JP2002179795A - 感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法Info
- Publication number
- JP2002179795A JP2002179795A JP2000379991A JP2000379991A JP2002179795A JP 2002179795 A JP2002179795 A JP 2002179795A JP 2000379991 A JP2000379991 A JP 2000379991A JP 2000379991 A JP2000379991 A JP 2000379991A JP 2002179795 A JP2002179795 A JP 2002179795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- group
- vacuum ultraviolet
- ultraviolet light
- photolithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】真空紫外光に対して高い透過率を有し、優れた
解像性を発揮できるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】〔１〕下記式（１）で示される化合物を加
水分解することにより得られる樹脂を前駆体として得ら
れる感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘはフッ素以外のハロゲン原子を示す。） 〔２〕下記式（１）および（２）で示される化合物を加
水分解することにより得られ、（１）のモル数と（２）
のモル数との比をａ：ｂとしたときに、ａ：ｂの値が４
以上である樹脂を前駆体として得られる感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） Ｆ−ＳｉＸ3・・・・・（２） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） 〔３〕前記の〔１〕または〔２〕記載の感光性樹脂およ
び真空紫外光により架橋する官能基を持つアルカリ可溶
性樹脂を含有し、ネガ型感光性を有する真空紫外光を用
いる光リソグラフィー用レジスト組成物。
解像性を発揮できるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】〔１〕下記式（１）で示される化合物を加
水分解することにより得られる樹脂を前駆体として得ら
れる感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘはフッ素以外のハロゲン原子を示す。） 〔２〕下記式（１）および（２）で示される化合物を加
水分解することにより得られ、（１）のモル数と（２）
のモル数との比をａ：ｂとしたときに、ａ：ｂの値が４
以上である樹脂を前駆体として得られる感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） Ｆ−ＳｉＸ3・・・・・（２） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） 〔３〕前記の〔１〕または〔２〕記載の感光性樹脂およ
び真空紫外光により架橋する官能基を持つアルカリ可溶
性樹脂を含有し、ネガ型感光性を有する真空紫外光を用
いる光リソグラフィー用レジスト組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外光、中でも真
空紫外光（以下、ＶＵＶ光ということがある）で露光す
ることにより微細なレジストパターンを得ることができ
る感光性樹脂および該感光性樹脂を含有するレジスト組
成物に関する。
空紫外光（以下、ＶＵＶ光ということがある）で露光す
ることにより微細なレジストパターンを得ることができ
る感光性樹脂および該感光性樹脂を含有するレジスト組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、配
線の微細化、多層化が進行している。高集積化の進んだ
次世代の半導体装置の製造には、微細加工用のリソグラ
フィー技術としてＶＵＶ光が露光光源として検討され始
めており、特にＦ2エキシマーレーザー光である波長１
５７ｎｍの光を用いてリソグラフィを行うことが考えら
れている。しかしながら、このような光源の短波長化に
よって生じる問題としては、ＫｒＦエキシマーレーザー
光やＡｒＦエキシマーレーザー光を用いるリソグラフィ
ーに使うために提案されたレジスト材料は、通常１５７
ｎｍなどのＶＵＶ光に対して透過率が低く、高解像度を
実現することができないことが挙げられる。
線の微細化、多層化が進行している。高集積化の進んだ
次世代の半導体装置の製造には、微細加工用のリソグラ
フィー技術としてＶＵＶ光が露光光源として検討され始
めており、特にＦ2エキシマーレーザー光である波長１
５７ｎｍの光を用いてリソグラフィを行うことが考えら
れている。しかしながら、このような光源の短波長化に
よって生じる問題としては、ＫｒＦエキシマーレーザー
光やＡｒＦエキシマーレーザー光を用いるリソグラフィ
ーに使うために提案されたレジスト材料は、通常１５７
ｎｍなどのＶＵＶ光に対して透過率が低く、高解像度を
実現することができないことが挙げられる。
【０００３】このような従来のレジスト材料では、１５
７ｎｍなどのＶＵＶ光に対して透過率が低いため、実際
に使用される膜厚では下部まで十分に光が透過しない。
したがって、良好なパターン形成ができないため、半導
体製造プロセスで用いることが困難となる問題を有して
いた。
７ｎｍなどのＶＵＶ光に対して透過率が低いため、実際
に使用される膜厚では下部まで十分に光が透過しない。
したがって、良好なパターン形成ができないため、半導
体製造プロセスで用いることが困難となる問題を有して
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような従来技術の問題点を解決し、Ｆ2エキシマーレ
ーザー光に代表されるＶＵＶ光に対して高い透過率を有
し、優れた解像性を発揮できるレジスト組成物を提供す
ることにある。
のような従来技術の問題点を解決し、Ｆ2エキシマーレ
ーザー光に代表されるＶＵＶ光に対して高い透過率を有
し、優れた解像性を発揮できるレジスト組成物を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
解決するために、鋭意検討した結果、特定の樹脂前駆体
を用いて感光性樹脂を合成することにより目的を達成で
きることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明
は、〔１〕下記式（１）で示される化合物を加水分解す
ることにより得られる重量平均分子量が１０００〜５０
０００である樹脂を前駆体として得られる感光性樹脂に
係るものである Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘはフッ素以外のハロゲン原子を示す。）
解決するために、鋭意検討した結果、特定の樹脂前駆体
を用いて感光性樹脂を合成することにより目的を達成で
きることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明
は、〔１〕下記式（１）で示される化合物を加水分解す
ることにより得られる重量平均分子量が１０００〜５０
０００である樹脂を前駆体として得られる感光性樹脂に
係るものである Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘはフッ素以外のハロゲン原子を示す。）
【０００６】また、本発明は、〔２〕下記式（１）およ
び（２）で示される化合物を加水分解することにより得
られ、（１）のモル数と（２）のモル数との比をａ：ｂ
としたときに、ａ：ｂの値が４以上であり、重量平均分
子量が１０００〜５００００である樹脂を前駆体として
得られる感光性樹脂に係るものである。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） Ｆ−ＳｉＸ3・・・・・（２） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。）
び（２）で示される化合物を加水分解することにより得
られ、（１）のモル数と（２）のモル数との比をａ：ｂ
としたときに、ａ：ｂの値が４以上であり、重量平均分
子量が１０００〜５００００である樹脂を前駆体として
得られる感光性樹脂に係るものである。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） Ｆ−ＳｉＸ3・・・・・（２） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。）
【０００７】また、本発明は、〔３〕前記の〔１〕また
は〔２〕に記載の感光性樹脂を含有する真空紫外光を用
いる光リソグラフィー用レジスト組成物に係るものであ
る。
は〔２〕に記載の感光性樹脂を含有する真空紫外光を用
いる光リソグラフィー用レジスト組成物に係るものであ
る。
【０００８】また、本発明は、〔４〕前記の〔３〕に記
載の真空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組
成物を基材の表面に塗布する工程と、得られたレジスト
膜を真空紫外線により所望のパターンが得られるように
選択的に露光する工程と、パターン露光後のレジスト膜
を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去する工程
を有するレジストパターンの形成方法に係るものであ
る。
載の真空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組
成物を基材の表面に塗布する工程と、得られたレジスト
膜を真空紫外線により所望のパターンが得られるように
選択的に露光する工程と、パターン露光後のレジスト膜
を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去する工程
を有するレジストパターンの形成方法に係るものであ
る。
【０００９】さらに、本発明は、〔５〕段差のある基材
の表面に平坦化機能を有するレジスト材料を塗布し、下
層レジストを構成する工程と、前記の〔３〕に記載の真
空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物を
該下層レジストの表面に塗布し、上層レジストを形成す
る工程と、得られた上層レジスト膜を真空紫外線により
所望のパターンが得られるように選択的に露光する工程
と、パターン露光後の上層レジスト膜を現像して未露光
域のレジスト材料を溶解除去する工程と、上層レジスト
において形成されたレジストパターンを下層レジストに
転写する工程を有するレジストパターンの形成方法に係
るものである。
の表面に平坦化機能を有するレジスト材料を塗布し、下
層レジストを構成する工程と、前記の〔３〕に記載の真
空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物を
該下層レジストの表面に塗布し、上層レジストを形成す
る工程と、得られた上層レジスト膜を真空紫外線により
所望のパターンが得られるように選択的に露光する工程
と、パターン露光後の上層レジスト膜を現像して未露光
域のレジスト材料を溶解除去する工程と、上層レジスト
において形成されたレジストパターンを下層レジストに
転写する工程を有するレジストパターンの形成方法に係
るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の感光性樹脂の前駆体は、前記式（１）で
示される化合物、または前記式（１）で示される化合物
および式（２）で示される化合物を加水分解することに
より得られ、重量平均分子量が１０００〜５００００の
樹脂である。具体的には、該前駆体は、特開平６−３０
６１７５号公報に記載された方法等に従って容易に製造
することができる。本発明においては、（１）のモル数
と（２）のモル数との比をａ：ｂとしたときに、ａ：ｂ
の値は４以上である。ａ：ｂの値が、４未満では隣接す
るフッ素と水素間での縮合反応が進行しやすく、分子量
増加、ゲル化が起きやすく、前駆体の安定性が悪いため
好ましくない。
する。本発明の感光性樹脂の前駆体は、前記式（１）で
示される化合物、または前記式（１）で示される化合物
および式（２）で示される化合物を加水分解することに
より得られ、重量平均分子量が１０００〜５００００の
樹脂である。具体的には、該前駆体は、特開平６−３０
６１７５号公報に記載された方法等に従って容易に製造
することができる。本発明においては、（１）のモル数
と（２）のモル数との比をａ：ｂとしたときに、ａ：ｂ
の値は４以上である。ａ：ｂの値が、４未満では隣接す
るフッ素と水素間での縮合反応が進行しやすく、分子量
増加、ゲル化が起きやすく、前駆体の安定性が悪いため
好ましくない。
【００１１】前記の前駆体に、光分解基、感光性架橋
基、感光性化合物の作用により現像液への溶解性が変化
する基、または感光性化合物の作用により架橋剤と反応
する基を導入することにより、好適な感光性樹脂が得ら
れる。上記前駆体にこれらの基を導入する方法として
は、遷移金属触媒を用いたヒドロシリル化等が挙げられ
る。（ザ ケミストリー オブ オルガノシリコン コ
ンパウンズ 、１４７６頁）。前記の官能基を含有する
化合物としては、例えば、クロロメチルスチレン、クロ
ロメチルフェニルアセチレン、ビニル酢酸、アクリル
酸、メタクリル酸、ビニル酢酸ターシャリーブチルエス
テル、アクリル酸ターシャリーブチルエステル、メタク
リル酸ターシャリーブチルエステル、ターシャリーブト
キシスチレン、トリメチルシリルオキシスチレン、オイ
ゲノール、トリメチルシリルオキシオイゲノール等を挙
げることができる。遷移金属触媒としては、塩化白金
酸、トリス（トリフェニルホスフィン）クロロロジウ
ム、ビス（１、３−ジビニル−１、１、３、３−テトラ
メチルジシロキサン）白金（０）等を挙げることができ
る。
基、感光性化合物の作用により現像液への溶解性が変化
する基、または感光性化合物の作用により架橋剤と反応
する基を導入することにより、好適な感光性樹脂が得ら
れる。上記前駆体にこれらの基を導入する方法として
は、遷移金属触媒を用いたヒドロシリル化等が挙げられ
る。（ザ ケミストリー オブ オルガノシリコン コ
ンパウンズ 、１４７６頁）。前記の官能基を含有する
化合物としては、例えば、クロロメチルスチレン、クロ
ロメチルフェニルアセチレン、ビニル酢酸、アクリル
酸、メタクリル酸、ビニル酢酸ターシャリーブチルエス
テル、アクリル酸ターシャリーブチルエステル、メタク
リル酸ターシャリーブチルエステル、ターシャリーブト
キシスチレン、トリメチルシリルオキシスチレン、オイ
ゲノール、トリメチルシリルオキシオイゲノール等を挙
げることができる。遷移金属触媒としては、塩化白金
酸、トリス（トリフェニルホスフィン）クロロロジウ
ム、ビス（１、３−ジビニル−１、１、３、３−テトラ
メチルジシロキサン）白金（０）等を挙げることができ
る。
【００１２】本発明の感光性樹脂を含有するレジスト組
成物は、ネガ型用、ポジ型用のいずれとしても好適に用
いることができる。また非化学増幅型レジスト用、化学
増幅型レジスト用のいずれとしても好適に用いることが
できる。
成物は、ネガ型用、ポジ型用のいずれとしても好適に用
いることができる。また非化学増幅型レジスト用、化学
増幅型レジスト用のいずれとしても好適に用いることが
できる。
【００１３】本発明の真空紫外光を用いる光リソグラフ
ィー用レジスト組成物としては、本発明の感光性樹脂お
よび真空紫外光により架橋する官能基を持つアルカリ可
溶性樹脂を含有し、ネガ型感光性を有する組成物が挙げ
られる。
ィー用レジスト組成物としては、本発明の感光性樹脂お
よび真空紫外光により架橋する官能基を持つアルカリ可
溶性樹脂を含有し、ネガ型感光性を有する組成物が挙げ
られる。
【００１４】非化学増幅ネガ型感光性のレジスト組成物
として用いる場合、本発明の感光性樹脂に真空紫外光に
より架橋する官能基を含有させることが好ましい。具体
的には、本発明の感光性樹脂の構造中にアルカリ可溶性
基および感光性架橋基を含有させることが好ましく、該
感光性樹脂の構造中にアルカリ可溶性基として、例えば
フェノール基またはカルボキシル基などを導入し、感光
性架橋基として、例えばクロロメチルフェニル基、ビニ
ル基、またはアリル基などを導入することが好ましい。
として用いる場合、本発明の感光性樹脂に真空紫外光に
より架橋する官能基を含有させることが好ましい。具体
的には、本発明の感光性樹脂の構造中にアルカリ可溶性
基および感光性架橋基を含有させることが好ましく、該
感光性樹脂の構造中にアルカリ可溶性基として、例えば
フェノール基またはカルボキシル基などを導入し、感光
性架橋基として、例えばクロロメチルフェニル基、ビニ
ル基、またはアリル基などを導入することが好ましい。
【００１５】また、化学増幅ネガ型感光性のレジスト組
成物として用いる場合、真空紫外光により酸を発生する
化合物、アルカリ可溶性樹脂および酸の作用によりアル
カリ可溶性樹脂を架橋する化合物を、本発明の感光性樹
脂の他にさらに含有させることが好ましい。また、該レ
ジスト組成物として用いる場合、真空紫外光により酸を
発生する化合物、アルカリ可溶性官能基と酸の作用によ
り重合する官能基とを有する化合物を、本発明の感光性
樹脂の他にさらに含有させることが好ましい。具体的に
は真空紫外光により酸を発生する化合物として、特開平
１１―２０２４９５号公報記載の化合物等を挙げること
ができる。また、アルカリ可溶性樹脂であり、かつ酸の
作用によりアルカリ可溶性樹脂を架橋する化合物とし
て、メラミン誘導体、尿素誘導体等を挙げることができ
る。さらに、アルカリ可溶性官能基および酸の作用によ
りアルカリ可溶性官能基を架橋させる化合物としても、
メラミン誘導体、尿素誘導体等を挙げることができる。
メラミン誘導体としては、例えばメチロール化メラミ
ン、メトキシメチロール化メラミン等を挙げることがで
きる。尿素誘導体としては、例えばジメチル化メチロー
ル尿素、１，３−ビス（メトキシメチル）エチレンユリ
ア、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）−４，５−ビス
（ヒドロキシ）エチレンユリア、１，３―ビス（ヒドロ
キシメチル）―テトラヒドロー２（１Ｈ）ピリミジノ
ン、ジメチロールウロン、１，３，４，６−テトラキス
（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，
６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル等
を挙げることができる。また、アルカリ可溶性官能基と
酸の作用により重合する官能基とを有する化合物とし
て、グリシジル基等のエポキシ基およびオキセタン基等
を有する化合物を挙げることができる。
成物として用いる場合、真空紫外光により酸を発生する
化合物、アルカリ可溶性樹脂および酸の作用によりアル
カリ可溶性樹脂を架橋する化合物を、本発明の感光性樹
脂の他にさらに含有させることが好ましい。また、該レ
ジスト組成物として用いる場合、真空紫外光により酸を
発生する化合物、アルカリ可溶性官能基と酸の作用によ
り重合する官能基とを有する化合物を、本発明の感光性
樹脂の他にさらに含有させることが好ましい。具体的に
は真空紫外光により酸を発生する化合物として、特開平
１１―２０２４９５号公報記載の化合物等を挙げること
ができる。また、アルカリ可溶性樹脂であり、かつ酸の
作用によりアルカリ可溶性樹脂を架橋する化合物とし
て、メラミン誘導体、尿素誘導体等を挙げることができ
る。さらに、アルカリ可溶性官能基および酸の作用によ
りアルカリ可溶性官能基を架橋させる化合物としても、
メラミン誘導体、尿素誘導体等を挙げることができる。
メラミン誘導体としては、例えばメチロール化メラミ
ン、メトキシメチロール化メラミン等を挙げることがで
きる。尿素誘導体としては、例えばジメチル化メチロー
ル尿素、１，３−ビス（メトキシメチル）エチレンユリ
ア、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）−４，５−ビス
（ヒドロキシ）エチレンユリア、１，３―ビス（ヒドロ
キシメチル）―テトラヒドロー２（１Ｈ）ピリミジノ
ン、ジメチロールウロン、１，３，４，６−テトラキス
（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，
６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル等
を挙げることができる。また、アルカリ可溶性官能基と
酸の作用により重合する官能基とを有する化合物とし
て、グリシジル基等のエポキシ基およびオキセタン基等
を有する化合物を挙げることができる。
【００１６】また、化学増幅ポジ型感光性のレジスト組
成物として用いる場合、真空紫外光により酸を発生する
化合物、および酸の作用により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解速度が増加する官能基を有する化合物を、本
発明の感光性樹脂の他にさらに含有させることが好まし
い。具体的には真空紫外光により酸を発生する化合物と
して、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物等
を挙げることができる。また、酸の作用により分解しア
ルカリ水溶液に対する溶解速度が増加する官能基を有す
る化合物としては、例えばフェノール基やカルボキシル
基などや、それらアルカリ可溶性基の水素原子を酸の作
用により解離する基で置換した基を有する化合物を挙げ
ることができる。ここで用いられる置換基としては、ｔ
−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基、トリメチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、
エトキシエチル基、エトキシプロピル基、プロピルオキ
シエチル基、ｔ−ブチル基などを挙げることができる。
成物として用いる場合、真空紫外光により酸を発生する
化合物、および酸の作用により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解速度が増加する官能基を有する化合物を、本
発明の感光性樹脂の他にさらに含有させることが好まし
い。具体的には真空紫外光により酸を発生する化合物と
して、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物等
を挙げることができる。また、酸の作用により分解しア
ルカリ水溶液に対する溶解速度が増加する官能基を有す
る化合物としては、例えばフェノール基やカルボキシル
基などや、それらアルカリ可溶性基の水素原子を酸の作
用により解離する基で置換した基を有する化合物を挙げ
ることができる。ここで用いられる置換基としては、ｔ
−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基、トリメチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、
エトキシエチル基、エトキシプロピル基、プロピルオキ
シエチル基、ｔ−ブチル基などを挙げることができる。
【００１７】本発明の真空紫外光を用いる光リソグラフ
ィー用レジスト組成物は、真空紫外光が１５７ｎｍの波
長を用いたＦ2エキシマーレーザー光であることが特に
好ましい。特に、本発明の真空紫外光を用いる光リソグ
ラフィー用レジスト組成物は、多層構造レジスト法にお
いて、上層レジストとして用いられることが好ましい。
ィー用レジスト組成物は、真空紫外光が１５７ｎｍの波
長を用いたＦ2エキシマーレーザー光であることが特に
好ましい。特に、本発明の真空紫外光を用いる光リソグ
ラフィー用レジスト組成物は、多層構造レジスト法にお
いて、上層レジストとして用いられることが好ましい。
【００１８】次に、本発明のレジストパターンの形成方
法について説明する。本発明のレジストパターンの形成
方法は、本発明のレジスト組成物を基材の表面に塗布す
る工程と、得られたレジスト膜を真空紫外線により所望
のパターンが得られるように選択的に露光する工程と、
パターン露光後のレジスト膜を現像して未露光域のレジ
スト材料を溶解除去する工程を有することを特徴とす
る。該レジスト材料を基材の表面に塗布する方法とし
て、バーコーターもしくはスピンコーターを用いて塗布
する方法が挙げられる。また、得られたレジスト膜を真
空紫外線により所望のパターンが得られるように選択的
に露光する方法として、マスクを用いる方法が挙げられ
る。さらに、パターン露光後のレジスト膜を現像して未
露光域のレジスト材料を溶解除去する方法として、パタ
ーン露光後のレジスト膜を有機溶媒もしくはテトラメチ
ルハイドロキサイド水溶液のようなアルカリ性水溶液で
処理して未露光域のレジスト材料を溶解除去する方法が
挙げられる。
法について説明する。本発明のレジストパターンの形成
方法は、本発明のレジスト組成物を基材の表面に塗布す
る工程と、得られたレジスト膜を真空紫外線により所望
のパターンが得られるように選択的に露光する工程と、
パターン露光後のレジスト膜を現像して未露光域のレジ
スト材料を溶解除去する工程を有することを特徴とす
る。該レジスト材料を基材の表面に塗布する方法とし
て、バーコーターもしくはスピンコーターを用いて塗布
する方法が挙げられる。また、得られたレジスト膜を真
空紫外線により所望のパターンが得られるように選択的
に露光する方法として、マスクを用いる方法が挙げられ
る。さらに、パターン露光後のレジスト膜を現像して未
露光域のレジスト材料を溶解除去する方法として、パタ
ーン露光後のレジスト膜を有機溶媒もしくはテトラメチ
ルハイドロキサイド水溶液のようなアルカリ性水溶液で
処理して未露光域のレジスト材料を溶解除去する方法が
挙げられる。
【００１９】また、本発明のレジストパターンの形成方
法は、段差のある基材の表面に平坦化機能を有するレジ
スト材料を塗布し、下層レジストを構成する工程と、本
発明のレジスト組成物を該下層レジストの表面に塗布
し、上層レジストを形成する工程と、得られた上層レジ
スト膜を真空紫外線により所望のパターンが得られるよ
うに選択的に露光する工程と、パターン露光後の上層レ
ジスト膜を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去
する工程と、上層レジストにおいて形成されたレジスト
パターンを下層レジストに転写する工程を有することを
特徴とし、本発明の感光性樹脂を含む組成物を該下層レ
ジストの表面に塗布することが好ましい。
法は、段差のある基材の表面に平坦化機能を有するレジ
スト材料を塗布し、下層レジストを構成する工程と、本
発明のレジスト組成物を該下層レジストの表面に塗布
し、上層レジストを形成する工程と、得られた上層レジ
スト膜を真空紫外線により所望のパターンが得られるよ
うに選択的に露光する工程と、パターン露光後の上層レ
ジスト膜を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去
する工程と、上層レジストにおいて形成されたレジスト
パターンを下層レジストに転写する工程を有することを
特徴とし、本発明の感光性樹脂を含む組成物を該下層レ
ジストの表面に塗布することが好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により、何ら限定される
ものではない。 実施例１ 三方コックを取り付けた三つ口フラスコに、フッ素含有
水素シルセスキオキサンポリマーの２０％メチルイソブ
チルケトン溶液（トリケミカル研究所製、フッ素含量２
０モル％）５ｇ、テトラヒドロフラン４０ｍｌ、白金
（０）−１，３−ジビニル−１、１、３、３−テトラメ
チルジシロキサン錯体キシレン溶液（アルドリッチケミ
カル製）０．５ｍｌを入れて撹拌した。この混合物にタ
ーシャリーブチルアクリレート１．５８ｇを滴下し、１
６時間室温で反応を行った。その後トリメチルシラノー
ル２．８ｇ、ピリジン１．０ｇを入れ、７時間反応させ
た。多量のメチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと
記すことがある）に溶解し、分液水洗した後、有機層を
硫酸マグネシウムにより脱水した。ロータリーエバポレ
ーターでイソブチルケトンを留去することにより重量平
均分子量１４４００、分散度２．９の目的のポリマーを
得た。分子量と分散度は、単分散ポリスチレンを標準物
質として用い、東ソー社製高速ＧＰＣで測定した。
るが、本発明はこれらの実施例により、何ら限定される
ものではない。 実施例１ 三方コックを取り付けた三つ口フラスコに、フッ素含有
水素シルセスキオキサンポリマーの２０％メチルイソブ
チルケトン溶液（トリケミカル研究所製、フッ素含量２
０モル％）５ｇ、テトラヒドロフラン４０ｍｌ、白金
（０）−１，３−ジビニル−１、１、３、３−テトラメ
チルジシロキサン錯体キシレン溶液（アルドリッチケミ
カル製）０．５ｍｌを入れて撹拌した。この混合物にタ
ーシャリーブチルアクリレート１．５８ｇを滴下し、１
６時間室温で反応を行った。その後トリメチルシラノー
ル２．８ｇ、ピリジン１．０ｇを入れ、７時間反応させ
た。多量のメチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと
記すことがある）に溶解し、分液水洗した後、有機層を
硫酸マグネシウムにより脱水した。ロータリーエバポレ
ーターでイソブチルケトンを留去することにより重量平
均分子量１４４００、分散度２．９の目的のポリマーを
得た。分子量と分散度は、単分散ポリスチレンを標準物
質として用い、東ソー社製高速ＧＰＣで測定した。
【００２１】このポリマーのＭＩＢＫ溶液をＭｇＦ2基
板に回転塗布し、１１０℃で６０秒ベークして試料を調
製した。得られたポリマーの透過率は１５７ｎｍで３８
％（いずれも膜厚０．１μｍ換算）であった。
板に回転塗布し、１１０℃で６０秒ベークして試料を調
製した。得られたポリマーの透過率は１５７ｎｍで３８
％（いずれも膜厚０．１μｍ換算）であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明のレジスト組成物は、ＶＵＶなど
の紫外光による微細加工に有用である。特にＦ2エキシ
マレーザーの露光波長において、良好なプロファイルを
有した微細なパターンを容易に形成することができると
いう特徴を有する。
の紫外光による微細加工に有用である。特にＦ2エキシ
マレーザーの露光波長において、良好なプロファイルを
有した微細なパターンを容易に形成することができると
いう特徴を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AC04 AC08 AD01 AD03 BC03 BC13 BC19 BC23 BC78 BC92 BE00 BE10 BG00 CB33 CB41 CB42 CB55 CC17 DA40 FA17 4J002 CC16Y CC18Y CP04W CP08X EL027 EL057 ET017 EU187 FD147 FD206 GP03 4J035 BA12 BA15 CA01M CA021 CA07M CA072 CA08M CA082 CA09M CA092 CA161 CA25M FB01 LB16
Claims (13)
- 【請求項１】下記式（１）で示される化合物を加水分解
することにより得られる重量平均分子量が１０００〜５
００００である樹脂を前駆体として得られることを特徴
とする感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘはフッ素以外のハロゲン原子を示す。） - 【請求項２】下記式（１）および（２）で示される化合
物を加水分解することにより得られ、（１）のモル数と
（２）のモル数との比をａ：ｂとしたときに、ａ：ｂの
値が４以上であり、重量平均分子量が１０００〜５００
００である樹脂を前駆体として得られることを特徴とす
る感光性樹脂。 Ｈ−ＳｉＸ3・・・・・（１） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） Ｆ−ＳｉＸ3・・・・・（２） （式中、Ｘは前記の定義と同じである。） - 【請求項３】請求項１または２に記載の前駆体に、光分
解基、感光性架橋基、感光性化合物の作用により現像液
への溶解性が変化する基、または感光性化合物の作用に
より架橋剤と反応する基を導入して得られることを特徴
とする請求項１または２に記載の感光性樹脂。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の感光性樹
脂を含有することを特徴とする真空紫外光を用いる光リ
ソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項５】請求項１〜３のいずれかに記載の感光性樹
脂および真空紫外光により架橋する官能基を持つアルカ
リ可溶性樹脂を含有し、ネガ型感光性を有することを特
徴とする真空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジス
ト組成物。 - 【請求項６】請求項１〜３のいずれかに記載の感光性樹
脂の構造中にアルカリ可溶性基および感光性架橋基を含
有し、ネガ型感光性を有することを特徴とする真空紫外
光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項７】アルカリ可溶性基がフェノール基またはカ
ルボキシル基であり、感光性架橋基がクロロメチルフェ
ニル基、ビニル基またはアリル基であることを特徴とす
る請求項６記載の真空紫外光を用いる光リソグラフィー
用レジスト組成物。 - 【請求項８】真空紫外光により酸を発生する化合物、ア
ルカリ可溶性樹脂および酸の作用によりアルカリ可溶性
樹脂を架橋する化合物をさらに含有し、化学増幅ネガ型
感光性を有することを特徴とする請求項６に記載の真空
紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項９】真空紫外光により酸を発生する化合物、お
よび酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶
解速度が増加する官能基を有する化合物をさらに含有
し、化学増幅ポジ型感光性を有する請求項４に記載の真
空紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項１０】酸の作用により分解してアルカリ水溶液
に対する溶解速度が増加する官能基が、フェノール基も
しくはカルボキシル基、またはこれらの基の水酸基の水
素原子を酸の作用により解離する基で置換した基である
ことを特徴とする請求項９に記載の真空紫外光を用いる
光リソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項１１】真空紫外光が１５７ｎｍの波長を用いた
Ｆ2エキシマーレーザー光であることを特徴とする請求
項４〜１１のいずれかに記載の真空紫外光を用いる光リ
ソグラフィー用レジスト組成物。 - 【請求項１２】請求項４〜１１のいずれかに記載の真空
紫外光を用いる光リソグラフィー用レジスト組成物を基
材の表面に塗布する工程と、得られたレジスト膜を真空
紫外線により所望のパターンが得られるように選択的に
露光する工程と、パターン露光後のレジスト膜を現像し
て未露光域のレジスト材料を溶解除去する工程を有する
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項１３】段差のある基材の表面に平坦化機能を有
するレジスト材料を塗布し、下層レジストを構成する工
程と、請求項４〜１１のいずれかに記載の真空紫外光を
用いる光リソグラフィー用レジスト組成物を該下層レジ
ストの表面に塗布し、上層レジストを形成する工程と、
得られた上層レジスト膜を真空紫外線により所望のパタ
ーンが得られるように選択的に露光する工程と、パター
ン露光後の上層レジスト膜を現像して未露光域のレジス
ト材料を溶解除去する工程と、上層レジストにおいて形
成されたレジストパターンを下層レジストに転写する工
程を有することを特徴とするレジストパターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000379991A JP2002179795A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000379991A JP2002179795A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002179795A true JP2002179795A (ja) | 2002-06-26 |
Family
ID=18848257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000379991A Pending JP2002179795A (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002179795A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008105503A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Asahi Glass Company, Limited | 撥水性領域のパターンを有する処理基材、その製造方法、および機能性材料の膜からなるパターンが形成された部材の製造方法 |
| US7432387B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-10-07 | Toagosei Co., Ltd. | Process for producing organosilicon compound |
| US7771686B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-08-10 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Hybrid inorganic polymer systems |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05222198A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-08-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | シリコーン系化合物、そのビニル系共重合体及びそれを用いた塗料組成物 |
| JPH06271771A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-27 | Nippon Zeon Co Ltd | シルセスキオキサンポリマー組成物 |
| JPH09263638A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Dow Corning Asia Ltd | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
| JPH10251519A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Toshiba Corp | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
| JP2000221687A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン含有レジスト組成物およびその使用 |
| JP2002055452A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
| JP2003512390A (ja) * | 1999-10-18 | 2003-04-02 | アライドシグナル・インコーポレイテツド | フルオロシルセスキオキサン膜の堆積 |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000379991A patent/JP2002179795A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05222198A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-08-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | シリコーン系化合物、そのビニル系共重合体及びそれを用いた塗料組成物 |
| JPH06271771A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-27 | Nippon Zeon Co Ltd | シルセスキオキサンポリマー組成物 |
| JPH09263638A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Dow Corning Asia Ltd | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
| JPH10251519A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Toshiba Corp | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
| JP2000221687A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン含有レジスト組成物およびその使用 |
| JP2003512390A (ja) * | 1999-10-18 | 2003-04-02 | アライドシグナル・インコーポレイテツド | フルオロシルセスキオキサン膜の堆積 |
| JP2002055452A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7771686B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-08-10 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Hybrid inorganic polymer systems |
| US7432387B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-10-07 | Toagosei Co., Ltd. | Process for producing organosilicon compound |
| WO2008105503A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Asahi Glass Company, Limited | 撥水性領域のパターンを有する処理基材、その製造方法、および機能性材料の膜からなるパターンが形成された部材の製造方法 |
| JP5177129B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2013-04-03 | 旭硝子株式会社 | 撥水性領域のパターンを有する処理基材、その製造方法、および機能性材料の膜からなるパターンが形成された部材の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6277750B1 (en) | Composition for bottom reflection preventive film and novel polymeric dye for use in the same | |
| CN101021684B (zh) | 形成掩模坯板用抗蚀剂下层的膜的组合物、掩模坯板和掩模 | |
| KR100754230B1 (ko) | 방사선 민감성 공중합체, 이의 포토레지스트 조성물 및이의 심 자외선 이층 시스템 | |
| JP2000204115A (ja) | 有機反射防止膜塗布重合体およびその準備方法 | |
| WO2006132088A1 (ja) | ナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物 | |
| US4980264A (en) | Photoresist compositions of controlled dissolution rate in alkaline developers | |
| JP2006188681A (ja) | 有機反射防止膜形成用有機重合体 | |
| JP3495503B2 (ja) | 架橋されたポリマー | |
| WO2004092840A1 (ja) | 多孔質下層膜及び多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物 | |
| JP2567984B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2004053723A (ja) | 樹脂組成物および半導体装置の製造方法 | |
| KR100732763B1 (ko) | 유기 반사 방지막 중합체, 이를 포함하는 유기 반사 방지막조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법 | |
| JPH10120968A (ja) | レジスト保護膜用樹脂組成物、レジスト保護膜及びこれを用いたパターン製造法 | |
| JP2935306B2 (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JP2001048859A (ja) | 有機反射防止重合体およびその製造方法 | |
| JP2002179795A (ja) | 感光性樹脂、レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
| JPH06295064A (ja) | 感光性組成物及びパターンの製造方法 | |
| CN112650025B (zh) | 一种正性光刻胶组合物及其制备方法 | |
| CN112684661B (zh) | 一种光刻胶组合物及其制备方法 | |
| JP3204465B2 (ja) | 半導体素子製造用レジストパターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP4759895B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂およびフォトレジスト組成物 | |
| JPS63113021A (ja) | ポリシラン及びそれを用いた感光性組成物 | |
| JP2001183833A (ja) | レジスト組成物 | |
| CN100352870C (zh) | 有机抗反射涂料聚合物及其制造方法，含其的涂料组合物 | |
| KR20190078309A (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071211 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100511 |