JPS59192245A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
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- JPS59192245A JPS59192245A JP6764783A JP6764783A JPS59192245A JP S59192245 A JPS59192245 A JP S59192245A JP 6764783 A JP6764783 A JP 6764783A JP 6764783 A JP6764783 A JP 6764783A JP S59192245 A JPS59192245 A JP S59192245A
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- styrene monomer
- resist material
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- fluoromethylated
- polymer
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
- C08F12/16—Halogens
- C08F12/20—Fluorine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
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- Organic Chemistry (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い感度及びｒ値を有し耐熱性、耐ドライエツ
チング性に優れたネガ形の高エネルギー線に感応するレ
ジスト材料に関する。
チング性に優れたネガ形の高エネルギー線に感応するレ
ジスト材料に関する。
最近、半導体の分野では集積度が高まるにつれてパター
ンは微細化され、それに従ってレジスト材料は一層の高
感度化、高解像性が必要となり、その上、剛ドライエツ
チング性及び耐熱性も要求されるようになってきた。
ンは微細化され、それに従ってレジスト材料は一層の高
感度化、高解像性が必要となり、その上、剛ドライエツ
チング性及び耐熱性も要求されるようになってきた。
従来より、例えばポリスチレン系の誘導体はレジスト材
料として電子工業、印刷工業、精密機械工業等の分野で
、例えば磁気バルブ、集積回路、印刷版、シャドーマス
ク等の製造に使用されている。即ちポリスチレン系誘導
体の溶液は例えば半導体等の表面に塗布され、必要に応
じてベーキングされた後に、電子線、イオンビーム、γ
線、Ｘ線、中性子線、遠紫外線等の高エネルギー線を照
射されて、そのレジス・ト被膜上に所定のパターンの潜
像が形成され、その後、適当な現像液により現像される
。
料として電子工業、印刷工業、精密機械工業等の分野で
、例えば磁気バルブ、集積回路、印刷版、シャドーマス
ク等の製造に使用されている。即ちポリスチレン系誘導
体の溶液は例えば半導体等の表面に塗布され、必要に応
じてベーキングされた後に、電子線、イオンビーム、γ
線、Ｘ線、中性子線、遠紫外線等の高エネルギー線を照
射されて、そのレジス・ト被膜上に所定のパターンの潜
像が形成され、その後、適当な現像液により現像される
。
このようなポリスチレン系誘導体としては例えば特公昭
５ Ｇ−５０２，６３及び特開昭５７−１０９９４３に
記載されたクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭＳという
）が公知であり、耐熱性、耐ドライエツチング性に優れ
ているが感度、解像性にやや不満足で、より一層優れた
感度及び解像性が望廿れている。
５ Ｇ−５０２，６３及び特開昭５７−１０９９４３に
記載されたクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭＳという
）が公知であり、耐熱性、耐ドライエツチング性に優れ
ているが感度、解像性にやや不満足で、より一層優れた
感度及び解像性が望廿れている。
本発明の目的は上記見地より優れた耐熱性と耐ドライエ
ツチング性を有すると共に、より一層高い感度及び解像
性を有するレジスト材料を提供することにある。
ツチング性を有すると共に、より一層高い感度及び解像
性を有するレジスト材料を提供することにある。
また本発明の目的は耐プラズマ性に優れたレジスト材料
を提供することにもある。
を提供することにもある。
本発明は式
で示される構造単位（ａ）、または構造単位（ａ）及び
式 で示される構造単位（ｂ）を有するポリスチレン誘導体
からなるレジスト材料に係る。
式 で示される構造単位（ｂ）を有するポリスチレン誘導体
からなるレジスト材料に係る。
（ただしＲ，Ｒは水素またはメチル基を示す。）本発明
のポリスチレン誘導体は前記構造単位（ａ）からなるフ
ルオロメチル化スチレン系単量体の単独重合体または構
造単位（ａ）及び構造単位（ｂ）からなる共重合体であ
る。上記重合体はポリスチレン又はポリ−α−メチルス
チレンをフルオロメチル化した重合体であり、種々の方
法によシ製造されるが最も望ましい方法はフルオロメチ
ル化スチレン系単量体せたばこれとスチレン系単量体を
公知の方法によシ重合する方法である。フルオロメチル
化スチレン系単聞゛体は各種の方法により製造されるが
、例えばβ−フェニルエチルプロミドとクロロメチルメ
チルエーテルを反応させてβ−ブロモエチルベンジルク
ロライドを合成し、次いで脱ＨＢｒによりクロロメチル
スチレンを合成し、更にこれをフッ素化剤と反応させる
ことによ如製造される。
のポリスチレン誘導体は前記構造単位（ａ）からなるフ
ルオロメチル化スチレン系単量体の単独重合体または構
造単位（ａ）及び構造単位（ｂ）からなる共重合体であ
る。上記重合体はポリスチレン又はポリ−α−メチルス
チレンをフルオロメチル化した重合体であり、種々の方
法によシ製造されるが最も望ましい方法はフルオロメチ
ル化スチレン系単量体せたばこれとスチレン系単量体を
公知の方法によシ重合する方法である。フルオロメチル
化スチレン系単聞゛体は各種の方法により製造されるが
、例えばβ−フェニルエチルプロミドとクロロメチルメ
チルエーテルを反応させてβ−ブロモエチルベンジルク
ロライドを合成し、次いで脱ＨＢｒによりクロロメチル
スチレンを合成し、更にこれをフッ素化剤と反応させる
ことによ如製造される。
フルオロメチル化−α−メチルスチレンも同様にして合
成できる。
成できる。
フルオロメチル化スチレン系単量体またはこれとスチレ
ン系単量体との重合反応の方式や条件は、任意に選択で
き、例えば塊状重合、溶液重合、懸濁ｍ１合、乳化重合
など゛各種の方式を採用することができる。開始剤とし
ては、反応条件下で遊離ラジカルを生じる化合物などが
使用される。好ましい種類には、ジイソプロピルパーオ
キシジカーボネート、アンモニウムパーサルフェードな
どの過酸化物およびアゾビスイソブチコニ１−リルなど
のアゾニトリル類などがある。開始剤の使用量は、単量
体に対して１〜１０００重量ｐｐｍの範囲から選ぶのが
通常であるが、この範囲に限定されるものではない。目
的共重合体の重合度、反応時間、重合温度などの因子に
依存するからである。重合温度は、開始剤の分解温度に
応じて一８０〜２５０°Ｃである。一般に４０〜１５０
’Ｃの範囲が好ましい。
ン系単量体との重合反応の方式や条件は、任意に選択で
き、例えば塊状重合、溶液重合、懸濁ｍ１合、乳化重合
など゛各種の方式を採用することができる。開始剤とし
ては、反応条件下で遊離ラジカルを生じる化合物などが
使用される。好ましい種類には、ジイソプロピルパーオ
キシジカーボネート、アンモニウムパーサルフェードな
どの過酸化物およびアゾビスイソブチコニ１−リルなど
のアゾニトリル類などがある。開始剤の使用量は、単量
体に対して１〜１０００重量ｐｐｍの範囲から選ぶのが
通常であるが、この範囲に限定されるものではない。目
的共重合体の重合度、反応時間、重合温度などの因子に
依存するからである。重合温度は、開始剤の分解温度に
応じて一８０〜２５０°Ｃである。一般に４０〜１５０
’Ｃの範囲が好ましい。
溶液重合で使用できる溶媒としては、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、テトラハイドロフラ
ン、ジメチルポルムアミド、ジメチルスルホキシド、ア
セトニトリル、メチルエチルケトン、テトラハイドロフ
ラン、ジオキサン、二硫化炭素等の１種又は２種以上を
挙げることができる。
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、テトラハイドロフラ
ン、ジメチルポルムアミド、ジメチルスルホキシド、ア
セトニトリル、メチルエチルケトン、テトラハイドロフ
ラン、ジオキサン、二硫化炭素等の１種又は２種以上を
挙げることができる。
反応混合物から重合体を回収する場合も通常の方法が採
用されてよく、例えばアセトン、ベンゼン、トルエンの
如く重合体を溶解しうる溶剤に−旦溶解せしめたうえ、
メタノールの如く重合体が溶解しない溶剤を加えて重合
体のみを再沈殿せしめればよい。
用されてよく、例えばアセトン、ベンゼン、トルエンの
如く重合体を溶解しうる溶剤に−旦溶解せしめたうえ、
メタノールの如く重合体が溶解しない溶剤を加えて重合
体のみを再沈殿せしめればよい。
本発明の重合体においてフルオロメチル化スチレン系単
量体の割合は広い範囲から選択できるが、通常は約２０
〜１００モル％が好ましく、特に約３０〜１００モル％
が好ましい。重合体の好捷しい分子量は重量平均分子量
（Ｍｗ）で約５０００〜１００万の範囲である。
量体の割合は広い範囲から選択できるが、通常は約２０
〜１００モル％が好ましく、特に約３０〜１００モル％
が好ましい。重合体の好捷しい分子量は重量平均分子量
（Ｍｗ）で約５０００〜１００万の範囲である。
本発明のレジスト材料は上記重合体であるポリスチレン
誘導体から構成され、この材料からなるレジスト被膜は
公知の方法によって現像されるが、その際レジスト被膜
の感度及び解像性（γ値）が著しく優れている。現像液
は公知のものが使用でき、具体的にはアセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類
またはこれとメタノール、イソプロパツールなどのアル
コール類との混合物、酢酸エチル、酢酸アミルなどの脂
肪酸エステル類またはこれとアルコール類との混合物、
１〜ルエン、キシレン々どの芳香族炭化水素類またはこ
れとアルコール類との混合物等を挙げることができる。
誘導体から構成され、この材料からなるレジスト被膜は
公知の方法によって現像されるが、その際レジスト被膜
の感度及び解像性（γ値）が著しく優れている。現像液
は公知のものが使用でき、具体的にはアセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類
またはこれとメタノール、イソプロパツールなどのアル
コール類との混合物、酢酸エチル、酢酸アミルなどの脂
肪酸エステル類またはこれとアルコール類との混合物、
１〜ルエン、キシレン々どの芳香族炭化水素類またはこ
れとアルコール類との混合物等を挙げることができる。
尚、上記γ値は感度曲線の直線部分が膜厚Ｏ及び１と交
わる点における照射量をそれぞれＤ！、Ｄｏとすると（
βｏｇ Ｄｏ／Ｄｉ ） で定義される値である。
わる点における照射量をそれぞれＤ！、Ｄｏとすると（
βｏｇ Ｄｏ／Ｄｉ ） で定義される値である。
本発明のレジスト材料は構造単位中にベンゼン環及びハ
ロゲンを含むために耐熱性、耐ドライエツチング性に優
れ、例えばＣＦ４ガスによるリアクティブ スパッタエ
ツチングでばＳｉ基板において、ポリメチルメタクリレ
ートの３倍以上の耐性を有している。
ロゲンを含むために耐熱性、耐ドライエツチング性に優
れ、例えばＣＦ４ガスによるリアクティブ スパッタエ
ツチングでばＳｉ基板において、ポリメチルメタクリレ
ートの３倍以上の耐性を有している。
また一般に感度はレジスト材料の分子量が増大すること
によって上昇することは良く知られているが、本発明の
フルオロメチル化ポリスチレン系のレジスト材料は同分
子量のクロルメチル化ポリスチレン系レジスト材料に比
べて高感度で１）、解像性を示すとされているγ値も犬
きく優れたレジスト材料である。
によって上昇することは良く知られているが、本発明の
フルオロメチル化ポリスチレン系のレジスト材料は同分
子量のクロルメチル化ポリスチレン系レジスト材料に比
べて高感度で１）、解像性を示すとされているγ値も犬
きく優れたレジスト材料である。
以下に参考例、実施例、試験例を挙げて詳しく説明する
。
。
参考例１
β−フェニルエチルプロミド１モル及びクロロメチルメ
チルエーテル１．２モルを０．４１のエチレンジクロラ
イド中でＺｎＣｌ２４ Ｏｆを触媒として室温で２４時
間反応させた。得られたβ−ブロモエチルベンジルクロ
ライドのうちｐ一体のみを石油エーテルから再Ａ吉晶し
て分離した。
チルエーテル１．２モルを０．４１のエチレンジクロラ
イド中でＺｎＣｌ２４ Ｏｆを触媒として室温で２４時
間反応させた。得られたβ−ブロモエチルベンジルクロ
ライドのうちｐ一体のみを石油エーテルから再Ａ吉晶し
て分離した。
次に上記ｐ一体体上モルｔ−ブトキシカリウム１．２モ
ルをｔ−ブタノール１．５１中にて７０℃で１．５時間
反応させ、ｐ−クロロメチルスチレンを合成し、エーテ
ル抽出および減圧蒸留（６０℃７０．４１１１１１Ｈｇ
）によシ精製した。
ルをｔ−ブタノール１．５１中にて７０℃で１．５時間
反応させ、ｐ−クロロメチルスチレンを合成し、エーテ
ル抽出および減圧蒸留（６０℃７０．４１１１１１Ｈｇ
）によシ精製した。
ｐ−クロロメチルスチレン８ｏｆをトルエン４２ｍｄに
溶解し、またＫＦｌｏｏｆを水６０ｍ１に溶解し、相間
移動触媒としてセチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド７１を使用し、１２０°Ｃで１０時間反応させること
によシモノマーであるｐ−フルオロメチルスチレン８２
を合成した。このモノマーは有機層を水洗した後、減圧
蒸留（４５°Ｃ／７ｍｍＨｇ ）することにより精製し
た。
溶解し、またＫＦｌｏｏｆを水６０ｍ１に溶解し、相間
移動触媒としてセチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド７１を使用し、１２０°Ｃで１０時間反応させること
によシモノマーであるｐ−フルオロメチルスチレン８２
を合成した。このモノマーは有機層を水洗した後、減圧
蒸留（４５°Ｃ／７ｍｍＨｇ ）することにより精製し
た。
参考例２
市販のｍ−、ｐ−混合クロロメチルスチレンヲ使用し、
参考例１と同様の方法で、ｍ−１ｐ−混合フルオロメチ
ルスチレンを合成した。ｍ一体とｐ一体は沸点が近接し
ておシ減圧蒸留にょシ分離は不可能であった。
参考例１と同様の方法で、ｍ−１ｐ−混合フルオロメチ
ルスチレンを合成した。ｍ一体とｐ一体は沸点が近接し
ておシ減圧蒸留にょシ分離は不可能であった。
実施例１
参考例１で得られたｐ−フルオロメチルスチレン１０１
、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０４ｆ
ｔ’及びベンゼン−アセトニトリル（２：１）巴合溶媒
１５２を５０ ｃｃの重合用アンプルに採取し、凍結−
融解脱気を３回縁シ返した後にアンプルを溶封し、６０
’Ｃの恒温水槽にて２０時間ラジカル重合を行った。重
合終了後、大量のメタノールに注いでポリマーを得た。
、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０４ｆ
ｔ’及びベンゼン−アセトニトリル（２：１）巴合溶媒
１５２を５０ ｃｃの重合用アンプルに採取し、凍結−
融解脱気を３回縁シ返した後にアンプルを溶封し、６０
’Ｃの恒温水槽にて２０時間ラジカル重合を行った。重
合終了後、大量のメタノールに注いでポリマーを得た。
次いでアセトンに溶解し、メタノールで再沈殿し減圧乾
燥して精製ポリマー８７を得た。
燥して精製ポリマー８７を得た。
とのポリマーの分子量をゲルパーミエイションクロマト
グラフイー（ＧＰＣ）により、ポリスチレンを標準物質
とし、テトラハイドロフラン（Ｔ ＨＦ ）を展開溶媒
として測定したところ、Ｍｗ９０万、数平均分子量（Ｍ
ｎ）５，２万であった。また測定溶媒としてＴＨＦを使
用し、３５℃での極限粘度〔η〕を測定したところ０３
５であった。
グラフイー（ＧＰＣ）により、ポリスチレンを標準物質
とし、テトラハイドロフラン（Ｔ ＨＦ ）を展開溶媒
として測定したところ、Ｍｗ９０万、数平均分子量（Ｍ
ｎ）５，２万であった。また測定溶媒としてＴＨＦを使
用し、３５℃での極限粘度〔η〕を測定したところ０３
５であった。
比較例１
参考例１で得られたｐ−クロロメチルスチレン１０ｆを
ＡＩＢＮｏ、０５９にて塊状重合を行う以外は実施例１
と同様の方法によシ重合及び精製を行った。ポリマーの
収量は５．４Ｆであシ、Ｍｗ１１万、実施例２ 参考例２で得られたｍ、ｐ−フルオロメチルスチレン１
０１、ＡＩＢＮｏ、３ｆ及びベンゼン−アセトニトリル
（２：１）混合溶媒１５Ｓ’を用いる以外は実施例１と
同様の方法により重合を行った。
ＡＩＢＮｏ、０５９にて塊状重合を行う以外は実施例１
と同様の方法によシ重合及び精製を行った。ポリマーの
収量は５．４Ｆであシ、Ｍｗ１１万、実施例２ 参考例２で得られたｍ、ｐ−フルオロメチルスチレン１
０１、ＡＩＢＮｏ、３ｆ及びベンゼン−アセトニトリル
（２：１）混合溶媒１５Ｓ’を用いる以外は実施例１と
同様の方法により重合を行った。
ポリマーノ収量は８２であシ、Ｍｗ ２．１万、Ｍｎ１
．２万、〔η〕０．１４であった。
．２万、〔η〕０．１４であった。
比較例２
精製された市販のｍ１ｐ−クロロメチルスチレン１０ｆ
？、ＡＩＢＮｏ、３？、ベンゼン１０ｆを使用する以外
は実施例１と同様にして重合を行った。
？、ＡＩＢＮｏ、３？、ベンゼン１０ｆを使用する以外
は実施例１と同様にして重合を行った。
ポリマーノ収量は９．１ｉｉ’であシ、ＭＷ２，９万、
Ｍｎ１．４万、〔η） ０．１４であった。
Ｍｎ１．４万、〔η） ０．１４であった。
実施例３
参考例１で得られたｐ−フルオロメチルスチレン１０１
、スチレン５．５へＡ Ｉ Ｂ’Ｎ Ｏ，１２り、ベン
ゼン−アセトニトリル混合溶媒１６ｆを用いる以外は実
施例１と同様の方法によシ重合を行った。ポリマーの収
量は１０′？であシ、フッ素分析をしたところフルオロ
メチルスチレン（ＦＭＳ）単位は６１モル％であり、Ｍ
ｗ４．Ｑ万、Ｍｎ ２．３万、〔η〕０１８であった。
、スチレン５．５へＡ Ｉ Ｂ’Ｎ Ｏ，１２り、ベン
ゼン−アセトニトリル混合溶媒１６ｆを用いる以外は実
施例１と同様の方法によシ重合を行った。ポリマーの収
量は１０′？であシ、フッ素分析をしたところフルオロ
メチルスチレン（ＦＭＳ）単位は６１モル％であり、Ｍ
ｗ４．Ｑ万、Ｍｎ ２．３万、〔η〕０１８であった。
実施例４
参考例２で得られたｍ、ｐ−フルオロメチルスチレン１
０り、スチレン１５３１、ＡＩＢＮｏ、０７５ｒ、ベン
ゼン−アセＩ・ニトリル混合溶媒２５２を用いた以外は
実施例１と同様に重合を行った。ポリマーの収量は１４
グであり、Ｆ Ｍ Ｓ単位は３８モル％Ｍｗ５，７万、
Ｍｎ３，５万、［η］０．２４であった。
０り、スチレン１５３１、ＡＩＢＮｏ、０７５ｒ、ベン
ゼン−アセＩ・ニトリル混合溶媒２５２を用いた以外は
実施例１と同様に重合を行った。ポリマーの収量は１４
グであり、Ｆ Ｍ Ｓ単位は３８モル％Ｍｗ５，７万、
Ｍｎ３，５万、［η］０．２４であった。
得られたポリマーを良溶媒にベンゼン、貧溶媒にメタノ
ールを用い、５フラクシヨンに分別沈殿し、第２〜４フ
ラクシヨンをＧＰＣによシ測定したところ、Ｍｗ／Ｍ口
１．２〜１４のものが得られた。
ールを用い、５フラクシヨンに分別沈殿し、第２〜４フ
ラクシヨンをＧＰＣによシ測定したところ、Ｍｗ／Ｍ口
１．２〜１４のものが得られた。
試験例１
実施例１で得た重合体を９％のＴＨＦ溶液にし、スピナ
ーでシリコンウェハーに膜厚が１．７ ｔｉｍ Ｋ す
るように塗布し、９５°Ｃで２０分、加熱処理した後、
加速電圧２０ ｋＶの電子線露光機で電子線照射した。
ーでシリコンウェハーに膜厚が１．７ ｔｉｍ Ｋ す
るように塗布し、９５°Ｃで２０分、加熱処理した後、
加速電圧２０ ｋＶの電子線露光機で電子線照射した。
現像は２３°Ｃにて最初にアセトン−イソプロパツール
（１：１容量比）に１分間浸漬し、続いてメチルエチル
ケトン（ＭＥＫ）に１分間浸漬することにより行った。
（１：１容量比）に１分間浸漬し、続いてメチルエチル
ケトン（ＭＥＫ）に１分間浸漬することにより行った。
更にイソプロパツール（ＩＰＡ）にて１分間リンスを行
った。
った。
この時の感度（８０％膜厚、以下同様）は２６μＣ／ｃ
ｒｔｆ、γ値は２１であった。また０５μｍライン、で
の基板との密着性は何ら問題なかった。
ｒｔｆ、γ値は２１であった。また０５μｍライン、で
の基板との密着性は何ら問題なかった。
また形成されたパターンを２００ ’Ｃで１０分間大気
中で加熱してもパターンのだれや流れは生じなかった。
中で加熱してもパターンのだれや流れは生じなかった。
試験例２
実施例１で得た重合体を６％になるようにキシレンに溶
解し酸化シリコン膜を形成したシリコン基板上に０．５
μｍの膜厚になるように塗布した。次いで試験例１と同
様の方法で露光、現像を行ったところ感度は２８μＣ／
ｃｒｌ、 γ値は２．１であった。またこの場合、０４
μｍライン、０．８ｔｔｍスペースのラインアンドスペ
ースが描画可能であった。
解し酸化シリコン膜を形成したシリコン基板上に０．５
μｍの膜厚になるように塗布した。次いで試験例１と同
様の方法で露光、現像を行ったところ感度は２８μＣ／
ｃｒｌ、 γ値は２．１であった。またこの場合、０４
μｍライン、０．８ｔｔｍスペースのラインアンドスペ
ースが描画可能であった。
尚、比較例１で得たｐ−クロロメチルスチレンの重合体
（ＰＣＭＳ）を、現像液としてアセトン−ＩＰＡ（３：
ｌ）を用いて２分間現像を行う以外は上記と同様にして
評価したところ、感度は４．４／ｌＣ／ｃｎｆ、γ値は
１．３であり、同一分子量のポリフルオロメチルスチレ
ン（ＰＦＭＳ）よシ低感度、低γ値であった。
（ＰＣＭＳ）を、現像液としてアセトン−ＩＰＡ（３：
ｌ）を用いて２分間現像を行う以外は上記と同様にして
評価したところ、感度は４．４／ｌＣ／ｃｎｆ、γ値は
１．３であり、同一分子量のポリフルオロメチルスチレ
ン（ＰＦＭＳ）よシ低感度、低γ値であった。
試験例３
実施例２で得たＰ Ｆ Ｍ Ｓを、現像液に酢酸ｎ −
アミルを用い２分間現像する以外は試験例２と同様の方
法で評価したところ、感度は１５μＣ／ｃｔｒｒ、γ値
は２．０であった。
アミルを用い２分間現像する以外は試験例２と同様の方
法で評価したところ、感度は１５μＣ／ｃｔｒｒ、γ値
は２．０であった。
また比較例２で得たＰＣＭ５を試験例２のＰＣＭ５の場
合と同様にして評価したところ、感度は１９μＣ／ｃｒ
ｉ、γ値は１．５であシ、同一分子量のＰＦＭＳより低
感度、低γ値であった。
合と同様にして評価したところ、感度は１９μＣ／ｃｒ
ｉ、γ値は１．５であシ、同一分子量のＰＦＭＳより低
感度、低γ値であった。
試験例４
実施例３及び実施例４で得た共重合体を試験例２と同様
の方法で評価した。実施例３の共重合体の場合の感度は
ｌＯμＣ／ｃ、ｉ 、γ値は２．１であり、実施例４の
共重合体の場合の感度は６５μＣ／ｃｄ、γ値は２０で
あった。
の方法で評価した。実施例３の共重合体の場合の感度は
ｌＯμＣ／ｃ、ｉ 、γ値は２．１であり、実施例４の
共重合体の場合の感度は６５μＣ／ｃｄ、γ値は２０で
あった。
なお形成されたパターンを２００°Ｃで１０分間大気中
で加熱してもパターンのだれや流れは生じなかった。
で加熱してもパターンのだれや流れは生じなかった。
試験例５
実施例１で得た単独重合体を酸化シリコン膜を形成した
シリコン基板上に０５μｍの膜厚になるように塗布し、
９５°Ｃで３０分加熱処理した後、２００Ｗの重水素ラ
ンプにて光源から５ ｃｍの距離で照射し、次いで試験
例１の条件で現像したところ感度はポリメチルメタクリ
レートのそれと比較してｌＯ倍以上優れていた。
シリコン基板上に０５μｍの膜厚になるように塗布し、
９５°Ｃで３０分加熱処理した後、２００Ｗの重水素ラ
ンプにて光源から５ ｃｍの距離で照射し、次いで試験
例１の条件で現像したところ感度はポリメチルメタクリ
レートのそれと比較してｌＯ倍以上優れていた。
試験例６
本発明の試験例２及び試験例３で得られたＰＦＭＳの電
子線感度曲線を第１図に示す。図においてＡは試験例２
、Ｂは試験例３の場合を示す。
子線感度曲線を第１図に示す。図においてＡは試験例２
、Ｂは試験例３の場合を示す。
Ｄｌ及びＤｏｔｄ感度曲線の直線部分が膜厚０及び１と
交わる点における照射量である。
交わる点における照射量である。
第１図は本発明に係るレジスト被膜の電子線感度を示す
図である。 （以上） 特許出願人 ダイキン工業株式会社代理人
弁理士口材 巌 一３α 第１図
図である。 （以上） 特許出願人 ダイキン工業株式会社代理人
弁理士口材 巌 一３α 第１図
Claims (1)
- （１）式 で示される構造単位（ａ）、または構造単位（ａ）及び
式 で示される構造単位（ｂ）を有するポリスチレン誘導体
から々るレジスト拐刺。 （ただしＲ’、■（２は水素またはメチル基を示す。）
（２）構造単位（ａ）と構造単位（ｂ）のモル比が１０
０〜２０対０〜８０である請求の範囲第１項に記載のレ
ジスト材＊１゜
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6764783A JPS59192245A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レジスト材料 |
| DE19843414104 DE3414104A1 (de) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | Styrol-polymerisate und deren verwendung als resistmaterialien |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6764783A JPS59192245A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59192245A true JPS59192245A (ja) | 1984-10-31 |
Family
ID=13351016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6764783A Pending JPS59192245A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レジスト材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59192245A (ja) |
| DE (1) | DE3414104A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118507A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Nec Corp | 平坦化材料 |
| KR100458050B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2004-11-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 폴리머, 레지스트 조성물 및 패턴형성방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2103261T3 (es) * | 1989-04-24 | 1997-09-16 | Siemens Ag | Procedimiento para la generacion de estructuras resistentes a la corrosion. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589141A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 |
| JPS5816234A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ネガ形高エネルギ−線レジストの増感方法 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6764783A patent/JPS59192245A/ja active Pending
-
1984
- 1984-04-13 DE DE19843414104 patent/DE3414104A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589141A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 |
| JPS5816234A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ネガ形高エネルギ−線レジストの増感方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118507A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Nec Corp | 平坦化材料 |
| KR100458050B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2004-11-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 폴리머, 레지스트 조성물 및 패턴형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3414104A1 (de) | 1984-10-25 |
| DE3414104C2 (ja) | 1989-09-14 |
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