CN104387524A - 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶 - Google Patents

含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶 Download PDF

Info

Publication number
CN104387524A
CN104387524A CN201410684891.7A CN201410684891A CN104387524A CN 104387524 A CN104387524 A CN 104387524A CN 201410684891 A CN201410684891 A CN 201410684891A CN 104387524 A CN104387524 A CN 104387524A
Authority
CN
China
Prior art keywords
forming resin
film
sesquiterpene lactones
carbonatoms
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410684891.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104387524B (zh
Inventor
冉瑞成
沈吉
庄学军
潘新刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KUNSHAN SD PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
KUNSHAN SD PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KUNSHAN SD PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd filed Critical KUNSHAN SD PHOTOELECTRIC MATERIAL Co Ltd
Priority to CN201410684891.7A priority Critical patent/CN104387524B/zh
Publication of CN104387524A publication Critical patent/CN104387524A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104387524B publication Critical patent/CN104387524B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本发明公开一种含倍半萜内酯的成膜树脂及其负性248nm光刻胶,其共聚物成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成,成膜树脂的分子量为4,000~1,00,000,共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:取代苯乙烯5%~40%,含天然产物倍半萜内酯的组成单元10%~60%,其它性能调节组分单体1%~20%。由上述共聚物成膜树脂配制而成的248nm深紫外负性光刻胶,主要由以下质量份的化合物组成:成膜树脂10~35份,交联剂0.2~15份,光致酸0.5~6份,溶剂70~90份,有机碱0.01~0.5份。本发明所述共聚物成膜树脂配制而成的248nm深紫外负性光刻胶具有良好的分辨率,增加了光刻胶在曝光波长处的透明性,可提高其光敏性能,还能增加光刻胶与硅片之间的粘结性能和抗刻蚀性能。

Description

含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶
技术领域
本发明涉及一种含天然倍半萜内酯共聚物成膜树脂以及利用这种成膜树脂配制而成的用于以KrF激光(248nm)为曝光光源的深紫外 (DUV)负性化学增幅型光刻胶组合物。
背景技术
光刻胶是大规模集成电路工业中进行光刻过程的关键功能材料。上世纪80年代开始发展起来的以聚羟基苯乙烯(PHS)为主要成分的成膜树脂及其光刻胶被广泛应用于制造大规模集成电路中,以KrF激光(248nm)为曝光光源的深紫外(DUV)波段曝光的光刻工艺,其分辨率可达0.25~018微米范围。目前,由于曝光设备进步,工艺革新及光刻胶的不断改进,分辨率不断提高,已可达到0.16-0.13微米。但光刻胶仍在随光刻技术的不断发展而在不断的改进和发展中。目前在实际工艺中存在以下技术问题:(1)光刻胶与基材硅片的粘附性弱;(2)光刻胶在曝光波长248nm处的透明性差,光敏性能弱。
另一方面,众所周知,我国天然产物资源丰富,松节油、松香、按叶醇、萜和倍半萜及其内酯等来源广泛,产量巨大。如松树,柏树,桉树等树木和许多草本植物中都含有不菲的松节油、松香、倍半萜及其内酯等化合物。如何结合国情,将来自天然产物的化合物,应用到集成电路工业中光刻胶领域,并能克服上述技术问题同时,解决现有光刻胶对曝光机镜头不良影响,成为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本发明第一个目的是提供一种含倍半萜内酯的成膜树脂,该含倍半萜内酯成膜树脂增加光刻胶在曝光波长248nm处的透明性,提高其光敏性能,还可增加与硅片之间的粘结性能和抗刻蚀性能。
本发明的第二个目的是提供一种应用上述含倍半萜内酯的成膜树脂配制成的248nm深紫外负性光刻胶。
为达到上述第一个发明目的,本发明采用的技术方案是:一种含倍半萜内酯的成膜树脂,所述共聚物成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成;其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4,000~1,000,000,分子量分布为1.4~2.4;所述共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物: 
取代苯乙烯                            5%~40%;
含天然产物倍半萜内酯的组成单元       10%~60%;
其它性能调节组分单体                  1% ~ 20%;
所述取代苯乙烯是符合化学通式(                                                )的至少一种化合物:
          ();
式中,R1是H、乙酰基或者丙酰基;m=1或2;
所述含倍半萜内酯单元是指符合化学通式()的至少一种倍半萜内酯醇的(甲基)丙烯酸酯类化合物:
     (II); 
化学通式()中R基常见的倍半萜内酯醇如表1所示:
表1
 所述含倍半萜内酯组成单元一般由倍半萜内酯醇与(甲基)丙烯酸(或丙烯酰氯)的酯化反应合成;其烯式可以先转化为醇式再进行上述酯化反应。如: 
 
 上述技术方案进说明如下:
1. 上述方案中,所述共聚单体中还包含质量百分含量为1%~40%的符合化学通式(I)中的至少一种化合物;                                    
    (I);
式中:Rw是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基, 
Rz是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基。
2. 上述方案中,所述符合化学通式(I)的苯乙烯类单体为:苯乙烯、对叔丁基苯乙烯、对叔戊基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、3,5-二甲氧基苯乙烯、3,5-二乙氧基苯乙烯、对苯氧基苯乙烯或者对2-羟乙氧基苯乙烯。
3. 上述方案中,所述引发剂为偶氮引发剂、过氧化物的自由基引发剂;所述偶氮引发剂为偶氮二异丁晴或偶氮二异庚晴,所述过氧化物的自由基引发剂为叔丁基过氧化特戊酸酯、叔丁基过氧化氢、苯甲酸过氧化氢或者过氧化苯甲酰等;所述引发剂用量为所述共聚单体总重量的0.3%~15%。
4. 上述方案中,所述共聚合最常用的方法是以含倍半萜内酯的单体与其它单体共聚合。共聚合单体种类及功能示意如下,其中B,C,D并不一定是必须的组分:  
共聚物组成举例,如:
   
5. 上述方案中,关于聚合反应
(1)、上述有共聚合反应可在各种溶剂单独或他们的混合物中进行,这些溶剂包括甲醇、乙醇、二氧六环、丙酮、四氢呋喃、甲苯、苯、二甲苯、二氯甲烷、氯仿、三氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷等。
(2)、这些共聚合反应可在各种自由基引发剂存在下进行,包括偶氮二异丁晴、偶氮二异庚晴等偶氮引发剂,以及各种过氧化物的自由基引发剂,如叔丁基过氧化特戊酸酯、叔丁基过氧化氢、苯甲酸过氧化氢,过氧化苯甲酰等,引发剂用量为单体总重量的0.3%~15%。
(3)、自由基引发剂的加入可以采用两种方式:第一种是在各共聚单体溶于溶剂后,先加热到聚合温度,然后加入引发剂进行聚合反应。第二种是在各共聚单体溶于溶剂后,先加入引发剂,然后再加温到聚合温度进行聚合反应。所述引发剂在这两种方式中可以一次性加入,也可以分次加入。聚合反应的温度根据使用的溶剂和引发剂不同控制在40~150℃范围。 聚合反应时间也根据使用的溶剂和引发剂不同控制在4~28小时。
6. 上述方案中,关于聚合反应和聚合物的后处理:
(1)、纯化处理
聚合反应完成后,未反应的残余单体及其部分有机杂质可用庚烷、己烷、环己烷、戊烷、石油醚、乙醚等溶剂提取后除去。
(2)、分离固体共聚物
共聚物可在纯水、甲醇、甲醇和水的混合物、乙醇及其水的混合物、异丙醇及其水的混合物、庚烷、己烷、环己烷、戊烷、石油醚、乙醚等有机或无机溶剂中沉淀分离,真空干燥后共聚物的收率为60%~90%。
为达到上述第二发明目的,本发明采用的技术方案是:一种应用上述的含倍半萜内酯的成膜树脂配制成的深紫外负性光刻胶,主要由以下质量份的化合物组成:
含倍半萜内酯的成膜树脂      10~35份;
交联剂                      0.2~15份;
光致酸                      0.5~6份;
溶剂                        70~90份;
有机碱                      0.01~0.5份;
所述光致酸是符合化学通式()或(IV)的硫鎓盐之一,或者是符合化学通式(V)的二芳基碘鎓盐之一;
    (III);
式中:R16、R17、R18各自独立地是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;q=0~12;
  (IV);
式中:R19是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;r=0~12;
(V);
式中:R20、R21各自独立地是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;s=0~12;
所述交联剂为:密胺六羟甲基甲醚
 ,
四甲氧甲基甘脲
密胺三羟甲基甲醚
        
 多羟甲基取代苯酚
或者,多环氧化合物
  
 所述溶剂包括:丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮和甲基异丁基酮中的至少一种;
所述有机碱包括:三丙胺、三丁胺、三异丁胺、三辛胺、三乙醇胺、三乙氧基乙醇胺、三甲氧基甲氧基乙基胺、四甲基氢氧化铵中的至少一种。
上述技术方案进一步说明如下:
1. 上述方案中,所述符合化学通式()或(IV)的硫鎓盐为:三苯基硫鎓盐、三对甲苯基硫鎓盐、三对叔丁基苯基硫鎓盐、三(3,5-二甲基苯基)硫鎓盐、三(3,5-二叔丁基苯基)硫鎓盐,其配位阴离子为:三氟甲基磺酸、全氟丁基磺酸、对甲苯基磺酸、或者萘磺酸。
2. 上述方案中,所述符合化学通式(V)的二芳基碘鎓盐为:二苯基碘鎓盐、二对甲苯基碘鎓盐,二对叔丁基苯基碘鎓盐,其配位阴离子为:三氟甲基磺酸、全氟丁基磺酸、对甲苯基磺酸、萘磺酸、或者樟脑磺酸。
3. 上述方案中,还包括其它添加剂,例如有流平剂0.01~0.3份重量、阻溶剂、染料等少量组分。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点和效果:
1、本发明含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶,在一般以聚对羟基苯乙烯为基础的KrF(248nm)激光曝光的负性光刻胶成膜树脂中引入了含天然产物倍半萜内酯的可聚合单体形成一类新的改良的成膜树脂,或者完全取代聚对羟基苯乙烯类单体形成一类全新的成膜树脂,这种新的成膜树脂可以增加光刻胶在曝光波长248nm处的透明性,提高其光敏性能,还可增加光刻胶与硅片之间的粘结性能和抗刻蚀性能;其次,利用天然产物作为电子产品原料,不仅成本低,有利环保,而且其本身是多环脂肪烷烃,还具有立体异构和光学活性,为提高光刻胶性能赋予了新的发展空间,打开了一扇新的大门。
2、本发明含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶,由于倍半萜内酯烯或倍半萜内酯醇分子量大,沸点很高,从而避免形成气体溢出而影响光刻图形和损坏昂贵的曝光机镜头的情形,进一步对比度和工艺精度。
具体实施方案
下面结合实施例对本发明作进一步描述:
实施例一:一种含倍半萜内酯的成膜树脂,由下列共聚单体及其含量,在自由基引发剂存在的条件下,通过加热进行共聚反应制备而成:
对羟基苯乙烯                             6.00克;
苯乙烯                                   1.04克;
甲基丙烯酸矮艾素酯                       9.51克。
在一个配备有电动搅拌器、冷凝器、温度计、温度控制器、加热套及氮气入口的100ml三口瓶中,加入对羟基苯乙烯6.00克,苯乙烯1.04克,甲基丙烯酸矮艾素酯 9.51克,四氢呋喃60克,在搅拌下通氮气10分钟,然后加热至60~70℃,20分钟内滴加偶氮二异丁晴 (AIBN) 0.79克在10克四氢呋喃制成溶液然后加入反应体系中,继续反应回流6~24小时后,然后冷却至室温。用庚烷提取三次,聚合物溶液在纯水中沉淀,真空干燥后得聚合物固体,收率72%。
实施例二:一种含倍半萜内酯成膜树脂,由下列共聚单体及其含量,在自由基引发剂存在的条件下,通过加热进行共聚反应制备而成:
对羟基苯乙烯                                 7.20克;
对叔丁氧基苯乙烯                             1.76克;
丙烯酸矮艾素酯                               9.51克。
制备方法是:在一个配备有电动搅拌器、冷凝器、温度计、温度控制器、加热套及氮气入口的100ml三口瓶中,加入对羟基苯乙烯7.20克,对叔丁氧基苯乙烯 1.76克,丙烯酸矮艾素酯9.51克,四氢呋喃60克,在搅拌下通氮气10分钟,然后加热至65~70℃,加入偶氮二异丁晴(AIBN)0.88克在10克四氢呋喃中制成溶液然后加入反应体系中,继续反应回流8~24小时后,然后冷却至室温。用庚烷提取三次,聚合物溶液在纯水中沉淀,真空干燥后得聚合物固体,收率70%
实施例三:一种含倍半萜内酯成膜树脂,由下列共聚单体及其含量,在自由基引发剂存在的条件下,通过加热进行共聚反应制备而成:
对乙酰氧基苯乙烯                           9.60克;
苯乙烯                                     1.57克;
丙烯酸矮艾素酯                             8.00克;
在一个配备有电动搅拌器、冷凝器、温度计、温度控制器、加热套及氮气入口的100ml三口瓶中,加入对乙酰氧基苯乙烯9.60克,苯乙烯1.57克,丙烯酸矮艾素酯8.00克,四氢呋喃60克,在搅拌下通氮气10分钟,然后加热至60~70℃,加入偶氮二异丁晴(AIBN)0.96克,在10克四氢呋喃中制成溶液然后加入反应体系中,继续反应回流8~18小时后,加入10克强酸性离子交换树脂,15分钟后加入15克四氢呋喃,回流反应8小时,并蒸出约30毫升蒸出物,然后冷却至室温。过滤除去离子交换树脂。用庚烷提取三次,聚合物溶液在纯水中沉淀,真空干燥后得聚合物固体,收率70%。
实施例四:一种含倍半萜内酯的成膜树脂,由下列共聚单体及其含量,在自由基引发剂存在的条件下,通过加热进行共聚反应制备而成:
对乙酰氧基苯乙烯                          8.10克;
苯乙烯                                    1.04克;
丙烯酸甲酯                                2.56克;
木兰内酯甲基丙烯酸酯                      6.34克。
在一个配备有电动搅拌器、冷凝器、温度计、温度控制器、加热套及氮气入口的100ml三口瓶中,加入对乙酰氧基苯乙烯8.10克,苯乙烯1.04克,丙烯酸甲酯2.56克,木兰内酯甲基丙烯酸酯 6.34克,四氢呋喃60克,在搅拌下通氮气10分钟,然后加热至70℃,20分钟内滴加偶氮二异丁晴 (AIBN)0.92克在10克四氢呋喃制成溶液然后加入反应体系中,继续反应回流24小时后,然后冷却至室温。加入15克氨水(27%),15分钟后加入20克四氢呋喃,回流反应8小时,并蒸出约20毫升蒸出物,然后冷却至室温。用庚烷提取三次,聚合物溶液在纯水中沉淀,真空干燥后得聚合物固体,收率64%。
实施例五:一种含倍半萜内酯的成膜树脂,由下列共聚单体及其含量,在自由基引发剂存在的条件下,通过加热进行共聚反应制备而成:
甲基丙烯酸甲酯                         2.76克;
苯乙烯                                 1.04克;
木兰内酯丙烯酸酯                       6.34克。
在一个配备有电动搅拌器、冷凝器、温度计、温度控制器、加热套及氮气入口的100ml三口瓶中,加入苯乙烯1.04克,甲基丙烯酸甲酯2.76克,木兰内酯丙烯酸酯 6.34克,四氢呋喃60克,在搅拌下通氮气10分钟,然后加热至70℃,20分钟内滴加偶氮二异丁晴 (AIBN)0.65克在10克四氢呋喃制成溶液然后加入反应体系中,继续反应回流24小时后,然后冷却至室温。用庚烷提取三次,聚合物溶液在纯水中沉淀,真空干燥后得聚合物固体,收率72%。
实施例六~实施例十、含倍半萜内酯成膜树脂的负性248nm光刻胶:
(1)光致酸:实施例六:二对叔丁基苯基碘鎓盐,配位阴离子为三氟甲基磺酸;实施例七:三苯基硫鎓盐,配位阴离子为全氟丁基磺酸;实施例八:三苯基三氟甲基硫鎓盐,配位阴离子为全氟丁基磺酸;实施例九:三苯基硫鎓盐,配位阴离子为全氟丁基磺酸;实施例十:三对甲苯基硫鎓盐,配位阴离子为萘磺酸; 
(2)交联剂:实施例六:密胺六羟甲基甲醚;实施例七:四甲氧甲基甘脲;实施例八:密胺三羟甲基甲醚;实施例九:密胺六羟甲基甲醚;实施例十:四甲氧甲基甘脲
(3)溶剂:实施例六:醋酸丁酯、乳酸乙酯;实施例七:丙二醇甲醚醋酸酯;实施例八:丙二醇甲醚醋酸酯;实施例九:醋酸新戊酯;实施例十:甲基乙基酮。 
(4)有机碱:实施例六:三异丁胺;实施例七:三异丁胺;实施例八:三异丁胺;实施例九:三甲氧基甲氧基乙基胺;实施例十:三乙醇胺。 
(5)实施例六的光刻胶的配置方法:
一种含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶的配制方法:在一个干净的新的100毫升聚丙烯塑料瓶中,加入7.0克实施例一中制备的共聚物,0.21克三氟甲基磺酸二对叔丁基苯基碘鎓盐, 0.28克四甲氧甲基甘脲(Powderlink 1174);100克电子级醋酸丁酯、乳酸乙酯(1:1)溶剂,以及0.05克三异丁胺,0.012克表面活性剂。此混合物固定在一个机械振荡器上,在室温下震荡10~24小时,使其充分溶解。用0.5微米孔径的过滤器过滤一遍,然后用0.05微米孔径的过滤器过滤一遍。
光刻实验方法及结果:上述配制的光刻胶在8” 硅片上以2000~6000转/分钟的速度旋转成膜,120℃ 热板上烘烤90秒钟,然后用ASMAL 248nm步进式曝光机(NA=0.63)上曝光。曝光强度10-50 mJ/cm2。曝光后在110℃热板上烘烤90秒钟,最后再在2.38% TMAH显影液(23℃)中显影60秒钟,烘干后用电子显微镜检查光刻结果。结果证明此光刻胶分辨率可达0.25~0.18μm,并具有良好的光刻工艺操作允许范围。
(5)实施例六~实施例十的配方如下表,配置方法同实施例六,成膜树脂依次采用实施例一~五。所得光刻胶的分辨率和抗刻蚀性能评估结果如下表2所示:
表2
注:(1)光刻胶评估时,由于工艺要求不同,分辨率在0.25um - 0.18um范围内都为良好;
(2)在干法刻蚀评估中,在设定工艺条件下,留膜率≧80% 为+++;留膜率≧60% 为++;留膜率≧40% 为+;留膜率≦30% 为不合格。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种含倍半萜内酯的成膜树脂,其特征在于:所述共聚物成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成,其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4,000~1,00,000,分子量分布为1.4~2.4;所述共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物: 
取代苯乙烯                            5%~40%;
含天然产物倍半萜内酯的组成单元       10%~60%;
其它性能调节组分单体                  1% ~ 20%;
所述取代苯乙烯是符合化学通式(                                                )的至少一种化合物:
        ();
式中,R1是H、乙酰基或者丙酰基;m=1或2;
所述天然产物倍半萜内酯的组成单元是指符合化学通式()的至少一种倍半萜内酯醇的(甲基)丙烯酸酯类化合物:
  (II);
化学通式()中R基为倍半萜内酯醇(R-OH)或者为倍半萜内酯醇对应的烯式,所述倍半萜内酯醇(R-OH)如表1所示:
表1
2.. 根据权利要求1所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于:所述共聚单体中还包含质量百分含量为1%~40%的符合化学通式(I)中的至少一种化合物; 
           (I);
式中:Rw是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基, 
Rz是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基。
3.根据权利要求2所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于:所述符合化学通式(I)的苯乙烯类单体为苯乙烯、对叔丁基苯乙烯、对叔戊基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、3,5-二甲氧基苯乙烯、3,5-二乙氧基苯乙烯、对苯氧基苯乙烯或者对2-羟乙氧基苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于:所述引发剂为偶氮引发剂、过氧化物的自由基引发剂;所述偶氮引发剂为偶氮二异丁晴或偶氮二异庚晴,所述过氧化物的自由基引发剂为叔丁基过氧化特戊酸酯、叔丁基过氧化氢、苯甲酸过氧化氢或者过氧化苯甲酰等;所述引发剂用量为所述共聚单体总重量的0.3%~15%。
5.一种应用权利要求1~4中任一项所述的含倍半萜内酯成膜树脂制成的负性248nm光刻胶,其特征在于:主要由以下质量份的化合物组成:
含倍半萜内酯的成膜树脂      10~35份;
交联剂                      0.2~15份;
光致酸                      0.5~6份;
溶剂                        70~90份;
有机碱                      0.01~0.5份;
所述光致酸是符合化学通式()或(IV)的硫鎓盐之一,或者是符合化学通式(V)的二芳基碘鎓盐之一;
         (III);
式中:R16、R17、R18各自独立地是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;q=0~12;
 (IV);
 式中:R19是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;r=0~12;
  (V);
 式中:R20、R21各自独立地是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;s=0~12;
所述交联剂为密胺六羟甲基甲醚
 四甲氧甲基甘脲
,                  
密胺三羟甲基甲醚
多羟甲基取代苯酚
或者多环氧化合物
  
所述溶剂是丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮和甲基异丁基酮中的至少一种;
所述有机碱为三丙胺、三丁胺、三异丁胺、三辛胺、三乙醇胺、三乙氧基乙醇胺、三甲氧基甲氧基乙基胺、四甲基氢氧化铵中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的负性248nm光刻胶,其特征在于:所述符合化学通式()或(IV)的硫鎓盐为:三苯基硫鎓盐、三对甲苯基硫鎓盐、三对叔丁基苯基硫鎓盐、三(3,5-二甲基苯基)硫鎓盐、三(3,5-二叔丁基苯基)硫鎓盐,其配位阴离子为:三氟甲基磺酸、全氟丁基磺酸、对甲苯基磺酸、或者萘磺酸。
7.根据权利要求5所述的负性248nm光刻胶,其特征在于:所述符合化学通式(V)的二芳基碘鎓盐为:二苯基碘鎓盐、二对甲苯基碘鎓盐,二对叔丁基苯基碘鎓盐,其配位阴离子为:三氟甲基磺酸、全氟丁基磺酸、对甲苯基磺酸、萘磺酸、或者樟脑磺酸。
CN201410684891.7A 2014-11-25 2014-11-25 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶 Expired - Fee Related CN104387524B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410684891.7A CN104387524B (zh) 2014-11-25 2014-11-25 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410684891.7A CN104387524B (zh) 2014-11-25 2014-11-25 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104387524A true CN104387524A (zh) 2015-03-04
CN104387524B CN104387524B (zh) 2017-06-16

Family

ID=52605495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410684891.7A Expired - Fee Related CN104387524B (zh) 2014-11-25 2014-11-25 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104387524B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110058489A (zh) * 2019-02-27 2019-07-26 江苏南大光电材料股份有限公司 一种光刻胶组合物及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09230597A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Yasuhara Chem Kk ポジ型フォトレジスト組成物
CN1745114A (zh) * 2003-01-31 2006-03-08 三菱丽阳株式会社 抗蚀剂用聚合物及抗蚀剂组合物
CN1818782A (zh) * 2006-03-13 2006-08-16 苏州华飞微电子材料有限公司 深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
CN103387636A (zh) * 2013-07-05 2013-11-13 昆山西迪光电材料有限公司 含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09230597A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Yasuhara Chem Kk ポジ型フォトレジスト組成物
CN1745114A (zh) * 2003-01-31 2006-03-08 三菱丽阳株式会社 抗蚀剂用聚合物及抗蚀剂组合物
CN1818782A (zh) * 2006-03-13 2006-08-16 苏州华飞微电子材料有限公司 深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
CN103387636A (zh) * 2013-07-05 2013-11-13 昆山西迪光电材料有限公司 含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110058489A (zh) * 2019-02-27 2019-07-26 江苏南大光电材料股份有限公司 一种光刻胶组合物及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104387524B (zh) 2017-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103387636B (zh) 含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶
CN104448113B (zh) 含倍半萜的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶
CN101463106B (zh) 含苯并噁嗪结构的共聚物成膜树脂及其深紫外负性化学增幅型光刻胶
US6610457B2 (en) Organic polymers for bottom antireflective coating, process for preparing the same, and compositions containing the same
KR101931096B1 (ko) 현상 가능한 하층 반사방지 코팅 형성용 조성물
CN102311371B (zh) 化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物
CN110058489A (zh) 一种光刻胶组合物及其制备方法
CN101974121A (zh) 化学增幅型高分辨率含硅i-线紫外光刻胶及其成膜树脂
CN102050908A (zh) 化学增幅型含硅i-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂
TW201317714A (zh) 用於負型光阻之可顯影之底部抗反射塗佈組成物
JP5566988B2 (ja) 樹脂組成物、硬化物の製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化物及び光学部材
CN100590529C (zh) 含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
JP2008045125A (ja) 極紫外線及び深紫外線用感光性高分子及びこれを含むフォトレジスト組成物
CN107621751B (zh) 含碱性香豆素结构的聚合物树脂及其光刻胶组合物
CN104403048A (zh) 含倍半萜内酯的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶
CN1916764A (zh) 顶部抗反射涂料聚合物、制法及顶部抗反射涂料组合物
CN100425630C (zh) 含硅偶联剂共聚物成膜树脂及其有机防反射涂膜
CN101974119A (zh) 含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
CN104387524A (zh) 含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶
CN104592436B (zh) 含倍半萜内酯成膜树脂及其正性248nm光刻胶
CN1958629B (zh) 有机防反射涂料聚合物及有机防反射涂料组合物以及形成光致抗蚀剂图案的方法
CN104387523B (zh) 含倍半萜内酯成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶
CN101974120B (zh) 含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂
CN104448114A (zh) 含倍半萜的成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶
CN115494697A (zh) 一种化学放大光刻胶及其制备与使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170616

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee