JPS589141A - 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 - Google Patents
放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法Info
- Publication number
- JPS589141A JPS589141A JP10697281A JP10697281A JPS589141A JP S589141 A JPS589141 A JP S589141A JP 10697281 A JP10697281 A JP 10697281A JP 10697281 A JP10697281 A JP 10697281A JP S589141 A JPS589141 A JP S589141A
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- Japan
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- radiation
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- radiation sensitive
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- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子、磁気バブル素子又は党応用部畔
等ＯＩｌ造に利用され為放射線感応性ネガ形しジストＯ
Ｊａ度向上方法に関する・従来、微小回路素子、飼えば
大気＠＠ｌＦＭ路（’ＸａｌｌＸ ） ＃ｉ感感性性樹
脂７オトレジストンｔ−塗布後ｉスフを通して露光し、
適轟な現像Ｓ＊で翼偉して黴ＪＩＡタンを形成し、基板
管クエットエッチングし、Ｉｌ、に不純物ドーピング等
Ｏ処理ｔａて展進されて−る＠□ しかし近年、よ）ｊｌ密度バタンによるＴ、ｌＳＸ素子
の高集積化により素子性能Ｑ高速化は一置Ｑ小廖化、経
済化という利点があるため、ｊ！に黴ｍａｔパタｙｌ廖
成すゐととが不可欠な情勢にある０そＯ＊め党Ｏ代ルに
短波長Ｏ遣紫外線、軟！ｍ％電子−、イオンビームなど
Ｏ高エネルギー放射ａ′ｆｒＭｈで高精度バタン管形底
する技術が展開され始めて−る・１Ｌクエットエッチン
ダが基菫へＯ不純物０侵入、激びエツチング＊１＆ＯＡ
メン部下方へＯ１！食（ナイドエツチング）１２０岡題
点ｔ％りため、ガスプッズ！、反応性スパッタリングな
どｔ用−たドツイエッチングＣｌスプラズマ、イオンな
どｔあてて基板材料を気化食刻させる方法）加工に移）
ククある・ ζＯような情勢から高エネルギー放射ａｔ用−てパＩｙ
髪形成しドライエツチング加工するためＯ高分子化合物
の皮膜は、放射線照射によ）バタン形成した場合、１μ
鱈以下の高−解像性を有し、ｔたドライエツチング加工
【行り大場合、所望Ｏ基［１−一定０＠さまで加工する
場合、保譲膜としてのレジスト層がｌＩ存り、？お）、
−わゆる耐ドライエツチング性が高く、更に鉱放射線に
対して高感度である必要が番る０と０１りＯ特性【充足
させるため多くのレジスト社科が検討されてきえ・ しかし、一般に高解＊４＆の％のは低感度てあり、製造
工ｌｉＯスループット上岡厘と１にって−る◎特にベン
（ｙ’ｌ１ｇｒ會み反応基として炭素−へ声グン結合【
含むポ９ｖ−は、解像度指１［ｒ値（エネＪ／ギー線雇
射量の変化に対する現像後ｏＩＩＩ存屓厚Ｏ変化＊ｍｏ
傾斜に対応する値で、ヒｏｒ＊ｏ高％Ａ％Ｑ＃ｔど解像
性が良いとされて％／％ゐ０）が高く、高解像性て、高
いドライエツチング耐性ｔ％ち実用的であることが確認
され１ｔ（榊原ほか、インターナシ璽ナル・エレクト四
ン＝デバイス・ζ−ティｙダ講演予稿集、１・９８０年
１２月、４２５頁）。しかしベンゼンＩｌ【會むため度
広中間体として、７ 工： ｋ番ｈ％Ａはベンジルラジ
カル亀どＯ共鳴部分が存在し、放射ｌＩＩ［射後生成し
究叉応中間体（？シカ＃）が安定し１ｔ〉、またポＶ−
Ｖ−Ｏガ２ス転位温度が高％Ａためにポリｉ−の運動性
が少なｉととから感度が低く１ゐ傾向が４１明した。感
度が低いと照射時間が長く必要であ〉、７オトプ襲竜ス
に比軟してスルーグツトが低く経ＦＲｅｋＫ劣る欠点が
あった。
等ＯＩｌ造に利用され為放射線感応性ネガ形しジストＯ
Ｊａ度向上方法に関する・従来、微小回路素子、飼えば
大気＠＠ｌＦＭ路（’ＸａｌｌＸ ） ＃ｉ感感性性樹
脂７オトレジストンｔ−塗布後ｉスフを通して露光し、
適轟な現像Ｓ＊で翼偉して黴ＪＩＡタンを形成し、基板
管クエットエッチングし、Ｉｌ、に不純物ドーピング等
Ｏ処理ｔａて展進されて−る＠□ しかし近年、よ）ｊｌ密度バタンによるＴ、ｌＳＸ素子
の高集積化により素子性能Ｑ高速化は一置Ｑ小廖化、経
済化という利点があるため、ｊ！に黴ｍａｔパタｙｌ廖
成すゐととが不可欠な情勢にある０そＯ＊め党Ｏ代ルに
短波長Ｏ遣紫外線、軟！ｍ％電子−、イオンビームなど
Ｏ高エネルギー放射ａ′ｆｒＭｈで高精度バタン管形底
する技術が展開され始めて−る・１Ｌクエットエッチン
ダが基菫へＯ不純物０侵入、激びエツチング＊１＆ＯＡ
メン部下方へＯ１！食（ナイドエツチング）１２０岡題
点ｔ％りため、ガスプッズ！、反応性スパッタリングな
どｔ用−たドツイエッチングＣｌスプラズマ、イオンな
どｔあてて基板材料を気化食刻させる方法）加工に移）
ククある・ ζＯような情勢から高エネルギー放射ａｔ用−てパＩｙ
髪形成しドライエツチング加工するためＯ高分子化合物
の皮膜は、放射線照射によ）バタン形成した場合、１μ
鱈以下の高−解像性を有し、ｔたドライエツチング加工
【行り大場合、所望Ｏ基［１−一定０＠さまで加工する
場合、保譲膜としてのレジスト層がｌＩ存り、？お）、
−わゆる耐ドライエツチング性が高く、更に鉱放射線に
対して高感度である必要が番る０と０１りＯ特性【充足
させるため多くのレジスト社科が検討されてきえ・ しかし、一般に高解＊４＆の％のは低感度てあり、製造
工ｌｉＯスループット上岡厘と１にって−る◎特にベン
（ｙ’ｌ１ｇｒ會み反応基として炭素−へ声グン結合【
含むポ９ｖ−は、解像度指１［ｒ値（エネＪ／ギー線雇
射量の変化に対する現像後ｏＩＩＩ存屓厚Ｏ変化＊ｍｏ
傾斜に対応する値で、ヒｏｒ＊ｏ高％Ａ％Ｑ＃ｔど解像
性が良いとされて％／％ゐ０）が高く、高解像性て、高
いドライエツチング耐性ｔ％ち実用的であることが確認
され１ｔ（榊原ほか、インターナシ璽ナル・エレクト四
ン＝デバイス・ζ−ティｙダ講演予稿集、１・９８０年
１２月、４２５頁）。しかしベンゼンＩｌ【會むため度
広中間体として、７ 工： ｋ番ｈ％Ａはベンジルラジ
カル亀どＯ共鳴部分が存在し、放射ｌＩＩ［射後生成し
究叉応中間体（？シカ＃）が安定し１ｔ〉、またポＶ−
Ｖ−Ｏガ２ス転位温度が高％Ａためにポリｉ−の運動性
が少なｉととから感度が低く１ゐ傾向が４１明した。感
度が低いと照射時間が長く必要であ〉、７オトプ襲竜ス
に比軟してスルーグツトが低く経ＦＲｅｋＫ劣る欠点が
あった。
本発明は、とれらの欠点を解決するためになされたもの
でＴｏｌ）、そＯ目的は、放射線感応性ネガ形レジスト
の感度向上にある◇ しかして、高解像性、高耐ドライエツチング性を示すレ
ジｘＮｔ料の感度が低ｉのけ、これらＯ＃料が一般にガ
ラス転移１１度が＠めで−まためで多）、こ０ため高エ
ネルギー線で照射するととによ）活性点ができても、分
子の運動性が低−ために反応することができない。
でＴｏｌ）、そＯ目的は、放射線感応性ネガ形レジスト
の感度向上にある◇ しかして、高解像性、高耐ドライエツチング性を示すレ
ジｘＮｔ料の感度が低ｉのけ、これらＯ＃料が一般にガ
ラス転移１１度が＠めで−まためで多）、こ０ため高エ
ネルギー線で照射するととによ）活性点ができても、分
子の運動性が低−ために反応することができない。
本発明者等は、高エネルギー線の照射時Ｏｉ１度と感度
−関係を詳細に検討した結果、高温特にガラス転移温度
付近攻上で感度が上昇することを発見した。これは、加
熱によ）、レジスト分子が活性化するため２解される◎ 本発明は、以上Ｏ知見に基づ亀なされたもＱである・ 零発ａｔ概説すれば、零発−は、基板上に放射−感応性
高分子化合物ｏｙｔｔ−形成し、放射線を麗射し、廖成
膜Ｏ一部分を選択的に露光し、Ｘ鎗筐に不溶化させ、該
部分以外ＯＭを犠会液によ）選択的に除去するととから
・なるバタン形成の場合において、放射線照射終了後、
真空中叉、は不活性ガス中で加熱することｔＩｆ＃黴と
する、放射線感応性ネオ形レジストＯｇ度向上方法に関
する・ 本発明における３ｇ熱温度は、ＳＯＷ：付近でも感度の
改良が認められ、温度が高くなるに伴って、感度の上昇
、すなわちバタン形成に必ｌ！なエネルギー量（例えば
、電子線照射量）の低下が顕著になる〇 本発明で使用可能なネガ形レジスト材料としては、ポリ
ダ亨シジルメタクリレート、グリシジルメメクリレート
とエテルアクνレートとＯ共重合′体、ポリスチレン、
ポ９７％ ｙｘグン化エスチレンポリスチレン若しくは
ギー引−α−メチルスチレンＯ／ＳＷグン化メチル靜導
体等があるが、中でも１下記一般式： ％式％ （式中、ｌはＩ又はロー、Ｘは／％ログン叉はぐ■グン
化メチＪｙ基であ）、菖は正Ｏ整数、ｎはＥＯ整数又は
零である） で表される高分子化合Ｉ＃Ｉが、最も東−結果を示した
。
−関係を詳細に検討した結果、高温特にガラス転移温度
付近攻上で感度が上昇することを発見した。これは、加
熱によ）、レジスト分子が活性化するため２解される◎ 本発明は、以上Ｏ知見に基づ亀なされたもＱである・ 零発ａｔ概説すれば、零発−は、基板上に放射−感応性
高分子化合物ｏｙｔｔ−形成し、放射線を麗射し、廖成
膜Ｏ一部分を選択的に露光し、Ｘ鎗筐に不溶化させ、該
部分以外ＯＭを犠会液によ）選択的に除去するととから
・なるバタン形成の場合において、放射線照射終了後、
真空中叉、は不活性ガス中で加熱することｔＩｆ＃黴と
する、放射線感応性ネオ形レジストＯｇ度向上方法に関
する・ 本発明における３ｇ熱温度は、ＳＯＷ：付近でも感度の
改良が認められ、温度が高くなるに伴って、感度の上昇
、すなわちバタン形成に必ｌ！なエネルギー量（例えば
、電子線照射量）の低下が顕著になる〇 本発明で使用可能なネガ形レジスト材料としては、ポリ
ダ亨シジルメタクリレート、グリシジルメメクリレート
とエテルアクνレートとＯ共重合′体、ポリスチレン、
ポ９７％ ｙｘグン化エスチレンポリスチレン若しくは
ギー引−α−メチルスチレンＯ／ＳＷグン化メチル靜導
体等があるが、中でも１下記一般式： ％式％ （式中、ｌはＩ又はロー、Ｘは／％ログン叉はぐ■グン
化メチＪｙ基であ）、菖は正Ｏ整数、ｎはＥＯ整数又は
零である） で表される高分子化合Ｉ＃Ｉが、最も東−結果を示した
。
添付ｗｉ両は、本斃明による加熱処理効ａｔ例示した％
Ｏ″ｅ番って、現像後０残膜率（縦軸）と電子−照射量
（０／ａＩＦ）（横軸）とＯ関係に）けゐ、加熱錫ｍＯ
有無による差を示すダツ７で番る・１及び墨は、本発１
ｌｉＶｃよる加熱錫ｌｉｔした場合、２及び４は、それ
ぞれＯ対比例として加熱処ｍ會しない場合の結果【示す
・以下、夷１ｌＩＫ＠會挙げて本発明１＊に説明すゐが
、本脅−は、これらに限定される％Ｏでになｉ・ 実施例１ 前記一般式！ＩｃＴｈｈて、Ｊｌ ’ｊＥ Ｏｌ［１ｓ
Ｘ ”ＪＡ −ＯＨ＠ＯＪ！で番）、分子量７ ！、
Ｑ ９ Ｑ、ｍ／ｍ＋ａｍａ＠７である、りμ四メチル
化ポリ置−メチルスチレンを午シレン中ＫＩｌ解し、シ
９ｗンクエハに、＃α畠ｓｗｘ １）Ｊｌさに塗布しｆ
ｉ、１２Ｃ１℃テ２ｅ分間、窒素気流中１ツベークした
。このプリベータ後、′加速電圧２ Ｑ ＩＴ □電子
ｍ照射【行つ菱・そＯ壜ｔクエハを装置内に置き、ロー
ターでステージ共、別Ｏ場所に移し、加温ステージで１
６０℃ＩＣＴｈ−で２ｓ分閑加熱した０加熱後當温に戻
し、メチにエテにケトンーイソグロビ〃ア、ｓｙ ：２
− 、ｉｗ ｇ会Ｉｌ媒（５：１）で現像し、イソプ１
ピにア＃ツールでリンスした０現像ｖｋＯ真膜率と電子
線照射量Ｏ関係を示す結果が、図ｇｉｏＩｏ線である◎
ζＯと亀、初期膜厚０５Ｑｍが残る究めには、五Ｉ Ｘ
１ Ｇ−０／ａｌ Ｏ照射量であ）、そｆＬに対して
、弛Ｏａａ現条件【全（ｐＩＩじにして、加熱錫ｍをし
な−とき（図画の２）ａｌｌ射量が４×唱ｇ−・Ｏ／ｄ
であるので、約ｈｏｊＩ射量で済むことになる。
Ｏ″ｅ番って、現像後０残膜率（縦軸）と電子−照射量
（０／ａＩＦ）（横軸）とＯ関係に）けゐ、加熱錫ｍＯ
有無による差を示すダツ７で番る・１及び墨は、本発１
ｌｉＶｃよる加熱錫ｌｉｔした場合、２及び４は、それ
ぞれＯ対比例として加熱処ｍ會しない場合の結果【示す
・以下、夷１ｌＩＫ＠會挙げて本発明１＊に説明すゐが
、本脅−は、これらに限定される％Ｏでになｉ・ 実施例１ 前記一般式！ＩｃＴｈｈて、Ｊｌ ’ｊＥ Ｏｌ［１ｓ
Ｘ ”ＪＡ −ＯＨ＠ＯＪ！で番）、分子量７ ！、
Ｑ ９ Ｑ、ｍ／ｍ＋ａｍａ＠７である、りμ四メチル
化ポリ置−メチルスチレンを午シレン中ＫＩｌ解し、シ
９ｗンクエハに、＃α畠ｓｗｘ １）Ｊｌさに塗布しｆ
ｉ、１２Ｃ１℃テ２ｅ分間、窒素気流中１ツベークした
。このプリベータ後、′加速電圧２ Ｑ ＩＴ □電子
ｍ照射【行つ菱・そＯ壜ｔクエハを装置内に置き、ロー
ターでステージ共、別Ｏ場所に移し、加温ステージで１
６０℃ＩＣＴｈ−で２ｓ分閑加熱した０加熱後當温に戻
し、メチにエテにケトンーイソグロビ〃ア、ｓｙ ：２
− 、ｉｗ ｇ会Ｉｌ媒（５：１）で現像し、イソプ１
ピにア＃ツールでリンスした０現像ｖｋＯ真膜率と電子
線照射量Ｏ関係を示す結果が、図ｇｉｏＩｏ線である◎
ζＯと亀、初期膜厚０５Ｑｍが残る究めには、五Ｉ Ｘ
１ Ｇ−０／ａｌ Ｏ照射量であ）、そｆＬに対して
、弛Ｏａａ現条件【全（ｐＩＩじにして、加熱錫ｍをし
な−とき（図画の２）ａｌｌ射量が４×唱ｇ−・Ｏ／ｄ
であるので、約ｈｏｊＩ射量で済むことになる。
ｔた、ｒ値は、それぞれ２−６でＴｏシ、１μ講ツイン
−スペースｔＳ像することかで１１次。更に、加熱後Ｑ
ＡメンＯ耐ドツイエッチング性に−）−で奉ると、現像
後Ｏバタン【反応性スパッタリング（Ｃ１４ガス、高周
波電力１ｓｏｖ）すると、ポリシリコン基板とのエツチ
ング速度比は約りであシ、加熱処理しない場合と変化が
なかった。
−スペースｔＳ像することかで１１次。更に、加熱後Ｑ
ＡメンＯ耐ドツイエッチング性に−）−で奉ると、現像
後Ｏバタン【反応性スパッタリング（Ｃ１４ガス、高周
波電力１ｓｏｖ）すると、ポリシリコン基板とのエツチ
ング速度比は約りであシ、加熱処理しない場合と変化が
なかった。
実施例２
前記一般式において、ＲがＨ，Ｘが−ａｒｓ２ｏｔであ
り、分子量２ Ｂ （１’、０口０、ｍ ／ ｍ ＋
！ｌキα６ｔであるりｔｔａメチル化ポリスチレンを、
シ９プンクエハにα８μｗａ＠布し、９ＳＣて２０分間
、窒素気流中プリベークした。このプレベータ後、加速
電圧２０１マの電子線照射を行つ次◎そのｔまクエ＾を
装置内にｇｌき、加温ステージで１１５Ｏｔｌｌｌ：お
いて２０分間加熱した。加熱後、常温に戻し、メチルエ
チルケトンーイソプ冨ビルアルコール混合溶媒（４：１
）で！Ｊ像し、イソプ胃ビルアルツールでリンスし露ｏ
１１像１１０殉膜率と電子ｍｍ射量の関係を示す結果が
両頁Ｏｓの線である０初期罠厚０５Ｇ−が残るために＆
！、 瓢Ｉ Ｘ １０＝ Ｏｌ−の照射量が必要であＡ
ＯＫ対して、ｍ熱処ｍｔ−ｔ、ａｈ トｓｉ ＜ ｗｉ
ｉｔ。
り、分子量２ Ｂ （１’、０口０、ｍ ／ ｍ ＋
！ｌキα６ｔであるりｔｔａメチル化ポリスチレンを、
シ９プンクエハにα８μｗａ＠布し、９ＳＣて２０分間
、窒素気流中プリベークした。このプレベータ後、加速
電圧２０１マの電子線照射を行つ次◎そのｔまクエ＾を
装置内にｇｌき、加温ステージで１１５Ｏｔｌｌｌ：お
いて２０分間加熱した。加熱後、常温に戻し、メチルエ
チルケトンーイソプ冨ビルアルコール混合溶媒（４：１
）で！Ｊ像し、イソプ胃ビルアルツールでリンスし露ｏ
１１像１１０殉膜率と電子ｍｍ射量の関係を示す結果が
両頁Ｏｓの線である０初期罠厚０５Ｇ−が残るために＆
！、 瓢Ｉ Ｘ １０＝ Ｏｌ−の照射量が必要であＡ
ＯＫ対して、ｍ熱処ｍｔ−ｔ、ａｈ トｓｉ ＜ ｗｉ
ｉｔ。
１１４）は、ｔ Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−４０／ａＰＯ’ｌｌ
射量が必要であるので、約ＫｘＯａｔ射量で済むことＶ
ＣなるＯｌた、とＯとＩＯｒ値はｔ、ｓで魯シ、加熱錫
ｌ１ｅａ＆−と龜と変）がなかった。更に、解僚性、耐
ドライエツチング性ｔ１加熱処理ｔしなｉ％のと同等で
あった０ 実論例墨 前記一般式に：１ＩＡ−ｔ”、Ｒ＄Ｉ、！ ＄ −０１
２０１テ多〉、Ｂ ｗｔ ｆＪである、分子量ｔ６．ｏ
ｏｏｏポリビニルベ／ジルクレツイドｔ、シダコｙクエ
ハにａ＠μ膳塗布し、９５℃で２０分間、窒素気流中プ
リベークした。？−０グリベーク処ｌｌ後、加速電圧２
１１１１４２）電子線照射【行り１１−Ｏそ０ｔｔｔ工
＾を装置内に置き、加温ステージで唱２・１：、に訃−
て２０分間加熱した０加熱処理後、常温に真し、大気中
に取出し、メチにエテルケＦレーイソプｐビにアＪｈｌ
ゴール（Ｓ二１）て３ｊ１１１シ、イソＩＩ２ビにアに
：ｌ−ルでリンスした。初期膜厚ＯＳ Ｏ＠が残るため
には、照射貴社Ｌ！Ｘ１ｌｌ−＠Ｏ／−必要て魯るが、
加熱処理しないときがλ３Ｘ１０″″’Ｏ／ａｌである
Ｑに対して、約Ｒｏｌｌ射量であつ九◇ また、ｒ値、Ｍｅ性、耐ドライエツチング性は、加熱処
理をしないときと同等であ′）た・実施例４ 前記一般式において、ＲがＩＩ、 Ｘがｏｌ″ｅあ）、
！ｌ ｘ＝ Ｑ 、分子量が１２０．０＠Ｏである、り
Ｉ＋Ｉロ化ボリボ９スチレｙ’ｆｔ９＝ン☆エバにａ６
ＪＩＷＩｓＩｋ布゛し、８Ｃ℃で２０分間、窒素気流中
１リベークした・これｔ１加速電圧２０ＸＴＯ電子線照
射後、その１１装置内に保持し、加温ステージで１ｓａ
ｃｙｃおいて２ｅ分間加熱した・常温に戻した後、大気
中に取出し、メチルエチルケトン−イソ１ｐビルアルコ
ールｍ合ｍｔｓ（３：１）でｙＡ像し、イノグ騨ビルア
ルコールでリンスし尺◎初期膜厚の５−一が残る斥めに
は、４１Ｘ１９″″’ Ｏ／ｄＣ）照射量が必要てあゐ
Ｏに対して、加熱処理ｔしな−と龜は、ＺＯＸｌ ０”
＠Ｃ／ｌｘ１％必要とした。
射量が必要であるので、約ＫｘＯａｔ射量で済むことＶ
ＣなるＯｌた、とＯとＩＯｒ値はｔ、ｓで魯シ、加熱錫
ｌ１ｅａ＆−と龜と変）がなかった。更に、解僚性、耐
ドライエツチング性ｔ１加熱処理ｔしなｉ％のと同等で
あった０ 実論例墨 前記一般式に：１ＩＡ−ｔ”、Ｒ＄Ｉ、！ ＄ −０１
２０１テ多〉、Ｂ ｗｔ ｆＪである、分子量ｔ６．ｏ
ｏｏｏポリビニルベ／ジルクレツイドｔ、シダコｙクエ
ハにａ＠μ膳塗布し、９５℃で２０分間、窒素気流中プ
リベークした。？−０グリベーク処ｌｌ後、加速電圧２
１１１１４２）電子線照射【行り１１−Ｏそ０ｔｔｔ工
＾を装置内に置き、加温ステージで唱２・１：、に訃−
て２０分間加熱した０加熱処理後、常温に真し、大気中
に取出し、メチにエテルケＦレーイソプｐビにアＪｈｌ
ゴール（Ｓ二１）て３ｊ１１１シ、イソＩＩ２ビにアに
：ｌ−ルでリンスした。初期膜厚ＯＳ Ｏ＠が残るため
には、照射貴社Ｌ！Ｘ１ｌｌ−＠Ｏ／−必要て魯るが、
加熱処理しないときがλ３Ｘ１０″″’Ｏ／ａｌである
Ｑに対して、約Ｒｏｌｌ射量であつ九◇ また、ｒ値、Ｍｅ性、耐ドライエツチング性は、加熱処
理をしないときと同等であ′）た・実施例４ 前記一般式において、ＲがＩＩ、 Ｘがｏｌ″ｅあ）、
！ｌ ｘ＝ Ｑ 、分子量が１２０．０＠Ｏである、り
Ｉ＋Ｉロ化ボリボ９スチレｙ’ｆｔ９＝ン☆エバにａ６
ＪＩＷＩｓＩｋ布゛し、８Ｃ℃で２０分間、窒素気流中
１リベークした・これｔ１加速電圧２０ＸＴＯ電子線照
射後、その１１装置内に保持し、加温ステージで１ｓａ
ｃｙｃおいて２ｅ分間加熱した・常温に戻した後、大気
中に取出し、メチルエチルケトン−イソ１ｐビルアルコ
ールｍ合ｍｔｓ（３：１）でｙＡ像し、イノグ騨ビルア
ルコールでリンスし尺◎初期膜厚の５−一が残る斥めに
は、４１Ｘ１９″″’ Ｏ／ｄＣ）照射量が必要てあゐ
Ｏに対して、加熱処理ｔしな−と龜は、ＺＯＸｌ ０”
＠Ｃ／ｌｘ１％必要とした。
また、ｒ値、解像性、耐ドライエツチング性は、加熱処
理愛しなｉ場合２同等であった０以上、説明したように
、本！１ｌｊＩによれば、放射ｍｉｉ射終了後、真空中
、又は不活性ｊス中で加熱処運會することによシ、ｒ値
、短資性、耐ドライエツチング性を一低下させることな
く、感
理愛しなｉ場合２同等であった０以上、説明したように
、本！１ｌｊＩによれば、放射ｍｉｉ射終了後、真空中
、又は不活性ｊス中で加熱処運會することによシ、ｒ値
、短資性、耐ドライエツチング性を一低下させることな
く、感
添付ｌＩｗは、現像後の残膜率と電子線照射量とＯ関係
ｌＩｃ５ｐける、加熱処ＩＩＯ有無による差！示すグツ
ツである。 特許出願人 日本電信電話公社
ｌＩｃ５ｐける、加熱処ＩＩＯ有無による差！示すグツ
ツである。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 基板上に放射線感応悸高分子化会物Ｏａｔ形献し、
放射＊ｔｍ射し、影威膜〇一部分七週択的に露光し、現
ｉｌ箪に不溶化させ、該部分以外Ｏ膜を現像液にょ〉選
択的に除去することからなるバタｙ形成の場合において
、放射ｉ１順射終了後、真空中又は不活性ガス中でＩＩ
Ｉ′熱することｔ４Ｉ黴とする、放射線感応性ネｓｙレ
ジストｏｇ度向上方法。 ２− 該感応性高分子化合物が、一般式二ＲＲ （式中、ＩＬは■又は（！Ｈ，、Ｘは＾−グン又は／−
ロダン化メチル基でｈシ、！ＥＩは正０葺数−１＆は正
のｌｌ数又は零でらる）で表される化合物である、響許
諦求のＩ［ＩＩ菖１項に記載の放射線感応性ネガ形しジ
ス）０感度向上方？！＆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10697281A JPS589141A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10697281A JPS589141A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589141A true JPS589141A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14447208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10697281A Pending JPS589141A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 放射線感応性ネガ形レジストの感度向上方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589141A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192245A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-31 | Daikin Ind Ltd | レジスト材料 |
| JPS61149947A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JPS61156253A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JPS61156254A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | レジスト材料 |
| JPS61253015A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | 天昇電気工業株式会社 | 安眠健康枕の製造方法 |
| EP0415412A2 (en) * | 1989-08-30 | 1991-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist pattern fabrication method |
| WO2001084243A1 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of rta furnace for photoresist baking |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS54155826A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-08 | Western Electric Co | Method of producing radiation sensitive resist and product therefor |
| JPS5511217A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern forming method using radiation sensitive high polymer |
| JPS5569265A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Pattern-forming method |
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| JPS6013432A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-23 | キヤノン株式会社 | 電源装置 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP10697281A patent/JPS589141A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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