JPS6098431A - パタン形成材料及びパタン形成方法 - Google Patents
パタン形成材料及びパタン形成方法Info
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- JPS6098431A JPS6098431A JP58205767A JP20576783A JPS6098431A JP S6098431 A JPS6098431 A JP S6098431A JP 58205767 A JP58205767 A JP 58205767A JP 20576783 A JP20576783 A JP 20576783A JP S6098431 A JPS6098431 A JP S6098431A
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- electron beam
- film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子、磁気バブル素子及び光応用部品
等の製造に利用しうるバタン形成材料及びその使用方法
に関する。
等の製造に利用しうるバタン形成材料及びその使用方法
に関する。
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造ではレジストと呼ばれる
高分子化合物等の有機組成物で被加工基板を被覆し、高
エネルギー線をバタン状に照射してレジストに潜像金形
成し、これを現像してバタン状のレジスト膜を形成した
のち、被加工基板を腐食液に浸すことにより基板のレジ
ストに覆われていない部分を化学的にエツチングあるい
は不純物をドーピングするなどの処理全行ってきた。
高分子化合物等の有機組成物で被加工基板を被覆し、高
エネルギー線をバタン状に照射してレジストに潜像金形
成し、これを現像してバタン状のレジスト膜を形成した
のち、被加工基板を腐食液に浸すことにより基板のレジ
ストに覆われていない部分を化学的にエツチングあるい
は不純物をドーピングするなどの処理全行ってきた。
しかし、近年集積回路の高集積化に伴い、更に倣細なバ
タン全形成することが望まれている。
タン全形成することが望まれている。
特に、腐食液に浸しエツチングする湿式法ではサイドエ
ツチングが生じるため、これを避けるためにガスプラズ
マを用いた反応性イオンエツチングなどのドライエツチ
ングによる加工が盛んになってきた。しかし、従来のレ
ジストはドライエツチングにより被加工基板と同様にエ
ツチングされてし１うため、レジスト膜厚を厚くするこ
とによって、これに対処してきている。
ツチングが生じるため、これを避けるためにガスプラズ
マを用いた反応性イオンエツチングなどのドライエツチ
ングによる加工が盛んになってきた。しかし、従来のレ
ジストはドライエツチングにより被加工基板と同様にエ
ツチングされてし１うため、レジスト膜厚を厚くするこ
とによって、これに対処してきている。
したがって、ドライエツチング耐性の高いレジスト材料
が望まれているが、いまだ十分な耐性を有する材料は見
出されていない。
が望まれているが、いまだ十分な耐性を有する材料は見
出されていない。
−万、配線の多量化、三次元アレイ構造の素子などを実
現するために、段差のある基板上にレジストパタンを７
國することが望１れている。
現するために、段差のある基板上にレジストパタンを７
國することが望１れている。
したがって段差をカバーするために、レジスト膜を厚く
する必要が生じる。
する必要が生じる。
更に、高速のイオン全基板に到達させることなく捕獲す
るためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならない
。しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い
解像性が低下し、微細なメタ７成−形凧することができ
なかった。
るためには、レジストの膜厚も厚くしなくてはならない
。しかし、従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い
解像性が低下し、微細なメタ７成−形凧することができ
なかった。
この問題を解決するために、レジストパタンではなく多
層化することにより、形状比の高いレジストバタンを形
成する方法が提案されている。すなわち、第１層目に有
機高分子材料の厚膜を形成し、その上の第２層に薄膜の
レジスト材料層を形成したのち、第２層のレジスト材料
に高エネルギー線を照射し、現像したのち得られるバタ
ンをマスクとして第１層の有機高分子材料をドライエツ
チングすることにより、高形状比のバタンを得ようとす
るものである。しかし、この方法では第２層に通常のレ
ジスト’を用１Ａ＋焔心−笛１属シ笛フ層の木オ料のト
９ライエッチ／グ速度の比、すなわち選択比が太きくと
れなかったり、大きくするためには、かなり長いエツチ
ング時間を必要とした・ 酸素プラズマを用いる多層レジスト系としては１層目の
厚膜高分子材料層と、２層目のレジストとの中間に酸素
プラズマ耐性の高い無機物層全般ける３層構造のレジス
トが提案されている。この場合はレジスト材料で形成し
たバタン全マスクとして四塩化炭素、四フッ化炭素又は
アルゴン等のガスを用いて無機物層をドライエツチング
し、ついで無機物層バタン全マスクとして、酸素で有機
高分子材料層をドライエツチングすることになる。そし
てこの場合には、酸素プラズマＦｆ、、１層目の厚膜高
分子材料を速やかにエツチングでき、基板は全くエツチ
ングされないため、エツチングの終点全モニターせずと
も所望のプロファイルを肩するレジストパタンが形成で
きる。しかしながら、工程数が大幅に増加するという欠
点を有する。
層化することにより、形状比の高いレジストバタンを形
成する方法が提案されている。すなわち、第１層目に有
機高分子材料の厚膜を形成し、その上の第２層に薄膜の
レジスト材料層を形成したのち、第２層のレジスト材料
に高エネルギー線を照射し、現像したのち得られるバタ
ンをマスクとして第１層の有機高分子材料をドライエツ
チングすることにより、高形状比のバタンを得ようとす
るものである。しかし、この方法では第２層に通常のレ
ジスト’を用１Ａ＋焔心−笛１属シ笛フ層の木オ料のト
９ライエッチ／グ速度の比、すなわち選択比が太きくと
れなかったり、大きくするためには、かなり長いエツチ
ング時間を必要とした・ 酸素プラズマを用いる多層レジスト系としては１層目の
厚膜高分子材料層と、２層目のレジストとの中間に酸素
プラズマ耐性の高い無機物層全般ける３層構造のレジス
トが提案されている。この場合はレジスト材料で形成し
たバタン全マスクとして四塩化炭素、四フッ化炭素又は
アルゴン等のガスを用いて無機物層をドライエツチング
し、ついで無機物層バタン全マスクとして、酸素で有機
高分子材料層をドライエツチングすることになる。そし
てこの場合には、酸素プラズマＦｆ、、１層目の厚膜高
分子材料を速やかにエツチングでき、基板は全くエツチ
ングされないため、エツチングの終点全モニターせずと
も所望のプロファイルを肩するレジストパタンが形成で
きる。しかしながら、工程数が大幅に増加するという欠
点を有する。
−１、酸素プラズマによるドライエッチング耐性の高い
シリコーン系レジストヲ第２層に用いた場合には、第２
層のレジストノ（タンをマスクとして第１ ＪＷＩの有
機高分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズマ
が使えるため、短時間で少ない工程数により高形状比の
レジストバタン全形成できる。しかし、現在知られてい
るシリコーン系レジストではガラス転移温度が室温より
相当低く、分子量の低いポリマーは液状あるいは半液状
のため、非常に扱い難く、高エネルギー線に対しても感
度が悪くなる。
シリコーン系レジストヲ第２層に用いた場合には、第２
層のレジストノ（タンをマスクとして第１ ＪＷＩの有
機高分子材料をドライエツチングする際に酸素プラズマ
が使えるため、短時間で少ない工程数により高形状比の
レジストバタン全形成できる。しかし、現在知られてい
るシリコーン系レジストではガラス転移温度が室温より
相当低く、分子量の低いポリマーは液状あるいは半液状
のため、非常に扱い難く、高エネルギー線に対しても感
度が悪くなる。
他方、分子量を高くするとゴム状になり若干扱いやすく
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めイパタンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点が
らった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の扁い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性全低下させている原因となっている。
なり、また感度も高くなるが、現像溶媒中での膨潤のた
めイパタンのうねり等の解像度の低下を招く等の欠点が
らった。また、架橋反応の感度を高くするためビニル基
等の連鎖反応性の扁い官能基を側鎖に導入しており、こ
れも解像性全低下させている原因となっている。
本発明は、これらの欠点を解消するためなされたもので
あり、その目的は、電子線に対して、高感度、高解像性
を有し、しかもドライエツチング耐性の高いパタ；（科
及びその使用方法を提供することにある。
あり、その目的は、電子線に対して、高感度、高解像性
を有し、しかもドライエツチング耐性の高いパタ；（科
及びその使用方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はバタン形成
材料の発明であって、下記一般式Ｉ：（式中Ｒ１、Ｒ２
及びＲ３は、同−又は異なり、アルキル基及びフェニル
基よりなる群から選択した１種の基を示し、ｔは正の整
数、ｍは０又は正の整数を示す〕で表されるポリシラン
を含むことを特徴とする。
材料の発明であって、下記一般式Ｉ：（式中Ｒ１、Ｒ２
及びＲ３は、同−又は異なり、アルキル基及びフェニル
基よりなる群から選択した１種の基を示し、ｔは正の整
数、ｍは０又は正の整数を示す〕で表されるポリシラン
を含むことを特徴とする。
’Ｅ′ｆｃ、本発明の第２の発明は、バタン形成方法に
関する発明であって、基材上に電子線感応材料の膜全形
成し、熱処理し、その後電子線を照射して形成膜の一部
分を選択的に露光し、次いで未露光部分の膜全現像液に
より選択的に除去してバタンを形成する方法において、
該電子線感応材料として、前記一般式Ｉで表されるポリ
シランを含む材料を使用すること′ｆｔ％徴とする。
関する発明であって、基材上に電子線感応材料の膜全形
成し、熱処理し、その後電子線を照射して形成膜の一部
分を選択的に露光し、次いで未露光部分の膜全現像液に
より選択的に除去してバタンを形成する方法において、
該電子線感応材料として、前記一般式Ｉで表されるポリ
シランを含む材料を使用すること′ｆｔ％徴とする。
そして、本発明の第３の発明は、他のバタン形成方法に
関する発明であって、基材上［７に機高分子材層を設け
、その上に電子線感応材料層を設け、その後電子線を所
望のバタン状に照射し、次いで未照射部分の膜を現像液
により選択的に除去したのち、これをマスクとして酸素
を用いるドライエツチングにより該電子線感応材料に覆
われていない部分の該有機高分子材層をエツチング除去
することによりバタンを形成する方法において、該電子
線感応材料として、前記一般式Ｉで表されるポリシラン
を含む材料を使用することを特徴とする。
関する発明であって、基材上［７に機高分子材層を設け
、その上に電子線感応材料層を設け、その後電子線を所
望のバタン状に照射し、次いで未照射部分の膜を現像液
により選択的に除去したのち、これをマスクとして酸素
を用いるドライエツチングにより該電子線感応材料に覆
われていない部分の該有機高分子材層をエツチング除去
することによりバタンを形成する方法において、該電子
線感応材料として、前記一般式Ｉで表されるポリシラン
を含む材料を使用することを特徴とする。
本発明における一般式Ｉ中のアルキル基トシては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。他方、
クロロメチル化されたフェニル基は多い方がよく、好ま
しくは２０モル係以上らることが望ましい。
ル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。他方、
クロロメチル化されたフェニル基は多い方がよく、好ま
しくは２０モル係以上らることが望ましい。
本発明における最も重要な点は、ポリフェニルメチルシ
ラン又はフェニルメチルシランとジメチルシランとの共
重合体などフェニル基を有するポリシランにクロロメチ
ル基金導入することにより、高感度、高Ｍ像性の電子線
感応材料となることを見出した点に’６る。これらのポ
リマーは室温で固体でらり高い耐熱性をもっている。し
かも、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、モノクロロベゼンなどのＭ機溶媒によく溶解し、
これ全スピンコードなどにより基板に塗布すれば侵れた
被膜が形成できる。したがって、従来のシリコーン系レ
ジストが液体らるりはゴム状で必るのに対して格段に扱
いやすいものにすることができた。
ラン又はフェニルメチルシランとジメチルシランとの共
重合体などフェニル基を有するポリシランにクロロメチ
ル基金導入することにより、高感度、高Ｍ像性の電子線
感応材料となることを見出した点に’６る。これらのポ
リマーは室温で固体でらり高い耐熱性をもっている。し
かも、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、モノクロロベゼンなどのＭ機溶媒によく溶解し、
これ全スピンコードなどにより基板に塗布すれば侵れた
被膜が形成できる。したがって、従来のシリコーン系レ
ジストが液体らるりはゴム状で必るのに対して格段に扱
いやすいものにすることができた。
本発明の一般式Ｉで示されるポリシランの製造法として
は、メチルフェニルジクロロシランなどのジクロロ置換
シラン化合物を、カリウム及びナトリウムなどの金属で
縮合して得られたフェニル基含有ポリシランをクロロメ
チル化する方法が挙げられる。
は、メチルフェニルジクロロシランなどのジクロロ置換
シラン化合物を、カリウム及びナトリウムなどの金属で
縮合して得られたフェニル基含有ポリシランをクロロメ
チル化する方法が挙げられる。
以下に、本発明における電子線感応材料の製造例を示す
。
。
製造例１
１００−のドデカンに５ｆのナトリウムを入れ、かくは
んしながら加温し、穏やかに還流させた。これに１５ｆ
のメチルフェニルジクロロシランを滴下し、２時間反応
させた。反応終了後、室温１で冷却し沢過した。ヘキサ
ン、メタノール、水等で順次洗浄し、白色の固体を得た
。
んしながら加温し、穏やかに還流させた。これに１５ｆ
のメチルフェニルジクロロシランを滴下し、２時間反応
させた。反応終了後、室温１で冷却し沢過した。ヘキサ
ン、メタノール、水等で順次洗浄し、白色の固体を得た
。
この重合体の重量平均分子量Ｍｗ＝２．３×１０’、分
散度ＭＹ／Ｍｎ＝ ４であった。得られた重合体５２’
ｌｉ、１００Ｔｎｔのクロロメチルメチルエーテルに溶
解し、塩化第二スズ５１１＋７！’ｉ触媒として、−５
℃で１０時間反応させた。反応液をメタノール中に注ぎ
込み白色固体のポリマーを得た。このポリマーの赤外線
吸収スペクトルでは、８ＱＤｃｍ”にジ置換フェニルに
帰属される吸収が、また１ ２６０ ｃｍ−’にクロロ
メチル基に帰属式れる吸収がみられ、クロロメチル化さ
れたことが確認で＠た。元素分析からこのポリマーのク
ロロメチル化率は６５チ、箇たゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーから計算したＭｗ ＝ ４． ＯＸｌ
ｏｉＭｗ／Ｍｎ＝ ４．８でめった。
散度ＭＹ／Ｍｎ＝ ４であった。得られた重合体５２’
ｌｉ、１００Ｔｎｔのクロロメチルメチルエーテルに溶
解し、塩化第二スズ５１１＋７！’ｉ触媒として、−５
℃で１０時間反応させた。反応液をメタノール中に注ぎ
込み白色固体のポリマーを得た。このポリマーの赤外線
吸収スペクトルでは、８ＱＤｃｍ”にジ置換フェニルに
帰属される吸収が、また１ ２６０ ｃｍ−’にクロロ
メチル基に帰属式れる吸収がみられ、クロロメチル化さ
れたことが確認で＠た。元素分析からこのポリマーのク
ロロメチル化率は６５チ、箇たゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーから計算したＭｗ ＝ ４． ＯＸｌ
ｏｉＭｗ／Ｍｎ＝ ４．８でめった。
製造例２〜５
原料のジクロロシランとして、フェニルメチルジクロロ
シランとジメチルジクロロシラン（製造Ｎ ２ ） 、
フェニルメチルジクロロシランとジフェニルジクロロシ
ラン（製造例５）、ジフェニルジクロロシランとジメチ
ルジクロロシラン（ｌｌｉ例４）、フェニルメチルジク
ロロシラン、ジメチルジクロロシラン及びジフェニルジ
クロロシラン〔製造例５〕を用い、製造例１と全く同様
な方法で重合を行い、白色の重合体を得た。
シランとジメチルジクロロシラン（製造Ｎ ２ ） 、
フェニルメチルジクロロシランとジフェニルジクロロシ
ラン（製造例５）、ジフェニルジクロロシランとジメチ
ルジクロロシラン（ｌｌｉ例４）、フェニルメチルジク
ロロシラン、ジメチルジクロロシラン及びジフェニルジ
クロロシラン〔製造例５〕を用い、製造例１と全く同様
な方法で重合を行い、白色の重合体を得た。
下記表１に得られた各重合体の重量平均分子量、分散度
及びクロロメチル化率を示す０表 １ □□□□□□□□−］ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
及びクロロメチル化率を示す０表 １ □□□□□□□□−］ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
製造例１で得たクロロメチル化ポリフェニルメチルシラ
ン全メチルイソブチルケトンに溶解し、シリコンクエバ
に約ａ５μｍの厚さＫｍ布し１００℃で２０分間窒素気
流中プリベークした。プリベーク後、加速電圧２０ＫＶ
Ｏ’ｆｌｊｉ子線照射を行った。照射後ウェハをメチル
エチルケトン：イソプロピルアルコール＝３：１の混合
溶媒で現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。
ン全メチルイソブチルケトンに溶解し、シリコンクエバ
に約ａ５μｍの厚さＫｍ布し１００℃で２０分間窒素気
流中プリベークした。プリベーク後、加速電圧２０ＫＶ
Ｏ’ｆｌｊｉ子線照射を行った。照射後ウェハをメチル
エチルケトン：イソプロピルアルコール＝３：１の混合
溶媒で現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。
現像後の残膜率と照射量の関係を第１図に示す。すなわ
ち第１図は形成されたレジストパターンにおける感電子
線特性を電子線照射’ｋｋ （０／ｃｎＰ ） （横軸
）と規格化残膜率〔縦軸〕との関係で示したグラフであ
る。このグラフから明らかなように初期膜厚の５０％が
残る電子線照射量は１．２ Ｘ １０−５０／ａｎ”
であり実用上十分に利用可能な感度である。１だ第１図
に示すような感度曲線における傾きで表される解像性の
目安となるγ値は１．８であり高い値を示す。実際電子
線照射後上記と同一組成の現像リンスを行ったところＱ
、６μｍライン／スペースはいわゆるヒゲやブリッジが
なくパタンは相互に分離しており十分に解像できた。
ち第１図は形成されたレジストパターンにおける感電子
線特性を電子線照射’ｋｋ （０／ｃｎＰ ） （横軸
）と規格化残膜率〔縦軸〕との関係で示したグラフであ
る。このグラフから明らかなように初期膜厚の５０％が
残る電子線照射量は１．２ Ｘ １０−５０／ａｎ”
であり実用上十分に利用可能な感度である。１だ第１図
に示すような感度曲線における傾きで表される解像性の
目安となるγ値は１．８であり高い値を示す。実際電子
線照射後上記と同一組成の現像リンスを行ったところＱ
、６μｍライン／スペースはいわゆるヒゲやブリッジが
なくパタンは相互に分離しており十分に解像できた。
実施例２
シリコンウェハにＡＺ−１３５０レジスト（シブレイ社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し不溶化させた。このＡＺ レジストの上に製造例１で
得たクロロメチル化ポリフェニルメチルシランを実施例
１と同様な操作で約ｃＬ２μｍの厚さに塗布し、加速電
圧２０ＫＶの電子線照射を行った。照射後メチルエテル
ケトン：イソプロピルアルコール−３：１の混合溶媒で
現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。その結
果ＡＺレジスト上に０．３μｍライン／スペースのバタ
ンか形成できた。その後平行平板型スパッタエツチング
装置で酸素ガスをエッチャントガスとしてエツチングを
行った（印加パワー５０Ｗ、エツチング室内圧８０ミリ
トル酸素ガス）。このエツチング条件では、クロロメチ
ル化ポリフェニルメチルシランのエツチング速度は２０
Ａ／分以下でろり、またＡＺレジストのエツチング速度
は８００ Ａ／分でろり、２８分間エツチングすること
にょクロロメチル化ポリフェニルメチルシランのパタン
に覆ゎれていない部分のＡＺ レジストは完全に消失し
た。エッチンｙｇｔｏ、ｓμｍライン／スペースのバタ
ンか２．３μｍの膜厚で形成できた。
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加熱
し不溶化させた。このＡＺ レジストの上に製造例１で
得たクロロメチル化ポリフェニルメチルシランを実施例
１と同様な操作で約ｃＬ２μｍの厚さに塗布し、加速電
圧２０ＫＶの電子線照射を行った。照射後メチルエテル
ケトン：イソプロピルアルコール−３：１の混合溶媒で
現像し、イソプロピルアルコールでリンスした。その結
果ＡＺレジスト上に０．３μｍライン／スペースのバタ
ンか形成できた。その後平行平板型スパッタエツチング
装置で酸素ガスをエッチャントガスとしてエツチングを
行った（印加パワー５０Ｗ、エツチング室内圧８０ミリ
トル酸素ガス）。このエツチング条件では、クロロメチ
ル化ポリフェニルメチルシランのエツチング速度は２０
Ａ／分以下でろり、またＡＺレジストのエツチング速度
は８００ Ａ／分でろり、２８分間エツチングすること
にょクロロメチル化ポリフェニルメチルシランのパタン
に覆ゎれていない部分のＡＺ レジストは完全に消失し
た。エッチンｙｇｔｏ、ｓμｍライン／スペースのバタ
ンか２．３μｍの膜厚で形成できた。
実施例３〜６
製造例２〜５で得たクロロメチル化ポリシランを実施例
１の方法で電子線照射したとき、初期膜厚の５０％が残
る電子線照射量（感度）及びγ値を衣２に示す。
１の方法で電子線照射したとき、初期膜厚の５０％が残
る電子線照射量（感度）及びγ値を衣２に示す。
表 ２
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明で得られたポリシランは、
高い耐熱性を有し、更に電子線に対して高い反応性と高
い解像性を有している。また、得られた重合体は、いず
れも白色粉末で溶解性、塗膜性にも優れ、従来の液体に
近いシリコーン樹脂よりも扱いやすい。更＆Ｃ−５た、
酸素ガスプラズマに対して高い耐性をもつため、下層に
厚い１゛機物Ｍ７に府する２層レジストの上層として使
用すれば、著しぐ高い形状比を有するサブミクロンバタ
ンを形成することができるという顕著な効果が奏せられ
る。
高い耐熱性を有し、更に電子線に対して高い反応性と高
い解像性を有している。また、得られた重合体は、いず
れも白色粉末で溶解性、塗膜性にも優れ、従来の液体に
近いシリコーン樹脂よりも扱いやすい。更＆Ｃ−５た、
酸素ガスプラズマに対して高い耐性をもつため、下層に
厚い１゛機物Ｍ７に府する２層レジストの上層として使
用すれば、著しぐ高い形状比を有するサブミクロンバタ
ンを形成することができるという顕著な効果が奏せられ
る。
第１図は、本発明方法によって形成されたレジストパタ
ンにおける感電子線特性を電子線熱ＩＪ量と規格化残膜
率りの関係で示したグラフでらる。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 中 本 先 回 井 上 昭
ンにおける感電子線特性を電子線熱ＩＪ量と規格化残膜
率りの関係で示したグラフでらる。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 中 本 先 回 井 上 昭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 下記一般式■： ｃ式中Ｒ，、Ｒ，及びＲｓ法同−又は異なり、アルキル
基及びフェニル基よりなる群から選択した１種の基を示
し、ｔは正の整数、ｍは０又は正の整数を示す）で表さ
れるポリシランを含むことを特徴とするバタン形成材料
。 ２ 基材上に電子線感応材料の膜を形成し、熱処理し、
その後電子線を照射して形成膜の一部分を選択的に露光
し、次いで未塵光部分の膜を現像液により選択的に除去
してバタンを形成する方法において、該電子線感応材料
として、下記一般式Ｉ： 〔式中Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、同−又は異なり、アルキ
ル基及びフェニル基よりなる群から選択した１種の基を
示し、Ｌは正の整数、？ｎは８又は正の整数を示す〕で
表されるポリシランを含む材料を使用することを特徴と
するバタン形成方法。 五 基材上に有機高分子材層を設け、その上に電子線感
応材料層金膜け、その後電子線を所望のバタン状に照射
し、次いで未照射部分の膜を現像液により選択的に除去
したのち、これ全マスクとして酸素を用いるドライエツ
チングにより該電子線感応材料に櫟われていない部分の
該有機高分子材Ｗ７Ｉをエツチング除去することにより
バタンを形成する方法において、該電子線感応材料とし
て、下記一般式Ｉ：（式中Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同−
又は異なり、アルキル基及びフェニル基よりなる群から
選択した１種の基を示し、ｔは正の整数、ｍは０又は正
の整数を示す）で表されるポリシランを含む材料を使用
すること全特徴とするパタン形成方法◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205767A JPS6098431A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205767A JPS6098431A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098431A true JPS6098431A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0314333B2 JPH0314333B2 (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16512328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205767A Granted JPS6098431A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098431A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3817306A1 (de) * | 1987-05-21 | 1988-12-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Polysilanverbindung und diese enthaltende lichtempfindliche beschichtungsmasse |
| JPH0196222A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Uki Gosei Kogyo Co Ltd | １，２，２−トリメチル−１−（置換フェニル）ポリジシランおよびその製造法 |
| US5159042A (en) * | 1988-12-29 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Polysilane compounds and electrophotographic photosensitive members with the use of said compounds |
| US5220181A (en) * | 1989-12-11 | 1993-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element of junction type with an organic semiconductor layer formed of a polysilane compound |
| JP2005036139A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Osaka Gas Co Ltd | コポリシランとその製造方法 |
| JP2010204538A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示用白色粒子、表示媒体、及び表示装置 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58205767A patent/JPS6098431A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3817306A1 (de) * | 1987-05-21 | 1988-12-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Polysilanverbindung und diese enthaltende lichtempfindliche beschichtungsmasse |
| JPH0196222A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Uki Gosei Kogyo Co Ltd | １，２，２−トリメチル−１−（置換フェニル）ポリジシランおよびその製造法 |
| JPH0424366B2 (ja) * | 1987-10-08 | 1992-04-24 | Juki Gosei Yakuhin Kogyo Kk | |
| US5159042A (en) * | 1988-12-29 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Polysilane compounds and electrophotographic photosensitive members with the use of said compounds |
| US5220181A (en) * | 1989-12-11 | 1993-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element of junction type with an organic semiconductor layer formed of a polysilane compound |
| JP2005036139A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Osaka Gas Co Ltd | コポリシランとその製造方法 |
| JP2010204538A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示用白色粒子、表示媒体、及び表示装置 |
| JP4702464B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2011-06-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 電気泳動表示用白色粒子、電気泳動表示媒体、及び電気泳動表示装置 |
| US8404881B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-03-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | White particles for display, particle dispersion for display, display medium and display device |
| US8717282B2 (en) | 2009-03-05 | 2014-05-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | White particles for display, particle dispersion for display, display medium and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314333B2 (ja) | 1991-02-26 |
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