JP3417070B2 - パターン形成材料 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子線、Ｘ線、紫外線
や遠紫外線等の放射線を使用して半導体素子、光学素子
等の機能素子の表面に超微細加工技術によるパターンを
形成する場合に用いられるパターン形成材料に関し、特
に超ＬＳＩ製造用材料として好適なパターン形成材料に
関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ＬＳＩ技術の発展につれて、ＭＯＳＬＳＩチップ中に集
積するメモリーのビット数はメガビットのオーダーに突
入しており、これに伴い、配線パターンの微細化はサブ
ミクロンのルールを要求されている。このため、リソグ
ラフィー用光源の波長は、微細パターンニングに対して
より有利なように紫外領域から遠紫外領域へと単波長側
に移りつつあり、更に電子線、Ｘ線の利用が本格的に検
討されようとしている。

【０００３】このようなリソグラフィー技術の中にあっ
て、使用するレジスト材料には、その光源の波長に対す
る感光性と透過性、耐ドライエッチング性等が要求され
る。

【０００４】一方、これらの条件の下でホトリソグラフ
ィー、特にはＧ線やＩ線用リソグラフィーに使用される
レジスト材料としては、使用する光の波長に対する光透
過性、耐プラズマエッチング性等の点からノボラック系
樹脂等の芳香族系樹脂が好適に使用されている。

【０００５】しかし、Ｇ線やＩ線よりも単波長にある水
銀の輝線、ＫｒＦやＡｒＦのエキシマレザー光などの遠
紫外光、更には電子線、Ｘ線等の放射線の光源強度は、
Ｇ線やＩ線の光源の強度よりも桁違いに微弱であり、こ
れらの遠紫外光をホトリソグラフィーに利用する場合、
上記したＧ線やＩ線のレジストとして使用する従来型の
レジスト材では、十分な露光感度が得られず、また遠紫
外光に対する光透過度が低下するなどの問題点があり、
それ故、新しいタイプのパターン形成材料が望まれてい
た。

【０００６】そこで、従来タイプに代わるものとして化
学増幅タイプのパターン形成材料が注目されている。こ
の化学増幅タイプのパターン形成材料は、照射される放
射線のドーズ量が少なくても十分な感度があるため、上
記の遠紫外線光源の他にも電子線やＸ線源からのドーズ
にも好適である。

【０００７】化学増幅タイプのパターン形成材料につい
ては、例えば特開昭５９−４５４３９号公報には、酸に
対して不安定な反復的に存在する枝分かれした基を有す
る重合体の一つであるｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−α−メチルスチレンと、放射光に晒されると
酸を生じる光重合開始剤（例えばジアリールヨードニウ
ム塩）とを含むパターン形成材料組成物が提案されてい
る。このパターン形成材料は、遠紫外光に晒されるとジ
アリールヨードニウム塩が分解して酸が生じ、この酸に
よりｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メ
チルスチレンのｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が
開裂して極性を持つ基が生じて露光領域となるもので、
このようにして露光した領域や未露光領域を塩基又は非
極性溶媒で溶解することで所望のパターンを得ることが
できるものである。

【０００８】また、特開昭６２−１１５４４０号公報に
は、ポリ−４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−α−スチレンをジ
（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネートと共にグライムに溶解した後に遠
紫外光で露光することで、上記特開昭５９−４５４３９
号公報と同様の反応機構により良好な解像度を得ること
ができることが提案されている。

【０００９】更に、特開平２−２５８５０号公報には、
ポリ（ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、ポリ
（ｐ−テトラヒドロチオフラニルオキシスチレン）等の
側鎖にアセタール基又はチオアセタール基を含む高分子
化合物と放射線により酸を発生する化合物からなる放射
線感応性組成物が提案されている。

【００１０】この中でテトラヒドロピラニル基やテトラ
ヒドロフラニル基を保護基とするパターン形成材料用ベ
ースポリマーは、保護基の熱的安定性に優れていること
から扱い易いポリマーである。しかし、テトラヒドロピ
ラニル基、テトラヒドロフラニル基が脱離してそれぞれ
ジヒドロピラン、ジヒドロフランが生成する反応は、系
内の水分や残存溶媒、雰囲気の湿度、ウェハー処理経過
時間等に影響され易く、その結果、パターン解像状態の
安定性がウェハーの環境、パターン形成材料の履歴等に
左右されるので、解像度の安定性、再現性に欠けるとい
う欠点があった。

【００１１】そこで、これら欠点を解決するためにパタ
ーン形成材料の組成安定性、均質なウェハー処理、十分
に制御されたクリーンルームの雰囲気を保つなどの見直
しが行われているが、いずれもリソグラフィーのプロセ
スのマージンを低下させてしまい、扱い難いパターン形
成材料となってしまうものであった。

【００１２】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
パターン形成を安定化し得、パターン形成時の解像度の
安定性、再現性に優れ、超微細加工技術による超ＬＳＩ
製造用として好適なパターン形成材料を提供することを
目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アルカリ可
溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピ
ラニル基及び／又はテトラヒドロフラニル基で保護した
ポリマーをベースポリマーとして不活性溶媒に溶解して
なる化学増幅型パターン形成材料に、アルコール性の水
酸基を有する化合物、特に上記不活性溶媒の沸点より３
０℃以上高い沸点を有する化合物を脱離助剤として配合
することにより、上記テトラヒドロピラニル基やテトラ
ヒドロフラニル基の脱離反応が安定して進行してリソグ
ラフィープロセスの安定性が増し、その結果として超Ｌ
ＳＩ製造時のパターン形成が安定化し得、より微細な加
工が可能となること、それ故、超ＬＳＩ等の製造に好適
に用いることができるパターン形成材料が得られること
を知見し、本発明をなすに至った。

【００１４】この場合、本発明において、上記アルカリ
可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロ
ピラニル基及び／又はテトラヒドロフラニル基で保護し
たポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン
形成材料は、露光時に光酸発生剤の分解によって発生す
る酸によりテトラヒドロピラニル基及び／又はテトラヒ
ドロフラニル基の脱離反応が進行する。例えば、テトラ
ヒドロピラニル基で保護したヒドロキシスチレンでは、
下記反応式１のような反応が進行する。

【００１５】

【化１】

【００１６】この反応は、平衡反応のため、生成したジ
ヒドロピランが残存する溶媒中の水酸基や含有水分、更
にはアルカリ可溶性のポリマーと再結合して下記反応式
２で示される反応が進行する。

【００１７】

【化２】

【００１８】上記反応は、パターン形成材料膜中の残存
溶媒や含有水分等のウェハープロセス上で制御し難い物
質の含有量に依存した反応であるため、この反応の進行
状態が上記反応式１に示されるベースポリマーのピラニ
ル保護基の脱離反応に影響を与え、このためプロセスの
不安定化を生じるものである。これに対して、このパタ
ーン形成材料に脱離助剤としてアルコール性水酸基を構
造中に含む化合物を積極的に添加することにより、上記
反応式２で示されるテトラヒドロピラニル基やテトラヒ
ドロフラニル基の再結合反応においてジヒドロピランが
脱離助剤中のアルコール性水酸基と優先的に結合するた
め、上記反応式２の反応の制御が可能となり、よって上
記反応式１のピラニル基、フラニル基の脱離反応も安定
して進行するものである。

【００１９】従って、本発明は、アルカリ可溶性ポリマ
ーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基及
び／又はテトラヒドロフラニル基で保護したポリマーを
ベースポリマーとして不活性溶媒に溶解してなる化学増
幅型パターン形成材料において、脱離助剤としてアルコ
ール性水酸基を持つ化合物をパターン形成材料全体の１
〜２０重量％配合したことを特徴とするパターン形成材
料を提供する。

【００２０】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明のパターン形成材料の主成分であるポリマー
は、アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部を
テトラヒドロピラニル基及び／又はテトラヒドロフラニ
ル基で保護したポリマーである。

【００２１】ここで、アルカリ可溶性ポリマーとして
は、例えば下記式（１）で示されるフェノールノボラッ
ク系、下記式（２）で示されるスチレン系、下記式
（３）で示されるアクリル系等の水酸基を持つアルカリ
可溶性樹脂が挙げられる。

【００２２】

【化３】

【００２３】上記アルカリ水溶液に可溶なテトラヒドロ
ピラニル基及び／又はテトラヒドロフラニル基で水酸基
を保護したポリマーの重量平均分子量は５，０００〜２
０，０００、特に５，０００〜１０，０００が好まし
く、また分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜１．４、
特に１．０１〜１．２が好ましい。このポリマーの製造
方法としては、すでにテトラヒドロピラニル基及び／又
はテトラヒドロフラニル基で水酸基を保護したモノマー
をそのまま重合する方法、水酸基が保護されていないア
ルカリ水溶液に可溶なポリマーを製造してからその水酸
基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基及び／又は
テトラヒドロフラニル基で保護する方法などいずれの製
造方法を採用してもよい。前者の方法では、例えばｐ−
テトラヒドロピラニルオキシスチレンポリマーを原料と
し、ラジカル重合開始剤によるラジカル重合や有機アル
カリ金属によるリビング重合等の既知の重合方法により
重合することができる。また、後者の方法では、例えば
アクリル酸ポリマーの水酸基をジヒドロピランを試薬と
してテトラヒドロピラニル化する方法で製造することが
できる。

【００２４】次に、アルコール性水酸基を持った脱離助
剤としては、分子中にアルコール性水酸基を有する化合
物であれば種々の化合物を使用し得、例えば炭素数２〜
１０の一価アルコール、二価アルコール、三価アルコー
ル、更にはフェノール性の水酸基とアルコール性水酸基
とを同一分子中に持った化合物等が挙げられ、具体的に
は下記に示される化合物が例示される。

【００２５】

【化４】

【００２６】更に、ウェハーの脱溶剤ベーク（プリベー
ク）時に脱離助剤の蒸発が活発であると脱離助剤も蒸散
してしまうので、プリベーク温度や時間を十分に検討す
ることが重要であるが、いずれにしても使用する脱離助
剤は、パターン形成材料用不活性溶媒よりも十分低い蒸
気圧を持ったものが好適であり、特に沸点が不活性溶媒
の沸点よりも３０℃以上、特に４０℃以上高いことが好
ましい。

【００２７】上記脱離助剤の添加量は、パターン形成材
料全体の１〜２０％（重量％、以下同様）、特に２〜１
０％が好適であり、１％に満たないと脱離助剤の効果が
発現されない場合があり、２０％を超えるとレジスト表
面に難溶解層が形成される場合がある。

【００２８】本発明のパターン形成材料は、上記アルカ
リ水溶液に可溶なテトラヒドロピラニル基及び／又はテ
トラヒドロフラニル基で水酸基が保護されたポリマーと
アルコール性の水酸基を分子中に持った脱離助剤が必須
であるが、その他に光酸発生剤、不活性有機溶媒、更に
必要に応じて溶解阻害剤、界面活性剤等の成分を配合し
て調製されるものである。

【００２９】ここで、光酸発生剤は、電子線、Ｘ線、紫
外光等の放射線照射により分子が分解し、強酸を発生す
るものである。即ち、この光酸発生剤を配合すると、電
子線描画装置、ＳＯＲ装置、遠紫外光ステッパー、遠紫
外光スキャナーなどからの放射線を受けてパターン形成
材料膜中の光酸発生剤が分解し、強酸が発生するもの
で、発生した強酸が本発明のポリマーのテトラヒドロピ
ラニル基やテトラヒドロフラニル基よりなる保護基を開
裂して例えば下記式（４）で示されるポリマーとするこ
とにより、アルカリ可溶性のポリマーとなるものであ
る。

【００３０】

【化５】 このような光酸発生剤として具体的には、下記化合物な
どが例示される。

【００３１】

【化６】

【００３２】更に、光酸発生剤として特開昭５９−４５
４３９号、同６２−１１５４４０号、特開平１−３００
２５０号公報、米国特許第４５３７８５４号に開示され
たオニウム塩カチオン性光酸発生剤も使用することがで
きるが、これに制限されるものではなく、放射線照射に
より酸を発生する物質であればその他の化合物も使用可
能である。

【００３３】光酸発生剤の配合量は、パターン形成材料
膜の光透過率、相溶性、描画時のパターンプロファイル
の良否、限界解像度等のパターン形成材料の性能に直接
的に影響を与えるもので、特に光酸発生剤の添加量が多
いほど光透過率が通常低下するもので、光酸発生剤の添
加量は、パターン形成材料全体の０．０１〜２０％、特
に１〜１０％とすることが好ましい。

【００３４】また、パターン形成材料は、通常その数倍
量の不活性有機溶媒で溶解してパターン形成材料溶液と
してシリコーンウェハーに滴下、塗布して使用する。こ
こで使用する有機溶媒としては、パターン形成材料の各
成分や添加剤を溶解し得、かつパターン形成材料を均一
の膜厚として塗布できるものが好適に選択される。具体
的には、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、Ｐ
ＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート）、メトキシプロパノール等の通常パターン形
成材料用溶媒として使用されるものが例示される。これ
ら有機溶媒は、１種類を単独で使用しても２種類以上を
組み合わせてもよい。

【００３５】パターン形成材料には、上記成分以外にも
現像時のパターン形成材料膜の溶解速度を抑制する溶解
阻害剤やパターン形成材料塗布時のパターン形成材料膜
の膜厚の均一性を向上させる界面活性剤等の添加剤を必
要に応じて添加することができる。

【００３６】即ち、ポジ型のパターン形成材料では、無
露光部のパターン形成材料膜の現像時の膜べり量が小さ
いほうがよいことから、この現像時の膜べり量を抑制す
るために溶解阻害剤が使用される。溶解阻害剤として
は、光酸発生剤より発生する酸によりその阻害効果が消
滅し、アルカリ可溶性となり得る化合物が好適に使用さ
れ、具体的には、下記化合物などが例示される。

【００３７】

【化７】

【００３８】なお、溶解阻害剤には、上記化合物のよう
なモノマー系の他にオリゴマー、ポリマーの溶解阻害剤
も使用できるが、これらに限定されるものではない。

【００３９】上記溶解阻害剤の配合量は、パターン形成
材料全体の１〜４０％、特に５〜２５％とすることが好
ましい。

【００４０】また、界面活性剤は、パターン形成材料塗
布時のパターン形成材料膜厚の均質性を向上させるため
に必要に応じて添加するものであり、金属成分を含有し
ない界面活性剤、例えば３Ｍ社製フルオラードＦＣ−４
３０が好適である。界面活性剤の添加量は、全体の０．
０１〜０．１％、特に０．０３〜０．０７％が望まし
い。

【００４１】本発明のパターン形成材料を用いてパター
ンを形成する場合は、ベースポリマー、脱離助剤、酸発
生剤、溶解阻害剤等の各成分を溶媒に溶解してパターン
形成材料溶液を調製し、微細な開口径のフィルターを通
過させることでパターン形成材料液中のパーティクル分
を濾過除去した後、ウェハーに塗布し、露光することが
好ましい。この場合、露光は、公知のリソグラフィー技
術を採用して実施することができるが、本発明材料で
は、特に露光に使用する放射線として２５４〜１９３ｎ
ｍの遠紫外、電子線、Ｘ線を使用して微細パターンニン
グを形成することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明のパターン形成材料は、超ＬＳＩ
等の製造時のパターン形成が安定化してより微細な加工
ができるもので、ＬＳＩ製造時のパターン形成材料とし
て非常に好適である。

【００４３】

【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限
されるものではない。

【００４４】〔合成例１〕狭分散のポリヒドロキシスチレンの合成 ：原料の北興化
学社製ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンモノマーにＣａ
Ｈ₂、ベンゾフェノンナトリウム等の精製剤を添加し、
このモノマー中の水分等の不純物を取り除いて精製し、
蒸留を行った。

【００４５】次に、１リットルのフラスコに溶媒として
テトラヒドロフラン５５０ｍｌ、重合開始剤としてｎ−
ブチルリチウム８．５×１０^-4ｍｏｌを仕込んだ後、こ
の混合液に−７８℃で５０ｍｌのテトラヒドロフランで
希釈した上記ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン２２ｇを
添加し、十分に攪拌しながら１時間重合させたところ、
溶液は赤色を呈した。所望の重合に達したことを確認し
た後、反応溶液にメタノールを添加して重合を終了させ
た。更に、この反応混合物をメタノール中に注ぎ、得ら
れた重合体を沈澱させた後、分離して乾燥させ、１８ｇ
の白色重合体〔ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン）〕を得た。

【００４６】このポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン）１５ｇをアセトン２５０ｍｌに溶解させ、６０℃で
少量の濃塩酸を加えて６時間攪拌後、水に注ぎポリマー
を沈澱させて洗浄、乾燥したところ、６．５ｇのポリ−
ｐ−ヒドロキシスチレンポリマーが得られた。得られた
ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンポリマーのＭｎは１．４
万であった。ＧＰＣ溶出曲線から非常に単分散性の高い
重合体であることが確認され、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．１であった。狭分散ポリヒドロキシスチレンのテトラヒドロピラニル
基による部分エーテル化 次いで、上記リビング重合で得られたポリ−ｐ−ヒドロ
キシスチレン（分子量１．４万、分子量分布１．１）５
ｇ、トリフロロメタンスルホン酸０．０２ｇをＤＭＦ２
５ｍｌに溶解させ、室温で攪拌しながらジヒドロキシピ
ランを１．７５ｇ（ポリヒドロキシスチレンのヒドロキ
シ基に対し約５０ｍｏｌ％）添加し、窒素ガス気流中で
４８時間反応させた。その後、濃アンモニア０．１ｇで
中和後、水１．５リットルに上記反応液を滴下し、白色
の沈澱を得た。この沈澱を濾過した後、アセトン３０ｍ
ｌに溶解させ、水１．５リットルに滴下した。更に、沈
澱を濾過した後、４０℃以下で真空乾燥させ、ポリマー
を得た。

【００４７】得られたポリマーは、¹Ｈ−ＮＭＲスペク
トルにより、ポリヒドロキシスチレンの水酸基が部分テ
トラヒドロピラニル化されていることが確認され、積分
比からテトラヒドロピラニル基の導入率は２４％であっ
た。また、分子量分布は非常に狭分散であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎで１．１０であった。

【００４８】〔合成例２〕通常分散度のポリヒドロキシスチレンのテトラヒドロピ
ラニル基による部分エーテル化 ０．１８ｇの２，２−アゾビスイソブチロニトリルを３
０ｇのｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンモノマーに溶解
した溶液を窒素封入した容器中、７０℃で１８時間ラジ
カル重合反応を継続した。生成したｐ−ｔｅｒｔ−ブト
キシスチレンポリマー２３ｇを合成例１と同様にして脱
離反応、部分テトラヒドロピラニル化反応を実施した。
この重合体の分子量は１．４×１０⁴で分子量分布はＭ
ｗ／Ｍｎで２．２５であった。テトラヒドロピラニル化
率は３０％であった。

【００４９】〔合成例３〕狭分散ポリヒドロキシスチレンのテトラヒドロフラニル
基による部分エーテル化 上記リビング重合で得られたポリ−ｐ−ヒドロキシスチ
レン（分子量１．４万、分子量分布１．１）５ｇ、トリ
フロロメタンスルホン酸０．０２ｇをＤＭＦ２５ｍｌに
溶解させ、室温で攪拌しながら２，３−ジヒドロフラン
を１．１１ｇ（ポリヒドロキシスチレンのヒドロキシ基
に対し約５０ｍｏｌ％）添加し、窒素ガス気流中で４８
時間反応させた。その後、濃アンモニア０．１ｇで中和
後、水１．５リットルに上記反応液を滴下し、白色の沈
澱を得た。この沈澱を濾過した後、アセトン３０ｍｌに
溶解させ、水１．５リットルに滴下した。更に、沈澱を
濾過した後、４０℃以下で真空乾燥させ、ポリマーを得
た。

【００５０】得られたポリマーは、¹Ｈ−ＮＭＲスペク
トルにより、ポリヒドロキシスチレンの水酸基が部分テ
トラヒドロフラニル化されていることが確認され、積分
比からテトラヒドロフラニル基の導入率は２５％であっ
た。また、分子量分布は非常に狭分散であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎで１．１２であった。

【００５１】〔実施例１〕合成例１で得られた部分テト
ラヒドロピラニル化ポリヒドロキシスチレン２ｇ、光酸
発生剤として下記式（５）で示されるオニウム塩０．１
ｇ、下記式（６）で示される溶解阻害剤０．４ｇ、下記
式（７）で示されるアルコール性の水酸基を持った脱離
助剤（融点２００℃）０．１ｇをメトキシプロパノール
（沸点１２０℃）１２ｃｃに溶解してパターン形成材料
溶液とした。

【００５２】

【化８】

【００５３】この溶液をウェハー表面に滴下し、スピン
コーターで成膜した後に１００℃で２分間プリベーク
し、パターン形成材料膜の膜厚を測定したところ、０．
９５μｍであった。

【００５４】更に、このウェハーを２４８ｎｍの波長の
光を光源にもつ開口数０．５のステッパーにより５ｍＪ
／ｃｍ²の露光量でラインアンドスペース像を露光した
後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドで現像したところ、０．２２μｍのラインアンドスペ
ースの限界解像度を得た。

【００５５】〔実施例２〕脱離助剤を０．０５ｇ使用す
る以外は実施例１と同様の処方でパターン形成材料溶液
を調製し、パターンニングを実施した。得られたパター
ンは、０．２３μｍのラインアンドスペースの限界解像
度であった。

【００５６】〔実施例３〕合成例２で得られたポリマー
２ｇを使用する以外は実施例１と同様の処方でパターン
形成材料溶液を調製し、パターンニングを実施した。得
られたパターンは、０．２７μｍのラインアンドスペー
スの限界解像度であった。

【００５７】〔実施例４〕合成例３で得られたポリマー
２ｇを使用する以外は実施例１と同様の処方でパターン
形成材料溶液を調製し、パターンニングを実施した。得
られたパターンは、０．２３μｍのラインアンドスペー
スの限界解像度であった。

【００５８】〔比較例１〜３〕脱離助剤を使用しない以
外は実施例１，３，４と同様の処方でパターン形成材料
溶液を調製し、パターンニングを実施した。得られたパ
ターンは、表１に示すラインアンドスペースの限界解像
度であった。

【００５９】

【表１】

【００６０】〔実施例５〕脱離助剤として３−ヘプタノ
ール（沸点１５６℃）を使用する以外は実施例１と同様
に調合してパターン形成材料溶液を調製し、パターンニ
ングを実施した。得られたパターンは、０．２３μｍの
ラインアンドスペースの限界解像度であった。

【００６１】〔実施例６〕脱離助剤として２−エチル−
１−ブタノール（沸点１４７℃）を使用する以外は実施
例１と同様にして調合し、パターン形成材料溶液を調製
し、パターンニングを実施した。得られたパターンは、
０．２４μｍのラインアンドスペースの限界解像度であ
った。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−232706（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−83058（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−289340（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−43651（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−167811（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−11836（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部
   又は一部をテトラヒドロピラニル基及び／又はテトラヒ
   ドロフラニル基で保護したポリマーをベースポリマーと
   して不活性溶媒に溶解してなる化学増幅型パターン形成
   材料において、脱離助剤としてアルコール性水酸基を持
   つ化合物をパターン形成材料全体の１〜２０重量％配合
   したことを特徴とするパターン形成材料。
2. 【請求項２】 アルコール性水酸基を持つ化合物が、上
   記不活性溶媒の沸点より３０℃以上高い沸点を有するも
   のである請求項１記載のパターン形成材料。
3. 【請求項３】 アルコール性水酸基を持つ化合物が、下
   記の化合物の１種又は２種以上である請求項２記載のパ
   ターン形成材料。 【化９】