JP3204465B2 - 半導体素子製造用レジストパターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な半導体素子製造
用レジストパターン形成材料及びそれを用いたパターン
形成方法に関するものである。さらに詳しくいえば、本
発明は、断面が矩形で高解像度及び高選択比のレジスト
パターンが得られる半導体素子製造用パターン形成材
料、及びこのものを用いた簡素化されたパターン形成方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子においては、回路の高
集積化や微細化の方向に進んでおり、また回路パターン
も多層化の方向にある。そして、多層化に伴い、回路パ
ターンを積層する必要があるため、基板の凹凸を埋め、
平坦化する技術が重要となっている。

【０００３】このような技術として、例えば（１）ポリ
メチルメタクリレートから成る熱軟化性樹脂を基板上に
形成して表面を加熱平坦化し、その上にノボラック系レ
ジストを形成したのち、露光、現像処理し、次いで上層
のノボラック系レジストをシリル化し、さらにこのシリ
ル化レジストパターンをマスクとして、酸素ガスを用い
た反応性イオンエッチング法により、前記下層の熱軟化
性樹脂のパターニングを行う方法（特開平３−１８００
３３号公報）、（２）基板上に、活性光線に対する感度
が異なる湿式現像可能な下部レジスト層と上部レジスト
層を設け、まず上部レジスト層を露光、現像処理したの
ち、シリル化し、次いで下部レジスト層に上層のレジス
トパターンを介して遠紫外線を照射後、現像処理するこ
とによりパターンを形成する方法（特開昭６２−２５８
４４９号公報）などが提案されている。

【０００４】しかしながら、前記（１）の方法において
は、下地材としてポリメチルメタクリレートが用いられ
ているため、上層のレジストと下地材とがインターミキ
シングを起こしやすく、良好な解像度のパターンが得ら
れにくい上、シリル化をＳｉＦ₄やＳｉＣｌ₄などのケイ
素を含有するガスプラズマを用いてプラズマ表面処理す
ることにより行っているので、工程が煩雑であるなどの
欠点を有している。

【０００５】一方、（２）の方法においては、下部レジ
スト層として、メチルメタクリレートとメタクリル酸と
無水メタクリル酸とから成るメタクリレート系三元共重
合体などを樹脂成分とする遠紫外領域に感度を有するも
のが用いられており、この下部レジスト層に対する遠紫
外線照射工程が必要であって、パターン形成工程が煩雑
になるのを免れず、また高選択比のレジストパターンが
得られにくいという欠点がある。

【０００６】なお、ここでいう選択比とは、シリル化し
た上層レジストをドライエッチングしたときの膜減り量
をａとし、下地材をドライエッチングしたときの膜減り
量をｂとした場合、ｂ／ａで表わした値のことである。
パターン形成法においては高選択比が要望されるが、こ
れはドライエッチングにおいて、上層レジストの膜減り
が少ないほど、また下地材の膜減りが多いほど、優れた
パターンが形成されるからである。

【０００７】他方、基板上に、有機色素を含有した色層
と、この色層の上にベンゾフェノン系紫外線吸収剤を含
むポリグリシジルメタクリレートから成る有機材料層と
を有するカラーフィルターが知られているが（特公平３
−８１１２２号公報）、この場合の有機材料はカラーフ
ィルター用のものであって、リソグラフィー用下地材で
はないし、また、このようなポリグリシジルメタクリレ
ートを該下地材として用いた場合、高選択比のレジスト
パターンが得られない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、レジスト層と下地材層との間にインター
ミキシングが起らず断面矩形で高解像度及び高選択比の
レジストパターンが得られる半導体素子製造用レジスト
パターン形成材料及びこのものを用いて、簡単なプロセ
スにより、前記の好ましい性質を有するレジストパター
ンを形成する方法を提供することを目的としてなされた
ものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、グリシジルメ
タクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体に紫
外線吸収剤を含有させた下地材がポジ型レジストとイン
ターミキシング現象を生じず、しかもドライエッチング
したときの膜減り比に差異を生じること、そして、基板
上に、該下地材層の上にポジ型レジスト層を設けて得た
レジストパターン形成材料を露光、現像処理してポジ型
レジストをパターン化したのち、特定の方法によりシリ
ル化処理し、次いでこれをマスクとしてドライエッチン
グにより、該下地材層をパターン化することにより、容
易に矩形で高解像度及び高選択比の半導体素子製造用レ
ジストパターンが形成されることを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。

【００１０】すなわち、本発明は、基板とポジ型レジス
ト層との間に、グリシジルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの共重合体に対し、２，２′，４，４′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノンを配合して成る下地材
層を設けたことを特徴とする半導体素子製造用レジスト
パターン形成材料、及び（Ａ）基板上に、グリシジルメ
タクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体に対
し、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンを配合して成る平坦化された下地材層を設ける工
程、（Ｂ）前記下地材の上に、ポジ型レジスト層を設け
てレジストパターン形成材料を得る工程、（Ｃ）このレ
ジストパターン形成材料に、画像形成露光処理を施し、
次いで現像処理してパターン化する工程、（Ｄ）前記パ
ターン化したレジスト層をケイ素を含有する蒸気と接触
させてシリル化処理する工程、及び（Ｅ）このシリル化
処理されたレジストパターンをマスクとして酸素系のガ
スを用いてドライエッチングし、前記下地材層をパター
ン化する工程を順次施すことを特徴とする半導体素子製
造用パターン形成方法を提供するものである。

【００１１】本発明で用いる下地材は、グリシジルメタ
クリレートとメチルメタクリレートとの共重合体及び
２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン
を含有させたものから成り、該共重合体としては、グリ
シジルメタクリレート単位とメチルメタクリレート単位
との割合が重量比で２：８ないし８：２、好ましくは
３：７ないし７：３にあり、かつ平均分子量が１万〜２
０万、好ましくは２万〜１０万の範囲にあるものが好適
に用いられる。該組成比や平均分子量が前記範囲を逸脱
すると、ポジ型レジストとインターミキシングを起しや
すくなり、平坦化性も悪い上、高選択比、高解像度及び
プロファイル形状の優れたレジストパターンが得られに
くい。

【００１２】また、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの使用量については特に制限はな
く、使用する基板の光の反射率に応じて適宜選ばれる
が、通常該共重合体に対して１０〜４０重量％、好まし
くは２０〜３０重量％の割合で用いられる。この２，
２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンを含
有させることにより、アルミニウムのような高反射率基
板を用いても、断面矩形で高解像度のレジストパターン
が得られる。

【００１３】次に、本発明のパターン形成方法について
説明すると、まず、（Ａ）工程において適当な基板上
に、前記のグリシジルメタクリレートとメチルメタクリ
レートとの共重合体に前記２，２′，４，４′‐テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンを含有させて成る平坦化され
た下地材層を形成させる。この際用いられる基板につい
ては特に制限はなく、従来リソグラフィーによるパター
ン形成に慣用されているもの、例えばシリコンウエハー
や、アルミニウム、タンタルなどの金属基板などが用い
られる。

【００１４】また、該基板上に、下地材層を設けるに
は、適当な溶剤中にグリシジルメタクリレートとメチル
メタクリレートとの共重合体及び２，２′，４，４′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノンを溶解させて塗布液を
調製し、この溶液をスピンナーなどを用いて、該基板上
に塗布し、乾燥すればよい。

【００１５】次に、（Ｂ）工程において、このようにし
て形成された下地材層の上に、ポジ型レジスト層を設け
ることによりレジストパターン形成材料を作製する。次
いで（Ｃ）工程において、このようにして得たレジスト
パターン形成材料を画像形成露光処理したのち、現像処
理してパターン化する。

【００１６】前記（Ｂ）工程において用いるポジ型レジ
ストとしては、通常被膜形成用物質としてのアルカリ可
溶性樹脂と感光性成分としてのキノンジアジド基含有化
合物とを組み合わせたものが使用される。該アルカリ可
溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、アクリル樹
脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシス
チレンの重合体、ポリビニルフェノール、ポリα‐メチ
ルビニルフェノールなどが挙げられ、中でも特にアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂が好ましい。

【００１７】このアルカリ可溶性ノボラック樹脂につい
ては特に制限はなく、従来ポジ型ホトレジストにおいて
被膜形成用物質として慣用されているもの、例えばフェ
ノール、クレゾール、キシレノールなどの芳香族ヒドロ
キシ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを
酸性触媒の存在下に縮合させたものなどが用いられる。
このアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、低分子領
域をカットした重量平均分子量が２０００〜２０００
０、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが好
ましい。

【００１８】一方、キノンジアジド基含有化合物として
は、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフト
キノンジアジド、オルトアントラキノンジアジドなどの
キノンジアジド類のスルホン酸と、フェノール性水酸基
又はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは完全エス
テル化、あるいは部分若しくは完全アミド化したものな
どが挙げられる。フェノール性水酸基又はアミノ基を有
する化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノ
ン、没食子酸アルキル、没食子酸アリール、フェノー
ル、フェノール樹脂、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチ
ルフェノール、ヒドロキノン、ポリヒドロキシジフェニ
ルアルカン、ポリヒドロキシジフェニルアルケン、ビス
フェノールＡ、α，α′，α″‐トリス（４‐ヒドロキ
シフェニル）‐１，３，５‐トリイソプロピルベンゼ
ン、１‐〔１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イソプロピ
ル〕‐４‐〔１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）
エチル〕ベンゼン、トリス（ヒドロキシフェニル）メタ
ン又はそのメチル置換体、ナフトール、ピロカテコー
ル、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、
ピロガロール‐１，３‐ジメチルエーテル、没食子酸、
水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没
食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェニルアミンなどが
挙げられる。特に好ましいキノンジアジド基含有化合物
は、ポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホン酸又はナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐４‐スルホン酸との完全エステル化
物や部分エステル化物であり、特に、平均エステル化度
が７０％以上のものが好ましい。該キノンジアジド基含
有化合物から成る感光性成分は１種用いてもよいし、２
種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００１９】このキノンジアジド基含有化合物は、例え
ば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン
‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド又はナフ
トキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホニルクロリド
とをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタ
ノールアミン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどの
アルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分
エステル化することにより製造することができる。

【００２０】本発明においては、該ポジ型レジストは、
前記のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合
物を適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好まし
い。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケト
ン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン類
や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセ
テート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又
はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びそ
の誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や乳酸
エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビ
ン酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐エトキシプロピオ
ン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用い
てもよい。

【００２１】また、該レジストには、さらに必要に応じ
て相容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを
改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現
像した像をより一層可視的にするための着色料、またよ
り増感効果を向上させるための増感剤などの慣用されて
いるものを添加含有させることができる。

【００２２】また、前記の（Ｃ）工程における画像形成
露光処理は、（Ｂ）工程で得たレジストパターン形成材
料に、紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧
水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなど
を用い所要のマスクパターンを介して露光するか、ある
いは電子線を走査しながら照射することによって行われ
る。次いで、これを現像液、例えば１〜１０重量％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような弱ア
ルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によって可溶化し
た部分が選択的に溶解除去されて、マスクパターンに忠
実なパターンが形成される。

【００２３】次いで、（Ｄ）工程において、前記のパタ
ーン化したレジスト層をケイ素を含有する蒸気中に曝し
てシリル化処理を行う。このシリル化処理は、例えばヘ
キサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザ
ン、他の多官能性シラザン類などのケイ素を含有する蒸
気に、好ましくは３０〜１００℃の範囲の温度で１〜６
０分間程度該パターン化したレジスト層を曝すことによ
り行われる。

【００２４】次に、（Ｅ）工程において、前記のように
してシリル化されたレジストパターンをマスクとして、
酸素系のガスを用いたドライエッチング法により、該下
地材層をパターン化する。前記ドライエッチング法とし
ては、従来公知の方法、例えばプラズマエッチング法な
どが有利である。このようにして、断面が矩形で高解像
度及び高選択比のレジストパターンが容易に得られる。

【００２５】

【発明の効果】本発明のレジストパターン形成材料を用
いると、下引層とポジ型レジスト層とのインターミキシ
ングを生じることなく、断面が矩形で高解像度及び高選
択比のレジストパターンを形成することができる。ま
た、簡素化されたプロセスで、好ましい性質を有するレ
ジストパターンを容易に得ることができる。

【００２６】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００２７】実施例１ グリシジルメタクリレート１００ｇとメチルメタクリレ
ート１００ｇとを混合し、Ｎ，Ｎ′‐アゾビスイソブチ
ロニトリル２ｇを加えて窒素ガス雰囲気中でかきまぜな
がら６０℃で約７時間反応させた。反応終了後、反応物
をメタノール１リットル中に注加してポリマーを析出さ
せ、得られたポリマーを室温下で減圧乾燥した。ポリマ
ーの収量は１５０ｇであり、重量平均分量（Ｍｗ）は１
０万で、分散度は１．７であった。このようにして得た
グリシジルメタクリレートとメチルメタクリレートの共
重合体１０ｇと２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン３ｇをエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート１００ｇに溶解し、メンブランフィル
ターでろ過して、不純物を除去することによって下地材
の溶液を調製した。

【００２８】アルミニウムが蒸着されたシリコンウエハ
ー上に前記の下地材の溶液をスピンナー塗布して、１８
０℃で５分間焼き付け、厚さ約０．５μｍの平坦下層を
形成した。次に、ポジ型ホトレジストＴＨＭＲｉｐ２８
００（東京応化工業社製）を、上記平坦化層上にスピン
ナー塗布して、９０℃にて、９０秒間焼き付け、厚さ約
１．２６μｍの層を形成することにより、半導体素子製
造用レジストパターン形成材料を製造した。次に、この
レジストパターン形成材料を、ＮＳＲ‐１５０５１７Ａ
（ニコン社製）を用いて、マスクを介して、露光し、
２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液にて現像して、パターン化した。

【００２９】このようにしてパターン化したウエハーを
ヘキサメチルジシラザン蒸気でみたした乾燥器中に、７
０℃にて１５分間ベーパー処理した。ヘキサメチルジシ
ラザンとしてはＯＡＰ（東京応化工業社製）を用いた。
次に、プラズマエッチング装置ＴＣＡ‐２４００（東京
応化工業社製）を用いて、ＣＨＦ₃とＯ₂の容量比２：３
の混合ガスを反応ガスとして、０．８０Ｔｏｒｒ、出力
３００Ｗ、ステージ温度６０℃、エッチング時間３０秒
の条件でドライエッチングを行った。その際の残膜より
選択比を求めたところ６．０であった。また、形成され
た上層レジストのパターンは、断面が矩形で良好なもの
であった。

【００３０】さらに、形成された下地材と上層レジスト
のインターミキシングの状態、ノッチング（照射光の基
板からの反射によるレジストパターンの変形）の状態、
及び平坦化性について観察したところ、これら全てにお
いて良好な結果が得られた。これらの結果を表１に示
す。

【００３１】比較例１及び比較例２ 比較例１においては、下地材をポリメチルメタクリレー
トとし、比較例２においては、下地材をポリグリシジル
メタクリレートとしたこと以外は、実施例１と同様の操
作によりレジストパターンを形成し、選択比を求めた。
さらにインターミキシングの状態、ノッチングの状態、
平坦化性及びプロファイルの形状を観察した。それらの
結果を表１に示す。

【００３２】比較例３ シリル化処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の
操作によりレジストパターンを形成し、選択比を求め
た。さらにインターミキシングの状態、ノッチングの状
態、平坦化性及びプロファイルの形状を観察した。それ
らの結果を表１に示す。

【００３３】比較例４及び比較例５ 比較例４においては、下地材をポリメチルメタクリレー
トとし、比較例５においては、下地材をポリグリシジル
メタクリレートとしたこと以外は、比較例３と同様の操
作によりレジストパターンを形成し、選択比を求めた。
さらにインターミキシングの状態、ノッチングの状態、
平坦化性及びプロファイルの形状を観察した。それらの
結果を表１に示す。

【００３４】実施例２〜４ 下地材の重量比、平均分子量、紫外線吸収剤の種類と添
加量を変えた以外は、実施例１と同様の操作により、リ
ソグラフィー用下地材を得た。そして、得られた下地材
を用いて実施例１と同様の操作によりレジストパターン
を形成し、選択比を求めた。さらにインターミキシング
の状態、ノッチングの状態、平坦化性及びプロファイル
の形状を観察した。それらの結果を表１に示す。

【００３５】比較例６及び比較例７ 比較例６においては、下地材の平均分子量を３０万と
し、また比較例７においては、下地材の平均分子量を５
千とした以外は、実施例１と同様の操作によりリソグラ
フィー用下地材を得た。そして、得られた下地材を用い
て実施例１と同様の操作によりレジストパターンを形成
し、選択比を求めた。さらにインターミキシングの状
態、ノッチングの状態、平坦化性及びプロファイルの形
状を観察した。それらの結果を表１に示す。

【００３６】実施例５ 紫外線吸収剤の添加量を５重量％とした以外は、実施例
１と同様の操作によりリソグラフィー用下地材を得た。
得られたその下地材を用いて、アルミニウムが蒸着され
ていないシリコンウエハー基板を使用した以外は、実施
例１と同様の操作によりレジストパターンを形成し、選
択比を求めた。さらにインターミキシングの状態、ノッ
チングの状態、平坦化性及びプロファイルの形状を観察
した。それらの結果を表１に示す。なお、表１における
各物性は以下の方法により評価したものである。

【００３７】（１）選択比；リソグラフィー用下地材を
基板上に塗布し、乾燥したのち、これをドライエッチン
グしたときのエッチングレートｘと、ポジ型レジストを
基板上に塗布し、乾燥したのち、パターン化し、これを
ドライエッチングしたときのエッチングレートｙとの比
ｘ／ｙを求め選択比とした。

【００３８】（２）インターミキシング；試料の断面を
走査型電子顕微鏡で観察し、上層レジストと下地材との
境界にインターミキシング層が形成されていない場合を
○、インターミキシング層が形成されている場合を×と
した。

【００３９】（３）ノッチング；試料の平面上の平行に
形成させた数本の直線状レジストパターンを観察し、変
形が認められない場合を○、各直線にゆがみを生じた場
合を×とした。

【００４０】（４）平坦化性；試料の断面を走査型電子
顕微鏡で観察し、下地材層の上面が直線状の場合を○、
波状の場合を×とした。

【００４１】（５）プロファイル形状；断面が矩形のパ
ターンの試料の断面を光学顕微鏡で観察し、端部がシャ
ープな場合を○、丸くなっている場合を×とした。

【００４２】また、表１中の略号は次の化合物を意味す
る。 ＭＭＡ：メチルメタクリレート ＧＭＡ：グリシジルメタクリレート ＰＭＭＡ：ポリメチルメタクリレート ＰＧＭＡ：ポリグリシジルメタクリレート ＴＥＢ：２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン ＴＲＢ：２，４，５‐トリヒドロキシベンゾフェノン

【００４３】

【表１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 徳竹 信生 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 斎藤 慎人 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−973（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−82501（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−147535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−111608（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−187237（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46463（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−114217（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/11 G03F 7/38 512 G03F 7/40 H01L 21/027

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板とポジ型レジスト層との間に、グリ
   シジルメタクリレートとメチルメタクリレートとの共重
   合体に対し、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベ
   ンゾフェノンを配合して成る下地材層を設けたことを特
   徴とする半導体素子製造用レジストパターン形成材料。
2. 【請求項２】 グリシジルメタクリレートとメチルメタ
   クリレートとの共重合体に対し、２，２′，４，４′‐
   テトラヒドロキシベンゾフェノン１０〜４０重量％を配
   合する請求項１記載の半導体素子製造用レジストパター
   ン形成材料。
3. 【請求項３】 （Ａ）基板上に、グリシジルメタクリレ
   ートとメチルメタクリレートとの共重合体に対し、２，
   ２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンを配
   合して成る平坦化された下地材層を設ける工程、（Ｂ）
   前記下地材の上に、ポジ型レジスト層を設けてレジスト
   パターン形成材料を得る工程、（Ｃ）このレジストパタ
   ーン形成材料に、画像形成露光処理を施し、次いで現像
   処理してパターン化する工程、（Ｄ）前記パターン化し
   たレジスト層をケイ素を含有する蒸気と接触させてシリ
   ル化処理する工程、及び（Ｅ）このシリル化処理された
   レジストパターンをマスクとして酸素系のガスを用いて
   ドライエッチングし、前記下地材層をパターン化する工
   程を順次施すことを特徴とする半導体素子製造用パター
   ン形成方法。