好適なパターン形成材料に対
して高解像度のパターンを形成し得る現像液を提供する
ことを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

即ち、本発明は、ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂から
なるパターン形成材料の現像液において、一般式（１）
で表される化合物Ｒ’　　ＯＣｎＨｚ−ＯＨ・・・・　（１）（式中、Ｒ
１は炭素数１〜７のアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基またはアラルキル基を示し、ｎは２または３を示す
。）一般式（ＩＩ）で表される化合物ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＲ’　　・−・・　（ＩＩ）
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ）および一般式（ＩＩＩ）で表される化合物ＣＨｚ　　（
ＯＨ）ＣＯＯＲ’　　　　・・・・　（ＩＩＩ）（式中
、Ｒ１は一般式（Ｉ）に同じ）から選ばれ、電離放射線照射後のパターン形成材料に対
する膨潤度の三乗根が１．０以上、１．３未満の範囲に
ある化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする
現像液を提供するものである。

かかる一般式（Ｉ）で表される化合物を構成するＲ１　
は、炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル基、了り
−ル基またはアラルキル基であり、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、アミル基などのアルキ
ル基；例えばアリル基、２メチルアリル基などのアルケ
ニル基；例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基などのアリール基；例えばベンシル基、メチル
ベンジル基などのアラルキル基を挙げることができる。

この一般式（１）で表される化合物の具体例としては、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−
ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコール−１−プロ
ピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエ
ーテル、エチレングリコールモノ−１−ブチルエーテル
、エチレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、エチ
レングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコ
ールモノベンジルエーテル、エチレングリコ−ルモノア
リルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノＩ−Ｊ’−ルエーテル、
プロピレングリコ−／Ｌ／−ｎ　−７”ロビルエーテル
、プロピレングリコール−ｉ　−７’口ピルエーテル、
プロピレングリコ−ＪＬ／−ｎ　−７’チルエーテルな
どが挙げられ、特に好ましくはエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコール−１−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、エチレング
リコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノアリ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコール−１−プロピルエーテルなどである。

また、−ｉ式（ＩＩ）で表される化合物を構成するＲ１
は、前記一般式（１）のＲ１と同様であり、一般式（ｎ
）で表される化合物の具体例としては、乳酸メチル、乳
酸エチル、乳酸−ｎ−プロピル、乳酸−１−プロピル、
乳酸−ｎ−ブチル、乳酸−１−ブチル、乳酸−ｔ−ブチ
ル、乳酸エチニル、乳酸アリル、乳酸フェニル、乳酸ベ
ンジルなどが挙げられ、特に好ましくは乳酸メチル、乳
酸エチル、乳酸−１−プロピル、乳酸エチニル、乳酸フ
リルなどである。

更に、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を構成するＲ
１も、前記一般式Ｎ）のＲ１と同様であり、一般式（Ｉ
ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、ヒドロキシ
酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸−
４−プロピル、ヒドロキシ酢酸−ｎ−ブチル、ヒドロキ
シ酢酸−３−ブチル、ヒドロキシ酢酸アリル、ヒドロキ
シ酢酸フェニル、ヒドロキシ酢酸ヘンシルなどが挙げら
れ、特に好ましくはヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ
酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸アリルなどである。

本発明において用いられる前記一般式（１）〜（ＩＩＩ
）で表される化合物は、電離放射線照射後のハロゲン含
有ポリスチレン系樹脂からなるパターン形成材料に対す
る膨潤度の三乗根が１．０以上、１．３未満の範囲にあ
ることが必要であり、。

１．０未満では現像できず、一方１．３以上では高解像
度を得ることができない。

なお、ここにおける膨潤度は後記の方法により測定する
ことができる。

前記一般式（１）〜（Ｉ［［）で表される化合物は、１
種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられ、現像液
中の前記化合物の割合は、通常、３０重量〜１００重量
％、好ましくは５０〜１００重量％である。前記一般式
（１）〜（ＩＩ［）で表される化合物の現像液中の割合
が３０重量％未満となると、現像時にパターンの膨潤が
大きくなるため解像度が低下したり、または現像できな
くなるためパターンを形成することができなくなる。

本発明において、前記の現像液に添加することができる
その他の化合物としては、前記一般式（Ｉ）〜（Ｉ［）
で表される化合物と相溶性があるものであり、かつ現像
時のパターンの膨潤が激しくなることがなく、本発明の
口約とする高解像度を損なうものでなければ良く、例え
ばエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコール、ア
セトン、メチルイソブチルケトン、ジメチルカーボネー
ト、エタノール、イソプロパツール、イソアミルアルコ
ール、ｎ−へブタン、ｎ−オクタン、メチルシクロヘキ
サン、ヘンゼン、メチレンクロリド、シクロヘキサン、
ジオキサン、酢酸ｎ−ブチル、ｍ−キシレン、エチルヘ
ンゼン、トルエン、ｐ−キシレン、ｐ−シメン、ベンゾ
ニトリル、四塩化炭素、エチルセロソルブアセテート、
メチルエチルケトン、イソプロピルアルコール、ｌ、１
．２−）リクロロエタン、２−二トロプロパンなどが挙
げられる。

なお、本発明の現像液に、界面活性剤、例えば脂肪酸エ
ステル系非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、
シリコーン系界面活性剤を現像性などを更に改良するた
めに添加してもよい。

ここで、脂肪酸エステル系非イオン界面活性剤としては
、ソルビタントリオレエート、ソルビタンセスキオレエ
ート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタンモノステ
アレート、ソルビタンジステアレート、ステアリン酸モ
ノグリセリド、オレイン酸モノグリセリドなどのＨＬＢ
が１〜５のものを挙げることができる。

また、フッ素系界面活性剤としては、例えばサーフロン
ｒＳ−３８１Ｊ、ｒＳ−３８２Ｊ、ｒＳＣ−１０１Ｊ、
ｒＳＣ−１０２」、ｒｓｃ−１０３」、ｒＳＣ−ＬＯ４
Ｊ　　（いずれも旭硝子■製）、フロラードｒＦＣ−４
３０ｊ、ｒＦＣ−４３１」、ｒＦＣ−１７３Ｊ　　（い
ずれもフロロケミカル−住友スリーエム■製）、エフト
ップｒＥＦ３５２Ｊ、ｒＥＦ３０１Ｊ、ｒＥＦ３０３Ｊ
（いずれも新秋用化成■製）、シュベゴーフルア−ｒＳ
　０３５Ｊ、ｒ８０３６Ｊ　　（いずれもビーエム・ヒ
ミー社製）などを挙げることができる。

更に、シリコーン系界面活性剤としては、例えばオルガ
ノシロキサンポリマーＫＰ３４１　　（信越化学工業■
製）を挙げることができる。

これら界面活性剤は、現像液中に１重量％以下、好まし
くは０．００１〜０．５重量％添加される。

前記界面活性剤の量が１重量％を超えると、現像速度が
遅くなったり、パターン形成材料の種類によっては現像
時にパターンが剥離し易くなることがある。

本発明における現像液の温度は、一般に０〜５０℃、好
ましくは１０〜４０°Ｃであり、現像時間はパターン形
成材料の被膜の初期膜厚に依存するが、通常、５秒〜１
０分である。また、現像方法は特に制限はないが、浸漬
現像、スプレー現像、シャワー現像、パドル現像などに
より、好適な結果が得られる。このようにして得られる
パターンを形成したウェーハは酸素プラズマなどでライ
ト・アッシングまたはデスカミングなどの処理を施すこ
ともできる。

本発明の現像液を適用できるパターン形成材料は、ハロ
ゲン含有ポリスチレン系樹脂からなるパターン形成材料
であれば特に制限はないが、例えば次の一般式（ＩＶ）
〜（Ｖｌ）から選ばれた少なくとも１種の繰り返し構造
単位を含む樹脂などが挙げられる。

−ＣＨ２−Ｃ−（ＩＶ）ミ肖４（式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒ２−Ｒ６は同一または異
なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、７／Ｌ／
コキシ基もしくはアセチル基、ハロゲン原子、ハロアル
キル基、ハロアセチル基またはハロアルコキシ基である
。）Ｈ（式中、ＸおよびＲＺ　、　Ｒｈは一般式（ＩＶ）に同
ＣＨｚ　　　　　ＣＨ− （式中、Ｒ７〜Ｒ”は同一または異なり、水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アセチル基
、ハロアセチル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基で
あり、このうち少なくとも１個はハロゲン原子、ハロア
ルキル基、ハロアセチル基もしくはハロアルコキシ基で
ある。）前記一般式（ＴＶ）〜（Ｖｌ）から選ばれた少
なくとも１種の繰り返し構造単位を含む樹脂としては、
具体的にはヨウ素化ポリスチレン、臭素化ポリスチレン
、塩素化ポリスチレン、フッ素化ポリスチレン、クロロ
メチル化ポリスチレン、ブロモメチル化ポリスチレン、
部分ブロモ置換クロロメチル化ポリスチレン、塩素化ポ
リアセチルスチレン、臭素化ポリアセチルスチレン、ト
リクロロアセチル化ポリスチレン、トリブロモアセチル
化ポリスチレン、塩素化ポリメチルスチレン、臭素化ポ
リメチルスチレン、ヨウ素化ポリメチルスチレン、フッ
素化ポリメチルスチレン、部分ブロモ置換塩素化ポリメ
チルスチレン、塩素化メチルスチレン−ジメチルシロキ
サン共重合体、クロロメチルスチレン−スチレン共重合
体、り四ロメチルスチレンースチレン共重合体、ポリク
ロロエチルスチレン、ポリクロロメチル−α−メチルス
チレン、ポリブロモメチルスチレン、ポリブロモメチル
−α−メチルスチレン、ポリョウドスチレン、ポリクロ
ロエチルスチレン、ポリクロロエチル−α−メチルスチ
レン、ポリクロロプロピルスチレン、ポリクロロプロピ
ル−α−メチルスチレン、ポリジプロモスチレン、ポリ
ジプロモスチレン、ポリジブロモ−α−メチルスチレン
、ポリジヨウビーα−メチルスチレンなどが挙げられる
が、これらの樹脂に限定されるものではない。

前記ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂中のハロゲン原子
の含量は、ハロゲンの種類によっても異なるが好ましく
は１〜５０重量％、特に好ましくは１〜４０重量％であ
る。また、前記ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂の分子
量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、好ましくは
１０，０００〜２．０００，０００　、特に好ましくは
２０，０００〜１．５００，０００である。

更に、前記ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂の好ましい
分子量分布（ポリスチレン換算重量平均分子Ｎ／ポリス
チレン換算数平均分子量）は、１〜４、特に好ましくは
１〜２である。

なお、本発明に記載されている膨潤度は、以下のように
して測定することができる。

■酸化膜を形成したシリコンウェーハを、約１体積％の
中性洗剤水溶液中に浸漬したのち、１２０℃のオーブン
中で３０分間乾燥させる。

■測定対象のパターン形成材料の溶液を、膜厚１〜２μ
ｍとなるように中性洗剤で前処理した前記ウェーハ上に
回転塗布した後、空気中あるいは窒素中にて、９０℃で
３０分間、加熱乾燥する。

■乾燥後、前記パターン形成材料を塗布したウェーハ上
に、所定の線量の電離放射線を全面照射する。

■電離放射線を照射したウェーハを水中に浸漬してパタ
ーン形成材料を剥離したのち、０．５ＸＯ，５ｃｆｌｌ
程度に切断した試料片を、膨潤度測定試料とする。

■前記試料片を透明のガラス容器に入れ、万能投影器を
用いて拡大し、膨潤前の試料片の一辺の長さくＬｏ　）
を測定する。次に、試料片の入ったガラス容器中に測定
対象である溶媒を注入し、現像温度において５分静置し
たのち、膨潤した試料片の一辺の長さくＬ）を、再度、
万能投影器を用いて拡大し測定する。

■膨潤度は、（Ｌ／ＬＯ）’で求められ、その三乗根は
（Ｌ／Ｌ、）となる。

〔実施例〕

次に、本発明の現像液を実施例によって具体的に説明す
る。

実施例１〜９、比較例１〜４ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂の製造アニオン重合に
より重合したポリｍ−メチルスチレンおよびポリＰ−メ
チルスチレンが重量比で３：２（ポリｍ−メチルスチレ
ン：ポリＰ−メチルスチレン）に混合されたちの１１．
８ｇを１βの丸底フラスコに入れ、系内を窒素置換した
後、塩化炭素２５０ｇ、４，４′−アゾビスイソブチロ
ニトリル９６■および次亜塩素酸−ｔ−ブチル−０，９
ｇを加え、系内を７０　’Ｃに保って９０分間反応させ
た。反応生成物を２２のメタノール溶液中に入れて生成
物を分離回収した。

得られた生成物を”ｃ−核磁気共鳴装置（１３Ｃ−ＮＭ
Ｒ）（プルツカ−社製、４００ＭＨｚ核磁気共鳴スペク
トロメーター、ＭＳＬ６０型〕を用いて分析したところ
、δ＝４６ｐｐｍにクロロメチル基に起因する吸収が認
められ、δ−７１８ｐｐｍにジクロロメチル基に起因す
る吸収が認められた。更にδ＝４６〜５２ｐｐｍにＣβ 一舌−に起因する吸収と、 δ−６８〜７６ｐｐｍにＣｐ □ 一〇−に起因する吸収が認められた。

このことから塩素化は、ポリメチルスチレンの側鎖メチ
ル基と主鎖のメチレン基およびメチン基に起こっている
ことが分かり、次に示す繰り返し構造単位（ア）〜（１
）が生成していることが分かった。

−ＣＨ２−ＣＨ− −ＣＨ，−ＣＨ− Ｃρ −ＣＨ−ＣＨ− また、前記生成物を元素分析法により生成物中の塩素含
量を求めたところ、２０．９重量％であった。また、ポ
リスチレン換算重量平均分子量および分子量分布を、ゲ
ル・パーミェーション・クロマトグラフィーにより求め
たところ、それぞれ５Ｘ１０’および１．３であった。

腹二皮皇■足前記ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂をパターン形成材
料としてｍ−キシレンに溶解し、１０重量％溶液とし、
このパターン形成材料の各溶媒に対する膨潤度の３乗根
（以下ｒＬ／Ｌｏ　Ｊと略記する）を、２５°Ｃでパタ
ーン形成材料の膜厚２μｍにおいて第１表に示す溶媒を
現像液として用いて前記詳細な説明中の方法に準じて測
定した。

その結果を第１表に示す。

なお、電離放射線の照射は、パラジウムＬα特性Ｘ線（
波長４．３６人）を用いてヘリウム雰囲気下で照射量５
０ｍＪ／ｃｆｆｌで行った。

■１皮■五足第１表に示すＬ／Ｌ、を測定した溶媒を含む現像液を用
いて、以下のとおり解像度を測定した。

前記パターン形成材料の溶液をシリコンウェーハ上にパ
ターン形成材料の膜厚が１μｍとなるように回転塗布し
た。

次いで、温度を９０°Ｃに保ったホットプレート上で２
分間プレベークした後、電子線を用いて真空中で１〜５
μＣ／ｃＩＩＩの電荷量で抜きと残しのパターンの幅が
等しいパターン（ＩＬ／１ｓパターン）を描画した後、
第２表に示す溶媒からなる現像液を用いて攪拌しながら
５分間浸漬現像した。

更に、リンス液として現像に用いた溶媒に対してイソプ
ロピルアルコールを容量比＝１／４の混合溶媒を用いて
１分間浸漬しながらリンスした後、窒素を吹きつけなが
ら乾燥させた。解像度の判定は、光学顕微鏡にて行い、
解像されている最小線幅を解像度とし、またそのときの
照射量を感度とした。結果を第２表に示す。

実施例１０〜１５ハロゲン含　ポリスチレン系樹脂の製造次亜塩素酸−ｔ
−ブチルの使用量を２０ｇにした以外は、実施例１〜９
で用いたハロゲン含有ポリスチレン系樹脂の合成法と同
様の方法でハロゲン含有ポリスチレン系樹脂を合成した
。

得られた生成物を実施例１〜９と同様に”ｃ　−ＮＭＲ
を用いて構造解析したところ、前記（ア）〜（１）の繰
り返し構造単位が生成していることが分かった。

また、前記生成物を元素分析法により生成物中の塩素含
量を求めたところ、３８．３重量％であった。更に、ポ
リスチレン換算重量平均分子量と分子量分布をゲル・パ
ーミェーション・クロマトグラフィーにより求めたとこ
ろ、それぞれ５．２×１０５および１．４であった。

膨潤度の判定前記ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂をパターン形成材
料とし、電離放射線の照射量を３６ｍＪ／　ｃｎｌとす
るほかは、実施例１〜９と同様の操作で第３表に示す溶
媒を現像英として用いてＬ　／　Ｌ　。

を測定した。結果を第３表に示す。

解像度の測定第３表に示すＬ／Ｌ、を測定した溶媒を現像液として、
以下のとおり解像度を測定した。

次いで、温度を９０℃に保ち、雰囲気を窒素に置換した
循環式オーブン中で３０分間プレベークした。電離放射
線照射は、ヘリウム雰囲気下、Ｘ線としてパラジウムＬ
α線（３６ｍ　Ｊ　／ｃ＋＋Ｉ）を用いて、０．７μｍ
厚の金吸収体付きの窒化硼素膜よりなるマスクパターン
を介してプロキシミティーギャップを２０μｍとして照
射した。照射後、第３表に示す溶媒を用いて浸漬現像法
によりそれぞれ現像液を取り替えて４浴で、２分間、１
分間、１分間、１分間と合計５分間現像を行った後、現
像に用いた溶媒とイソアミルアルコールとが容量比で９
０／１０および５０１５０の混合溶媒を用いて各々１分
間リンスを行い、乾燥した。解像度の判定は、光学顕微
鏡にて行い、解像されている最小線幅を解像度としその
結果を第３表に示す。

（以下余白）第３表〔発明の効果〕本発明の現像液は、ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂よ
りなるネガ型レジストとして好適なパターン形成材料に
対して用いると、殆どパターンを膨潤させないため、高
解像度のパターンを形成することができ、更に従来の膨
潤の大きい現像液に比較して照射線唯が少なくても良好
なパターンを得ることが可能となる。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ハロゲン含有ポリスチレン系樹脂からなるパター
ン形成材料の現像液において、一般式（ I ）で表される化合物Ｒ＾１−ＯＣ＿ｎＨ＿２＿ｎＯＨ・・・・（ I ）（式
中、Ｒ＾１は炭素数１〜７のアルキル基、アルケニル基
、アリール基またはアラルキル基を示し、ｎは２または
３を示す。）一般式（II）で表される化合物ＣＨ＿３ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＲ＾１・・・・（II）（式
中、Ｒ＾１は一般式（ I ）に同じ）および一般式（III）で表される化合物ＣＨ＿２（ＯＨ）ＣＯＯＲ＾１・・・・（III）（式中
、Ｒ＾１は一般式（ I ）に同じ）から選ばれ、電離放射線照射後のパターン形成材料に対
する膨潤度の三乗根が１．０以上、１．３未満の範囲に
ある化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする
現像液。