JPH09230597A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目 的】 露光からベークまでの放置による感度変化
やプロファイル形状変化および現像時の膜減りの小さい
良好なパターン形成性と高解像力を有するポジ型フォト
レジスト組成物を提供する事を目的とする。 【構 成】 テルペン骨格を有するベースポリマーと、
光の照射により酸を発生する化合物を含有するフォトレ
ジスト組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、遠紫外線、Ｘ線、電子
線等の短波長の光エネルギー線を用いる、微細パターン
形成のための露光技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パ
ターンルールの微細化が進むなか、光源の波長に由来す
る解像度の限界が問題となっている。従来のｇ線（４３
６ｎｍ）やｉ線（３６５ｎｍ）を用いた光露光では、
０．５μｍのパターンルールが限界とされており、これ
を用いて製作したＬＳＩの集積度は、６４ＭビットＤＲ
ＡＭ相当までとなり、更なる微細化技術が望まれてい
る。最近さかんに研究されている遠紫外線リソグラフィ
ーは、０．３〜０．４μｍの加工も可能であり、光吸収
の小さいレジストを用いた場合、基板に対して垂直に近
い側壁を有したパターン形成が可能である。近年、遠紫
外線の光源として高輝度なＫｒＦエキシマレーザーの利
用が注目されており、これに対応できる高感度なレジス
ト材料が要望されている。

【０００３】これまで、ｇ線、ｉ線に対応するポジ型フ
ォトレジストとして、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
感光物としてナフトキノンジアジド化合物を含有する組
成物が開発、実用化されてきた。即ち、ノボラック樹脂
は膨潤することなくアルカリ水溶液に可溶であり、また
感光物であるナフトキノンジアジド化合物はそれ自身、
ノボラック樹脂の溶解阻止剤として働き、組成物全体と
してはアルカリには不溶である。ここで光照射を受ける
と、ナフトキノンジアジド化合物は分解しアルカリ可溶
物質を生じ、組成物全体としてアルカリ可溶となる。こ
の光に対する特異性を利用したこの組成物は、ポジ型レ
ジストとして解像度０．８〜２μｍ程度までの加工に於
いては、十分成果をあげてきた。

【０００４】しかしＬＳＩの高集積化に伴いパターンル
ールの微細化が求められているなか、高解像度、高感度
を有するフォトレジストが要求されているが、従来のア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂／ナフトキノンジアジド化
合物からなるレジストを、ＫｒＦエキシマレーザー等の
遠紫外光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用い
ると、ノボラック樹脂やナフトキノンジアジド化合物の
遠紫外領域に於ける吸収が強いため、光がレジスト底部
まで到達しにくくなり、低感度で良好なパターンが得ら
れない。そのため近年開発された遠紫外線ポジ型レジス
トは、露光によって酸を発生する酸発生剤と、分子主鎖
中に酸で分解する置換基を有する樹脂を含む化学増幅型
レジストが主流である。

【０００５】この化学増幅型レジストは、遠紫外光など
の光エネルギー線の照射により、露光部に酸を発生さ
せ、この酸を触媒とする反応によって置換基が分子主鎖
から外れ、現像液に可溶となり、この露光部と非露光部
の溶解性の差を利用して、パターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００６】酸で分解する置換基を持つ樹脂として、例
えばポリヒドロキシスチレンのＯＨ基を置換基で保護し
たものが挙げられ、酸によって保護基を外すことによ
り、現像液に可溶となる。このような樹脂と酸発生剤と
の２成分系からなるレジスト材料は、未露光部が現像液
に溶解しないようにするため、多くのＯＨ基を保護する
必要があり、かつ露光部を現像液に溶解させるために多
くの保護基を分解させなければならないので、膜厚の変
化や膜内の応力あるいは気泡の発生を引き起こしやすく
また、樹脂中の酸基により露光後のベークによりレジス
ト膜が収縮するという問題点があった。

【０００７】また、機能をより分化させた３成分系の化
学増幅型レジスト、即ちアルカリ可溶樹脂、溶解阻止
剤、酸発生剤からなる材料系の場合、上記膜厚の変化や
気泡の発生などを少なくすることが可能で、精密な微細
加工にはより有用であると言われているが、アルカリ可
溶性樹脂に対する溶解阻止性が不十分であるため、現像
時の膜減り大きく、レジストプロファイルを著しく劣化
させ鮮明なレジストパターンが得られないという問題点
があった。

【０００８】また、２成分系、３成分系ともに露光から
加熱処理（ベーク）までの放置時間が長くなると、レジ
スト表面の現像性が低下し、いわゆるＴ型トップ形状を
呈し、感度が低下するという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
からベークまでの放置による感度変化やプロファイル形
状変化および現像時の膜減りの小さい良好なパターン形
成性と高解像力を有するポジ型フォトレジスト組成物を
提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決するため鋭意検討した結果、テルペン骨格を有す
るベースポリマーと、光の照射により酸を発生する化合
物を用いることにより、上記目的を達成しうることを見
いだし本発明を完成した。即ち、本発明はポジ型フォト
レジスト組成物において、テルペン骨格を有するベース
ポリマーと、光の照射により酸を発生する化合物を含有
することを特徴とする。

【００１１】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いるテルペン骨格を有するベースポリマーとしてはベー
スポリマー中にテルペン骨格を有する置換基で置換され
たポリマーが挙げられる。

【００１２】テルペン骨格をベースポリマーの置換基成
分として導入する方法としては、例えばテルペン化合物
をモノマー成分と反応させ、テルペン骨格をモノマーに
導入し、これを重合させることにより目的のベースポリ
マーを得る方法がある。また、予めモノマー成分を重合
させポリマーとした後、テルペン化合物を反応させるこ
とにより、テルペン骨格を有する置換基を導入すること
もできるが、前者が一般的である。

【００１３】そのテルペン骨格を有する原料モノマーの
成分としては、例えば末端二重結合を有する化合物が挙
げられる。その末端二重結合を有する化合物としては、
例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビ
ニルエステル、アリルエーテル、ビニルエーテル、ビニ
ルケトン、ビニルアミン、ビニルアミド、ビニルイソシ
アナート、ビニルスルホン、アリルカルビニルエーテル
等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。即
ち、テルペン骨格は、これらのモノマーのエステル基や
エーテル基等の置換基として利用される。

【００１４】これらの末端二重結合を有する化合物の中
で、特にテルペン骨格を有するメタクリル酸エステルが
好ましく用いられる。

【００１５】ここでテルペン骨格とは、テルペン化合物
が有する化学構造をいう。即ち、炭素数５からなるイソ
プレンを基本単位とする多量体で、慣用的には炭素数１
０の化合物をモノテルペン、炭素数１５をセスキテルペ
ン、炭素数２０をジテルペンと称される。例えば下記に
示す構造式のものが挙げられる。

【００１６】

【化１】

【００１７】

【化２】

【００１８】

【化３】

【００１９】これらのテルペン骨格について慣用的には
次のような名称で呼ばれている。即ち、式１をパラメン
タニル骨格、式２をボルナン骨格、式３をピナン骨格と
呼ばれている。

【００２０】本発明に用いられるベースポリマーの置換
基成分であるテルペン骨格、即ちモノマー成分またはポ
リマーと反応させるテルペン化合物としては、例えば炭
素数１０の環状モノテルペン化合物、炭素数１５の環状
セスキテルペン化合物、炭素数２０の環状ジテルペン化
合物等が挙げられる。これらの環状テルペン化合物は、
単環のテルペン化合物であってもよいし、多環のテルペ
ン化合物であってもよい。その具体的な例として例えば
次のものが挙げられるがこれらに限定されるものではな
い。

【００２１】［環状モノテルペン化合物の例］α−ピネ
ン、β−ピネン、ジペンテン、リモネン、フェランドレ
ン、α−テルピネン、γ−テルピネン、テルピノレン、
１，８−シネオール、１，４−シネオール、カンフェ
ン、トリシクレン、ボルニレン、パラメンテン−１、パ
ラメンテン−２、パラメンテン−３、パラメンタジエン
類、カレン、ツジャン等のテルペン炭化水素類、ターピ
ネオール、パラメンタノール、ｎ−ボルネオール、イソ
ボルネオール、フェンチルアルコール、メントール等の
テルペンアルコール類等。

【００２２】［環状セスキテルペン化合物の例］ロンギ
ホレン、カリオフィレン、カジネン、ツヨプセン、セド
レン、クロベン、ロンギピネン等のセスキテルペン炭化
水素類、エレモール、カジノール、ユーデスモール、カ
リオラン−１−オール等のセスキテルペンアルコール類
等。

【００２３】［環状ジテルペン化合物の例］カンフォレ
ン、カウレン、アビエチノール、アビエチン酸等のロジ
ン化合物等。

【００２４】これらのテルペン化合物を置換基成分とし
てモノマー成分またはポリマーに導入する方法として、
モノマー成分またはポリマーとテルペン化合物の官能基
置換反応や付加反応、縮合反応を利用することができ
る。例えば末端二重結合を有するカルボキシル基含有モ
ノマーとテルペン炭化水素類との付加反応、末端二重結
合を有するハロゲン化カルボキシル基含有モノマーとテ
ルペンアルコール類との縮合反応、末端二重結合を有す
るエステル基含有モノマーとテルペンアルコール類との
官能基置換反応が挙げられる。

【００２５】この際、炭素数１０の環状モノテルペン化
合物、炭素数１５のセスキテルペン化合物および炭素数
２０のジテルペン化合物は単独で使用してもよいし、ま
た２種以上組み合わせて使用することもできる。

【００２６】本発明で使用されるテルペン骨格を有する
ベースポリマーの製造法は、上記の方法でテルペン骨格
を導入したモノマー成分を重合させることにより目的と
するベースポリマーを製造することができる。その重合
方法としては、ラジカル重合、イオン重合等が挙げられ
るがラジカル重合が一般的である。ラジカル重合にはラ
ジカル開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル等の有
機過酸化物等を使用して行う。

【００２７】また、テルペン骨格を有するベースポリマ
ーの他の製造法としては、予めポリマーを製造した後
に、上記の方法でテルペン骨格を導入することにより、
目的のベースポリマーを製造することができる。

【００２８】本発明のポジ型フォトレジスト組成物のベ
ースポリマーには、テルペン骨格を有するモノマー成分
とテルペン骨格を有しないモノマー成分との共重合によ
るポリマーを使用することができる。

【００２９】そのテルペン骨格を有しないモノマー成分
として例えば、ヒドロキシスチレンおよびその誘導体、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニルエ
ステル、アリルエーテル、ビニルエーテル、ビニルケト
ン、ビニルアミン、ビニルアミド、ビニルイソシアナー
ト、ビニルスルホン、アリルカルビニルエーテル等の末
端二重結合を有する化合物が挙げられるがこれらに限定
されるものではない。

【００３０】その際、テルペン骨格を有するモノマー成
分の組成比率は全ベースポリマーの重量に対して０．１
重量％以上、好ましくは０．５重量％以上である。０．
１重量％未満だとレジスト性能が劣る。

【００３１】また、本発明の組成物にはアルカリ現像液
に対する溶解性を調節する目的でテルペン骨格を有する
ベースポリマーの外に他のポリマーや樹脂成分を併用す
ることができる。他のポリマーや樹脂成分としては、例
えばノボラック樹脂、水素化ノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレンおよびその誘導体、アセトンピロガロー
ル樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体、カルボキ
シル基含有メタクリル系樹脂およびその誘導体を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。

【００３２】該ノボラック樹脂はフェノール類とアルデ
ヒド類やケトン類を酸性触媒の存在下で付加縮合して作
られる。

【００３３】ポリヒドロキシスチレンの誘導体として
は、ポリヒドロキシスチレンのＯＨ基の一部を部分的に
酸に不安定な置換基、例えばｔ−ブチル基や、ｔ−ブト
キシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基等で置換し
たもの、あるいは水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロ
ゲン化ポリヒドロキシスチレン等が好ましく用いられ
る。

【００３４】本発明で使用されるテルペン骨格を有する
ベースポリマーの重量平均分子量は通常１，０００〜１
００，０００、好ましくは２，０００〜５０，０００で
ある。平均分子量が１，０００未満の場合は、フォトレ
ジストの耐熱性が劣る傾向があり、１００，０００を越
えると解像度が劣り好ましくない。

【００３５】本発明で使用される光エネルギー線の照射
により酸を発生する化合物としては、ジアゾニウム塩、
アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、ス
ルホニウム塩等のオニウム塩、オキシムスルホン酸、
２，６−ジニトロベンジルスルホン酸誘導体、ナフトキ
ノン−４−スルホン酸、２，４−ビストリクロロメチル
−６−アリル−１，３，５−トリアジン誘導体、α，α
´−ビスアリルスルホニルジアゾメタン等を挙げること
ができる。なお、本発明による酸を発生する化合物はこ
れらに限定されるものではなく、光エネルギー線により
酸を発生する物質であれば差し支えない。

【００３６】酸を発生する化合物の配合量は、フォトレ
ジスト組成物の全重量（溶剤は除く）に対して、０．０
１〜４０重量％、好ましくは、０．０５〜２０重量％で
ある。配合量が０．０１％未満では、感度が低くなり、
４０重量％を越えると、レジスト膜の機械的強度を低下
させることがあり好ましくない。

【００３７】この酸を発生する化合物から光エネルギー
線により発生した酸は、レジストのベースポリマーの分
解反応において、触媒として作用する。即ちベースポリ
マー中のテルペン骨格を有する官能基の脱離反応が連鎖
的におこる。こうして分解したベースポリマーはアルカ
リ現像液に対する溶解性が発現しポジ型レジストとして
機能する。

【００３８】本発明のフォトレジスト組成物には、レジ
ストの透明性を向上させ、レジストパターン上端におけ
る庇の発生を防止するためにブリーチング剤を添加する
ことができる。ブリーチング剤としては例えば、２，
２′−ビスアリルスルフォニルジアゾメタンやジフェニ
ルスルホン等が挙げられる。

【００３９】また、本発明のフォトレジスト組成物には
必要に応じて、塗布性を向上させるための界面活性剤、
安定剤、色素、顔料、可塑剤、接着助剤を添加すること
が可能である。

【００４０】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、
アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−
プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ
−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチ
ルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコ
ールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級
アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン、１，８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、１，５−
ジアザビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。さらに上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

【００４１】本発明のポジ型フォトレジスト組成物をシ
リコンウエハ等の基板に塗布する場合は、組成物を溶剤
に溶解し、これをスピンコーター等で塗布すればよい。

【００４２】この際に使用する溶剤としては、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル等のアルコールエーテル類、メチルセ
ロソルブアセタート、エチルセロソルブアセタート等の
セロソルブエステル類、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジエチルエーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸
ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の脂肪酸エステル
類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げ
られる。これらの溶剤は単独でもしくは数種類混合して
も使用することができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】このようにして調製したポジ型フ
ォトレジスト組成物は、例えば次のような処理を行うこ
とにより回路を形成することができる。即ち、０．２μ
ｍのテフロンフィルタでろ過し、ジシラザン処理したシ
リコンウエハ上に膜厚１．０μｍになるように塗布し、
乾燥後、ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて露光する。
次に加熱を行い、アルカリ現像液で現像し、更に乾燥し
てポジ型レジストパターンを形成させる。最後にこのレ
ジストパターンを酸素プラズマ等でエッチングすること
によって回路を形成することができる。以下に実施例に
よって本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実
施例になんら限定されるものではない。

【００４４】〔ベースポリマーの製造例〕 １）ベースポリマーＡ ４４．８ｇ（０．２ｍｏｌ）の１−パラメンチルメタク
リレートおよび３００ｍｌのトルエンを反応容器に入
れ、３．６ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間攪拌し重
合反応を行った。こうして得られた反応液に少量のハイ
ドロキノンと６０ｍｌのエタノールを含む３．０ｌのヘ
キサンを加え、沈殿を生じさせる。白色の沈殿をろ過
し、エタノール／ヘキサン（２／８）混合溶液で洗浄し
た後、減圧乾燥させて白色粉末状のポリマーを２５．６
ｇ得た。得られたポリマーのゲルパーミエイションクロ
マトグラフィーによる重量平均分子量は７，２００であ
った。

【００４５】２）ベースポリマーＢ ２２．４ｇ（０．１ｍｏｌ）の１−パラメンチルメタク
リレート、１４．２ｇ（０．１ｍｏｌ）のｔｅｒｔ−ブ
チルメタクリレートおよび２５０ｍｌのトルエンを反応
容器に入れ、２．９ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロ
ニトリルを加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間
攪拌し重合反応を行った。得られた反応液は、１）と同
様に処理して白色粉末状のポリマーを２２．８ｇ得た。
得られたポリマーのゲルパーミエイションクロマトグラ
フィーによる重量平均分子量は７，８００であった。

【００４６】３）ベースポリマーＣ １１．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）の１−パラメンチルメタ
クリレート、２８．４ｇ（０．２ｍｏｌ）のｔｅｒｔー
ブチルメタクリレートおよび３００ｍｌのトルエンを反
応器に入れ、３．１ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロ
ニトリルを加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間
攪拌し重合反応を行った。得られた反応液は、１）と同
様に処理して白色粉末状のポリマーを２５．１ｇ得た。
得られたポリマーのゲルパーミエイションクロマトグラ
フィーによる重量平均分子量は８，３００であった。

【００４７】４）ベースポリマーＤ ２２．２ｇ（０．１ｍｏｌ）のイソボルニルメタクリレ
ート、１４．２ｇ（０．１ｍｏｌ）のｔｅｒｔ−ブチル
メタクリレートおよび２５０ｍｌのトルエンを反応器に
入れ、２．９ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロニトリ
ルを加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間攪拌し
重合反応を行った。得られた反応液は、１）と同様に処
理して白色粉末状のポリマーを２０．３ｇ得た。得られ
たポリマーのゲルパーミエイションクロマトグラフィー
による重量平均分子量は７，８００であった。

【００４８】５）ベースポリマーＥ １４．５（０．０５ｍｏｌ）のカリオラン−１−メタク
リレート、２８．４ｇ（０．２ｍｏｌ）のｔｅｒｔーブ
チルメタクリレートおよび３００ｍｌのトルエンを反応
器に入れ、３．４ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロニ
トリルを加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間攪
拌し重合反応を行った。得られた反応液は、１）と同様
に処理して白色粉末状のポリマーを２３．６ｇ得た。得
られたポリマーのゲルパーミエイションクロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量は７，０００であった。

【００４９】６）ベースポリマーＦ ２２．４ｇ（０．１ｍｏｌ）の１−パラメンチルメタク
リレート、１０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）のメチルメタク
リレートおよび２５０ｍｌのトルエンを反応容器に入
れ、２．６ｇの２，２′ーアゾビスイソブチロニトリル
を加え、窒素ガス雰囲気下、７０℃で１０時間攪拌し重
合反応を行った。得られた反応液は、１）と同様に処理
して白色粉末状のポリマーを２０．１ｇ得た。得られた
ポリマーのゲルパーミエイションクロマトグラフィーに
よる重量平均分子量は８，２００であった。

【００５０】実施例１〜９ 上記製造例に示したベースポリマーを用い、表１に示す
組成比でポジ型フォトレジストを調製した。

【００５１】比較例１〜３ 表１に示したベースポリマーを用い、２成分系のポジ型
フォトレジスト（比較例１および２）と酸分解性溶解阻
止剤として、２，２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシフェニル）プロパン（ＢＡＢＯＣ）を用いた３
成分系ポジ型フォトレジスト（比較例３）を表１の組成
比で調製した。

【００５２】

【表１】

【００５３】

【化４】

【００５４】これらのポジ型フォトレジスト組成物を
０．２μｍのテフロンフィルタでろ過し、ヘキサメチル
ジシラザン処理したシリコンウエハ上に、スピンコータ
ーで乾燥膜厚１．０μｍになるように塗布し、１００℃
のホットプレート上で１２０秒間ベークした。これに２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーステッパー（ＮＡ＝
０．４２）を用いて露光した。露光後、直ちに９０℃で
６０秒ベークを施し、２．３８重量％水酸化テトラメチ
ルアンモニウム水溶液を用いて現像し、さらに水洗して
乾燥させレジストパターンを得た。また、露光後１時間
放置した後同様に処理したものを感度比測定用とした。

【００５５】このようにして得られたレジストパターン
を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しレジストのプ
ロファイルの評価および解像度を求めた。また、感度は
１．０μｍのパターンを解像するに必要な露光時間の逆
数で定義し、比較例１の感度に対する相対値で示した。
また、露光後１時間放置したサンプルと、露光後直ちに
処理したサンプルの感度比（露光後１時間放置／直ちに
処理）を求めた。現像による膜減りは、未露光部の現像
前後の膜圧の比で表した。結果を表２に示す。

【００５６】

【表２】

【００５７】

【効果】本発明により得られたポジ型フォトレジスト組
成物は、露光からベークまでの放置による感度変化やプ
ロファイル形状変化および現像時の膜減りの小さい良好
なパターン形成性と高解像力を有し、微細パターン形成
に好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峰山 忍 広島県府中市高木町1080番地 ヤスハラケ ミカル株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テルペン骨格を有するベースポリマー
   と、光エネルギー線の照射により酸を発生する化合物を
   含有するポジ型フォトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 テルペン骨格が炭素数１０の環状モノテ
   ルペン化合物、炭素数１５のセスキテルペン化合物、お
   よび炭素数２０のジテルペン化合物の単独または２種以
   上からなる請求項１記載のポジ型フォトレジスト組成
   物。
3. 【請求項３】 ベースポリマーが末端二重結合を有する
   化合物を原料モノマーとする請求項１記載のポジ型フォ
   トレジスト組成物。