JPS6045240A - アルカリ現像ネガ型レジスト組成物 - Google Patents
アルカリ現像ネガ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS6045240A JPS6045240A JP15363683A JP15363683A JPS6045240A JP S6045240 A JPS6045240 A JP S6045240A JP 15363683 A JP15363683 A JP 15363683A JP 15363683 A JP15363683 A JP 15363683A JP S6045240 A JPS6045240 A JP S6045240A
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- Japan
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- polyhydroxystyrene
- resist composition
- alkali
- resist
- negative type
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は紫外線、Ｉ）ｅｅｐＵ、Ｖ、等の光、あるいは
電子線、Ｘ線、イオンビーム等の電離放射線レジスト材
料に関する。更に詳しくはレジスト材料にパターンに従
って上記電δ１１放射線を選択的に照射した後、有機溶
剤あるいはアルカリ性水熔液に浸漬することにより、非
照躬部を熔解除去しパターンを形成する方法である。
電子線、Ｘ線、イオンビーム等の電離放射線レジスト材
料に関する。更に詳しくはレジスト材料にパターンに従
って上記電δ１１放射線を選択的に照射した後、有機溶
剤あるいはアルカリ性水熔液に浸漬することにより、非
照躬部を熔解除去しパターンを形成する方法である。
（２）従来技術と問題点
従来のネガ型レジストとしζは、環化ゴム等の不飽和炭
化水素結合を有する月料、グリシジルメタクリレート等
のエポキシ基をイ１する材料、コウ素化ポリスチレン等
のハロゲン化ポリスチレン等がある。
化水素結合を有する月料、グリシジルメタクリレート等
のエポキシ基をイ１する材料、コウ素化ポリスチレン等
のハロゲン化ポリスチレン等がある。
従来のネガ型レジストは現像時にレジストが膨潤し、微
細なパターンの形成はｆ、Ｉ、Ｉ Ｍｌｆとされている
。
細なパターンの形成はｆ、Ｉ、Ｉ Ｍｌｆとされている
。
（３）発明の目的
本発明は微細パターンの形成が可能な、解像性の高いネ
ガパターン形成法を提（Ｊ（するごとにある。。
ガパターン形成法を提（Ｊ（するごとにある。。
（４）発明の構成
本発明は下記１式のポリマーとアジド化合物とからなる
ことを特徴とするネガ型レジスト組成物に関する。
ことを特徴とするネガ型レジスト組成物に関する。
−（−ＣＩ−ｆ２− ＣＨ−軌。
Ｈ
ただし、上記アジ１′化合物は
ジアジドスチルヘン
のいずれかもしくはそれらの混合物である。
即ち、本発明は、分子式（１）に示ずポリマー（ポリヒ
ドロキシスチレン）にアジド化合物を添加した材料が高
感度且つ高解像性であること、またアルカリ性の水溶液
にも可溶であることに着目し、この知見に基く。ポリヒ
ドロキシスチレン（Ｍｗは５０，０００以下、更に好ま
しくはｉ、ｏｏ。
ドロキシスチレン）にアジド化合物を添加した材料が高
感度且つ高解像性であること、またアルカリ性の水溶液
にも可溶であることに着目し、この知見に基く。ポリヒ
ドロキシスチレン（Ｍｗは５０，０００以下、更に好ま
しくはｉ、ｏｏ。
〜２０，０００）に具体例に示すアシｌ”化合物（添加
量０．００１〜５０Ｗむ％、更に好ましくは０゜１〜２
０ｗｔ％）を添加した材料に、電子線、Ｘ線、イオンビ
ーム等の電離放射線を照射すると、高感度にて分子が架
橋することが判明した。
量０．００１〜５０Ｗむ％、更に好ましくは０゜１〜２
０ｗｔ％）を添加した材料に、電子線、Ｘ線、イオンビ
ーム等の電離放射線を照射すると、高感度にて分子が架
橋することが判明した。
これを現像液（有機溶剤（アルコール等）と水の混合物
、あるいはアルカリ性水／８液）に１５１清することに
より、非照射部が溶解除去されネガ型パターンが形成さ
れる。
、あるいはアルカリ性水／８液）に１５１清することに
より、非照射部が溶解除去されネガ型パターンが形成さ
れる。
なお、ポリヒドロキシスチレンの重量平均分子量匹が１
０００より小では成膜（１１に劣りとなり、又廓７が５
００００より大のものり、Ｉ：フルカリ現像液に熔はゲ
Ｖくパターンが膨潤する。
０００より小では成膜（１１に劣りとなり、又廓７が５
００００より大のものり、Ｉ：フルカリ現像液に熔はゲ
Ｖくパターンが膨潤する。
又アジ１化合物の添加量が０．００１ ｗ ｔ％より小
ではアジド化合物添加の効果が聞待ごきす、又添加量が
５Ｑｗｔ％より大ではＬ・ジスｉ−膜にクラックが入り
やすくなり、膜質が劣化する。
ではアジド化合物添加の効果が聞待ごきす、又添加量が
５Ｑｗｔ％より大ではＬ・ジスｉ−膜にクラックが入り
やすくなり、膜質が劣化する。
（５）発明の実施例
以下本発明について実施例をあげ゛Ｃ説明する。
実施例（１）
ポリヒドロキシスチル７ （Ｍｗ＝！ｊ、ｏ Ｏ（１）
９５ｗｔ％と４，４′−ジアジドカルコン５ｗｔ％の
混合物をシクロヘキザノンに熔解し７レジスト液をＮＥ
１４した。このレジスト液をスピナーによりシリコン
基板上にコーディングし、窒素気流中６０ ’Ｃにて２
０分間プリヘークを行ないレジスト膜を形成した。この
膜厚は１μｍであった。
９５ｗｔ％と４，４′−ジアジドカルコン５ｗｔ％の
混合物をシクロヘキザノンに熔解し７レジスト液をＮＥ
１４した。このレジスト液をスピナーによりシリコン
基板上にコーディングし、窒素気流中６０ ’Ｃにて２
０分間プリヘークを行ないレジスト膜を形成した。この
膜厚は１μｍであった。
ヘーキング温度は５０〜１５ （１’ｔ：、更に好まし
くは６０〜１００℃であるしパジスト１１Ｗに加速電圧
３０ Ｋ Ｖにて電子線を照射した１多、ジノプレー社
製ＭＦ−３１２アルカリ現像液を水で６イ（ηに希釈し
た溶液に浸漬し現像を行った。
くは６０〜１００℃であるしパジスト１１Ｗに加速電圧
３０ Ｋ Ｖにて電子線を照射した１多、ジノプレー社
製ＭＦ−３１２アルカリ現像液を水で６イ（ηに希釈し
た溶液に浸漬し現像を行った。
２１０秒後に未露光部の膜は全て熔解し、このときの感
度は７．５ Ｘ １０ Ｃ／ｃｎｌであった。また０、
５μｍｌ ｉｎｅ＆５ｐａｃｅを解像した。
度は７．５ Ｘ １０ Ｃ／ｃｎｌであった。また０、
５μｍｌ ｉｎｅ＆５ｐａｃｅを解像した。
実施例（２）
実施例（１１と同様にレジスト膜を形成後、［１ｅｅｐ
Ｕ、Ｖ、を照射した。
Ｕ、Ｖ、を照射した。
その後、シソプレー社製ＭＦ−３１２現像液を水で６倍
に希釈した溶液に浸漬した。２００秒後に未露光部の膜
は全て溶解し、このときの感度はＰＭＭＡの１００倍で
あった。
に希釈した溶液に浸漬した。２００秒後に未露光部の膜
は全て溶解し、このときの感度はＰＭＭＡの１００倍で
あった。
（６）発明の効果
本発明のネガレジスト祠料ばＯ１＋基を有するポリヒド
ロキシスチレンと電離放射線の照射によりポリヒドロキ
シスチレンを架橋さセるアジド化合物とからなり、アリ
カリ現像が可能である。バターニングは露光により、選
択的にポリヒドロキシスチレンをアジド化合物で架橋さ
せ、アルカリ現像液に対するレジストの熔解速度を変え
ることにより、未露光部のレジストを除去して行・）も
のである。本発明ではアルカリ現像剤り用いるので、レ
ジストの膨潤が著しく抑制されるため微細パターンの形
成が可能となる。
ロキシスチレンと電離放射線の照射によりポリヒドロキ
シスチレンを架橋さセるアジド化合物とからなり、アリ
カリ現像が可能である。バターニングは露光により、選
択的にポリヒドロキシスチレンをアジド化合物で架橋さ
せ、アルカリ現像液に対するレジストの熔解速度を変え
ることにより、未露光部のレジストを除去して行・）も
のである。本発明ではアルカリ現像剤り用いるので、レ
ジストの膨潤が著しく抑制されるため微細パターンの形
成が可能となる。
又ポリヒドロキシスチレンの芳香環はフレオン。
塩素系のガスを用いるドライエツチングに刻し、耐ドラ
イエツチ性を有し、良好な１′ライエツヂングを行うこ
とができる。
イエツチ性を有し、良好な１′ライエツヂングを行うこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 合物とからなることを特徴とするアルカリ現像ネガ型レ
ジスト組成物。 一４ＣＩ（、−ＣＨ丸 」１記アジド化合物は のいずれかもしくはこれら化合物の混合物である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363683A JPS6045240A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | アルカリ現像ネガ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363683A JPS6045240A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | アルカリ現像ネガ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045240A true JPS6045240A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15566841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15363683A Pending JPS6045240A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | アルカリ現像ネガ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0240843A2 (en) * | 1986-03-28 | 1987-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composite, method for preparing it and use thereof |
| US4840739A (en) * | 1987-03-17 | 1989-06-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive grease composition comprising a random copolymer of ethylene and an alpha-olefin |
| JPH03271744A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Chisso Corp | 光硬化性樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15363683A patent/JPS6045240A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0240843A2 (en) * | 1986-03-28 | 1987-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composite, method for preparing it and use thereof |
| US4840739A (en) * | 1987-03-17 | 1989-06-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive grease composition comprising a random copolymer of ethylene and an alpha-olefin |
| JPH03271744A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Chisso Corp | 光硬化性樹脂組成物 |
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