JPH07219216A - ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】放射線に曝された時に酸を生じる酸発生剤を含
有する化学増幅形ポジ型感放射線性樹脂組成物に於い
て、更にナフトキノンジアジド化合物を含有するポジ型
感放射線性樹脂組成物を調整し、これを溶媒に溶解して
感光液とする。この感光液をシリコンウェハー若しくは
クロム蒸着板の様な基板上に塗布し、次に７０〜１３０
℃の温度でベークする事により乾燥させた後、可視ある
いは近紫外光を全面照射し、次いで遠紫外線或いは電子
線等の放射線によりパターン露光或いは描画後更に７０
〜１３０℃の温度で加熱し、次いでアルカリ水溶液で現
像処理することにより転写パターンを得る。 【効果】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物及びパタ
ーン形成方法は放射線に対する感度が高く、且つ放射線
照射後加熱処理迄の安定性が高く又この組成物から得ら
れた転写パターンは膨潤が無く解像度に優れ更にドライ
エッチング耐性及び耐熱性に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はポジ型感放射線性樹脂組
成物及びそれを用いるパターン形成法に関するものであ
り、更に詳しくはＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路及び
マスクの製造の際に用いられる遠紫外線、電子線、Ｘ線
等の放射線に対応するポジ型感放射線性樹脂組成物及び
それから得られる転写パターンに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路等の製造に於いて
は、シリコンウェハー等の基板上にレジストを塗布し、
マスクを介して放射線を照射し、更に現像することで微
細パターンを形成、次いでパターン部以外の基板部分を
エッチングする事が行われている。近年、集積回路の高
性能化及び信頼性向上を図るため、素子の高密度化の要
請が高まってきている。現行のレジストとしては、ポジ
型レジストとネガ型レジストが知られている。

【０００３】遠紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線に感応
するネガ型レジストとしてはポリスチレンを幹ポリマー
としたクロルメチル化ポリスチレンあるいはクロル化ポ
リメチルスチレンを含む樹脂組成物が公知である。解像
度を上げるためには一般にアルカリ水溶液による現像処
理が有利であるが、これらの組成物は高感度で且つドラ
イエッチング耐性に優れるものの、有機溶剤による現像
処理を行う為膨潤の影響で転写パターンが歪んだり、膜
の剥離により解像度が劣るという欠点を有している。

【０００４】また、ポジ型レジストとしてはポリメチル
メタクリレートやポリオレフィンスルホンが公知である
が前者は解像度が優れるものの感度が非常に低く、後者
は感度は高いがドライエッチングができないという欠点
を有している。また、米国特許第４３３９５２２号及び
Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ ９２，１３０
（１９５９）に開示されているメルドラム酸やジメドン
等のオキシジアゾ化合物をポジ型レジストとして利用す
る試みもなされている。これらの組成物はアルカリ現像
液で解像度が良くドライエッチング耐性も問題はない
が、熱的負荷に対して不安定でありプリベークの間に昇
華してかなりの量が失われてしまうという欠点がある。

【０００５】ポジレジストに於ける上記問題を解決する
方法として、化学増幅系レジストがＩＢＭの伊藤らによ
り提唱された（ＡＣＳ Ｓｙｍｐ．Ｓｅｒ．，２４２，
１１，１９８４）。化学増幅とは、放射線により酸を発
生する化合物をレジスト中に添加しておき、放射線によ
り発生した酸の触媒反応を利用して重合、解重合、脱離
等の反応を加熱処理により促進させて、レジストの高感
度化を図る方法である。

【０００６】化学増幅レジストとしては、ポリビニルフ
ェノール樹脂のヒドロキシル基を部分的に第三ブトキシ
カルボニル基で置換した化合物と放射線により酸を発生
する化合物（以下、酸発生剤と言う）とからなるポジ型
レジスト及びポリビニル安息香酸第三ブチルエステルと
酸発生剤とからなるポジ型レジスト等が知られている。
（特公平２−２７６６０号）

【０００７】上記レジストは、酸分解性能を付与した樹
脂と酸発生剤との２成分よりなるが、それ以外に酸分解
性能を第三の化合物に持たせるところの樹脂、酸分解性
化合物、酸発生剤よりなる三成分系レジスト（例えば、
特開昭６３−２５０６４２号）や同一分子中にすべての
機能を持たせる一成分系レジスト（例えば、特開平２−
２４０１１４号）等がある。

【０００８】化学増幅系感放射線性樹脂組成物中にナフ
トキノンジアジド化合物を使用するものとしては、特開
平２−２１７８５５や特開平５−１８１２７９等があ
る。前者は化学増幅系ネガレジスト中のナフトキノンジ
アジド化合物を溶解抑制剤として使用しており、そして
後者はポジレジスト中のナフトキノンジアジド化合物を
酸分解性化合物の解裂に関与する酸発生剤及び溶解速度
調整による表面難溶化層抑制剤として用い、その照射源
としてＫｒＦエキシマーレーザー等の遠紫外線を使用し
ている。一方、照射源として電子線を使用する電子線レ
ジスト用としては低感度でありフォトマスク作製や電子
線直描による半導体製造用には実用に適しない。

【０００９】半導体の高集積化が進むにつれ、照射波長
の短波長化やそれに付随する照射波長に於けるレジスト
の光吸収の問題等の課題があったが、化学増幅系レジス
トは上記した触媒反応を利用することによりこれらの問
題を解決したかのように見えた。しかしながら、化学増
幅系レジストは放射線により酸を発生させ、その発生し
た酸と感放射線性基（酸分解性基）との反応を加熱処理
により触媒反応的に増幅させると言うものであるが、こ
の方法に於いては照射後加熱処理迄の間に発生した酸が
時間とともに失活してしまうという問題が生じた。

【００１０】この失活の原因として、空気中のアミン、
酸素、水分、不純物等の影響について報告（Ｊ．Ｐｈｏ
ｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ，４，２９９，
１９９１）：ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１６７２，２４，１９
９２）がなされているがまだ詳細については不明であ
る。照射後加熱処理迄の間に環境の影響を被らない安定
性のあるレジストが要望されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は遠紫外線、電
子線、Ｘ線等の放射線に感応し、照射後加熱処理迄の安
定性に優れた微細加工用ポジレジストを提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者等は前記したよ
うな課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に
至ったものである。すなわち本発明は放射線に曝された
時に酸を生じる酸発生剤を含有する化学増幅系ポジ型感
放射線性樹脂組成物に於いて、その組成物がナフトキノ
ンジアジド化合物を含有することを特徴とするポジ型感
放射線性樹脂組成物及びこの樹脂組成物を基板上に塗
布、加熱処理後可視あるいは近紫外光を全面照射し、次
いで放射光によりパターン露光あるいは描画し、引き続
き加熱処理、現像することを特徴とするパターン形成法
を提供することにある。

【００１３】以下本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物
について詳細に説明する。本発明で用いる化学増幅系ポ
ジ型感放射線性樹脂としては前述のようにその組成によ
り樹脂中に酸発生剤、酸分解性能を付与した一成分系レ
ジストや酸分解性能を付与したアルカリ可溶性樹脂と酸
発生剤とよりなる二成分系レジストやアルカリ可溶性樹
脂と酸発生剤と酸分解性化合物よりなる三成分系レジス
ト等がある。

【００１４】まず、三成分系ポジ型感放射線性樹脂組成
物について説明する。三成分系ポジ型感放射線性樹脂組
成物に使用される樹脂としては、例えばアルカリ水溶液
現像可能なアルカリ可溶性樹脂が用いられるが、具体例
としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラ
ック樹脂、ポリビニールフェノール、ポリビニールフェ
ノールの一部核水添化樹脂、（メタ）アクリル酸メチル
／（メタ）アクリル酸共重合体、スチレン／マレイン酸
共重合体等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。

【００１５】酸分解性化合物としては、第三ブトキシカ
ルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基や第三ブチル基でフェノール
性化合物の水酸基や芳香族化合物のカルボキシル基を保
護したもの、具体的にはビスフェノール−Ａのｔ−ＢＯ
Ｃ化合物やナフタレン−Ｂカルボン酸の第三ブチルエス
テルやシリルエーテルポリマー等が挙げられるが（Ｓｅ
ｍｉｃｏｎ Ｎｅｗｓ １９８９ １２ ｐ．２７）、
これらに限定されるものではない。

【００１６】酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨード
ニウム塩、アルソニウム塩、ジアゾニウム塩等のオニウ
ム塩やスルホン酸エステル化合物等が挙げられるが、こ
れらの化合物の具体例としてはＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２（２）ｐ．２８３〜２８４（１
９８９）に光酸発生剤として記載されているが、これら
に限定されるものではない。

【００１７】ナフトキノンジアジド化合物としてはＯ−
ナフトキノンジアジドスルフォン酸とフェノール化合物
とのエステル化合物が好ましく、エステル化は常法によ
りＯ−ナフトキノンジアジドスルフォン酸クロライドと
フェノール化合物との反応により得ることができる。Ｏ
−ナフトキノンジアジドスルフォン酸クロライドとして
は１−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルフォン酸ク
ロライドや１−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルフ
ォン酸クロライドを単独であるいは混合で使用すること
ができる。

【００１８】上記のフェノール化合物としてはフェノー
ル、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ピロガロー
ル、ポリヒドロキシベンゾフェノン等を使用することが
できる。これらエステル化合物は、単独でまたは混合で
使用することができる。

【００１９】三成分系の各成分の含有割合は、例えば三
成分系レジストの場合全固形分を１００重量部とした
時、アルカリ可溶性樹脂は６０〜９０重量部、好ましく
は６５〜８５重量部、酸分解性化合物は５〜４０重量
部、好ましくは１０〜３０重量部、酸発生剤は０．５〜
１５重量部、好ましくは１．０〜１０重量部、そしてナ
フトキノンジアジド化合物は０．０１〜１５重量部、好
ましくは０．１〜１０重量部である。

【００２０】次に、二成分系ポジ型感放射線性樹脂組成
物について説明する。二成分系ポジ型感放射線性樹脂組
成物に使用される酸分解性能を付与される前の樹脂とし
ては、前述の三成分系レジストに於いて使用されるアル
カリ可溶性樹脂やポリビニール安息香酸樹脂等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００２１】酸分解性を付与する基としては、ｔ−ＢＯ
Ｃ基、第三ブチル基、ピラニル基、シリル基、アルコキ
シ基、エステル基、アセタール基等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。これらの酸分解性を付
与する基を導入する方法としては、常法によりジ第三ブ
チルジカーボネート、トリメチルハロゲン化シラン、ジ
ヒドロピラン、第三ブチルハロゲン化アセテート等をポ
リマーやモノマーのフェノールの水酸基やカルボキシル
基と反応させる。

【００２２】酸発生剤としては、三成分系レジストに於
いて挙げられた酸発生剤等が使用される。二成分系の各
成分の含有割合は全固形分を１００重量部とした時、酸
分解性付与のアルカリ可溶性樹脂は５０〜９９．９重量
部好ましくは８０〜９９重量部である。酸発生剤は０．
１〜５０重量部、好ましくは１〜２０重量部である。そ
してナフトキノンジアジド化合物は０．０１〜１５重量
部、好ましくは０．１〜１０重量部である。

【００２３】次に、一成分系ポジ型感放射線性樹脂組成
物について説明する。一成分系レジスト中に於ける酸発
生成分の量はポリマーに対し１〜５０モル％、好ましく
は２〜３０モル％、酸分解性成分の量はポリマーに対し
５０〜９９モル％好ましくは７０〜８０モル％である。
ナフトキノンジアジド化合物の量はポリマーを１００重
量部とした時０．０１〜１５重量部、好ましくは０．１
〜１０重量部である。なお、一分子中に酸分解性能及び
酸発生能を付与する方法としては、例えば、ｐ−第三ブ
トキシカルボニルオキシスチレンのような酸分解性を有
するモノマーと側鎖にスルホニウム塩を有するモノマー
との共重合がある。

【００２４】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、
通常前記各成分を有機溶媒に溶解して感光液の形で用い
られる。この際用いられる有機溶媒としては、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセ
ロソルブ類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のセ
ロソルブ酢酸エステル類、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノ
アルキルエーテル酢酸エステル類、メトキシプロピオン
酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロ
ピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のプロ
ピオン酸エステル類、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブ
チル等の乳酸エステル類、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエテレングリコールモノエチルエーテ
ル等のジエチレングリコール類、酢酸ブチル、酢酸アミ
ル等の酢酸エステル類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類等が挙げら
れるが、本発明の組成物に対する溶解力が強く、塗布性
及び保存安定性に優れ、また毒性の極めて低いプロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル酢酸エステル類、プ
ロピオン酸エステル類、乳酸エステル類は特に有用であ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して
もよい。

【００２５】本発明のポジ型感放射線樹脂組成物は更に
用途に応じて分光増感剤、可塑剤、光変色剤、染料、密
着向上剤、界面活性剤等を添加することができる。次に
このようにして得られた組成物を用いて微細パターンを
形成する方法について説明する。

【００２６】本発明の組成物の全固形分を前記したよう
な溶媒に、濃度が５〜６０％、好ましくは１０〜４０％
となるように溶解し、必要に応じて前記の添加剤を加え
た後濾過を行い不溶物を取り除き感光液とする。この感
光液をまずシリコンウェハーもしくはクロム蒸着板のよ
うな基板上にスピンナー等で塗布し均一の膜を得、次に
これを７０〜１３０℃、好ましくは８０〜１２０℃の温
度でベークする事により塗膜を乾燥させた後、可視光あ
るいは近紫外光（例えば４３６ｎｍのｇ線や３６５ｎｍ
のｉ線）で全面照射し、次いで遠紫外線、電子線、Ｘ線
等の放射線によりパターン露光あるいは描画し更に７０
〜１３０℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度で加熱し
増幅反応処理を施し、次いで適当な濃度のアルカリ水溶
液で現像処理することにより基板上に微細なパターンを
転写することができる。

【００２７】放射線処理後の加熱処理は化学増幅系ポジ
型感放射線樹脂組成物の感度を増幅するための処理であ
り、必要不可欠のプロセスである。この処理温度が７０
℃未満では実用的な感度が得られず、１３０℃を越える
と転写パターンが細り良好なパターンが得られなくな
る。

【００２８】本発明のポジ型感放射線樹脂組成物に用い
られるアルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド、トリエチルアミン、トリエター
ノールアミン等の有機アルカリ水溶液、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、（メタ）珪酸ナ
トリウム等の無機アルカリ水溶液を用いることができる
が、半導体集積回路製造プロセスに於いては、有機アル
カリ水溶液を使用することが好ましい。例えば次のよう
にして行われる。放射線照射後加熱処理を行った基板を
これらの現像液で１３〜３５℃、好ましくは１５〜３０
℃で０．５分間〜３０分間好ましくは１分間〜１０分間
浸漬あるいはスプレー等の方法で現像することによりレ
ジストパターンを得ることができる。

【００２９】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は
放射線に対する感度が高く、且つ放射線照射後加熱処理
迄の安定性が高くこれから得られる転写パターンは膨潤
が無く解像度に優れ更にドライエッチング耐性に優れて
いる。

【００３０】

【実施例】実施例によって本発明を更に具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。

【００３１】合成例１ 酸分解性化合物 ３，３−ビス（４−第三ブトキシカル
ボニルオキシ−３−メチルフェニル）−フタリドの合成 ３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）
フタリド（慣用名：クレゾールフタレイン）５．４３ｇ
（１５．７ｍｍｏｌ）及びジ−第三ブチル−ジカボネー
ト７．２９ｇ（３３．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）５０ｍｌに溶解させた。次いでこの溶液に
ピリジン３．７５ｇ（４７．５ｍｍｏｌ）を加えた後５
０〜６０℃で５時間反応させた。反応後ＴＨＦを減圧留
去し、少量のメタノールを加え−１０℃の温度で１夜放
置した。析出した結晶を濾取しメタノールで洗浄し目的
物を得た。収量４．８ｇ、融点１２６〜１２９℃

【００３２】合成例２ 酸分解性化合物 トリス（４−第三ブトキシカルボニル
オキシフェニル）メタンの合成 トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン５．０ｇ（１
７．１ｍｍｏｌ）及びジ第三ブチルジカーボネート１
１．５ｇ（５２．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶解
させた。次いでこの溶液にトリエチルアミン５．３ｇ
（５２．４ｍｍｏｌ）を加えた後８時間還流した。反応
液を室温まで冷却し、これを水中に注ぐと白色の結晶が
析出した。これを濾取し水で洗浄後真空乾燥させて目的
物８．６ｇを得た。融点１００〜１０２℃。

【００３３】合成例３ ナフトキノンジアジド化合物 ３００ｍｌフラスコにビスフェノールＡ５．７重量部
（０．０２５モル）、１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルフォン酸クロライド６．７２重量部（０．０２
５モル）、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルフ
ォン酸クロライド６．７２重量部（０．０２５モル）を
ＴＨＦ１４０ｍｌに溶解させた。次いでテトラエチルア
ミン５．０６重量部（０．０５モル）の３０％ＴＨＦ溶
液を室温で滴下した。滴下後、更に３時間撹拌を続け、
反応を完結させた。反応後、多量の純水中に滴下し、析
出した結晶を濾過、水洗後４０℃以下で真空乾燥した。
収量１７．３ｇ、吸収極大波長３７５ｎｍ、３９０ｎｍ
（メタノール中）。

【００３４】実施例１ 重量平均分子量５０００のｍ，ｐ−クレゾ−ルノボラッ
ク樹脂７１．９重量部、合成例１の酸分解性化合物２
３．０重量部、酸発生剤としてトリフェニールスルフォ
ニウムトリフルオロメタンスルフォン酸塩１．４重量部
そして合成例３のナフトキノンジアジド化合物３．６重
量部を濃度が１７．８％となるようにエチルラクテート
に溶解し、得られた溶液を孔径０．１μｍのメンブラン
フィルタを用いて加圧濾過することにより感光液を得
た。次にこの様にして得られた感光液を公知の方法で表
面処理を行ったシリコンウェハ上に４５００ｒｐｍで３
０秒間回転塗布し、表面温度１２０℃のホットプレート
上で９０秒間乾燥することにより膜厚０．５μｍのレジ
スト層を得た。次いでこの様にして得られた塗膜に５０
０Ｗ超高圧水銀灯（ウシオ（株）製）をＵＶＤ−３５／
Ｖ−４２フィルタ（東芝硝子（株）製）を通したｉ線を
５秒間（２５ｍＪ／ｃｍ2 ）全面照射した。次いでこの
レジスト層にエリオニクス（株）製ＥＬＳ−３３００電
子線描画装置を用いて加速電圧２０ＫＶで種々の照射量
で照射した。照射後基板を大気中に取り出し、室内に放
置し一定時間毎に表面温度１００℃のホットプレート上
で３分間加熱後２．３８％のテトラメチルアンモニウム
ハイドロキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液に６０秒間浸漬す
る事により電子線照射部を溶解除去してパターンを得
た。

【００３５】この様にして得られたパターンと電子線照
射後直ちに上記条件で加熱後現像して得られたパターン
を電子顕微鏡で比較観察することにより、電子線照射後
加熱迄の安定性を評価した。照射直後加熱、現像に於い
て３μＣ／ｃｍ2 が最適照射量であり１μｍ、０．５μ
ｍの矩形のラインパターンが得られた。又、照射後１時
間、２時間、４時間、８時間後に加熱処理、現像しパタ
ーンのの変化を電子顕微鏡で観察した。照射後４時間後
まで１μｍ、０．５μｍのラインパターンの変化はなか
ったが８時間後に於いてパターンの表面難溶化層が観察
された。

【００３６】実施例２ 重量平均均分子量５，０００のｍ，ｐ−クレゾールノボ
ラック樹脂７０．６重量部、合成例２の酸分解性化合物
２２．６重量部、酸発生剤としてトリフェニルスルフォ
ニウムトリフルオロメタンスルフォン酸塩１．４重量
部、合成例３のナフトキノンジアジド化合物５．３重量
部を濃度が１８．１％となるようにエチルラクテートに
溶解し、得られた溶液を０．１μｍのメンブランフィル
ターを用いて加圧濾過することにより感光液を得た。次
にこの様にして得た感光液をシリコンウェハー上に４０
００ｒｐｍで３０秒間回転塗布し、表面温度１２０℃の
ホットプレート上で９０秒間乾燥することにより膜厚
０．５μｍのレジスト層を得た。次いでこの様にして得
られた塗膜に実施例１と同様にして得られるｉ線を６秒
間（３０ｍＪ／ｃｍ2 ）全面照射した。次いでこのレジ
スト層にエリオニクス（株）製ＥＬＳ−３３００を用い
て加速電圧２０ＫＶで種々の照射量を照射した。次いで
実施例１と同様に処理して照射直後加熱と照射後一定時
間放置後加熱のものの現像して得られるパターンの比較
観察を行った。４時間放置まで１．０μｍ、０．５μｍ
のラインパターンの変化はみられなかった。

【００３７】比較例１ 実施例１に於いて合成例３のナフトキノンジアジド化合
物を除いた以外は同様に調整し、感光液を得た。その後
の操作も実施例１と同様に処理し、照射後加熱処理迄の
安定性を評価した。照射後直ちに加熱、現像して得られ
たパターンは１．０μｍ、０．５μｍのラインパターン
を解像し、感度は１．６μＣ／ｃｍ2 であったが、膜減
りが見られた。１時間放置後加熱では表面難溶化層の形
成がみられた。

【００３８】比較例２ 実施例１で得られた感光液を使用し、ｉ線全面照射を除
いた以外は実施例１と同様な操作を行った。電子線照射
後直ちに加熱処理を行ったが照射量１０μＣ／ｃｍ2 で
もパターンは得られず、著しい感度の低下がみられた。

【００３９】比較例３ 実施例１の感光液を使用し、ｉ線全面照射も行うが、実
施例１と異なりその全面照射を電子線照射後一定時間毎
にｉ線全面照射を行い、その後直ちに加熱、現像を行
い、得られたパターンの観察比較を行った。電子線照射
後直ちにｉ線全面照射後加熱、現像して得られたパター
ンは照射量３μＣ／ｃｍ2 で、１．０、０．５μｍのラ
インパターンが得られた。しかし、１時間後ｉ線照射に
於いては表面難溶化層が観察され０．５μｍのラインパ
ターンは解像出来なかった。

【００４０】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物及び
パターン形成法は放射線に対する感度が高く、且つ放射
線照射後加熱処理迄の安定性が高く又この組成物から得
られた転写パターンは膨潤が無く解像度に優れ更にドラ
イエッチング耐性及び耐熱性に優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】放射線に曝された時に酸を生じる酸発生剤
   を含有する化学増幅系ポジ型感放射線性樹脂組成物に於
   いて、その組成物がナフトキノンジアジド化合物を含有
   することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物。
2. 【請求項２】ポジ型感放射線性樹脂組成物においてその
   全固形分を１００重量部とする時、アルカリ可溶性樹脂
   が６０〜９０重量部、酸分解性化合物が５〜４０重量
   部、酸発生剤が０．５〜１５重量部そしてナフトキノン
   ジアジド化合物が０．０１〜１５重量部よりなることを
   特徴とする請求項１記載のポジ型感放射線性樹脂組成
   物。
3. 【請求項３】ポジ型感放射線性樹脂組成物における酸発
   生剤が放射線に曝された時に強酸を発生する化合物であ
   り、更にナフトキノンジアジド化合物が少くとも一つの
   １−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホニル基を含
   有することを特徴とする請求項２記載のポジ型感放射線
   性樹脂組成物。
4. 【請求項４】請求項１に記載のポジ型感放射線性樹脂組
   成物を基板上に塗布、加熱処理後可紫あるいは近紫外光
   を全面照射し、次いで放射線によりパターン露光あるい
   は描画し、引き続き加熱処理、現像することを特徴とす
   るパターン形成法。
5. 【請求項５】請求項２に記載のポジ型感放射線性樹脂組
   成物を用いることを特徴とする請求項４記載のパターン
   形成法。
6. 【請求項６】請求項３に記載のポジ型感放射線性樹脂組
   成物を用いることを特徴とする請求項４記載のパターン
   形成法。
7. 【請求項７】請求項１から６に記載のポジ型感放射線樹
   脂組成物のパターン形成用放射線として電子線を用いる
   ことを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれ
   を用いるパターン形成法。