JPS6076739A - 感光性樹脂組成物及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発ＢＡ＃′ｉ、、半導体素子、磁気バブル素子及び光
応用部品等の製造に利用しうる感光性樹脂組成物及びそ
の使用方法に関する。

〔従来技術〕

従来、ＸＣ及びＬＳＩ等の製造ではレジストと呼ばれる
高分子化合物等の有機組成物で被加工基板を被覆し、高
エネルギー線をパターン状に照射してレジストに潜像を
形成し、これを現像してパターン状のレジスト膜を形成
したのち、被加工基板を腐食液に浸すことによ＃）基板
のレジストに丘われてぃない部分を化学的にエツチング
あるいは不純物をドーピングするなどの処理を行ってき
た。

しかし、近年集積回路の高集積化に伴い、更に微細なパ
ターンを形成することが望まれている。特に、腐食液に
浸しエツチングする湿式法けるためにガスプラズマを用
いた反応性イオンエツチングなどのドライエツチングに
よる加工が盛んになってきた。しかし、従来のレジスト
はドライエツチングにより被加工基板と同様にエツチン
グされてしまうため、レジスト膜厚を厚くすることによ
って、これに対処してきている。したがって、ドライエ
ツチング耐性の高いレジスト材料が望まれているが、い
まだ十分な耐性を有する材料は見出されていない。

一方、配線の多量化、三次元アレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパターンを
形成することが望まれている。したがって段差をカバー
するために、レジスト膜を厚くする必要が生じる。

更に、高速のイオンを基板に到達させることなく捕獲す
るためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならない
。しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い
解像度の低下が起シ、微細なパターンを形成することが
できなかこの問題を解決するために、レジストを一層で
はなく多層化することによシ、形状比の高いレジストパ
ターンに形成する方法が提案されている。すなわち、第
１層目に有機高分子材料の厚膜を形成し、その上の第２
層に薄膜のレジスト材料層を形成したのち、第２層のレ
ジスト材料に高エネルギー線を照射し、現像したのち得
られるパターンをマスクとして第１層の有機高分子材料
をドライエツチングすることにより、高形状比のパター
ンを得ようとするものである。

しかし、この方法では第２Ｍに通常のレジストを用いた
場合、第１１侍と第２層の材料のドライエツチング速度
の比、すなわち選択比が犬きくとれなかったり、大きく
するためには、かなシ長いエツチング時間を必要とした
。

酸素プラズマを用いる多層レジスト系としては１層目の
厚膜高分子材料層と、２層目のレジストとの中間に酸素
プラズマ耐性の高い無機物層を設ける３［構造のレジス
トが提案されている。この場合はレジスト材料で形成し
たパターンをマスクとして四塩化炭素、四フッ化炭素又
はアルゴン等のガスを用いて無機物層をドライエツチン
グし、ついで無機物層パターンをマスクとして、酸素で
有機高分子材料層をドライエツチングすることになる。

そしてこの場合には、酸素プラズマは１層目の厚膜高分
子材料を車やかにエツチングでき、基板は全くエツチン
グされないため、エツチングの終点をモニターせずとも
所望のプロファイルを有するレジストパターンが形成で
きる。しかしながら、工程数が大幅に増加するという欠
点を有する。

一方、酸素プラズマによるドライエツチング耐性の高い
シリコーン系レジストを第２層に用いた場合には、第２
層のレジストパターンをマスクとして第１層の有機高分
子材１＋をドライエツチングする際に酸素プラズマが使
えるため、短時間で少ない工程数によｐ高形状比のレジ
ストパターンを形成できる。しかし、現在知られている
シリコーン系レジストではガラス転移温度が室温よシ相
当低く、分子量の低いポリマーは液状あるいは半液状の
ため、非常に扱い難く、光に対しても感度が悪くなる。

他方、分子量を高くするとゴム状になり若干扱いやすく
なシ、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めパターンのうねシ等の解像度の低下を招く等の欠点が
あった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の高い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性を低下させている原因となっている。

〔発明の目的〕

本発明はこれらの欠点を解消するためになされたもので
あり、その目的は光に対して高感度、高解像性を有し、
しかもドライエツチング耐性の高い感光性樹脂組成物及
びその使用方法を提供するものである。

〔発明の４１１成〕 すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は
、感光性樹脂組成物の発明であって、下記一般式Ｉ： （式中Ｒ，Ｒ’及びＲ′　は、同−又は異なシ、水素、
アルキル基及びフェニル基よ勺なる群から選択した１種
の基を示し、１．、ｍ及びｎは、ａ又は正の整数を示し
、ｔとｍが同時に０になることはない）で表されるシロ
キザンポリマーと、ビスアジド化合物及び増感剤とを包
含することを特徴とする。

また、本発明の第２の発明は感光性樹脂組成物の使用方
法の発明であって、前記第１の発明における感光性樹脂
組成物を基板上に塗布し、熱処理腰その後光を照射して
照射部分のみを架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸びｊ
ル、非照射部分のレジスト材料を除去して微細パターン
形成を行うことを特徴とする特 放物の他の使用方法の発明であって、基板上に有機高分
子材料の膜を形成し、その上に感光性樹脂組成物を塗布
して二層構造とし、熱処理しその後光を照射して照射部
分のみを架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸漬して非照
射部の感光性樹脂組成物を除去したのち、この架橋部分
をマスクとして酸素を用いるドライエツチングによって
下層の有機高分子材料をエツチング除去することにより
パターンを形成する方法において、感光性樹脂組成物と
して、前記第１の発明における感光性樹脂組成物を使用
することを特徴とする。

更に、本発明の第４の発明は感光性樹脂組成物の発明で
あって、下記一般式■： （式中、ｔｌｍＳｎは０又は正の整数を示すが、ｔとｍ
が同時に０になることはない）で表されるフェニルシル
セスキオキサンポリマーと、ビスアジド化合物及び増感
剤とを包含することを特徴とする。

また、本発明の第５の発明は感光性樹脂組成物の使用方
法の発明であって、前記第４の発明における感光性樹脂
組成物を基板上に塗布し、熱処理し、その後光を照射し
て照射部分のみを架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸漬
し、非照射部分のレジスト材料を除去して微細パターン
形成を行うことを特徴とする。

そして、本発明の第６の発ＢＡは感光性樹脂組成物の他
の使用方法の発明であって、基板上に有機高分子材料の
膜を形成し、その上に感光性樹脂組成物を塗布して二層
構造とし、熱処理し、その後光を照射して照射部分のみ
を架橋させ、次いで有機現像溶媒に浸漬して非照射部の
感光性樹脂組成物を除去したのち、この架橋部分をマス
クとして酸素を用いるドライエツチングによって下層の
有機高分子材料をエツチング除去する仁とにょ９　パタ
ーンを形成する方法におい−で、感光性樹脂組成物とし
て、前記第４の発明における感光性樹脂組成物を使用す
ることを特徴とする。

本発明に係る成分であるビスアジド化合物の例としては
、一般式■ （式中、Ｒ１け直接結合又は−ＯＨ，、−０−１↑ ＯＨ。

原子又はハロゲン原子であるンで示される化合物がある
。例えば、３，３′−ジクロロ−４，４′−ジアジドジ
フェニルメタン、４，４’−ジアジドジフェニルエーテ
ル、４，４−ジアジドジフェニルメタン、４，４−ジア
ジドジフェニルスルホン、５゜５−ジアジドジフェニル
スルホン、４．４’−ジアジドジフェニルケト７等が挙
げられる。これらの添加量は前記式Ｉのシミキサンポリ
マーあるイハ、前記式Ｉのフェニルシルセスキオキサン
ポリマーに対し０３５〜５０重ｉ％が好ましい。

０．５重量％未満では架橋せず、３０重景チ超では長期
保存安定性及び塗布性が悪くなる。

また、本発明に係る感光性樹脂組成物の１つの成分であ
る増感剤としては、従来のフォトレジストで用いられる
ものが使用できる。例えばベンゾインメチルエーテル等
のベンゾイン系化合物、アゾビスインブチロニトリル等
のアゾ化合物、クロロフィル、メチレンブルー、エオシ
ンＹ等の色素とｐ−）ルエンスルフィン酸ナトリウム等
の還元剤を組合せた色素レドックス系化合物、ジベンゾ
チアゾイルジスルフィド等の含（Ｎｅ黄黄金合物過酸化
ベンゾイル等の有機過酸化物、ベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン等の芳香族カルボニル化合物、ニトロベンゼン
、ｐ−二トロフェノール、ｐ−ニトロアニリ７等）芳香
族ニドμ化合物、アントラキノン等のキノン系化合物、
５−ニトロアセナフテンなどのアセナフテン系化合物、
アント四ン系化合物を挙けることができる。

本発明の第３及び第６の発明における下層の有機高分子
材料としては、上層の感光性樹脂組成物の塗布溶媒に溶
けないものであれば使用可能であるが、四フッ化炭素、
四塩化炭素等をエツチングガスとするドライエツチング
に対して高い耐性を示すポリイミド、ポリスチレン系、
ポリフェノール系高分子材料が好ましい。

本発明における最も重要な点は、上記感光性樹脂組成物
が光に対して高感度であシ、しかも酸素ガス、四塩化炭
素、ＯＦ＊０４などの反応性イオンエツチングに用いら
れるエッチャントガスに対しても＾い耐性を示すことを
見出したことにある。

本発明の一般式Ｉで示されるシロキサンポリマーの製造
法としては、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、オ
クタフェニルシクロテトラシロキサンなど環状フェニル
シロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸
化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル化
物で開環重合させ、得られたポリジフェニルシロキサン
をＯＨ化する方法、あるいは得られたポリジフェニルシ
ロキサンをクロロメチル化し、高分子量化した後、ＯＨ
化する方法が考えられる。

また、環状フェニルシロキサン単独ではなく、テトラメ
チルテトラフェニルシクロテトラシロキサンやオクタメ
チルシクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよい
。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合には
、分子量のそろった単分散ポリマーが好ましいが、シク
ロシロキサンは、ブチルリチウム等の触媒でアニオンリ
ビング重合をさせ、得られたポリマーをＯＨ化すること
により所望の単分散ポリマーを得ることができる。

本発明の一般弐■で示されるフェニルシルセスキオキサ
ンポリマーの製造法としてはラン化合物を加水分解する
ことによシ容易に得うレルフェニルシルセスキオキサン
ポリマーをＯＨ化する方法がある。

ＯＨ化の方法としては（１１フエニル基をハロゲン化し
、グリニヤール試薬あるいは有機リチウム化合物に導き
、これを酸化してＯＨ化する方法、（２）過酸化水素あ
るいは有機過酸でルイス酸の共存化直接ＯＨ化する方法
等がある。

以下に本発明における感光性樹脂組成物の成分であるシ
ロキサンポリマーの製造例を示す。

製造例１ ヘキサフェニルシクロトリシロキサン１０ｆをトルエン
１００−に溶解させ、十分脱気脱水後ブチルリチウムの
１０％トルエン溶液を５−滴下して一６０℃で１０時間
リビング重合させた。反応液をメタノール中に′注ぎこ
み白色固体のポリマーを得た。これをメチルエチルケト
ン−メタノールで再沈を繰返し、精製したのち、真空乾
燥した。ゲルパーミェーションクロマトグラフィーから
計算した重量平均分子量はＭＹ＝ａ９Ｘ１０”、分散度
Ｍｗ／Ｍｎ　＝　１．１であった。

得られたポリジフェニルシロキサｙ５ｆｉベンゼン１０
０−に溶解し、これに無水塩化アルミニウム１＆３ｆを
添加した。更に４．５１のｔ−プチルパーオキシドを滴
下した。滴下後、２時間室温で反応させ、濃塩酸を２０
−含んだ２５０−のメタノール中に注ぎこみ白色の重合
体を得た。重合体はメチルエチルケトン−ｎ−へキサン
系で数回再沈膜することによシ精製した。このポリマー
の赤外線吸収スペクトルでは５４００　ｃｍ−’にＯＨ
基に帰属される吸収がみられＯＨ化されたことが確認で
きた。ＮＭＲ及び工Ｒよ請求めたＯＨ化率は４０チであ
った。

ゲルパーミェーションクロマトグラフィーの結果では、
Ｍｗ＝ｔ４Ｘ１０’、Ｍｙ／Ｍｎ　＝　ｔ　２であった
。

製造例２ オクタフェニルシクロテトラシロキサン５０２とテトラ
ヒドロフラン１００−１水酸化カリウム２５０　ｍＷ　
をガラス管に入れ、脱気封管し、重合温度７０℃で２４
時間反応させた。内容物を水−メタノール（ｊ：４）溶
液に注ぎこみ白色の重合体を得た。重合体は数回メタノ
ール−キシレン系で再沈殿することによシ精製した。

得られたポリジフェニルシロキサンはＭｗ　＝　１．５
ｘｉｏ”、寵／漏＝２．６、ガラス転移温度１５０℃で
あった。

次に、この得られたポリジフェニルシロキサン２Ｏｆを
クロロメチルメチルエーテル５０〇−に溶かし塩化第二
スズ２０ｄを触媒として、−５℃で１０時間反応させた
。反応液をメタノール中に注ぎこみ白色固体のポリマー
を得た。

このポリマーの赤外線吸収スペクトルでは、８００　ｃ
ｍ−’にジ置換フェニルに帰属される吸収が、また２　
２００　ｃｍ−’にクロロメチル基のメチレン基に帰属
される吸収がみられ、クロロメチル化されたことが確認
できた。元素分析からこのポリマーのクロロメチル化率
は２０％またゲルパーミェーションクロマトグラフィー
カラｉｔ算したＭｗ＝　１．２　Ｘ　１０’、ｉ／韮＝
１．８であった。

得られたクロ四メチル化ポリジフェニルシロキサン５．
５　ｆをベンゼン１００−に溶解し、これに無水塩化ア
ルミニウム１３．３　Ｆを添加した。

更に４．５ｆのｔ−ブチルパーオキシドを滴下した。滴
下後室温で２時間反応させ濃塩酸２０ｔｎｔを含んだ２
５０−のメタノール中に注ぎこみ白色の重合体を得た。

重合体はメチルエチルケトン−ｎ−ヘキサンで数回再沈
殿することにより精製した。ゲルパーミェーションクロ
マトグラフィーの結果ではＭｗ　＝１．９　ｘ　１０’
、Ｍｗ　／　Ｍｎ　＝１．９であった。また、ＯＨ化率
は４０チであった。

製造例３ フェニルトリクロロシラン７ｆをＮ−メチルピロリドン
２０ｍ１に溶解したのち、Ｈ，０１０ｙｓｌ、濃塩酸５
　ｍｌを加え３０℃で２４時間放置した。

沈殿物を水洗したのち、テトラヒドロ７ラン２０−に溶
解し、メタノール中に注ぎ白色の重合体を得た。得られ
たポリフェニルシルセスキオキサンのＭｗ　＝１．７　
Ｘ　１０’、Ｍｗ／Ｍｎ　＝　ｔ　８であった。

祷られたポリフェニルシルセスキオキサン４ｔをベンゼ
ン１００−に溶解しこれに無水塩化アルミニウム１４ｆ
を添加した。更に６ｔのｔ−プチルパーオキシドを滴下
した。滴下後室温で５時間反応させ、濃塩酸２０−を含
んだ２５０−のメタノール中に注ぎ白色の重合体を得た
。

重合体をまテトラヒドロフラン−ｎ−へキサンで数回再
沈殿することにより精製した。ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーの結果ではＭｗ　＝２．５　Ｘ　１０
’、ｉ／籠＝２．２であった。工Ｒ１ＮＭＲよ請求めた
ＯＨ化率は５０％であった。

製造例４ オキサン１０２をニトロベンゼン１００ゴに溶解後、ヨ
ウ素６９．過ヨウ素酸４ｆ、５０％硫酸１０−を加え、
−昼夜かくはんした。反応液をメタノールに注ぎこみ白
色重合体を得た。テトラヒドロ７ランーメタノール系で
数回再沈殿を行い精製を行った。得られたヨウ素化ポリ
フェニルシルセスキオキサン５ｔを無水のテトラヒドロ
７ラン１００−に溶解し、これに削り状のマグネシウム
１ｇを加え、水浴で反応を完全に起させた。３時間反応
後、無水のテトラヒドロフラン１００＋＋＋ｅを加え、
かくはんしながら５．５９のｔ−ブチルベンゾエートを
滴下した。

２時間反応させた後、４０ｔｎｔの塩酸を含む５５〇−
のメタノール中に注ぎこみ、白色重合体を得た。重合体
はテトラヒドロフラン−メタノール系で数回再沈殿する
ことによシ精製した。得られた重合体の匹＝　１．８　
Ｘ　１０’、Ｍｗ／寵＝２．５であった。

工Ｒ、ＮＭＲよ請求めたＯＨ化率は４５チであつ〔実施
例〕 次に実施例によシ本発明の詳細な説明するが本発明はこ
れらにより限定されるものではない。

実施例１ 製造例１で得たポリマー２ｆをクロロベンゼン１ｒＪｒ
ｎｅに溶解し、これに３．５′−ジクロロ−４゜４′−
ジアジドジフェニルメタン５００　ｍＷ　、及び増感剤
としてミヒラーケトン３０　ｍＷ　を添加した。次に石
英板に約α５μｍの厚さに塗布し８０℃で２０分間窒素
気流中グリベークした。

プリベーク後、コダックフォトグラフィックステップタ
ブレットをマスクとし窒素雰囲気で超高圧水銀灯を用い
て照射した。照射後石英板をメチルエチルケトンで２０
秒間現像、イソプロピルアルコールで６０秒間リンスし
た。この時初期膜厚の５０％が残る光照射量は１５　ｍ
：ｆ／ｃｎ？であり実用上十分利用可能な感度である。

また、１０μｍ以下のラインアンドスペースのパターン
をもつクロムマスクを通して光照射後上記と同一組成の
現像液で現像を行ったところマスクのパターンを忠実に
解像できた。

実施例２ シリコンウェハにＡＺ−１５５０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し不溶化させた。このＡＺ　レジストの上に実施例１の
感光性樹脂組成物を実施例１と同様な操作で約０５μｍ
の厚さに塗布し、８０℃で２０分間窒素気流中プリベー
クした。プリベーク後、１０μｍ以下のラインアンドス
ペースのパターンをもつクロムマスクを通して光照射後
、実施例１と同一組成の現像液で現像を行ったところマ
スクのパターンがＡＺ　レジスト上に転写された。その
後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガスをエ
ッチャントガスとしてエツチングを行った。（印加パワ
ーＳＯＷ、エツチング室内圧８０ミリトル）このエツチ
ング条件では感光性樹脂組成物のエツチング速度は１０
Ａ／分以下、一方ＡＺ　レジストのエツチング速度は１
５００Ａ／分であ９１５分エツチングすることによシ該
感光性樹脂にａ・Σわれていない部分のＡＺ　レジスト
は完全に消失し、約２，５μｍの高さをもつパターンが
形成できた。

実施例３ 実施例１において、製造例１で得たポリマーの代りに製
造例６で得たポリマーを用い、実施例１と同様の照射、
現像を行った。この時、初期膜厚の５０％が残る光照射
量は１８　ｍ１７ｃｍ”であった。また、１０μｍ以下
のラインアンドスペースのパターンをもつクロムマスク
を通して光照射し現１、“りしたところ、マスクのパタ
ーンを忠実に解像できた。

実施例４ 実施例２において製造例１で得たポリマーに代えて製造
例５で得たポリマーを用いて実施例１と同様の操作を行
った。その結果、実施例２と同様約２．３μｍの高さを
もつパターンが形成できた。

実施例５〜１２ ＠ｉ　’Ｋｎ　ａｌｌ　１ｖｋ−ｌハイ（’ｌ　−Ｘ）
　７　ｅｌ　ｍｌ　−Ａ　Ａ　−：ンアジドジフェニル
メタンに代えて４．４’　−ジアジドジフェニルエーテ
ル（実施例５　）　、４．４’−ジアジドジフェニルス
ルホン（実施ｆＩ１６）、４，４−ジアジドジフェニル
メタン（実施例７）、’−５′−ジアジドジフェニルス
ルホン（実施ｆｌＪ８）、６．３′−ジアジドジフェニ
ルメタン（実施例９）、４．４′−ジアジドジベンザル
アセトン（実施例１０）、２．６−シ（４’−アジドベ
ンザル）シクロヘキサノン（実施例１１）、２，６−ジ
ー（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン（実施例１２）を用い、５　ＫＷ　の超高圧水銀灯
を照射後現像した。このとき、初期膜厚の５０１ｄ（表
　１ 実施例１５〜１９及び比較例１ 製造例１で得たポリマー２ｆをクロロベンゼン１０−に
溶解し、これに２，６−ジー（４′−アジドベンザル）
−４−メチルシクロヘキサノン５００　ｍＷ　及び増感
剤として５−ニトロアセナ７ｊン（実施例１３　）、２
−ニトロフルオレン（実施例１４）、１−ニトロピレン
（実施例１５）、１．８−ジニトロピレン（実施例１６
）、１，２−ベンゾアントラキノン（実施例１７）、ピ
レン−１，６−キノン（実施例１８）、シアノアクリジ
ン（実施例１９）をそれぞれ３０　ｍＷ　添加した。ま
た、増感剤無添加の試料も用意した。

（比較例１）これらを実施例１の方法で塗布、光照射、
現像し、初期膜厚の５０Ｌｉ６が残る光照表　２ 実施例２０ 実施例１２において、（Ｌ５μｍ〜５μｍのフォトマス
クを用いて照射し現像したのち、得られたパターン寸法
を表３に示す。

表　３ 比較例２ 実施例２０において、製造柄１で得られたポリマーの代
りに、ポリビニルメチルシロキサンを用いて実施例２０
と同様の操作を行った７５ｆ、マスクパターン＆０μｍ
以下では膨潤のため全く角７像しなかった。

実施例２１〜２５ 実施例１と同様の方法で得たノ〈ターンを０Ｆ４（実施
例２１　）　ａｙｘｏｔｓ　（実施例２２）、０Ｏｔ４
（実施例２６）、０２（実施例２４）、Ａｒ　（実施例
２５）の各ガスをエッチャントガスとして反応性イオン
エツチングを行った。この時の工表　４ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明で得られた感光性樹脂組成
物は、高いガラス転移温度を有するシリコーン樹脂と高
い光反応性を示すビスアジド化合物からなるため、フォ
トレジストとして十分な感光性と解像性を有している。

特に、シリコーン樹脂の高いガラス転移温度によシ、従
来問題となった現像時の膨潤が抑えられ、解像性の向上
が著しい。更に、現状シロキサンモノマーは、リビング
重合ができるため、分子星分布の非常に狭い、すなわち
、解像性の高いレジスト材料となりうる。また、樹脂は
白色粉末で、醍解性がよく、スピンコードによる塗布Ｂ
Ｋも優れ、従来の液体に近いシリコーン樹脂に比べはる
かに扱いやすい。

更に、従来のフォトレジストに比べ、はるかに高いドラ
イエツチング耐性を有する。これは！［つに酸素プラズ
マをエッチャントとした反応性イオンエツチングにおい
て著しい。したがって、本発明の感光性樹脂組成物を単
独で使用しても作業性、紅済性、レジスト性能などの点
で十分に効果があるが、下層にＪｌい有機ポリマーを有
する２　１１“ルジストの上層として使用すれば、更に
大きな効果が得られる。

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物により形成された
パターンをマスクとして、下層の有ｔＪ：４ポリマーを
Ｏ雪ドライエツチングすれば、＃感光性樹脂組成物に覆
われた部分はほとんどエツチングされないため、形状比
の高い）くターンを形成することができる。

更に、従来３層以上の多層レジストでなければ形成でき
なかったパターンを２層でできるため、工程数と作業時
間を大幅に短縮できる。

以上のように、本発明の感光性樹脂組成物を用いること
により、厚く微細なノくターンが形成できるため、段差
ごえのノ（ターン形成や高加速イオン打込みを行う際に
非常に有用となる。

特許出願人　日本電信電話公社 代理人　中本　宏 同　井　上　昭 第１頁の続き ０発　明　者　小　暮　攻 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根１６２Ｉ地　日本電
信電話公社茨城電気通信研究所内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　下記一般式Ｉ： （式中Ｒ，Ｒ’及びＲ′　は、同−又は異なシ、水素、
   アルキル基及びフェニル基よシなる群から選択した１種
   の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは、０又は正の整数を示し、
   ｔとｍが同時に０になることはない）で表されるシロキ
   サンポリマ〜と、ビスアジド化合物及び増感剤とを包含
   することを特徴とする感光性樹脂組成物。 ２、　該ビスアジド化合物が、下記一般式■：（式中Ｒ
   １は直接結合、又は−ＣＨ鵞−１−〇−１−ＣＨ＝ＯＨ
   −１−１１Ｊ＝＝ｌＪ−５−Ｓ−１Ｈ３ される基であシ、Ｒ３は水素原子又は）・ロゲン原子で
   ある）で表される化合物よりなる群から選択した１種以
   上のものである特許請求の範囲第１項記載の感光性樹脂
   組成物。 五　該増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、４＋４＋憶−ＬＰｌルム＆　
   七ノ・ノ玄イレ春ａ如　丁ントロン系化合物及びアセナ
   フテン系化合物よシなる群から選択した１種のものであ
   る特許請求の範囲第１項記載の感光性樹脂組成物。 ４、　下記一般式■： （式中Ｒ，Ｒ’及びＲ′　は、同−又は異なり、水素、
   アルキル基及びフェニル基よりなる群から選択した１種
   の基を示し、Ｌ、ｍ及びｎは、０又は正の整数を示し、
   ｔとｍが同時に０になることはない）で表されるシロキ
   サンポリマーと、ビスアジド化合物及び増感剤とを包含
   する感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、熱処理し、そ
   の後光を照射して照射部分のみを架橋させ、次いで有機
   現像溶媒に浸漬し、非照射部分のレジスト材料を除去し
   て微細パターン形成を行うことを特徴とする感光性樹脂
   組成物の使用方法。 ５、　基板上に有機高分子材料の膜を形成し、その上に
   感光性樹脂組成物を塗布して二層構造とし、熱処理し、
   その後光を照射して照射部分のみを架橋させ、次いで有
   機現像溶媒に浸漬して非照射部の感光性樹脂組成物を除
   去したのち、この架橋部分をマスクとして酸素を用いる
   ドライエツチングによって下層の有機高分子材料をエツ
   チング除去することによりパターンを形成する方法にお
   いて、感光性樹脂組成物として、下記一般式１： （式中Ｒ，Ｒ’及びＲ′　は、同−又は異なシ、水素、
   アルキル基及びフェニル基よりなる群から選択した１種
   の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは、０又は正の整数を示し、
   ｔとｍが同時に０になることはない）で表されるシロキ
   サンポリマーと、ビスアジド化合物及び増感剤とを包含
   する感光性樹脂組成物を使用することを特徴とする感光
   性樹脂組成物の使用方法。 ６、　下記一般式ＪＩ： （式中、Ｌ、ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、ｔとｍ
   が同時に０になることはない）で　１表されるフェニル
   シルセスキオキサンポリｉ−と、ビスアジド化合物及び
   増感剤とを包含することを特徴とする感光性樹脂組成物
   。 ７、該ビスアジド化合物が、下記一般式■：（式中Ｒ１
   は直接結合、又は−ＯＨ，−１−０−１−ＯＨ＝ＯＨ−
   １−Ｎ＝Ｎ−１−Ｓ−２↑ される基であシ、Ｒ，は水素原子又はハロゲン原子であ
   る）で表される化合物よシなる群から選択した１種以上
   のものである特許請求の範囲第６項記載の感光性樹脂組
   成物。 Ｌ　該増感剤が、芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン
   系化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫
   黄化合物、有機過酸化物、芳香族ニド四化合物、キノン
   系化合物、アントロン系化合物及びアセナフテン系化合
   物よシなる群から選択した１種のものである特許請求の
   範囲第６項記載の感光性樹脂組成物。 λ　下記一般式Ｉ： （式中、ｔ、ｍ、ｎは０又は正の整数を示すが、Ｌｌｍ
   が同時に０になることはない）で表すれるフェニルシル
   セスキオキサンホリ−ｒ−と、ビスアジド化合物及び増
   感剤とを包含する感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、
   熱処理し、その後光を照射して照射部分のみを架橋させ
   、次いで有機現像溶媒に浸漬し、非照射１１１Ｓ分のレ
   ジスト材料を除去して微細パターン形成を行うことを特
   徴とする感光性樹脂組成物の使用方法。 １０、基板上に有機高分子材料の膜を形成し、その上に
   感光性樹脂組成物を塗布して二層構造とし、熱処理し、
   その後光を照射して照射部分のみを架橋させ、次いで有
   機現像溶媒に浸漬して非照射部の感光性樹脂組成物を除
   去したのち、この架橋部分をマスクとして酸素を用いる
   ドライエツチングによって下層の有機高分子材料をエツ
   チング除去することにょシバターンを形成する方法にお
   いで、感光性樹脂組成物として、下記一般式Ｉ： （式中、ｔ、ｍ、　ｎは０又は正の整数を示すが、ｔと
   ｍが同時に０になることはない）で表されるフェニルシ
   ルセスキオキサンポリマーと、ビスアジド化合物及び増
   感剤とを包含する感光性樹脂組成物を使用することを特
   徴とする感光性樹脂組成物の使用方法。