JPH08250416A - 陰画調レジスト像の作製方法 - Google Patents

陰画調レジスト像の作製方法

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JPH08250416A
JPH08250416A JP8022341A JP2234196A JPH08250416A JP H08250416 A JPH08250416 A JP H08250416A JP 8022341 A JP8022341 A JP 8022341A JP 2234196 A JP2234196 A JP 2234196A JP H08250416 A JPH08250416 A JP H08250416A
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    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography

Abstract

(57)【要約】 【課題】 深紫外線光を使用して、陰画調レジスト像を
作製する方法を提供する。 【解決手段】 この方法は、（１）基板を、（ｉ）ポリ
マーと（ｉｉ）感光性酸生成剤と、（ｉｉｉ）酸に不安
定な基とを含む、臨界流体に可溶なポリマー組成物のフ
ィルムで被覆するステップと、（２）フィルムを放射線
でイメージに従って露光して、フィルムの露光部分を不
溶化するステップと、（３）イメージを臨界流体で現像
するステップとを含む。使用済みの臨界流体は、その温
度と圧力を常温常圧にすると、溶け込んでいたポリマー
組成物の溶解度が下がり、沈澱させることができるの
で、再生して使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロエレクト
ロニクスの製造に使用するための、改良型リソグラフィ
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ法は半導体デバイスの製造
に使用するために当業界でよく知られている。リソグラ
フィは、一般に、所望のパターン、例えば回路パターン
を、レジスト層を介してその下にあるシリコン基板に転
写するものである。この方法の第１ステップは一般に基
板層の上にレジスト層を形成するものである。次に、レ
ジスト層をパターン付きの放射線で露光して、レジスト
層中に溶解度の差を生じさせる。次に、レジスト層を、
一般には現像液で現像して、レジスト層中に陽画調また
は陰画調パターンを形成する。陰画調の像は、例えばマ
イクロプロセッサ用のある種のリソグラフィ・パターン
用に非常に重要である。次に、パターンを、転写技法、
例えばエッチングまたはイオン注入により下のシリコン
基板に転写する。しかし、現像液の廃液には産業上の環
境問題の懸念がある。レジスト層を乾式現像する方法が
開発されている。しかし、技術的な面を考慮し、これら
の方法は産業界で広く受け入れられていない。
【０００３】産業界では、リソグラフィ技法で製造する
マイクロエレクトロニクス・デバイスの回路密度を高め
ることも望まれている。チップ１枚当りのコンポーネン
ト数を増やす１つの方法は、チップ上の最小フィーチャ
・サイズを縮小することであり、それにはリソグラフィ
の解像度を高めることが必要である。当業界ではフィー
チャ・サイズを０．２０ミクロン未満まで縮小すること
を目指している。現在使用されている中紫外線スペクト
ル域（例えば、３００−４５０ｎｍ）より波長の短い放
射線（例えば、深紫外線、例えば１９３ｎｍ）を使用す
ると、このようなより高い解像度が得られる可能性があ
る。しかし、深紫外線を使用すると、同じエネルギー量
で移動する光子数が少なくなり、同じ所望の光化学的反
応を得るためにはより多くの露光量が必要となる。さら
に、当業界で公知のほとんど全てのフォトレジストは深
紫外線中で強い吸収を示すため、レジスト材料として不
適である。この問題は電子ビーム・リソグラフィを使用
することによって避けられる場合もある。電子ビーム・
リソグラフィは、紫外線スペクトルで不透明なレジスト
材料の使用が可能である。しかし、電子ビーム・リソグ
ラフィには像の歪みを伴う散乱の問題があり、これはま
だ解決されていない。
【０００４】ニシカワ（米国特許第４９４４８３７号明
細書）は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）レジ
ストの電子ビームによるリソグラフィ結像、および超臨
界流体を使用して電子ビームで分解されたレジスト材料
を除去することによる陽画調の像の現像を開示してい
る。ニシカワはレジスト液現像に伴う環境問題に取り組
んでいるが、解像度および像の歪みについてはまだ解決
していない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、環境問題を起こすことなく、改良された解像度およ
び像を提供する、深紫外線光を使用する陰画調の像を得
るための、改良されたリソグラフィ法を提供することで
ある。
【０００６】他の目的および利点は以下の開示から明ら
かになろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）基板
を、臨界流体に可溶なポリマー組成物のフィルムで被覆
するステップと、（２）フィルムを像に従って放射線で
露光して、フィルムの露光部分を不溶化するステップ
と、（３）像を臨界流体で現像するステップとを含む、
陰画調レジスト像の作製方法に関する。
【０００８】好適な実施形態では、ポリマー組成物は、
（ｉ）ポリマーと、（ｉｉ）感光性酸生成剤と、（ｉｉ
ｉ）酸に不安定な基とを含む。酸に不安定な基は、ポリ
マー鎖からぶら下がっていてもよく、ポリマー内に分散
された分子上にあってもよい。酸に露出すると、酸に不
安定な基の極性が変化して、溶解度の差が生じる。
【０００９】本発明を下記の詳細な説明でさらに完全に
開示する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、基板上に陰画調レジス
ト像を作製する改良された方法に関する。本発明の方法
の第１ステップは、ポリマーと、感光性の酸生成剤と、
酸に不安定な基とを含むポリマー・フィルムを基板上に
被覆するものである。
【００１１】ポリマー・フィルムの第一成分は、臨界流
体に可溶なポリマーである。本明細書では、臨界流体に
可溶とは、１時間未満、好ましくは１５分未満、より好
ましくは５分未満で、基板から１ミクロンのフィルムが
除去（溶解）されることを意味する。好適なポリマーに
は、ハロゲン（フッ素）化ポリマーおよびアルキルシロ
キシ置換基を有するポリマーが含まれる。ハロゲン化ポ
リマーはフッ素化ポリマー（例えば、ホモポリマーまた
はコポリマー）であることが好ましい。本発明方法に使
用するのに適したハロゲン化ポリマーには、フッ素化ポ
リアルキルメタクリレート（例えば、ポリメチルメタク
リレート）、フッ素化ポリアルキルアクリレート（アル
キルはＣ1−Ｃ6）、およびフッ素化スチレンがある。ア
ルキルシロキシ置換基を有する好適なポリマーにはポリ
ジメチルシロキシアルキルメタクリレートが含まれる。
他の好適なポリマーは当業者に公知であろう。ポリマー
の数平均分子量は一般に約５，０００〜約５０，０００
であり、深紫外線中で比較的透明であることが好まし
い。
【００１２】本発明の一実施形態では、ポリマーはポリ
マー鎖からぶら下がった酸に不安定な基を有している。
このポリマーは臨界流体に可溶である。一実施形態で
は、像に従って放射線で露光すると、光により生成され
た酸が酸に不安定な基を不溶性の極性官能基に変換し、
そのため臨界流体でフィルムを陰画イメージ現像するこ
とが可能となる。別の実施形態では、光により生成され
た酸が、酸に不安定で（臨界流体に）溶解する基を切断
する。次に、切断された基を（例えば熱によって）ポリ
マー・フィルムから除去すると、フィルムの露光部分が
不溶性になる。
【００１３】ポリマー鎖からぶら下がっている酸に不安
定な好ましい基は、酸で切断される基、例えば酸で切断
されるエステル基である。光によって生成された酸に露
出されると、ポリマー鎖からぶら下がっている側鎖の、
酸で切断される基が切断され、ポリマー鎖上に現像用の
臨界流体に不溶な極性の繰り返し単位が形成される。
【００１４】本発明の方法に使用するための好ましいポ
リマーは２種以上のモノマーの反応によって形成された
コポリマーである。
【００１５】第１のモノマーはアクリル酸アルキルエス
テル、メタクリル酸アルキルエステルおよびその混合物
から選択される。これらのモノマーの種々のアルキルエ
ステルを使用して、コポリマーを合成することができ
る。エステル置換基はハロゲン化、好ましくはフッ素化
されていることが好ましい。好適なエステル置換基に
は、フッ素化直鎖アルキル置換基およびフッ素化脂環式
置換基、例えばペンタフルオロエチルおよびペンタフル
オロプロピルがある。別の実施形態では、エステル置換
基は次式で表されるアルキルシロキシ置換基である。
【化１】 Ｒ3ＳｉＯ−（−Ｒ2ＳｉＯ−）n−（ＣＨ2）x 上式で、Ｒはヒドリドまたは低級Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ｎ
は１〜１０、ｘは１〜５である。第２のモノマーは、ア
クリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエス
テルおよびその混合物から選択され、このエステル基は
酸に不安定であり、コポリマー鎖にぶら下がっている、
酸に感受性のあるエステル基を提供する。好ましい酸に
不安定なペンダント基は、酸の存在下で切断反応を受け
る有機エステル基である。好ましいエステル基は、第三
アルキルエステルであり、例えばカルボン酸のｔ−ブチ
ルエステルおよびα−メチルベンジルエステルである。
任意選択により、切断可能なエステル基をフッ素化し
て、臨界流体に可溶性にしてもよい。他の好適な酸に不
安定な基には、フェノールのｔ−ブチルカーボネート、
フェノールのテトラヒドロピラニルまたはフラニルエー
テル、トリメチルシリルまたはｔ−ブチル（ジメチル）
シリルエーテル、およびｔ−ブトキシカルボニルメチル
エーテルが含まれる。しかし、本発明の方法では、広範
囲の酸に不安定な基、例えばイトウらの米国特許第４４
９１６２８号明細書に開示の基が使用できる。この明細
書の開示を参照により本明細書に組み込む。ブランスボ
ルトらの米国特許第４９３１３７９号および第４９３９
０７０号明細書は、好適な、熱安定性で酸に不安定な基
およびそれに関連するポリマー・レジストを開示してお
り、ブランスボルトの開示も参照により本明細書に組み
込む。
【００１６】本発明の実施に有用な好適なモノマーに
は、アクリル酸およびメタクリル酸のｔ−ブチルエステ
ルが含まれる。酸に不安定なエステル基を有するモノマ
ーは、放射線感受性の酸生成剤と組み合わされて、組成
物の放射線感受性に寄与する。コポリマーは、レジスト
に望ましい他の特性、例えばエッチ耐性、接着性、ガラ
ス転移性等を付与するために、当業界で公知の他のモノ
マーも含んでよい。
【００１７】本発明のコポリマーは、一般に、第１モノ
マー成分を約４０〜８０モル％（好ましくは、約７０モ
ル％）および第２モノマー成分を約２０〜６０モル％
（好ましくは、約３０モル％）含む。このコポリマーは
当業者に公知の標準遊離基溶液重合法で合成できる。
【００１８】別の実施形態では、酸に不安定な基を、ポ
リマーと混合した分子に結合させることができる。酸に
不安定な基を有する好適な分子には、ビスフェノールＡ
のｔ−ブチルカ−ボネートおよびアンドロスタン−１７
−アルキルカルボキシラート（コール酸のエステル）、
好ましくはモノ−、ジ−、またはトリ−保護ヒドロキシ
アンドロスタン−１７−アルキルカルボキシラートが含
まれる。保護ヒドロキシとは、ヒドリドを非光活性置換
基、例えば低級（Ｃ1-4）アルキルカルボニル、例えば
メチルカルボニル、または低級（Ｃ1-4）ハロアルキル
カルボニル、例えばトリハロ（フルオロ）メチルカルボ
ニルで置換したヒドロキシ置換基である。好適な非光活
性保護ヒドロキシ置換基は、アセチルおよび、好ましく
は、トリフルオロアセチルである。アンドロスタンは、
好ましくは、３、７および１２位、さらに好ましくは３
位に１〜３個の保護ヒドロキシ置換基を有する。特に好
ましい成分は、ｔ−アルキル−（３−アルキルまたはハ
ロアルキルカルボニル）リトコラート、例えばｔ−ブチ
ル−３−アセチルリトコラートおよびｔ−ブチル−３−
トリフルオロアセチルリトコラートである。
【００１９】フィルム組成物の第三成分は感光性の酸生
成剤である。放射線で露光すると、放射線感受性の酸生
成剤が酸を生成する。好適な酸生成剤には、トリフレー
ト（例えば、トリフェニルスルホニウムトリフレートま
たはビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフ
レート）、ピロガロール（例えば、ピロガロールのトリ
メシラート）、オニウム塩、例えばトリアリールスルホ
ニウムおよびジアリールヨードニウムのヘキサフルオロ
アンチモン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、トリフルオロ
メタンスルホン酸塩、ペルフルオロアルキルスルホニウ
ムヨードニウム塩等、ヒドロキシイミドのトリフルオロ
メタンスルホン酸エステル、α−α'−ビス−スルホニ
ルジアゾメタン、ニトロ置換ベンジルアルコールおよび
ナフトキノン−４−ジアジドのスルホン酸エステルおよ
びアルキルジスルホンが含まれる。他の好適な光酸生成
剤は、上記のアレンの特許明細書およびライヒマニスら
のＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、第
３巻、３９５ページ、１９９１年に開示されており、こ
れらの開示を参照により本明細書に組み込む。
【００２０】３成分組成物は好ましくは、酸生成剤約１
〜３重量％、置換アンドロスタン約１０〜３０重量％、
コポリマー約６０〜９０重量％を含み、より好ましく
は、酸生成剤約２重量％、置換アンドロスタン約２０重
量％、および残部のコポリマーを含む。
【００２１】この方法の第１ステップは、好適な溶媒に
溶解したポリマーと、感光性酸生成剤と、酸に不安定な
基とを含むフィルムで基板を被覆するものである。レジ
ストフィルムは単層でも二層でもよい。好適な基板はシ
リコン、セラミック、ポリマー等からなるものである。
好適な有機キャスティング溶媒には、メチルセロソルブ
アセテート、シクロヘキサノン、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等が含ま
れる。驚くべきことに、フッ素化した保護ヒドロキシ置
換基を有するアンドロスタンを含む本発明の組成物は、
当業界の標準溶媒であるＰＧＭＥＡに対する溶解度が高
い。任意選択により、フィルムは添加剤、例えばポリマ
ーのＴｇを低下させる可塑剤、およびフィルムの解離定
数、エッチング耐性、光学濃度、放射線感受性、接着等
を調整するためのポリマーや低分子も含むことができ
る。フィルムは、当業界で公知の手法、例えばスピン・
コーティング、スプレイ・コーティング、ドクター・ブ
レーディング、または電着を使用して基板に被覆するこ
とができる。
【００２２】フィルムを、放射線に露光する前に、約９
０〜１５０℃の高温に約１分間の短時間加熱することが
好ましい。乾燥させたフィルムの厚さは約０．５〜５．
０ミクロン、好ましくは約０．６〜１．２ミクロンであ
る。
【００２３】この方法の第２ステップでは、フィルムを
放射線、好適には電磁放射線、好ましくは深紫外線やＸ
線などの電磁放射線、より好ましくは、好適には約１９
０〜約２６０ｎｍ（２４８／２５４ｎｍ）、好ましくは
１９３ｎｍの波長の深紫外線で像に従って露光する。好
適な放射線源には水銀、水銀／キセノン、キセノンラン
プおよびＸ線が含まれる。好ましい放射線源はＡｒＦエ
キシマ・レーザまたはＫｒＦエキシマ・レーザである。
フィルムの放射線感受性が高いため、フィルム（厚さ
０．７５ミクロン）は約１０〜５０ｍＪ／ｃｍ2未満、
好ましくは約２０〜４０ｍＪ／ｃｍ2未満、より好まし
くは約３０ｍＪ／ｃｍ2未満の放射線で十分露光される
ので好都合である。放射線は放射線感受性酸生成剤に吸
収されて、遊離酸を生成し、これにより酸に不安定な基
が不溶性の極性官能基に変換される。
【００２４】フィルムは、放射線で露光後、好ましくは
約８０℃〜約１５０℃の高温に約０．５〜５分間、より
好ましくは約１２０℃に１分間加熱することが好まし
い。高温により、酸に不安定なペンダント基の酸触媒に
よる切断が促進される。
【００２５】本発明の方法の最後のステップは、フィル
ムの像を臨界流体で現像するものである。本明細書で
は、臨界流体とは、臨界温度Ｔc付近またはそれ以上の
温度に加熱され、臨界圧力Ｐc付近またはそれ以上の圧
力に圧縮された、相分離なしに混和される１種または複
数の物質である。本明細書では、臨界温度Ｔc付近また
はそれ以上の温度とは、Ｔcより約１５℃低い温度より
高い温度である。本明細書では、臨界圧力Ｐc付近また
はそれ以上の圧力とは、Ｐcより約１０気圧低い圧力よ
り高い圧力である。臨界流体はＴc以上かつＰc以上であ
ることが好ましい。１種の物質からなる臨界流体では、
このような物質の液相と気相が混和している。２種以上
の物質からなる臨界流体では、このような物質の２つの
液相と２つの気相が混和している。本発明の方法に使用
するのに適した物質には、二酸化炭素、アンモニア、ジ
フルオロジクロロメタン、メタン、エタンおよびプロパ
ンが含まれる。他の好適な物質は当業者には公知であろ
う。
【００２６】フィルムを現像するには、フィルムを加圧
容器に入れ、臨界流体を容器に通してフィルム上に通
す。臨界流体はフィルムの可溶性の非露光部分を選択的
に溶解し、陰画調の像を提供する。この方法では、レジ
ストを有機現像液で汚染することなく、フィルムが現像
できる。
【００２７】次に、減圧バルブを通して容器から流出さ
せて、流体の圧力と温度を（例えば、周囲圧力および温
度に）低下させ、それによって溶解度を低下させ、流体
から溶解したフィルム物質を沈澱させることにより臨界
流体を再生する。次に、液体／気体の形の使用済み臨界
流体を、再加熱し、圧縮することにより再生する。
【００２８】本発明は、本発明の方法で製造した、回路
チップ、回路ボードなどの集積回路、または本発明の方
法のステップで製造した基板上に形成した回路を備える
半導体デバイスにも係る。
【００２９】本発明の現像プロセスで基板を露光した
後、当業界で公知の手法、例えば、蒸着、スパッタリン
グ、化学気相付着、またはレーザ誘導付着により、導電
性金属などの導電材料で基板を被覆することにより、基
板の露光部分上に回路を形成することができる。回路製
造プロセス中に、同様の手段で、誘電材料も付着させる
ことができる。ｐまたはｎドープした回路トランジスタ
の製造プロセスで、ホウ素、リン、またはヒ素などの無
機イオンを基板に注入することができる。他の回路形成
手段は当業者に公知であろう。
【００３０】以下の実施例は本発明方法を詳細に説明す
るものである。詳細な製法は本発明の範囲に含まれ、上
記に一般的に述べた方法を例示するためのものである。
この実施例は説明のために示したものにすぎず、本発明
の範囲を限定するものではない。
【００３１】
【実施例】メタクリル酸ペンタフルオロプロピルエステ
ルとメタクリル酸ｔ−ブチルエステルの７５／２５（モ
ル％）コポリマーを、溶媒であるプロピレングリコール
メチルエーテルアセテートを加えて、２０重量％のポリ
マー溶液とし、光酸生成剤であるビス−（ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフレートを（ポリマーに対し
て）１重量％加えることにより、レジストとした。この
溶液をシリコン・ウェハ上にスピン・コートし、１４０
℃で１分間焼成すると、０．７５ミクロンのフィルムが
得られた。このレジスト組成物は１９３ｎｍ（Ａ＝０．
０８）および２４８ｎｍ（Ａ≦０．１）で非常に透明で
あり、従って、両方の波長で（このフィルムの厚み全体
にわたって）完全に露光できる。フィルムを２０ｍＪ／
ｃｍ2の露光量で、マスクを通して、２５０ｎｍで露光
した。次に、フィルムを約１４０℃で１分間、露光後焼
成した。露光したウェハを、４０００ｐｓｉの圧力、８
０℃の臨界ＣＯ2で現像した。ウェハを現像臨界流体に
１０分間接触させた。フィルムの非露光部分は完全に溶
解し、露光部分は不溶性であり、従って、陰画調の像が
形成された。
【００３２】本発明を特定の実施形態に関して述べてき
たが、その詳細は本発明を限定するものではない。本発
明の精神および範囲を逸脱することなく、種々の実施形
態、変更および修正例が可能であることは明らかであ
り、このような均等な実施形態は本発明の範囲に含まれ
るものと理解されたい。
【００３３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００３４】（１）（ａ）（ｉ）ポリマーと、（ｉｉ）
感光性酸生成剤と、（ｉｉｉ）酸に不安定な基とを含む
ポリマー・フィルムで基板を被覆するステップと、 （ｂ）前記フィルムを放射線で像に従って露光し、前記
フィルム中に遊離酸を生成させるステップと、 （ｃ）臨界流体で前記像を現像するステップとを含む、
陰画調レジスト像を作製する方法。 （２）前記ポリマーが、ハロゲン化ポリマーまたはアル
キルシロキシ置換基を有するポリマーであることを特徴
とする、上記（１）に記載の方法。 （３）前記酸に不安定な基が前記ポリマーからぶら下が
っていることを特徴とする、上記（２）に記載の方法。 （４）前記ポリマーがフッ素化ポリマーであることを特
徴とする、上記（２）に記載の方法。 （５）前記フィルムを１９０〜２６０ｎｍの紫外線で露
光することを特徴とする、上記（４）に記載の方法。 （６）前記酸に不安定な基が、酸で切断されるエステル
基であることを特徴とする、上記（５）に記載の方法。 （７）前記ポリマーが、フッ素化ポリアルキルメタクリ
レートまたはフッ素化ポリアルキルアクリレートから選
択されることを特徴とする、上記（６）に記載の方法。 （８）前記フィルムを約１９３ｎｍの放射線で露光する
ことを特徴とする、上記（７）に記載の方法。 （９）前記像を臨界ＣＯ2で現像することを特徴とす
る、上記（２）に記載の方法。 （１０）前記酸に不安定な基が保護ヒドロキシアンドロ
スタン−１７−アルキルカルボキシレートであることを
特徴とする、上記（２）に記載の方法。 （１１）前記ポリマーがポリアルキルシロキシアルキル
メタクリレートまたはポリアルキルシロキシアルキルア
クリレートであることを特徴とする、上記（２）に記載
の方法。 （１２）前記ポリマーがフッ素化スチレンであることを
特徴とする、上記（４）に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・マイケル・ウォールラフ アメリカ合衆国95037 カリフォルニア州 モーガン・ヒル デル・モンテ・アベニュ ー 16925

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）（ｉ）ポリマーと、（ｉｉ）感光性
    酸生成剤と、（ｉｉｉ）酸に不安定な基とを含むポリマ
    ー・フィルムで基板を被覆するステップと、 （ｂ）前記フィルムを放射線で像に従って露光し、前記
    フィルム中に遊離酸を生成させるステップと、 （ｃ）臨界流体で前記像を現像するステップとを含む、
    陰画調レジスト像を作製する方法。
  2. 【請求項２】前記ポリマーが、ハロゲン化ポリマーまた
    はアルキルシロキシ置換基を有するポリマーであること
    を特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】前記酸に不安定な基が前記ポリマーからぶ
    ら下がっていることを特徴とする、請求項２に記載の方
    法。
  4. 【請求項４】前記ポリマーがフッ素化ポリマーであるこ
    とを特徴とする、請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】前記フィルムを１９０〜２６０ｎｍの紫外
    線で露光することを特徴とする、請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】前記酸に不安定な基が、酸で切断されるエ
    ステル基であることを特徴とする、請求項５に記載の方
    法。
  7. 【請求項７】前記ポリマーが、フッ素化ポリアルキルメ
    タクリレートまたはフッ素化ポリアルキルアクリレート
    から選択されることを特徴とする、請求項６に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】前記像を臨界ＣＯ2で現像することを特徴
    とする、請求項２に記載の方法。
  9. 【請求項９】前記酸に不安定な基が保護ヒドロキシアン
    ドロスタン−１７−アルキルカルボキシレートであるこ
    とを特徴とする、請求項２に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記ポリマーがポリアルキルシロキシア
    ルキルメタクリレートまたはポリアルキルシロキシアル
    キルアクリレートであることを特徴とする、請求項２に
    記載の方法。
  11. 【請求項１１】前記ポリマーがフッ素化スチレンである
    ことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
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