JPS5912433A - ドライ現像ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ドライ現像ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS5912433A JPS5912433A JP12165282A JP12165282A JPS5912433A JP S5912433 A JPS5912433 A JP S5912433A JP 12165282 A JP12165282 A JP 12165282A JP 12165282 A JP12165282 A JP 12165282A JP S5912433 A JPS5912433 A JP S5912433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polymer
- resist composition
- silicon compound
- positive type
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子線、イオンビーム、Ｘ線、ＤｅｅｐＵＶ線
等の放射線を露光した後、ガスプラズマにより現像する
ことのできるドライ現像レジスト組成物に関する。
等の放射線を露光した後、ガスプラズマにより現像する
ことのできるドライ現像レジスト組成物に関する。
（２）技術の背景
ＬＳＩ製造工程にプラズマＣＶＤ、ドライエツチング等
のドライプロヤスが用いられるようになリ、レジストプ
ロセスのドライ化が要望されている０ （３）従来技術と問題点 従来、半導体回路篩で用い′るレジストパターンの形成
には現像液を用いて現像するレジストが使用されている
。従来のレジストは現像液（有機溶剤）を使用して現像
するために、レジストが現像時に膨潤や収縮ダーおこし
、サブミクロンのパターンを形成することは烈しいとさ
れている。
のドライプロヤスが用いられるようになリ、レジストプ
ロセスのドライ化が要望されている０ （３）従来技術と問題点 従来、半導体回路篩で用い′るレジストパターンの形成
には現像液を用いて現像するレジストが使用されている
。従来のレジストは現像液（有機溶剤）を使用して現像
するために、レジストが現像時に膨潤や収縮ダーおこし
、サブミクロンのパターンを形成することは烈しいとさ
れている。
これに対し、酸素等のガスプラズマで現像可能な高分子
化合物とシリコン化合物とから成るドライ現像レジスト
があるが、シリコン化合物の真空安定性が悪く電子線照
射時にシリコン化合物が飛散し残膜率が低下する、ある
いは露光装置を汚染する等の欠点がある。
化合物とシリコン化合物とから成るドライ現像レジスト
があるが、シリコン化合物の真空安定性が悪く電子線照
射時にシリコン化合物が飛散し残膜率が低下する、ある
いは露光装置を汚染する等の欠点がある。
（４）発明の目的
本発明の目的は、高分子化合物とシリコン化合物とより
成る酸素プラズマにてドライ現像可能なレジストにおい
て電子線露光時に真空中で安定なレジストを供給するこ
とにある。
成る酸素プラズマにてドライ現像可能なレジストにおい
て電子線露光時に真空中で安定なレジストを供給するこ
とにある。
本発明は、分子構造中に不飽和炭化水素結合、あるいは
エポキシ基を有する高分子材料に一般式（り又は（ｎ）
で示されるシリコン化合物の低重合体（８１原子数５以
下）を１〜５０重量％含有せしめて成ることを特徴とす
るドライ現像レジスト組成物によって達成される。
エポキシ基を有する高分子材料に一般式（り又は（ｎ）
で示されるシリコン化合物の低重合体（８１原子数５以
下）を１〜５０重量％含有せしめて成ることを特徴とす
るドライ現像レジスト組成物によって達成される。
ただしＸは、フェニル基、メチル基、ビフェニル基、フ
ェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基、シアン基
、ビニル基、アセトキシ基の中から選ばれる一種の基。
ェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基、シアン基
、ビニル基、アセトキシ基の中から選ばれる一種の基。
Ｙは、Ｈ１ヒドロキシシ基、アジド基、ビニル基、エト
キシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、ハロゲン、ベンジ
ル基、フェニル基、メチル＆、を−ブチル基、ビフェニ
ル基、アセトキシ基の中から選ばれる一種の基。
キシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、ハロゲン、ベンジ
ル基、フェニル基、メチル＆、を−ブチル基、ビフェニ
ル基、アセトキシ基の中から選ばれる一種の基。
ｚは、フェニル基、ヒドロキシ基、ベンジル基、メチル
基、ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン、ビフェニ
ル基、アセトキシ基の中から選ばれる一回の基。
基、ｔ−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン、ビフェニ
ル基、アセトキシ基の中から選ばれる一回の基。
ｍ、ｎｉｄ整数。
本発明に使用可能な分子構造中に不飽和炭化水嵩結合を
有する高分子材料としては、１．３−ブジエン、イソプ
レン等のアルカジエンの重合体およびこれらの環化合物
、まｆｃはこれらのアルカジエンと共１合０］゛能なモ
ノマーとの共重合体、ジアリルンフタレ−１・、ジアリ
ルイソフタレート、ジアリルテレフタレート等のジカル
ボン酸ジアリルエステルＭｅ体、トリアリルシアヌレー
ト、トリアリルイソシアヌレート等の重合体およびこれ
らの共重合体、ポリケイ皮酸ビニル等のシンナモノル基
を有する高分子材料。側鎖または末端にアクリル基また
はメタクリル基を有する高分子材料、不飽和ポリエステ
ル等がある。
有する高分子材料としては、１．３−ブジエン、イソプ
レン等のアルカジエンの重合体およびこれらの環化合物
、まｆｃはこれらのアルカジエンと共１合０］゛能なモ
ノマーとの共重合体、ジアリルンフタレ−１・、ジアリ
ルイソフタレート、ジアリルテレフタレート等のジカル
ボン酸ジアリルエステルＭｅ体、トリアリルシアヌレー
ト、トリアリルイソシアヌレート等の重合体およびこれ
らの共重合体、ポリケイ皮酸ビニル等のシンナモノル基
を有する高分子材料。側鎖または末端にアクリル基また
はメタクリル基を有する高分子材料、不飽和ポリエステ
ル等がある。
一方、本発明に使用可能な分子構造中にエポキシ基を有
する高分子材料としてポリグリシジルメタクリレート、
グリシジルメタクリレートとエチルアクリレートとの共
重合体、グリシジルメタクリレートとスチレンとの共重
合体等がある。
する高分子材料としてポリグリシジルメタクリレート、
グリシジルメタクリレートとエチルアクリレートとの共
重合体、グリシジルメタクリレートとスチレンとの共重
合体等がある。
一方、本発明に使用可能な一般式（１）又は（■）で示
されるシリコン化合物の重合体としては、トリメチルト
リフェニルジシラン、ヘキサフェニルジシラン、ジフェ
ニルジアリルシラン重合体、トリフェニルクロルシラン
とトリエチルシラノール縮合体等がある。
されるシリコン化合物の重合体としては、トリメチルト
リフェニルジシラン、ヘキサフェニルジシラン、ジフェ
ニルジアリルシラン重合体、トリフェニルクロルシラン
とトリエチルシラノール縮合体等がある。
本発明に使用可能な一般式（１）で示されるシリコン化
合物としては、下記に示す化合物等がある。
合物としては、下記に示す化合物等がある。
・１，１．１１リメチル−２，２，２）リフェニルジシ
ランＩ ｅ Ｐｈ −１，２−ジメチル−１，１，２，２テトラフェニルジ
シランｈ ｐｈ １ リコン化合物としては下記に示す化合物等がある。
ランＩ ｅ Ｐｈ −１，２−ジメチル−１，１，２，２テトラフェニルジ
シランｈ ｐｈ １ リコン化合物としては下記に示す化合物等がある。
−１，３ジメチル−１，１，３，３テトラフエニルジシ
ロ、。
ロ、。
キサン
ｐｈ ｐｈ
１
ｐｈ ｐｈ
・１．１．３．５．５ペンタフェニル−１，３，５−）
リメチルトリシロキサン 轡へキザフェニルシクロトリシロキザンｐｈ１ ・オクタフェニルシクロテトラシロキサン本発明は、本
件記載のポリマーに同シリコン化合物を含有せしめたレ
ジスト材料がプラズマ処理に対し著しくエツチング速度
が低下すること、および上記レジスト材料に電子線等の
放射線を露光するとプラズマ処理時のエツチング速度が
増加することを見出し、この知見に基く。
リメチルトリシロキサン 轡へキザフェニルシクロトリシロキザンｐｈ１ ・オクタフェニルシクロテトラシロキサン本発明は、本
件記載のポリマーに同シリコン化合物を含有せしめたレ
ジスト材料がプラズマ処理に対し著しくエツチング速度
が低下すること、および上記レジスト材料に電子線等の
放射線を露光するとプラズマ処理時のエツチング速度が
増加することを見出し、この知見に基く。
なお、本発明に用いるシリコン化合物としては、Ｓ１原
子数が５以下の低重合体であることが望ましい。Ｓ１原
子数６以上ではドライエツチング時残渣が多く好ましく
ない。
子数が５以下の低重合体であることが望ましい。Ｓ１原
子数６以上ではドライエツチング時残渣が多く好ましく
ない。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例
環化ポリイソプレンに１．１．１）リメチリ２．２．２
トリフエニルジシラン（１５重量％）加え、キシレンに
溶解しスピナーによりレジスト層２をシリコン基板１に
塗布した。これを窒素気流中６０℃で３０分間加熱した
（第１図参照）０このレジストの膜厚は１．０μｍであ
った。次に加速電圧３０ＫＶの電子線にて露光（第２図
参照）した後、平行平版型プラズマエツチング装置内に
入れ、６×１０ ” Ｔｏｒｒまで装置内を減圧した
０次に酸素をガス圧０．４Ｔｏｒｒにて導入し、印加周
波数１３．５６Ｍ Ｈｚ印加電力０．３３Ｗ／ｃＩｎ”
の条件で３０分間プラズマエツチングを行なった。露
光部のレジストがエツチング除去されｌ Ｘ Ｉ Ｑ
’ Ｃ／Ｃｍ”の感度を示した（第３図参照）０この
ときの未露光部の残存膜厚は９５％であった。
トリフエニルジシラン（１５重量％）加え、キシレンに
溶解しスピナーによりレジスト層２をシリコン基板１に
塗布した。これを窒素気流中６０℃で３０分間加熱した
（第１図参照）０このレジストの膜厚は１．０μｍであ
った。次に加速電圧３０ＫＶの電子線にて露光（第２図
参照）した後、平行平版型プラズマエツチング装置内に
入れ、６×１０ ” Ｔｏｒｒまで装置内を減圧した
０次に酸素をガス圧０．４Ｔｏｒｒにて導入し、印加周
波数１３．５６Ｍ Ｈｚ印加電力０．３３Ｗ／ｃＩｎ”
の条件で３０分間プラズマエツチングを行なった。露
光部のレジストがエツチング除去されｌ Ｘ Ｉ Ｑ
’ Ｃ／Ｃｍ”の感度を示した（第３図参照）０この
ときの未露光部の残存膜厚は９５％であった。
（７）発明の効果
本発明によれば電子線等で露光した後、ブラマ処理によ
りドライ現像可能なレジストを得ることができ、また露
光機等の真空装置の汚染を防ぐこともできる。
りドライ現像可能なレジストを得ることができ、また露
光機等の真空装置の汚染を防ぐこともできる。
第１図〜第３図は本発明を用いたレジストのパターン形
成工程を示す断面図である。 第１図 茅′″３図 ｊｊ ＩＩＥＢ
成工程を示す断面図である。 第１図 茅′″３図 ｊｊ ＩＩＥＢ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 分子構造中に不飽和炭化水素結合、あるいはエポキシ基
を廟する高分子材料に一般式（１）又は（Ｉｆ）で示で
れるシリコン化合物の低重合体（Ｓｉｆｆｉ子数５以下
数５以下５０重量％含Ｍせしめて成ることを％徴とする
ドライ現像ポジ型レジスト組成物。 （２）上記（１）、 （ＩＩ）式で示されるシリコン化
合物が鎖状体もしくは環状体であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のドライ現像ポジ型レジスト組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12165282A JPS5912433A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12165282A JPS5912433A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5912433A true JPS5912433A (ja) | 1984-01-23 |
Family
ID=14816545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12165282A Pending JPS5912433A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH0320745A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sharp Corp | レジストパターンの形成方法 |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12165282A patent/JPS5912433A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH0320745A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sharp Corp | レジストパターンの形成方法 |
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