JPS60179737A - ポジ型レジスト材料 - Google Patents
ポジ型レジスト材料Info
- Publication number
- JPS60179737A JPS60179737A JP3513684A JP3513684A JPS60179737A JP S60179737 A JPS60179737 A JP S60179737A JP 3513684 A JP3513684 A JP 3513684A JP 3513684 A JP3513684 A JP 3513684A JP S60179737 A JPS60179737 A JP S60179737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- alpha
- soln
- methylstyrene
- homopolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（７）発明の技術分野
本発明は、レジスト材料に関し、よシ詳しく述べると、
半導体装置製造での微細加工に使用されるポジ型レジス
ト材料に関するものである。
半導体装置製造での微細加工に使用されるポジ型レジス
ト材料に関するものである。
（イ）技術の穿景
Ｉ Ｃ、Ｌ Ｓ 、Ｉなどの半導体装置の高集積化のた
めのサブミクロンオーダーの微細加工に、電子ビーム、
Ｘ線、紫外線などを利用したリングラフィ技術が実用化
されるようになってきた。この場合に、レジストはその
加工精度を左右する重要な要因のひとつであｐ、いろい
ろと検討されている（例えば、津１）穣、微細加工用レ
ジストの開発動向と将来への展望、電子材料、 ＶＯ４
，１８、Ａ１０ 。
めのサブミクロンオーダーの微細加工に、電子ビーム、
Ｘ線、紫外線などを利用したリングラフィ技術が実用化
されるようになってきた。この場合に、レジストはその
加工精度を左右する重要な要因のひとつであｐ、いろい
ろと検討されている（例えば、津１）穣、微細加工用レ
ジストの開発動向と将来への展望、電子材料、 ＶＯ４
，１８、Ａ１０ 。
（１９７９年）、Ｐ２２−２７．参照）。
（ロ）従来技術と問題点
ポジ型レジストでは、電子ビーム、Ｘ線、イオンビーム
あるいは紫外線（以下、放射線と呼ぶ）による照射部分
が現像液に可溶となシ、未照射部分が不溶性または難溶
性であるために溶解度の差を利用して所楚レジストパタ
ーンが形成される。
あるいは紫外線（以下、放射線と呼ぶ）による照射部分
が現像液に可溶となシ、未照射部分が不溶性または難溶
性であるために溶解度の差を利用して所楚レジストパタ
ーンが形成される。
一般的にポジ型レジストは高解像性に特色があるが、感
度は比較的低い。また、エツチング工程がウェット方式
からドライ方式で行なわれるようになってきて、耐ドラ
イエツチング性（すなわち、耐プラズマエッチ性）が良
好なものが望まれている。本出願人は、感度向上のだめ
のインヒビター（溶解抑制剤）とアルカリ可溶性ポリマ
ーとからなるポジ型レジスト材料を特開昭５９−２０４
１号公報あるいは特願昭５８−１１６９５８号（昭和５
８年６月６０日出願）にて提案した。
度は比較的低い。また、エツチング工程がウェット方式
からドライ方式で行なわれるようになってきて、耐ドラ
イエツチング性（すなわち、耐プラズマエッチ性）が良
好なものが望まれている。本出願人は、感度向上のだめ
のインヒビター（溶解抑制剤）とアルカリ可溶性ポリマ
ーとからなるポジ型レジスト材料を特開昭５９−２０４
１号公報あるいは特願昭５８−１１６９５８号（昭和５
８年６月６０日出願）にて提案した。
に）発明の目的
本発明の目的は、感度の優れた放射線用高解像性ポジ型
レジストを提供することである。
レジストを提供することである。
（３）発明の構成
上述の目的が、アルカリ可溶性のα−メチルスチレンポ
リマーとα−クロロアクリル酸ジメチルベンジルエステ
ルのホモポリマーとからなるポジ型レジスト材料によっ
て達成される。
リマーとα−クロロアクリル酸ジメチルベンジルエステ
ルのホモポリマーとからなるポジ型レジスト材料によっ
て達成される。
アルカリ可溶性のα−メチルスチレンポリマーとは、例
えば、−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−ＮＨ２などのようなアル
カリ可溶性の官能基を有するものであシ、化学式で示す
と下記のとおシである。
えば、−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−ＮＨ２などのようなアル
カリ可溶性の官能基を有するものであシ、化学式で示す
と下記のとおシである。
ＣＨ３
また、α−クロロアクリル酸ジメチルベンジルエステル
のホモポリマーは、放射線の照射によってアルカリ可溶
性となる溶解抑、制剤であυ、化学式は次のとおシであ
る。
のホモポリマーは、放射線の照射によってアルカリ可溶
性となる溶解抑、制剤であυ、化学式は次のとおシであ
る。
ｔ
本発明に係るポジ型レジストは常法に従って次−のよう
にしてレジストパターンとすることができる。
にしてレジストパターンとすることができる。
まず、本発明に係るポジ型レジスト材料を適切な溶剤に
溶解させてレジスト溶液とする。この溶剤には、メチル
セロソルブアセテート、メチルセルソルフ、エチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブなどがある。この
レジスト溶液を加工基板上にスピンコード法、浸漬法な
どによって塗布し、プリベークしてレジスト層を形成す
る。次に、レジスト層に放射線（例えば、電子ビーム）
を照射し、この照射部分をアルカリ系現像液にて除去す
る。このようにして得られたレジストパターンをリンス
し、そしてポストベークしてポジ型レジストパターンが
完成する。
溶解させてレジスト溶液とする。この溶剤には、メチル
セロソルブアセテート、メチルセルソルフ、エチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブなどがある。この
レジスト溶液を加工基板上にスピンコード法、浸漬法な
どによって塗布し、プリベークしてレジスト層を形成す
る。次に、レジスト層に放射線（例えば、電子ビーム）
を照射し、この照射部分をアルカリ系現像液にて除去す
る。このようにして得られたレジストパターンをリンス
し、そしてポストベークしてポジ型レジストパターンが
完成する。
（ホ）発明の実施例
以下の実施例によって本発明を説明する。
！
使用するポリｐ−ヒドロキｙ−ｇ−メチルスチレｙ （
Ｍｗ ＃ １５万、 Ｍｗ ／Ｍｎ ＝ １．１ ）を
次のようにして合成した。すなわち、α−メチルスチレ
ンからｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンを得て、水
酸基の活性水素をトリアルキルシリル基で置換し、そし
てアニオン重合した後加水分解した。
Ｍｗ ＃ １５万、 Ｍｗ ／Ｍｎ ＝ １．１ ）を
次のようにして合成した。すなわち、α−メチルスチレ
ンからｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンを得て、水
酸基の活性水素をトリアルキルシリル基で置換し、そし
てアニオン重合した後加水分解した。
ＣＨ。
これにα−クロロアクリル酸ジメチルベンジルエステル
Ｏホモポリマー （Ｍｗ’：、 １０万、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．３）を２０重量％混合し、これらをＭ′ＣＡに溶解
してレジスト溶液とした。このレジスト溶液を加工基板
上にスピンコードして約１μｍ厚のレジスト層を形成し
、８５℃で４０分間プリベークした。そして電子ビーム
をレジスト層に所定パターン照射し１．アルカリ系現像
液（例えば、ＭＰ−３１２（商品名 ５ｈｉｐｌｅｙ社
）２０％水溶液〕にて現像してレジストパターンを得た
。このレジストの感度Ｄｏは５Ｘ１０ Ｃ／ｄであシ、
１ ｐｍの２インアンドスペースの解像性であった。さ
らに、このレジストパターンの耐ドライエツチング性お
よび耐熱性を試験したところ、α−メチルスチレンポリ
マーのレジストとほぼ同様の良好な特性であることがわ
かった。
Ｏホモポリマー （Ｍｗ’：、 １０万、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．３）を２０重量％混合し、これらをＭ′ＣＡに溶解
してレジスト溶液とした。このレジスト溶液を加工基板
上にスピンコードして約１μｍ厚のレジスト層を形成し
、８５℃で４０分間プリベークした。そして電子ビーム
をレジスト層に所定パターン照射し１．アルカリ系現像
液（例えば、ＭＰ−３１２（商品名 ５ｈｉｐｌｅｙ社
）２０％水溶液〕にて現像してレジストパターンを得た
。このレジストの感度Ｄｏは５Ｘ１０ Ｃ／ｄであシ、
１ ｐｍの２インアンドスペースの解像性であった。さ
らに、このレジストパターンの耐ドライエツチング性お
よび耐熱性を試験したところ、α−メチルスチレンポリ
マーのレジストとほぼ同様の良好な特性であることがわ
かった。
（ホ）発明の効果
本発明によると、耐ドライエツチング性および耐熱性の
いずれも損なうことなく感度の向上したポジ型レジスト
パターンが得られ不。
いずれも損なうことなく感度の向上したポジ型レジスト
パターンが得られ不。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士内田幸男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、 アルカリ可溶性のα−メチルスチレンポリマート
α−クロロアクリル酸ジメチルベンジルエステルのホモ
ポリマーとからなるポジ型レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3513684A JPS60179737A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ポジ型レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3513684A JPS60179737A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ポジ型レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60179737A true JPS60179737A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12433499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3513684A Pending JPS60179737A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | ポジ型レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60179737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020016699A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 日本ゼオン株式会社 | 重合体及びその製造方法、ポジ型レジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法 |
| WO2021145343A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物、並びに、レジストパターン形成方法 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3513684A patent/JPS60179737A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020016699A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 日本ゼオン株式会社 | 重合体及びその製造方法、ポジ型レジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法 |
| WO2021145343A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物、並びに、レジストパターン形成方法 |
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