JPH09134015A - パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 - Google Patents
パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法Info
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- JPH09134015A JPH09134015A JP7292461A JP29246195A JPH09134015A JP H09134015 A JPH09134015 A JP H09134015A JP 7292461 A JP7292461 A JP 7292461A JP 29246195 A JP29246195 A JP 29246195A JP H09134015 A JPH09134015 A JP H09134015A
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- JP
- Japan
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- phenolic hydroxyl
- forming material
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板面から垂直に切り立った良好な断面形状を
与える高感度，高解像度のポジ型パタン形成材料を得
る。 【解決手段】アルカリ可溶性樹脂と活性化学線照射によ
り酸を発生する化合物とクレゾールノボラック樹脂また
はポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を、クレ
ゾールノボラック樹脂では３０％から６０％、ポリビニ
ルフェノールでは８０％以上１−エトキシエトキシ基で
置換した高分子化合物を酢酸セロソルブに溶解してパタ
ン形成材料を得る。これを基板上に塗布し、電子線を照
射した後ベークし、アルカリ水溶液で現像して電子線照
射部を除去し、ポジ型パタンを得る。
与える高感度，高解像度のポジ型パタン形成材料を得
る。 【解決手段】アルカリ可溶性樹脂と活性化学線照射によ
り酸を発生する化合物とクレゾールノボラック樹脂また
はポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を、クレ
ゾールノボラック樹脂では３０％から６０％、ポリビニ
ルフェノールでは８０％以上１−エトキシエトキシ基で
置換した高分子化合物を酢酸セロソルブに溶解してパタ
ン形成材料を得る。これを基板上に塗布し、電子線を照
射した後ベークし、アルカリ水溶液で現像して電子線照
射部を除去し、ポジ型パタンを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や集積
回路の製造に用いられるパタン形成材料並びにパタン形
成方法に関する。
回路の製造に用いられるパタン形成材料並びにパタン形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化が進み、こ
れに伴い微細加工技術も大きく進歩してきた。６４Ｍあ
るいは２５６ＭＤＲＡＭではサブハーフミクロンのパタ
ン形成が要求されるため、解像性の優れたレジストが要
望されている。
れに伴い微細加工技術も大きく進歩してきた。６４Ｍあ
るいは２５６ＭＤＲＡＭではサブハーフミクロンのパタ
ン形成が要求されるため、解像性の優れたレジストが要
望されている。
【０００３】従来、レジストの露光には縮小投影露光装
置などの光リソグラフィーが用いられてきた。光リソグ
ラフィーよりも更に微細加工性を求めたのが電子線，Ｘ
線による露光である。特に、電子線リソグラフィーで
は、パタンの最少寸法はビーム径に依存するため高解像
なレジストパタン形成が可能である。またＸ線リソグラ
フィーは、遠紫外光より更に短波長の電磁波を使用する
ため、電子線露光同様に高い解像度が得られる。しか
し、どの露光方式でも、ＬＳＩは量産のためにはウエハ
処理のスループットが高くなければならない。このた
め、装置の改良とともにレジストの高感度化が重要課題
となっている。
置などの光リソグラフィーが用いられてきた。光リソグ
ラフィーよりも更に微細加工性を求めたのが電子線，Ｘ
線による露光である。特に、電子線リソグラフィーで
は、パタンの最少寸法はビーム径に依存するため高解像
なレジストパタン形成が可能である。またＸ線リソグラ
フィーは、遠紫外光より更に短波長の電磁波を使用する
ため、電子線露光同様に高い解像度が得られる。しか
し、どの露光方式でも、ＬＳＩは量産のためにはウエハ
処理のスループットが高くなければならない。このた
め、装置の改良とともにレジストの高感度化が重要課題
となっている。
【０００４】高感度化を達成するためのパタン形成材料
として、化学増幅系のレジストが登場した。化学増幅系
レジストは触媒反応を利用したものであり、１個の光量
子の作用で生成した活性種が多数の化学反応を引き起こ
し、その結果、１以上の量子収率が得られるため高感度
化が達成できる。化学増幅系レジストに関する従来技術
として米国特許第3779778号，特開昭59−45439号，特開
平2−25850号公報が挙げられる。これらによれば、活性
化学線の照射により酸前駆体から酸が発生し、酸触媒反
応により酸分解性の基であるアセタール基，ｔ−ブチル
カルボニル基を含む媒体（化合物または重合体）の現像
液に対する溶解特性が変化する。
として、化学増幅系のレジストが登場した。化学増幅系
レジストは触媒反応を利用したものであり、１個の光量
子の作用で生成した活性種が多数の化学反応を引き起こ
し、その結果、１以上の量子収率が得られるため高感度
化が達成できる。化学増幅系レジストに関する従来技術
として米国特許第3779778号，特開昭59−45439号，特開
平2−25850号公報が挙げられる。これらによれば、活性
化学線の照射により酸前駆体から酸が発生し、酸触媒反
応により酸分解性の基であるアセタール基，ｔ−ブチル
カルボニル基を含む媒体（化合物または重合体）の現像
液に対する溶解特性が変化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】アルカリ可溶性樹脂，
酸分解性の化学結合を含む媒体並びに酸前駆体を含む化
学増幅系ポジ型レジストは工業的に有利なアルカリ水溶
液による現像が可能であり、触媒反応を利用するため高
感度が期待できる。しかし、アルカリ可溶性樹脂に酸分
解性の化学結合を含む高分子化合物を混合すると、塗膜
の不均一化またはミクロ層分離による表面難溶化層の形
成という問題が生じ、パタン形状が悪化する可能性があ
る。酸分解性の化学結合を含む高分子化合で酸分解性基
の割合を低くすれば、アルカリ可溶性樹脂に混合した際
に均一な塗膜が得られるが、感度低下という新たな問題
が生じる。
酸分解性の化学結合を含む媒体並びに酸前駆体を含む化
学増幅系ポジ型レジストは工業的に有利なアルカリ水溶
液による現像が可能であり、触媒反応を利用するため高
感度が期待できる。しかし、アルカリ可溶性樹脂に酸分
解性の化学結合を含む高分子化合物を混合すると、塗膜
の不均一化またはミクロ層分離による表面難溶化層の形
成という問題が生じ、パタン形状が悪化する可能性があ
る。酸分解性の化学結合を含む高分子化合で酸分解性基
の割合を低くすれば、アルカリ可溶性樹脂に混合した際
に均一な塗膜が得られるが、感度低下という新たな問題
が生じる。
【０００６】本発明の目的は、紫外線，遠紫外線，Ｘ
線，電子線等の活性放射線のパタン状照射によりパタン
潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応に
よって照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加さ
せ、工業的に有利なアルカリ水溶液を現像に使用する工
程により高感度かつ高分解能のポジ型パタンを現出させ
るパタン形成材料を提供することにある。
線，電子線等の活性放射線のパタン状照射によりパタン
潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応に
よって照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加さ
せ、工業的に有利なアルカリ水溶液を現像に使用する工
程により高感度かつ高分解能のポジ型パタンを現出させ
るパタン形成材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はアルカリ可溶性樹脂，酸分解性の化合結合
を含む媒体並びに酸前駆体を含む化学増幅系ポジ型レジ
ストで、酸分解性の化学結合を含む高分子化合物の酸分
解性基の割合を最適化する。
め、本発明はアルカリ可溶性樹脂，酸分解性の化合結合
を含む媒体並びに酸前駆体を含む化学増幅系ポジ型レジ
ストで、酸分解性の化学結合を含む高分子化合物の酸分
解性基の割合を最適化する。
【０００８】すなわち、本発明は、（ａ）アルカリ可溶
性樹脂，（ｂ）活性化学線照射により酸を発生する化合
物，（ｃ）クレゾールノボラック樹脂またはポリビニル
フェノールのフェノール性水酸基を１−エトキシエトキ
シ基で置換した構造を持つ高分子化合物からなるポジ型
化学増幅系レジスト組成物であって、成分（ｃ）がクレ
ゾールノボラック樹脂またはポリビニルフェノールのフ
ェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した
構造を持つことを特徴とするパタン形成材料よりなる。
性樹脂，（ｂ）活性化学線照射により酸を発生する化合
物，（ｃ）クレゾールノボラック樹脂またはポリビニル
フェノールのフェノール性水酸基を１−エトキシエトキ
シ基で置換した構造を持つ高分子化合物からなるポジ型
化学増幅系レジスト組成物であって、成分（ｃ）がクレ
ゾールノボラック樹脂またはポリビニルフェノールのフ
ェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した
構造を持つことを特徴とするパタン形成材料よりなる。
【０００９】ここで、上記１−エトキシエトキシ基は化
学式１に示す構造を有している。
学式１に示す構造を有している。
【００１０】
【化２】
【００１１】このとき、成分（ｃ）のクレゾールノボラ
ック樹脂のフェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ
基で置換した構造を持つ高分子化合物で、１−エトキシ
エトキシ基の割合はフェノール性水酸基の３０％〜６０
％の範囲にあることが望ましい。また、ポリビニルフェ
ノールのフェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基
で置換した構造を持つ高分子化合物でも、１−エトキシ
エトキシ基の割合はフェノール性水酸基の８０％以上で
あることが望ましい。
ック樹脂のフェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ
基で置換した構造を持つ高分子化合物で、１−エトキシ
エトキシ基の割合はフェノール性水酸基の３０％〜６０
％の範囲にあることが望ましい。また、ポリビニルフェ
ノールのフェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基
で置換した構造を持つ高分子化合物でも、１−エトキシ
エトキシ基の割合はフェノール性水酸基の８０％以上で
あることが望ましい。
【００１２】１−エトキシエトキシ基で置換されたクレ
ゾールノボラック樹脂あるいはポリビニルフェノールの
分子量は、ＧＰＣ（示差屈折率検出器使用）により求め
たポリスチレン換算重量平均分子量(ＭW )が１５００〜
５０００の範囲にあることが望ましい。また、１−エト
キシエトキシ基で置換されたクレゾールノボラック樹脂
あるいはポリビニルフェノールの添加量は、アルカリ可
溶性樹脂の全量１００重量部に対して５〜３０重量部で
あることが望ましい。
ゾールノボラック樹脂あるいはポリビニルフェノールの
分子量は、ＧＰＣ（示差屈折率検出器使用）により求め
たポリスチレン換算重量平均分子量(ＭW )が１５００〜
５０００の範囲にあることが望ましい。また、１−エト
キシエトキシ基で置換されたクレゾールノボラック樹脂
あるいはポリビニルフェノールの添加量は、アルカリ可
溶性樹脂の全量１００重量部に対して５〜３０重量部で
あることが望ましい。
【００１３】成分（ａ）のアルカリ可溶性樹脂として、
クレゾールノボラック樹脂を使用することが望ましい。
その際、様々なメタ，パラ混合比率を持つクレゾールノ
ボラック樹脂を使用することが可能である。
クレゾールノボラック樹脂を使用することが望ましい。
その際、様々なメタ，パラ混合比率を持つクレゾールノ
ボラック樹脂を使用することが可能である。
【００１４】また、成分（ｂ）の活性化学線照射により
酸を発生する化合物の例は、各種のジアゾニウム塩ある
いは各種のオニウム塩，各種ハロゲン化合物，フェノー
ル性水酸基を複数含む化合物とアルキルスルホン酸塩と
のエステルが挙げられる。上記以外の活性化学線照射に
より酸を発生する化合物の使用も可能である。
酸を発生する化合物の例は、各種のジアゾニウム塩ある
いは各種のオニウム塩，各種ハロゲン化合物，フェノー
ル性水酸基を複数含む化合物とアルキルスルホン酸塩と
のエステルが挙げられる。上記以外の活性化学線照射に
より酸を発生する化合物の使用も可能である。
【００１５】フェノール性水酸基が１−エトキシエトキ
シ基で置換されたクレゾールノボラック樹脂あるいはポ
リビニルフェノールは、活性化学線照射の結果生成され
た酸により１−エトキシエトキシ基の分解が生じ、フェ
ノール性水酸基が再生される。このため、アルカリ可溶
性樹脂と活性化学線照射により酸を発生する化合物と１
−エトキシエトキシ基で置換されたクレゾールノボラッ
ク樹脂あるいはポリビニルフェノールからなるパタン形
成材料を用いた時、活性化学線照射部では発生した酸と
１−エトキシエトキシ基が反応してフェノール性水酸基
が生成されるため、アルカリ水溶液に対する溶解性が上
昇する。一方、未照射部では１−エトキシエトキシ基が
酸によって分解されずに残るため、アルカリ可溶性樹脂
のアルカリ溶解性を阻害しアルカリ水溶液に不溶であ
る。その結果、本発明のパタン形成材料を使用してポジ
型のパタンを得ることができる。
シ基で置換されたクレゾールノボラック樹脂あるいはポ
リビニルフェノールは、活性化学線照射の結果生成され
た酸により１−エトキシエトキシ基の分解が生じ、フェ
ノール性水酸基が再生される。このため、アルカリ可溶
性樹脂と活性化学線照射により酸を発生する化合物と１
−エトキシエトキシ基で置換されたクレゾールノボラッ
ク樹脂あるいはポリビニルフェノールからなるパタン形
成材料を用いた時、活性化学線照射部では発生した酸と
１−エトキシエトキシ基が反応してフェノール性水酸基
が生成されるため、アルカリ水溶液に対する溶解性が上
昇する。一方、未照射部では１−エトキシエトキシ基が
酸によって分解されずに残るため、アルカリ可溶性樹脂
のアルカリ溶解性を阻害しアルカリ水溶液に不溶であ
る。その結果、本発明のパタン形成材料を使用してポジ
型のパタンを得ることができる。
【００１６】本発明では、クレゾールノボラック樹脂ま
たはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を置換
する１−エトキシエトキシ基の割合をこれらを使用した
パタン形成材料が高感度になるように最適化している。
クレゾールノボラック樹脂のフェノール性水酸基を１−
エトキシエトキシ基で置換した構造を持つ高分子化合物
では、１−エトキシエトキシ基の割合がフェノール性水
酸基の３０％〜６０％の範囲であると、高感度なパタン
形成材料が得られた。また、ポリビニルフェノールのフ
ェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した
構造を持つ高分子化合物では、１−エトキシエトキシ基
の割合が８０％以上のとき、高感度なパタン形成材料が
得られた。
たはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を置換
する１−エトキシエトキシ基の割合をこれらを使用した
パタン形成材料が高感度になるように最適化している。
クレゾールノボラック樹脂のフェノール性水酸基を１−
エトキシエトキシ基で置換した構造を持つ高分子化合物
では、１−エトキシエトキシ基の割合がフェノール性水
酸基の３０％〜６０％の範囲であると、高感度なパタン
形成材料が得られた。また、ポリビニルフェノールのフ
ェノール性水酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した
構造を持つ高分子化合物では、１−エトキシエトキシ基
の割合が８０％以上のとき、高感度なパタン形成材料が
得られた。
【００１７】
（実施例１）クレゾールノボラック樹脂（ＭW ：５２０
０）：８５重量部と、フェノール性水酸基の５０％を１
−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つノボラック
樹脂（ＭW ：４０００）：１５重量部とオニウム塩５重
量部を酢酸メチルセロソルブに溶解して、固形分濃度約
１５重量％の溶液を配合した。シリコンウエハ上に上述
の組成のパタン形成材料を滴下し、回転塗布した後、１
００℃で５分間プリベークして膜厚０.５μ のレジスト
膜を得た。この基板に電子線描画装置を用いて加速電圧
３０ｋＶで電子線を照射した後、１００℃で５分間熱処
理し、電子線照射部における１−エトキシエトキシ基の
分解反応を促進した。次に水酸化テトラメチルアンモニ
ウム２.３８ 重量％を含む水溶液で、上記の基板を現像
した。その結果、電子線照射量１.５μＣ／cm2 で良好
なポジ型レジストパタンを得た。 （実施例２）クレゾールノボラック樹脂（ＭW ：５２０
０）：９０重量部と、フェノール性水酸基の１００％を
１−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つポリ（ｐ
−ビニルフェノール）（ＭW ：２０００）：１０重量部
とオニウム塩５重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解し
て、固形分濃度約１５重量％の溶液を配合した。シリコ
ンウエハ上に上述の組成のパタン形成材料を滴下し、回
転塗布した後、１００℃で５分間プリベークして膜厚
０.５μ のレジスト膜を得た。この基板に対し、実施例
１と同様に電子線を照射した後、１００℃で５分間熱処
理した、次に水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
重量％を含む水溶液で、上記の基板を現像した。その結
果、電子線照射量２μＣ／cm2 で良好なポジ型レジスト
パタンを得た。
０）：８５重量部と、フェノール性水酸基の５０％を１
−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つノボラック
樹脂（ＭW ：４０００）：１５重量部とオニウム塩５重
量部を酢酸メチルセロソルブに溶解して、固形分濃度約
１５重量％の溶液を配合した。シリコンウエハ上に上述
の組成のパタン形成材料を滴下し、回転塗布した後、１
００℃で５分間プリベークして膜厚０.５μ のレジスト
膜を得た。この基板に電子線描画装置を用いて加速電圧
３０ｋＶで電子線を照射した後、１００℃で５分間熱処
理し、電子線照射部における１−エトキシエトキシ基の
分解反応を促進した。次に水酸化テトラメチルアンモニ
ウム２.３８ 重量％を含む水溶液で、上記の基板を現像
した。その結果、電子線照射量１.５μＣ／cm2 で良好
なポジ型レジストパタンを得た。 （実施例２）クレゾールノボラック樹脂（ＭW ：５２０
０）：９０重量部と、フェノール性水酸基の１００％を
１−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つポリ（ｐ
−ビニルフェノール）（ＭW ：２０００）：１０重量部
とオニウム塩５重量部を酢酸メチルセロソルブに溶解し
て、固形分濃度約１５重量％の溶液を配合した。シリコ
ンウエハ上に上述の組成のパタン形成材料を滴下し、回
転塗布した後、１００℃で５分間プリベークして膜厚
０.５μ のレジスト膜を得た。この基板に対し、実施例
１と同様に電子線を照射した後、１００℃で５分間熱処
理した、次に水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８
重量％を含む水溶液で、上記の基板を現像した。その結
果、電子線照射量２μＣ／cm2 で良好なポジ型レジスト
パタンを得た。
【００１８】図１に実施例１並びに２で使用したパタン
形成材料の電子線感度特性曲線を示した。図１より、本
発明のパタン形成材料は、γ値が高く、高感度であるこ
とがわかった。
形成材料の電子線感度特性曲線を示した。図１より、本
発明のパタン形成材料は、γ値が高く、高感度であるこ
とがわかった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、遠紫外線，電子線，Ｘ
線，その他の活性放射線の照射に対し、高感度でアルカ
リ水溶液で現像可能なポジ型パタン形成材料を得ること
ができた。
線，その他の活性放射線の照射に対し、高感度でアルカ
リ水溶液で現像可能なポジ型パタン形成材料を得ること
ができた。
【図１】本発明の実施例で使用したパタン形成材料の電
子線感度の特性図。
子線感度の特性図。
１…実施例１で使用したパタン形成材料の電子線感度特
性曲線、２…実施例２で使用したパタン形成材料の電子
線感度特性曲線。
性曲線、２…実施例２で使用したパタン形成材料の電子
線感度特性曲線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白石 洋 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂及び活性化学線照射に
より酸を発生する化合物及びクレゾールノボラック樹脂
またはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を化
学式１で表される１−エトキシエトキシ基で置換した構
造を持つ高分子化合物を含むポジ型化学増幅系レジスト
組成物であって、前記クレゾールノボラック樹脂のフェ
ノール性水酸基の３０％から６０％を１−エトキシエト
キシ基で置換した構造を持つかあるいはポリビニルフェ
ノールのフェノール性水酸基の８０％以上を１−エトキ
シエトキシ基で置換した構造から成ることを特徴とする
パタン形成材料。 【化１】 - 【請求項２】請求項１において、前記クレゾールノボラ
ック樹脂またはポリビニルフェノールのフェノール性水
酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つ高
分子化合物がポリスチレン換算重量平均分子量で１５０
０〜５０００の範囲にあるパタン形成材料。 - 【請求項３】請求項１において、前記クレゾールノボラ
ック樹脂またはポリビニルフェノールのフェノール性水
酸基を１−エトキシエトキシ基で置換した構造を持つ高
分子化合物を、アルカリ可溶性樹脂の全量１００重量部
に対して５〜３０重量部配合したパタン形成材料。 - 【請求項４】請求項１，２または３に記載のパタン形成
材料を基板上に塗布し塗膜を形成する工程，塗布溶媒を
取り除くためのプリベーク工程，前記塗膜に活性放射線
を照射して所定のパタン潜像を形成する工程，照射後ベ
ークする工程並びにアルカリ水溶液を用いてポジ型の所
定パタンを現像する工程から成るパタン形成方法。 - 【請求項５】請求項４に記載のパタン形成方法を使用し
た半導体素子製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292461A JPH09134015A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292461A JPH09134015A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134015A true JPH09134015A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17782113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7292461A Pending JPH09134015A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134015A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980087522A (ko) * | 1997-05-30 | 1998-12-05 | 마티네츠 길러모 | 신규한 중합체를 함유하는 방사선 감응성 조성물 |
| JP2001142217A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 |
| JP2003098669A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| JP2006058739A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 電子線又はｅｕｖリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料、積層体、およびレジストパターン形成方法 |
| JP2006317522A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 電子線用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP7292461A patent/JPH09134015A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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