JPS62212644A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子、磁気バブル素子および光応用部
品等の製造に利用しつる感光性樹脂組成物に関する。

〔従来技術および問題点〕

近年集積回路の高集積化に伴い、さらに微細なパターン
を形成することが望まれている。特に、腐蝕液に浸しエ
ツチングする湿式法ではサイドエツチングが生じるため
、これを避けるためにガスプラズマを用いた反応性イオ
ンエツチングなどのドライエツチングによる加工が盛ん
になってきた。

しかし、従来のレジストはドライエツチングにより被加
工基板と同様にエツチングされてしまうた、め、レジス
ト膜厚を厚くすることによって、これに対処してきてい
る。したがって、ドライエツチング耐性の高いレジスト
材料が望まれているが、いまだ十分な耐性を有する材料
は見出されていない。

一方、配線の多層化、三次元アレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパターンを
形成することが望まれている。したがって段差をカバー
するために、レジスト膜を〃くする必要が生じる。

さらに、高速のイオンを基板に到達させることなく捕獲
するためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならな
い。しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従
い解像度の低下が起り、微細なパターンを形成すること
ができなかった。

この問題を解決するために、レジストをｍｍではなく多
層化することにより、形状比の高いレジストパターンに
形成する方法で提案されている（Ｂ、Ｊ、Ｌｉｎ　５ｏ
ｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌ、ユ４７３（１９
８１））。

すなわち、第１層目に有機厚膜高分子層を形成し、その
上に酸素プラズマによるドライエツチング耐性の高いシ
リコーン系レジストを第２１ｉｎに用いた場合には、第
２層のレジストパターンをマスクとして第１層の右ｍ高
分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズマが使
えるため、短時間で少ない工程数により高形状比のレジ
ストパターンを形成できる。しかし、現在知られている
シリコーン系レジストではガラス転移温度が室温より相
当低く、分子種の低いポリマは液状あるいは半液状のた
め、非常に汲い難く、光に対しても感度が悪くなる（Ｈ
，ＩＩａｔｚａｋｉｓ　ｅｔａｌ　Ｐｒｏｃ、ｒｎｔ、
Ｃｏｎｒ。

Ｈｉｃｒｏｌｉｔｂｏｇｒａｐｈｙ　、Ｌａｕｓａｎｎ
ｃ、１９８１　（Ｓｗｉｓｓ　Ｆｅｄｃｒａｔ　　Ｉｎ
５ｔｉｔｕｔｅ　ｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｌａｕ
ｓａｎｎｃ、１９８１　　）ｐ３８６　）。

他方、分子岳を高くするとゴム状になり若干扱いやりく
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中でのＷＢ潤の
ためパターンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点
があった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル
基等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入しており、
これも解像性を低下させている原因となっている。

（発明の目的） 本発明はこれらの欠点を解消するためになされたもので
あり、その目的は光に対して高感度、高解像性を有し、
しかもドライエツチング耐性の高い感光性樹脂組成物を
提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明を概説すれば、感光性樹脂組成物の発明であって
、下記一般式（Ｉ）あるいは（ｎ）−−−−（ＩＬ） 〔式中Ｘは、Ｒ”−Ｃ−（Ｒ″は炭化水素または置換炭
化水素を表わす。）、カルボキシル基。

ＣＨ−Ｒ− （ＳＨの中から選ばれた一種を示し、互いに同じであっ
ても異なっていてもよく、Ｒ，Ｒ’およびＲ“は、同一
または異なり、水素、アルキル基本およびフェニル基よ
りなる群から選択した１種の塁を示し、４１ｍおよびｎ
は、０または正の整数を示し、Ｊとｍが同時にＯになる
ことはない。〕で表わされるシロキサンポリマと、ビス
アジド化合物および増感剤とを包含することを特徴とす
るものである。

本発明に係る成分であるビスアジド化合物の例としては
、一般式■ 〔式中Ｒ１は、直接結合、または−ＣＨ２＋。

−〇・−、−ＣＨ−ＣＨ−、−Ｎ−Ｎ−、−３−。

水素、置換炭化水素を示す）で示される基であり、Ｒ２
は水素原子またはハロゲン原子である）で示される化合
物がある。例えば、３，３′−ジクロロ−４，４’−ジ
アジドジフェニルメタン、４゜４′−ジアジドジフェニ
ルエーテル、４．４’　−シアジアドジフェニルメタン
、４．４′−ジアジドジフェニルスルホン、３，３′−
ジアジドジフェニルスルホン、４．４′−ジアジドジフ
ェニルケトン等が挙げられる。これらの添加量は前記式
（Ｉ）のシロキサンポリマあるいは、前記式（ＩＩ）の
フェニルシルセスキオキサンポリマに対し０゜５〜３０
重量％が好ましい。０．５重琵％未満では架橋せず、３
０重量％を越えると長期保存安定性および塗布性が悪く
なる。

また、本発明に係る感光性樹脂組成物の１つの成分であ
る増感剤としては、従来のフォトレジストで用いられる
ものが使用できる。例えばベンゾインメチルエーテル等
のベンゾイン系化合物、アゾビスイソブチロニトリル等
の２ゾ化合物、クロロフィル、メチレンブルー、エオシ
ンＹ等の色素とｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム等
の還元剤を組合せた色素レドックス系化合物、ジベンゾ
ヂアゾイルジスルフイド等の含硫黄化合物、過酸化ベン
ゾイル等の有機過酸化合物、ベンゾフェノン、ミヒラー
ケトン等の芳香族カルボニル化合物。

ニトロベンゼン、ｐ−ニトロフェノール、ｐ−二トロア
ニリン等の芳香族ニトロ化合物、アントラキノン等のキ
ノン系化合物、５−ニトロアセナフテンなどのアセナフ
テン系化合物を挙げることができる。

本発明における最もｍ要な点は、上記感光性樹ｍ組成物
が光に対して高感度であり、しかもＷｉ素ガス、四塩化
炭素、　ＣＦ２　Ｃ１２などの反応性イオンエツヂング
に用いられるエッチャントガスにエツチングされにくい
ことにある。

本発明の一般式（Ｉ）で示されるシロキサンポリマの製
造法としては、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタフェニルシクロテトラシロキサンなど環状フェニ
ルシロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水
酸化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル
化物ｔ％開環重合させ、得られたポリジフェニルシロキ
サンに７シル基　（−≦？−Ｒ”’）、カルボキシル一
ＣＨ−Ｒ’Ｊｄなどの反応性基を導入する方法がＨ 考えられる。

また、環状フェニルシロキサン単独ではな（、テトラメ
チルテトラフェニルシクロテトラシロキサンやＡフタメ
チルシフ０テトラシロキサンなどと共重合させてもよい
。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合には
、分子量のそろった単分散ポリマが好ましいが、シクロ
シロキサンは、ブチルリチウム等の触媒で７ニオンリビ
ング重合をさせ、得られたポリマに反応性基を導入する
ことにより所望の単分散ポリマを得ることができる。

本発明の一般式（ＩＩ＞で示されるフェニルシルセスキ
オキサンポリマの製造法としては、るシラン化合物を加
水分解することにより容易に得られるフェニルシルセス
キオキサンポリマに反応性基を導入することが考えられ
る。

以下に本発明における感光性樹脂組成物の成分であるシ
ロキサンポリマの製造例を示す。

「製造例１」 ヘキサフェニルシクロトリシロキサン１０ａをトルエン
１００１１ｔに溶解させ、十分脱気脱水後、ブチルリチ
ウムの１０％トルエン溶液を５ＩＩ１ｗ４下して一６０
℃で１０＆！Ｆ問リビング重合させた。反応液をメタノ
ール中に注ぎこみ白色固体のポリマを得た。これをメチ
ルエチルケトン−メタノールで再沈を繰返し、精製した
のち、真空乾燥した。

このようにして、ゲルパーミェーションクロマドグラフ
イーから計算した重聞平均分子同がＭＷ−８、９Ｘ１０
’　、分散度ＭＷ／Ｍｎ−１．１であるポリジフェニル
シロキサンを得た。

かき混ぜ機，温度計，滴下漏斗をつけた３００ｄのフラ
スコに無水塩化アルミニウム１５ｇ，塩化アセチル５０
１１Ｉｌをとり撹拌する。つぎに、上記ポリジフェニル
シロキサン５ｇを塩化７セチル５０ｄに溶かした溶液を
徐々に滴下する。温度を２５℃に保ち反応を進める。反
応の進行とともに塩化水素が発生する。３時間反応後、
冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかき混
ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が酸性であること
を確かめてから沈澱したポリマを濾別する。希塩酸−水
でよく洗い、最侵に真空乾燥器で乾燥する。

得られたポリマの分子ｍは９９００であった。また、赤
外線吸収スペクトルでは１６７０ｃＩＩ−’にカルボニ
ル基の吸収が、ＮＭＲでδ−２，４にメチル基の吸収が
みられ、アセチル化されたことが確認できた。この時の
アセチル化率はＮＭＲから６０％であった。

「製造例２」 フェニルトリクロロシラン７ｇをＮ−メチルピロリドン
２０ｄに溶解したのち、Ｉ（２０１Ｃ）ｄ。

濃塩酸５ｄを加え、３０℃で２４時間放置した。

沈澱物を水洗したのら、テトラヒドロフラン２０−に溶
解し、メタノール中に注ぎ白色の重合体を（ｑだ。得ら
れたポリフェニルシルセスキオキサンの匹−１，０Ｘ１
０’　、Ｍｗ／Ｍ箔−１，８であった。

上記ポリフェニルシルセスキオキサンを製造例１と同様
のアヒチル化し１分子ｍｉ、２Ｘ１０’　。

アセデル化率５５％のポリマを得た。

「製造例３」 かき混ぜ機、温度計１滴下漏斗をつけた３００−のフラ
スコに塩化第２スズ２５Ｉｊ１．無水酢酸５０Ｉｄをと
り撹拌する。つぎに、ジフェニルシランジオール６ｇを
無水酢１！５０Ｉｌｌに溶かした溶液を徐々に滴下する
。以下製造例１と同様な方法でアセチル過ポリシロキサ
ンを得た。得られたポリマの分子量は８５００であり、
アセプル化率は４２％であった。

「製造例４」 製造例１において、塩化アセチル５０Ｉｄのかわりに塩
化プロピオニル５０Ｉｄを用いた以外は同様の方法でプ
ロピオニル化されたポリジフェニルシロキサンを得た。

「製造例５」 製造例４において、ポリジフェニルシロキサンのかわり
にポリフェニルシルセスキオキサンを用いてプロピオニ
ル化されたポリフェニルシルセスキオキサンを得た。

［製造例６」 製造例２で得たアセデル化ポリフェニルレルセスキオキ
サン６ｇを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１０
０Ｉ１１に加え、１２時間遠流する。

得られた透明な液に塩酸を加えることにより酸性にする
と沈澱が生じる。濾別して黄白色固体を得た。赤外線吸
収スペクトルにおいて１６７０（：ｌ−’のカルボニル
基の吸収が消滅し１７００α−１にカルボニル靭の吸収
がみられ、カルボキシル化されたことが認められた。収
率は７０％であった。

「製造例７」 ｆ４３１ｉ例１で得られたアシル化ポリジフェニルシロ
キサン６ｇを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１
００ｍに加え、１２時間遠流する。以下、９！造例３と
同様にして、カルボキシル化を行なった。収率は６５％
であった。

「製造例８」 ￥Ａ造例２で得たアセチル化ポリフェニルシルヒスキオ
キサン５ｇをテトラヒドロフラン１００ｍに溶かし、こ
れに３ｇの［ｔ４ｕ　、を加え、３時間速流を行った。

反応終了後、５％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄
白色固体を得た。収率は５５％であった。

生成物の赤外線吸収スペクトルでは、原料でみられた１
６７０ｃＩＲ−’のカルボニル基の吸収が消え、３１０
０〜３４００α−１の付近にＯＨ基に起因づる吸収が見
られ、還元されたことが確認できた。

「製造例９」 １１例１で（７たアシル化ポリジフェニルシロキサン５
ｇをテトラヒドロフラン１００ｍに溶かし、これに３ｇ
のＬ！＃ｌＩ４を加え、還流を行った。反応終了後、５
％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白色固体を得た
。収率は６６％であった。

＃Ｉ！Ｊ造例１〜９で得られたポリマは、いずれもアル
カリ水溶液に可溶であり、これを用いた感光性樹ｆ１は
アルカリ水溶液で現像できる。光照射により架橋した部
分はアルカリ水溶液でＩ！！潤しないため高解像度のパ
ターン形成が可能となる。

次に実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明は
これらにより限定されるものではない。

「実施例１」 製造例１で得たポリマ２Ｑをエチルセルソルブ１０ｍに
溶解し、これに３，３′−ジクロロ−４゜４′−ジアジ
ドジフェニルメタン５００ｑ、および増感剤としてミヒ
ラーケトン３０ａｙを添加した。

次に石英板に約０．５μｍの厚さに塗布し、８０℃で２
０１ｉ１窒素気流中プリベークした。プリベーク後、コ
ダックフォトグラフィックステップタブレットをマスク
とし窒素雰囲気で超高圧水銀灯を用いて照射した。照射
後石英板をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液中に入れ、６０秒間現像し、３０秒間水でリン
スした。このとき初期膜厚の５０％が残る光照射１は、
１５−Ｊ／ｄであり、実用上十分利用可能な感度である
。

また、１．０μｍ以下のラインアンドスペースのパター
ンをもつクロムマスクを通して光照射後、上記と同一組
成の現像液で現像を行ったところマスクのパターンを忠
実に解像できた。

「実施例２」 シリコンウェハにＡＺ−１３５０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し、不溶化させた。このＡＺレジストの上に実施例１の
感光性樹脂組成物を実施例１と同様な操作で約０．３μ
ｍの厚さに塗布し、８０℃で２０分間窒素気流中プリベ
ークした。プリベーク後、１．０μｍｊＪ下のラインア
ンドスペースのパターンをもつクロムマスクを通して光
照射後、実施例１と同一組成の現像液で現像を行ったと
ころ、マスクのパターンがＡＺレジスト上に転写された
。その後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガ
スをエッチｔνントガスとしてエツチングを行った。こ
のエツチング条件（印加パワー５０Ｗ、工゛ツチング室
内圧８０ミリトル）では、感光性樹脂組成物のエツチン
グ３１度は１０人／分以下、一方ＡＺレジストのエツチ
ング速度は１５００人／分であり、１５分エツチングす
ることによりこの感光性樹脂に覆われていない部分のＡ
Ｚレジストは完全に消失し、約２．３μｍの高さをもつ
パターンが形成できた。

「実施例３］ 実施例１において、製造例１で得たポリマのかわりに製
造例２〜９で得たポリマを用い、実施例１と同様の照射
、現像を行った。この時、初期膜厚の５０％が残る光照
射ｉａは、表１に示す値であった。また、１．０μｍ以
下のラインアンドスペースのパターンをもつクロムマス
クを通して光照射し、現体をしたところ、マスクのパタ
ーンを忠実に解像できた。そして、実施例２と同様の方
法で約２．３μｍの高さをもつパターンが形成できた。

「実施例４〜１２」 実施例１において３．３′−ジクロロ−４゜４′−ジア
ジドジフェニルメタンにかえて４゜４′−ジアジドジフ
ェニルエーテル（実施例４）、４．４′−ジアジドジフ
ェニルスルホン（実施例５）、４．４’　−ジアジドジ
フェニルメタン（実施例６）、３．３’　−ジアジドジ
フェニルスルホン（実施例７）、３．３’　−ジアジド
ジフェニルメタン（実施例８）、４．４’　−ジアジド
ジベンザルアセトン（実施例９）、２．６−ジ（４′−
アジドベンザル）シクロヘキサノン（実施例１０）、２
，６−ジー（４′−アジドベンザル）−４−メチルシク
ロヘキサノン（実施例１１）、２．６−ジー（４′−ア
ジドベンザル）−４−ターシャリアミルシクロヘキサノ
ン（実施例１２）をそれぞれ用い、３ＫＷの超高圧水銀
灯を照射後、現像した。このとぎ、初期膜厚の５０％が
残る光照射量を表２に示す。

［実施例１３〜１９および比較例」 製造例１で得たポリマ２Ｑをエチルセルソルブ１０ａｅ
に溶解し、これに２，６−ジー（４′−アジドベンザル
）−４−メチルシクロヘキサノン５００ｑおよび増感剤
として５−ニトロアセナフテン（実施例１３）、２−ニ
トロフルオレン（実施例１４）、１−ニトロピレン（実
施例１５）、１゜８−ジニトロピレン（実施例１６）、
１．２−ベンゾアントラキノン（実施例１７）、ピレン
−１゜６−キノン（実施例１８）、シアノアクリジン（
実施例１９）をそれぞれ３０＃Ｆ添加した。また、増感
剤無添加の試料も用意した（比較例１）。これらを実施
例１の方法で塗布、光照射、現像し、初期膜厚の５０％
が残る光照射酊を表３に示す。

［実施例２０Ｊ 実施例１１において、０．５μ〜１．０μｍのフォトマ
スクを用いて照射し、現像したのら、得られたパターン
寸法を表４に示す。

「比較例２Ｊ 実施例２０において、製造例１で得られたポリマのかわ
りに、ポリビニルメチルシロキサンを用いて実施例２０
と同様の操作を行ったが、マスクパターン３．０μｍ以
下ではｉ潤のため全く解像しなかった。

「実施例２１〜２５」 実施例１と同様の方法で得たパターンをＣＦ４（実施例
２１）、ＣｒｚｆＪ２　（実施例２２）、ＣＣ第４（実
施例２３）、０２（実施例２４）、静（実施例２５）の
各ガスをエッチャントガスとして反応性イオンエツチン
グを行った。この時のエツチング条件と感光性樹脂組成
物のエツチング速度を表５に示す。

「実施例２６〜２８」 実施例１において、高エネルギ線源として用いた超高圧
水銀灯のかわりに、電子線源（実施例２６）、Ｘｌｌ源
（実施例２７）、遠紫外線源（実施例２８）を用いて、
実施例１と同様の方法で初期ＩＩ厚の５０％が残る光照
射鉛末めた。その結果を表６に示す。

また、解像性評価を行った結果、いずれも０゜５μｍ以
下のパターンが解像できた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明で得られた感光性樹脂組成
物は、高いガラス転移温度を右するシリコーン樹脂と高
い光反応性を示すビスアジド化合物からなるため、フォ
トレジストとして十分な感光性と解像性を右している。

特に、シリコーン樹脂の高いガラス転移温度により、従
来問題となった現像時の膨潤が抑えられ、解像性の向上
が著しい。さらに、環状シロキサンモノマは、リビング
重合ができるため、分子ｍ分布の非常に狭い、すなわち
、解像性の高いレジスト材料となりうる。

また、樹脂は白色粉末で、溶解性がよく、スピンコード
による塗布性にも優れ、従来の液体に近いシリコーン樹
脂に比べはるかに扱いやすい。

さらに、従来の７オトレジストに比べ、はるかに高いド
ライエツチング耐性を有する。これは特に酸素プラズマ
をエッチャントとした反応圧イオンエツチングにおいて
著しい。したがって、本発明の感光性樹脂組成物を単独
で使用しても作業性、経済性、レジスト性能などの点で
十分に効果があるが、下層に厚い有機ポリマを有する２
Ｆｌレジストの上層として使用すれば、さらに大きな効
果が得られる。

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物により形成された
パターンをマスクとして、下層の有機ポリマを０２ドラ
イエツヂングすれば、この感光性樹脂組成物に覆われた
部分はほとんどエツチングされないため、形状比の高い
パターンを形成することができる。

さらに、従来３ｆｆｉ以上の多層レジストでな（プれば
形成できなかったパターンを２層ひできるため、工程数
と作業時間を大幅に短縮できる。

以上のように、本発明の感光性樹脂組成物を用いること
により、厚く微細なパターンが形成できるため、段差ご
λのパターン形成や高加速イオン打込みを行う際に非常
に有用となる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）：▲数式、化学式、表等があ
   ります▼・・・・・（ I ）（式中Ｘは、▲数式、化学
   式、表等があります▼（Ｒ″′は炭化水素または置換炭
   化水素を表わす。）、カルボキシル基、▲数式、化学式
   、表等があります▼の中から選ばれた一種を示し、互い に同じであっても異なっていてもよく、Ｒ、Ｒ′および
   Ｒ″は、同一または異なり、水素、アルキル基本および
   フェニル基よりなる群から選択した１種の基を示し、ｌ
   、ｍおよびｎは、０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。）で表わされるシロキサンポ
   リマと、ビスアジド化合物および増感剤とを包含するこ
   とを特徴とする感光性樹脂組成物。
2. （２）ビスアジド化合物が、下記一般式（III）：▲数
   式、化学式、表等があります▼・・・・・（III）（式
   中Ｒ＿１は、直接結合、または−ＣＨ＿２−、−Ｏ−、
   −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼（Ｒ＿３は炭化 水素、置換炭化水素を示す。）で示される基であり、Ｒ
   ＿２は水素原子またはハロゲン原子である。〕で表わさ
   れる化合物よりなる群から選択した１種以上のものであ
   る特許請求の範囲第１項に記載の感光性樹脂組成物。
3. （３）増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニトロ化合物、キノン
   系化合物、アントロン系化合物およびアセナフテン系化
   合物よりなる群から選択した１種のものである特許請求
   の範囲第１項に記載の感光性樹脂組成物。
4. （４）一般式（II）；▲数式、化学式、表等があります
   ▼・・・・・（II）〔式中Ｘは、▲数式、化学式、表等
   があります▼（Ｒ″′は炭化水素または置換炭化水素を
   表わす。）、カルボキシル基、▲数式、化学式、表等が
   あります▼の中から選ばれた一種を示し、互い に同じであっても異なっていてもよく、Ｒ、Ｒ′および
   Ｒ″は、同一または異なり、水素、アルキル基およびフ
   ェニル基よりなる群から選択した１種の基を示し、ｌ、
   ｍおよびｎは、０または正の整数を示し、ｌとｍが同時
   に０になることはない。 ）で表わされるシロキサンポリマと、ビスアジド化合物
   および増感剤とを包含することを特徴とする感光性樹脂
   組成物。
5. （５）ビスアジド化合物が、下記一般式（III）；▲数
   式、化学式、表等があります▼・・・・（III）〔式中
   Ｒ＿１は、直接結合、または−ＣＨ＿２−、−Ｏ−、−
   ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼（Ｒ＿３は炭化 水素、置換炭化水素を示す。）で示される基であり、Ｒ
   ＿２は水素原子またはハロゲン原子である。〕で表わさ
   れる化合物よりなる群から選択した１種以上のものであ
   る特許請求の範囲第４項に記載の感光性樹脂組成物。
6. （６）増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニトロ化合物、キノン
   系化合物、アントロン系化合物およびアセナフテン系化
   合物よりなる群から選択した１種のものである特許請求
   の範囲第４項に記載の感光性樹脂組成物。