JPS6058465B2 - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS6058465B2 JPS6058465B2 JP54148231A JP14823179A JPS6058465B2 JP S6058465 B2 JPS6058465 B2 JP S6058465B2 JP 54148231 A JP54148231 A JP 54148231A JP 14823179 A JP14823179 A JP 14823179A JP S6058465 B2 JPS6058465 B2 JP S6058465B2
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- Japan
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- pattern
- ethylene glycol
- fine pattern
- sample
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
電子線、Ｘ線あるいは遠紫外線（波長１８０〜３５０
ｎｗＬ）等の放射線を用いたリソグラフィ技術による微
細パターン形成法に関するものである。
ｎｗＬ）等の放射線を用いたリソグラフィ技術による微
細パターン形成法に関するものである。
半導体集積回路等を製造するためのリソグラフィ技術
に用いるネガ型レジストにアリル基を二つ以上含むポリ
マーを用いることはこれまでにもいくつか報告がある。
例えば、Ｊ、Ｌ、ＢａｒｔｅｌｔはＡｐｐｌ。Ｐｏｌｍ
ｙ、Ｓｙｍｐ、匣 １３９（１９７４）でジアリルオル
ソフタレートを電子線レジストとして用いることを報告
している。この報告によるとこのレジストの現像液には
、良溶媒に１・２−ジクロルエタン、モノクロルペンテ
ン等を用い、貧溶媒に脂肪族酢酸エステルを用いている
。 しかし、本発明者らが調査したところ、これらの現
像液を用いると現像中にレジストが膨潤し、解像度の低
下、レジスト・パターンの変形が認め。
に用いるネガ型レジストにアリル基を二つ以上含むポリ
マーを用いることはこれまでにもいくつか報告がある。
例えば、Ｊ、Ｌ、ＢａｒｔｅｌｔはＡｐｐｌ。Ｐｏｌｍ
ｙ、Ｓｙｍｐ、匣 １３９（１９７４）でジアリルオル
ソフタレートを電子線レジストとして用いることを報告
している。この報告によるとこのレジストの現像液には
、良溶媒に１・２−ジクロルエタン、モノクロルペンテ
ン等を用い、貧溶媒に脂肪族酢酸エステルを用いている
。 しかし、本発明者らが調査したところ、これらの現
像液を用いると現像中にレジストが膨潤し、解像度の低
下、レジスト・パターンの変形が認め。
られた。又、ジアリルオルソフタレート以外の単量体単
位にアリル基を二つ以上含むポリマーからなるレジスト
にこれらの現像液を用いると、解像度の低下、パターン
の変形の他、パターンの一部がハクリするという問題が
あることがわかつた。 本発明の目的は、単量体単位に
アリル基を二つ以上含むことを特徴とするポリマーから
なるネガ型レジストの現像液にエチレングリコールモノ
アルキルエーテル（Ｒ−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨＲ：アル
キル基）を貧溶媒とする混合溶媒を用いることにより前
述の様な解像度の低下、パターンの変形、パターンの一
部のハクリという問題点の改良を図つた微細パターン形
成方法を提供することにある。 本発明は即ち、微細パ
ターン形成方法を提供するものであり、この方法は単量
体単位にアリル基を二つ以上含むポリマーからなるネガ
型レジストを基板に塗布し、電子線、Ｘ線あるいは遠紫
外線（波長１８０〜３５０ｎＴｒＬ）等の放射線で所定
パターンを露光した後、貧溶媒にエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルを用いた混合溶媒を現像液に用いて
現像することを特徴とする。
位にアリル基を二つ以上含むポリマーからなるレジスト
にこれらの現像液を用いると、解像度の低下、パターン
の変形の他、パターンの一部がハクリするという問題が
あることがわかつた。 本発明の目的は、単量体単位に
アリル基を二つ以上含むことを特徴とするポリマーから
なるネガ型レジストの現像液にエチレングリコールモノ
アルキルエーテル（Ｒ−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨＲ：アル
キル基）を貧溶媒とする混合溶媒を用いることにより前
述の様な解像度の低下、パターンの変形、パターンの一
部のハクリという問題点の改良を図つた微細パターン形
成方法を提供することにある。 本発明は即ち、微細パ
ターン形成方法を提供するものであり、この方法は単量
体単位にアリル基を二つ以上含むポリマーからなるネガ
型レジストを基板に塗布し、電子線、Ｘ線あるいは遠紫
外線（波長１８０〜３５０ｎＴｒＬ）等の放射線で所定
パターンを露光した後、貧溶媒にエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルを用いた混合溶媒を現像液に用いて
現像することを特徴とする。
本発明に用いることができる単量体単位にアリル基を
二つ以上含むポリマーからなるネガ型レジストとしては
ジアリルオルソフタレート、等の重合体およびジアリル
オルソフタレートとトリアリルシアヌレート又はトリア
リルイソシアヌレートとの共重合体、あるいはジアリル
イソフタレートとトリアリルシアヌレート又はトリアリ
ルイソシアヌレートとの共重合体等のジカルボン酸ジア
リルエステルとトリアリルシアヌレート又はトリアリル
イソシアヌレートとの共重合体等がある。
二つ以上含むポリマーからなるネガ型レジストとしては
ジアリルオルソフタレート、等の重合体およびジアリル
オルソフタレートとトリアリルシアヌレート又はトリア
リルイソシアヌレートとの共重合体、あるいはジアリル
イソフタレートとトリアリルシアヌレート又はトリアリ
ルイソシアヌレートとの共重合体等のジカルボン酸ジア
リルエステルとトリアリルシアヌレート又はトリアリル
イソシアヌレートとの共重合体等がある。
本発明に用いることができる貧溶媒としてのエチレング
リコールノルアルキルエーテルには、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）エ
チレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ
２ＣＨ２ＯＨ）、エチレングリコールモノプロピルエー
テル（Ｃ３Ｈ７ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）エチレングリコー
ルモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）
等がある。
リコールノルアルキルエーテルには、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）エ
チレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ
２ＣＨ２ＯＨ）、エチレングリコールモノプロピルエー
テル（Ｃ３Ｈ７ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）エチレングリコー
ルモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）
等がある。
又良溶媒としては、ジオキサン（ＣＨＣｌ３）等の塩化
炭化水素等がある。
炭化水素等がある。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。実施
例１ ジアリルイソリフタレートとトリアリルイソシアヌレー
トからなる共重合体（共重合比５０：５０）１．０ｙを
２−エトキシエチルアセテート４．０ｙに溶解し、シリ
コン基板を覆う厚さ０．５μｍの熱酸化二酸化シリコン
膜上にスピナーを用いて、膜厚１．０ＰＷＬ，となる様
に塗布し、更に６０℃、３紛間プリベイクし試料とした
。
例１ ジアリルイソリフタレートとトリアリルイソシアヌレー
トからなる共重合体（共重合比５０：５０）１．０ｙを
２−エトキシエチルアセテート４．０ｙに溶解し、シリ
コン基板を覆う厚さ０．５μｍの熱酸化二酸化シリコン
膜上にスピナーを用いて、膜厚１．０ＰＷＬ，となる様
に塗布し、更に６０℃、３紛間プリベイクし試料とした
。
この試料に加速電圧２０Ｋ■の電子線で露光量２．０×
１０−６Ｃ１ｄとし、ラインパターンを露光した。更に
、この試料をエチレングリコールモノエチルエーテル／
ジオキサンニ１．５／１（容量比）で液温２０℃とし５
囲冫間現像した。得られた、レジストパターンはライン
０．５μｍ、スペース０．５μｍと高い解像性を有し、
又蛇行等のパターンの変形も無く、スカムもほとんど認
められない優れたパターンであつた。比較の為、同様に
調整し、露光した試料をモノクロルベンゼン／酢酸イソ
アミルニ１／１．飄液温２０℃で５０１ｆ９間、現像し
たところ解像したパターンは、ライン１．０ＰＷＬスペ
ース１．２μｍであり、パターンの一部がハクリしてい
た。
１０−６Ｃ１ｄとし、ラインパターンを露光した。更に
、この試料をエチレングリコールモノエチルエーテル／
ジオキサンニ１．５／１（容量比）で液温２０℃とし５
囲冫間現像した。得られた、レジストパターンはライン
０．５μｍ、スペース０．５μｍと高い解像性を有し、
又蛇行等のパターンの変形も無く、スカムもほとんど認
められない優れたパターンであつた。比較の為、同様に
調整し、露光した試料をモノクロルベンゼン／酢酸イソ
アミルニ１／１．飄液温２０℃で５０１ｆ９間、現像し
たところ解像したパターンは、ライン１．０ＰＷＬスペ
ース１．２μｍであり、パターンの一部がハクリしてい
た。
実施例２
実施例１と同様にして調製、露光した試料をエチレング
リコールモノエチルエーテル／トルエンニ２／１、液温
２５℃で礼秒間現像した。
リコールモノエチルエーテル／トルエンニ２／１、液温
２５℃で礼秒間現像した。
得られたパターンはライン０．５μｍスペース０．５μ
ｍと高い解像性を有し、又蛇行等のパターンの変形も無
く、スカムもほとんど認められない優れたパターンであ
つた。実施例３ 実施例１と同様にして調整、露光した試料をエチレング
リコールモノエチルエーテル／ベンゼンニ１／２、液温
２０′Ｃで５［相］間現像したところ、ライン０．６μ
ｍスペース０．７μｍと高解像度の優れたパターンが得
られた。
ｍと高い解像性を有し、又蛇行等のパターンの変形も無
く、スカムもほとんど認められない優れたパターンであ
つた。実施例３ 実施例１と同様にして調整、露光した試料をエチレング
リコールモノエチルエーテル／ベンゼンニ１／２、液温
２０′Ｃで５［相］間現像したところ、ライン０．６μ
ｍスペース０．７μｍと高解像度の優れたパターンが得
られた。
実施例４
実施例１と同様にして調製、露光した試料をエチレング
リコールモノブチルエーテル／トルエンニ２／１、液温
２３℃てａ秒間現像したところ得られたレジストパター
ンはライン０．５μｍスペース０．５μｍと高い解像性
を有し、又蛇行等のパターンの変形も無く、スカムもほ
とんど認められない優れたパターンであつた。
リコールモノブチルエーテル／トルエンニ２／１、液温
２３℃てａ秒間現像したところ得られたレジストパター
ンはライン０．５μｍスペース０．５μｍと高い解像性
を有し、又蛇行等のパターンの変形も無く、スカムもほ
とんど認められない優れたパターンであつた。
実施例５
ジアリルオルソフタレートとトリアリルイソシアヌレー
トからなる共重合体（共重合比５０：５０）１．０ｙを
２−エトキシエチルアセテート４．０ｙに溶解し、実施
例１と同様にして調整し試料とした。
トからなる共重合体（共重合比５０：５０）１．０ｙを
２−エトキシエチルアセテート４．０ｙに溶解し、実施
例１と同様にして調整し試料とした。
この試料に加速電圧２０Ｋ■の電子線で露光量２．５×
１０−６Ｃ１ｃＩｔとし、ライン◆パターンを露光し、
エチレングリコールモノエチルエーテル／トルエンニ１
．５／１、液温２０℃とし冗秒間現像した。その結果ラ
イン０．６μｍスペース０．８μｍの優れたパターンが
得られた。実施例６ ジアリルオルソフタレート重合体１．０ｙを２−エトキ
シエチルアセテート３．０ｇｒに溶解し、実施例１と同
様にして調製し、試料とした。
１０−６Ｃ１ｃＩｔとし、ライン◆パターンを露光し、
エチレングリコールモノエチルエーテル／トルエンニ１
．５／１、液温２０℃とし冗秒間現像した。その結果ラ
イン０．６μｍスペース０．８μｍの優れたパターンが
得られた。実施例６ ジアリルオルソフタレート重合体１．０ｙを２−エトキ
シエチルアセテート３．０ｇｒに溶解し、実施例１と同
様にして調製し、試料とした。
この試料に加速電圧２０Ｋ■の電子線て露光量１．５刈
０−５Ｃ′ｄとしライン・パターンを露光した。
０−５Ｃ′ｄとしライン・パターンを露光した。
次に、この試料をエチレングリコールモノエチルエーテ
ル／モロクロルベンゼンニ１．５／１液温２０℃とし８
０秒間現像した。その結果ライン０．６μｍ１スペース
０．６μｍの優れたパターンが得られた。なお、本実施
例では電子線を用いた微細パターン形成法について詳述
したが、照射することによつてレジスト中のアリル基の
二重結合を切断し、次いで架橋反応を行なわせ、レジス
トの分子量を増加させる効果を有する、Ｘ線及び波長が
１８０〜３５０ｎｗ１．の遠紫外線を用いた微細パター
ン形成法についても、貧溶媒として、エチレングリコー
ルモノアルキルエーテルを用いた混合溶媒を現像液に適
用できることは云うまでもない。
ル／モロクロルベンゼンニ１．５／１液温２０℃とし８
０秒間現像した。その結果ライン０．６μｍ１スペース
０．６μｍの優れたパターンが得られた。なお、本実施
例では電子線を用いた微細パターン形成法について詳述
したが、照射することによつてレジスト中のアリル基の
二重結合を切断し、次いで架橋反応を行なわせ、レジス
トの分子量を増加させる効果を有する、Ｘ線及び波長が
１８０〜３５０ｎｗ１．の遠紫外線を用いた微細パター
ン形成法についても、貧溶媒として、エチレングリコー
ルモノアルキルエーテルを用いた混合溶媒を現像液に適
用できることは云うまでもない。
以上の説明から明らかなように、単量体単位にアリル基
を二つ以上含む重合体からなるネガ型レジストを基板に
塗布し、電子線、Ｘ線或は遠紫外線（波長１８０〜３５
０ｒ１Ｔ１１，）等の放射線て所定パターンを露光した
後、本発明の貧溶媒にエチレングリコールモノアルキル
エーテルを用いた混合溶媒を現像液に用いて現像するこ
とにより、サブミクロンの微細パターンを高解像度で形
成できる利点がある。
を二つ以上含む重合体からなるネガ型レジストを基板に
塗布し、電子線、Ｘ線或は遠紫外線（波長１８０〜３５
０ｒ１Ｔ１１，）等の放射線て所定パターンを露光した
後、本発明の貧溶媒にエチレングリコールモノアルキル
エーテルを用いた混合溶媒を現像液に用いて現像するこ
とにより、サブミクロンの微細パターンを高解像度で形
成できる利点がある。
Claims (1)
- １ 単量体単位にアリル基を二つ以上含むポリマーから
なるネガ型レジストを基板に塗布し、電子線Ｘ線あるい
は遠紫外線等の放射線で所定パターンを露光した後、貧
溶媒にエチレングリコールモノアルキルエーテルを用い
た混合溶媒を現像液に用いて現像することを特徴とする
微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148231A JPS6058465B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148231A JPS6058465B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5670547A JPS5670547A (en) | 1981-06-12 |
| JPS6058465B2 true JPS6058465B2 (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=15448194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54148231A Expired JPS6058465B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058465B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56101148A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Toshiba Corp | Photoresist developing method |
| JPS58187926A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線ネガ型レジストの現像方法 |
-
1979
- 1979-11-15 JP JP54148231A patent/JPS6058465B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5670547A (en) | 1981-06-12 |
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