CN102311371B - 化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物 - Google Patents

化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，还提供了由下式(1)代表的化合物和含有该化合物作为单体的聚合物。[式1]其中在式(1)中，R11、Q1、Q2和A+的定义如说明书中所述。当该化合物和含有该化合物作为单体的聚合物用在化学放大型抗蚀剂组合物中时，这种抗蚀剂组合物具有优异的灵敏度和较高的稳定性同时气体排放量减少，并且还具有较高的分辨率和较低的线边缘粗糙度。

Description

化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物
技术领域
本发明涉及一种新型化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，在该组合物中使用该化合物和通过聚合作为单体的该化合物而生成的聚合物，从而允许该组合物均匀分散并使得该组合物适于形成精细图案，该组合物具有诸如高附着力、高灵敏度和高热稳定性以及气体生成的量减少等特性，并且可以改善分辨率和线边缘粗糙度。更具体而言，本发明涉及一种新型化合物，其可用于制备能够通过采用各种辐射形成图案的抗蚀剂，如KrF准分子激光器或ArF准分子激光器等的远红外辐射、X-射线如同步辐射以及带电粒子辐射如电子束，并因而适用于微加工；还涉及通过聚合作为单体的该化合物而生成的聚合物；和包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物。 
背景技术
近年来，随着半导体工业中使用的光刻技术已经被亚50纳米(sub-50-nanometer)的技术所取代，预期会出现更新和更先进的技术。虽然使用极端紫外(EUV)辐射的光刻技术是能够图案化的重要技术中的一种，但是实现亚32纳米(sub-32-nanometer)图案的技术要求非常困难的过程。使用193nm波长的光刻技术被认为是一种可以在未来实现亚32纳米图案的技术的重要手段，并且通过增大数值孔径(NA)，使得这种技术成为可能。 
根据Rayleigh方程，为了增大浸渍液体或浸渍抗蚀剂的折射率，数值孔径可以增大，同时分辨率也可以增大。此外，折射率的增大也可以导致景深(DOF)的增大。 
R＝(K1·λ)/(NA)，NA＝nsinθ 
R＝分辨率，λ＝波长，NA＝数值孔径，n＝折射率，θ＝入射角。 
对用于改进诸如分辨率、灵敏度、折射率和线边缘粗糙度(LER)等性能 的新型抗蚀剂组合物存在不断增加的需求，并且为了提高当前可用抗蚀剂的折射率并获得较高的灵敏度，已经对抗蚀剂技术进行了研究。但是，在实现更精细半导体集成电路方面，这些研究结果不令人满意，并且存在感光速度(photospeed)下降的问题。 
此外，对于其中允许引入光酸生成剂、具有较高的灵敏度和较高的稳定性同时气体排放量减少、并且具有高分辨率和低线边缘粗糙度的化学放大型抗蚀剂组合物的需求不断增长。 
发明内容
本发明的一个目的是提供一种新型化合物，它可以在化学放大型抗蚀剂中用作光酸生成剂或单体。本发明的另一个目的是提供含有上述化合物作为单体的聚合物，它可以用在化学放大型抗蚀剂组合物中，这种组合物具有优异的灵敏度和较高的稳定性同时气体排放量减少、还具有高分辨率和低线边缘粗糙度。 
为了实现上述目的，根据本发明一个方面的化合物由下式(1)代表： 
[式1] 
其中在式(1)中，R11代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种；Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种；和A+代表有机抗衡离子(counterion)。 
根据本发明另一个方面的聚合物含有由下式(2)代表的重复单元： 
[式2] 
其中在式(2)中，R11、R41和R42各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种；Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种；和A+代表有机抗衡离子。 
所述聚合物可以是由下式(3)代表的聚合物： 
[式3] 
其中在式(3)中，R11、R12、R13、R14、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种；Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种；R21、R22和R23各自独立地代表选自氢原子、烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和它们的组合中的任一种；A+代表有机抗衡离子；X代表衍生于烯属(olefinic)单体的聚合单元；和l、m、n、o和p分别为0＜l≤0.4、0＜m≤0.5、0≤n≤0.5、0≤o≤0.5和0＜p≤0.2，同时l+m+n+o+p＝1。 
所述聚合物的重均分子量可以为2,000～100,000，并且分子量分布可以为1～5。 
根据本发明另一个方面的化学放大型抗蚀剂组合物包含含有式(2)的重复单元的聚合物。 
下面，将更详细地描述本发明。 
本说明书中使用的术语定义如下。 
除非本文另有特别说明，卤素原子指选自氟、氯、溴和碘中的任一种。 
除非本文另有特别说明，烷基的例子包括伯烷基、仲烷基和叔烷基。 
除非本文另有特别说明，全氟烷基指其中一部分氢原子或全部氢原子被氟原子取代的烷基。 
除非本文另有特别说明，全氟烷氧基是指其中一部分氢原子或全部氢原子被氟原子取代的烷氧基。 
除非本文另有特别说明，所有的化合物和取代基都可以是取代或未取代的。这里，被取代是指氢原子已经被选自卤素原子、羟基、羧基、氰基、硝基、氨基、硫基、甲硫基、烷氧基、腈基、醛基、环氧基、醚基、酯基、羰基、缩醛基、酮基、烷基、全氟烷基、环烷基、杂环烷基、烯丙基、苄基、芳基、杂芳基、它们的衍生物和它们的组合中的任一种代替。 
除非本文另有特别说明，前缀″杂-″是指碳原子被选自N、O、S和P的一至三个杂原子取代。例如，杂烷基是指烷基的碳原子中的一至三个碳原子被杂原子取代。 
除非本文另有特别说明，烷基是指具有1～30个碳原子的直链或支化的烷基；杂烷基是指具有1～3个碳原子的杂烷基；烷氧基是指具有1～10个碳原子的烷氧基；全氟烷基是指具有1～10个碳原子的全氟烷基；全氟烷氧基是指具有1～10个碳原子的全氟烷氧基；环烷基是指具有3～32个碳原子环烷基的；杂环烷基是指具有2～32个碳原子的杂环烷基；芳基是指具有6～30个碳原子的芳基；杂芳基是指具有2～30个碳原子的杂芳基。 
除非本文另有特别说明，环烷基的例子包括单环、双环、三环和四环环烷基。环烷基的例子还包括金刚烷基、降冰片基和含有降冰片基的多环环烷基。 
除非本文另有特别说明，芳基是指含有苯环的化合物或其衍生物，并且芳基的例子包括甲苯和二甲苯，其中烷基侧链连接到苯环；联苯基，其中两个或多个苯环由单键连接；芴、夹氧杂蒽和蒽醌，其中两个或多个苯环通过环烷基或杂环烷基连接；萘和蒽，其中两个或多个苯环稠合。
除非本文另有特别说明，烯烃是指含有双键的不饱和烃类化合物。其 例子包括但不限于烯属烃、丙烯酸酯、苯乙烯、降冰片烯、茚、苊和呋喃二酮。 
根据本发明一个方面的化合物由下式(1)代表： 
[式1] 
在式(1)中， 
R11代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种，并且优选可以是选自氢原子、三氟甲基、具有1～5个碳原子的烷基和具有1～5个碳原子的烷氧基中的任一种； 
Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种，并且优选可以是氟原子；和 
A+代表有机抗衡离子，并且所述有机抗衡离子优选可以是由下式(5)或下式(6)代表的基团： 
[式5] 
其中在式(5)中，R1，R2和R3各自独立地代表选自烷基、杂烷基、全氟烷基、烷氧基、芳基和杂芳基中的任一种；和 
[式6] 
R4-I-R5
其中R4和R5各自独立地代表选自烷基、杂烷基、全氟烷基、烷氧基、芳基和杂芳基中的任一种。 
式(5)可以是选自下式(5-i)～(5-xxii)中的任一种： 
[式5-i～5-xxii] 
式(6)可以是选自下式(6-i)～(6-ix)中的任一种： 
[式6-i～6-ix] 
式(1)的化合物用作单体和光酸生成剂。在这种情况下，通过调节化合物(1)的主链的碳数可以改善分辨率和LER特性，从而确保通过聚合物曝光而产生酸的空间，所述聚合物是通过聚合作为单体的化合物(1)得到的，同 时也调节适宜图案化的酸的扩散距离。 
根据本发明另一个方面的聚合物含有由下式(2)代表的重复单元： 
[式2] 
在式(2)中， 
R11、R41和R42各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种，并且优选可以是选自氢原子、三氟甲基、具有1～5个碳原子的烷基和具有1～5个碳原子的烷氧基中的任一种； 
Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种，并且优选可以是氟原子；和 
A+代表有机抗衡离子。A+与式(1)中所述的定义相同，因而将不再重复对A+的进一步说明。 
所述聚合物通过将起到光酸生成剂作用的式(1)的化合物直接聚合形成聚合物来制备，从而允许大量引入光酸生成剂。因此，可以制备以下的聚合物：能够使包含所述聚合物的抗蚀剂在曝光时具有较高的灵敏度和较高的稳定性，并且具有低LER，同时曝光后产生的排放气体量减少。 
所述聚合物是一种多组分共聚物，可以是嵌段共聚物、无规共聚物或接枝共聚物。此外，含有由式(2)代表的重复单元的聚合物可以是包括选自具有对酸敏感的基团的重复单元、含有羟基的重复单元、含有内酯环的粘合基团(adhesive group)的重复单元及它们的组合的任意一种重复单元的聚合物。 
更具体而言，所述聚合物可以是由下式(3)代表的聚合物： 
[式3] 
在式(3)中， 
R11、R12、R13、R14、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种，并且优选可以是选自氢原子、三氟甲基、具有1～5个碳原子的烷基和具有1～5个碳原子的烷氧基中的任一种； 
Q1和Q2各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种，并且优选可以是氟原子； 
A+代表有机抗衡离子，并且由于A+与对式(1)中的A+所述的定义相同，因而将不再重复对A+的进一步说明。 
符号l、m、n、o和p分别为0＜l≤0.4、0＜m≤0.5、0≤n≤0.5、0≤o≤0.5和0＜p≤0.2，同时l+m+n+o+p＝1；和 
X代表衍生于烯属单体的聚合单元。 
烯属单体优选可以是选自丙烯酸酯、苯乙烯、降冰片烯、茚、苊、呋喃二酮和它们的衍生物中的任一种。 
X优选可以是由下式(3-a)～(3-f)之一代表的聚合单元： 
[式3-a] 
[式3-b] 
[式3-c] 
[式3-d] 
[式3-e] 
[式3-f] 
在式(3-a)～式(3-f)中， 
R15、R49和R50各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种，并且各自优选可以是选自氢原子、三氟甲基、具有1～5个碳原子的 烷基和具有1～5个碳原子的烷氧基中的任一种； 
R31和R32各自独立地代表选自卤素原子、羟基、氰基、羧基、腈基、醛基、环氧基、硝基、氨基、硫基、甲硫基、烷基、烷氧基、全氟烷氧基、羟烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、COOR′和COR′中的任一种，其中R′代表选自烷基、全氟烷基、环烷基、芳基和环芳基中的任一种； 
a代表0～5的整数，b代表0～5的整数，c代表0～8的整数，d代表0～4的整数，e代表0～3的整数，和f代表0～3的整数。 
在式(3)中， 
R21、R22和R23各自独立地代表选自氢原子、烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和它们的组合中的任一种，并且优选可以是选自下式(3-i)～(3-ix)中的任一种： 
[式3-i] 
[式3-ii] 
[式3-iii] 
[式3-iv] 
[式3-v] 
[式3-vi] 
[式3-vii] 
[式3-viii] 
[式3-ix] 
在式(3-i)～(3-ix)中， 
R33～R35各自独立地代表选自氢原子、烷基、烷氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、羟烷基、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、硫基、甲硫基、醚基和甲氧基中的任一种，并且优选地，R33～R35可以各自独立地是选自氢 原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～4个碳原子的全氟烷基、具有1～4个碳原子的全氟烷氧基、具有1～6个碳原子的羟烷基、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、硫基、甲硫基和甲氧基中的任一种。 
符号g代表0～9的整数，h代表0～9的整数，i代表0～5的整数，j代表0～15的整数，k代表0～15的整数，q代表0～17的整数，和r代表0～11的整数。 
所述聚合物优选可以是由下式(4)代表的聚合物： 
[式4] 
其中在式(4)中，R11、R12、R13、R14、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47、R48、Q1、Q2、A+、R21、R22、R23、l、m、n、o和p分别与式(3)中所述的定义相同，因而将不再重复对这些符号的进一步说明。 
在式(4)中，b代表0～5的整数，和c代表0～8的整数。 
在式(4)中，R15和R49各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种，并且优选地，R15和R49可以各自独立地是选自氢原子、三氟甲基、具有1～5个碳原子的烷基和具有1～5个碳原子的烷氧基中的任一种。 
在式(4)中，R31代表选自卤素原子、羟基、氰基、羧基、腈基、醛基、环氧基、硝基、氨基、硫基、甲硫基、烷基、烷氧基、全氟烷氧基、羟烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基，COOR′和COR′中的任一种，其中R′代表选自烷基、全氟烷基、环烷基、芳基和环芳基中的任一种。 
R31优选可以是选自具有1～6个碳原子的烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～4个碳原子的全氟烷基、具有1～4个碳原子的全氟烷氧基、具有1～6个碳原子的羟烷基、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、硫基 和甲硫基中的任一种，更优选地，R31可以是选自氢原子和下式3-x中的任一种： 
[式3-x] 
当使用含有(甲基)丙烯酸(酯)聚合物((meth)acrylic polymer)的聚合物制备抗蚀剂时，光吸收量小，但存在的问题在于，与芳香族化合物相比，该聚合物具有较差的耐蚀刻性。然而，在将比(甲基)丙烯酸酯聚合物具有更多碳原子的环烯烃引入式(4)所示的主链中的情况下，耐蚀刻性可以有很大的改善，并且对酸敏感的部分即使在预处理(软烘焙)后也不会完全挥发，而是部分地残留在抗蚀剂膜中。因此，可以改善在曝光时从酸生成剂产生的酸的流动，由此可以大大提高图案化特性。 
所述聚合物可以是选自下式(4-a)～(4-l)中的任一种： 
[式4-a] 
[式4-b] 
[式4-c] 
[式4-d] 
[式4-e] 
[式4-f] 
[式4-g] 
[式4-h] 
[式4-i] 
[式4-j] 
[式4-k] 
[式4-l] 
在式(4-a)～(4-l)中， 
符号l、m、n、o和p分别为0＜l≤0.4、0＜m≤0.5、0≤n≤0.5、0≤o≤0.5和0＜p≤0.2，同时l+m+n+o+p＝1； 
A+代表有机抗衡离子，并且由于A+与对式(1)中的A+所述的定义相同，因而将不再重复对A+的进一步说明。 
含有式(2)的重复单元的聚合物可以优选相对于聚苯乙烯标准的重均分子量为2,000～100,000，重均分子量是经凝胶渗透色谱法(GPC)测量的，并且分子量分布为1～5，更优选重均分子量可以为3,000～30,000，并且分子量分布为1.50～3。如果重均分子量大于100,000，则在所述聚合物用于光致抗蚀剂组合物中时聚合物的溶解度可能很差，并且线边缘粗糙度可能很差。如果重均分子量小于2,000，则树脂的机械强度很差，因而有可能发生不能令人满意地形成图案(图案崩溃，collapse of patterns)的现象。此外，如果分子量分布大于5，则线边缘粗糙度可能很差。因此，当重均分子量和分子量分布落入上述范围内的聚合物用在光致抗蚀剂组合物中时，所述光致抗蚀剂组合物可以在显影性、涂布性能和耐热性方面表现出适宜的性能。 
由式(1)代表的化合物可以根据如下所述的方法制备。 
由式(1)代表的化合物可以通过包括以下步骤的方法制备：第一步，使由下式(7)代表的化合物和由下式(8)代表的化合物反应，第二步，使第一步中生成的反应产物与由下式(9)代表的化合物发生取代反应： 
[式7] 
[式8] 
[式9] 
A+Z- 
在式(7)～式(9)中， 
M+代表选自Li+、Na+和K+中的任一种； 
Z-代表选自(OSO2CF3)-、(OSO2C4F9)-、(OSO2C8F17)-、(N(CF3)2)-、(N(C2F5)2)-、(N(C4F9)2)、(C(CF3)3)-、(C(C2F5)3)-、(C(C4F9)3)-、F-、Cl-、Br-、I-、BF4-、AsF6-和PF6-中的任一种；和 
A+、R11、Q1和Q2分别与对由式(1)代表的化合物中所述的定义相同，因而将不再重复对这些符号的进一步说明。 
第一步的反应可以在溶剂中进行，作为溶剂，可以使用选自酯、醚、内酯、酮、酰胺、醇和它们的组合中的任一种。优选地，可以使用二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、乙腈、甲苯、苯和1，4-二噁烷等。 
第一步的反应可以在碱性催化剂存在下进行，碱性催化剂可以是选自三乙胺、二乙胺、吡啶、二乙基异丙胺、苯胺、二异丙基乙胺和它们的组合中的任一种。当第一步的反应在碱性催化剂存在下进行时，反应时间可以缩短，转化率可以增大，并且副反应可以减少。 
由式(8)代表的化合物可以通过还原由下式(10)代表的化合物获得： 
[式10] 
在式(10)中， 
M+代表选自Li+、Na+和K+中的任一种； 
R6代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基和其中具有1～10个碳原子的烷基的一至三个氢原子被卤素原子取代的杂烷基中的任一种，并且可以是选自氢原子、具有1～5个碳原子的烷基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基和三碘甲基中的任一种中；和 
Q1和Q2分别与对由式(1)代表的化合物中所述的定义相同，因而将不再重复对这些符号的进一步说明。 
具体而言，还原由式(10)代表的化合物并由此获得由式(8)代表的化合物的方法可以包括以下步骤：将式(8)的化合物溶解在四氢呋喃和醇类溶剂中；在冰浴中将还原剂缓慢滴加到溶液中；滴加完成后，将温度升至40℃～100℃，制备反应混合液；搅拌下使反应混合液反应；然后终止反应混合液的反应；除去溶剂；和使反应产物结晶。关于结晶方法，可以使用常规使用的任何结晶方法，但具体而言，可以使用以下方法：使用强酸将已经除去溶剂的反应混合液酸化至pH 5～6；浓缩生成的混合物；随后加入醇，使得到的浓缩物成为浆液；过滤浆液，用己烷再次洗涤滤液；然后再次浓缩滤液；和用乙醚使产物结晶。 
含有式(2)的重复单元的聚合物可以通过制备聚合物的常规方法来聚合，但优选的是可以使用自由基聚合法。作为自由基聚合中可以使用的聚合引发剂，可以使用选自偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰(BPO)、月桂基过氧化物、偶氮二异己腈、偶氮二异戊腈、叔丁基化过氧氢及它们的组合中的任一种。聚合反应可以通过以下方法进行，例如本体聚合、溶液聚合、悬浮聚合、本体-悬浮聚合和乳液聚合。作为聚合中使用的聚合溶剂，可以使用选自以下的一种或多种：苯、甲苯、二甲苯、卤代苯、乙醚、四氢呋喃、1，2-二氯乙烷、酯、醚、内酯、酮和酰胺。在聚合结束后，可以通 过除去单体和副产物的常规方法除去残留在反应混合液中的未反应单体和副产物，并且优选地，可以通过使用溶剂的沉淀法除去它们。 
根据本发明另一个方面的化学放大型抗蚀剂组合物包含含有式(2)的重复单元的聚合物。如果聚合物的总固体含量为100重量份的话，由式(1)代表的单体在聚合物中的用量可以为0.5～15重量份，并且如果由式(1)代表的单体其用量在上述范围内，则可以获得优异的灵敏度和较高的稳定性，同时气体排放量可以减少。 
相对于抗蚀剂组合物的总量，所述抗蚀剂组合物可以包含3重量％以上、优选5重量％以上的具有式(2)的重复单元的聚合物。如果聚合物的含量小于3重量％，则不能充分地展示出含有聚合物的效果。除了所述聚合物之外，所述抗蚀剂组合物还可以含有构成抗蚀剂组合物的常规构成成分，如添加剂或溶剂。 
包含式(2)的重复单元的抗蚀剂组合物可用于通过图案形成法来形成图案，所述图案形成法包括以下步骤：将抗蚀剂组合物施加在基材上；对已施加的抗蚀剂组合物进行热处理；用高能辐射使所述抗蚀剂组合物曝光；和使用显影溶液使所述抗蚀剂组合物显影。 
优选的是使用波长为13.5nm～250nm的高能辐射，因为可以提高分辨率，同时LER降低。 
当本发明的新型化合物和含有该化合物的聚合物用在化学放大型抗蚀剂组合物中时，所述抗蚀剂组合物可以具有优异的灵敏度和较高的稳定性同时气体排放量减少，并且可以具有较高的分辨率和较低的线边缘粗糙度。 
具体实施方式
下面，详细描述本发明，以使本领域技术人员容易实施本发明。然而，本发明可以多种不同实施方案来实现，并不意图局限于这里描述的实施例。 
化合物的合成例
1)合成二氟羟基丙烷磺酸钠盐 
在冰浴中，将83g 3，3-二氟-3-磺基丙酸乙酯钠盐溶解在160mL甲醇和1.2L四氢呋喃(THF)中，并将44g硼氢化钠缓慢滴加到该溶液中。滴加完成后，从冰浴取出反应混合液，并加热到60℃。在此温度下搅拌反应混合 液约4小时。 
将这样搅拌的反应混合液用蒸馏水猝灭，然后除去溶剂。将除去溶剂后得到的反应混合物再次溶解在蒸馏水中，并用浓盐酸将得到的溶液酸化至pH 5～6。 
再次浓缩酸化的反应混合液，向其中加入甲醇，得到浆液。过滤浆液，除去无机盐，然后滤液用己烷洗涤两次。再次浓缩甲醇层，然后使用乙醚进行结晶。 
结晶得到了白色固体，将其在真空中干燥，经1H-NMR确认固体结构。因此，得到由以下反应方案(1)中的式[A]代表的68.5g(收率：95％)二氟羟基丙烷磺酸钠盐(3-乙氧基-1，1-二氟-3-氧代丙烷-1-磺酸钠)。 
1H-NMR(氯仿-d3，内标：四甲基硅烷)：δ(ppm)3.3(t，2H)，4.58-4.68(t，2H) 
[反应方案1] 
其中在反应方案1中，Me代表甲基，Et代表乙基。 
2)合成2-甲基丙烯酸-2，2-二氟-2-磺基丙酯钠盐 
68g由反应方案(1)中的式[A]代表的二氟羟基丙烷磺酸钠盐(化合物的合成例1中制备的3-乙氧基-1，1-二氟-3-氧代丙烷-1-磺酸钠)和54.6mL甲基丙烯酰基氯与500mL二氯甲烷(MC)混合，并搅拌得到的混合物。随后，在15℃～25℃将3.2g N，N′-二甲基氨基吡啶(DMAP)和50mg阻聚剂(氢醌单甲醚(MEHQ))加到混合物中，并将得到的混合物混合。在15℃～25℃将滴加漏斗中的104mL三乙胺(Et3N)缓慢滴加到混合物中，从而得到反应混合液。将反应混合液在15℃～25℃搅拌3小时，随后通过NMR判断反应的进展，并终止反应。 
在反应混合液的反应结束后，在减压下通过蒸馏除去反应溶剂二氯甲烷，向其中加入300mL的蒸馏水。然后，向反应混合液中加入碳酸钾，得到饱和溶液。将饱和溶液搅拌2小时，然后过滤所产生的固体。因此，得 到由反应方案2中的式[B]代表的81g(收率：86％)2-甲基-丙烯酸-2，2-二氟-2-磺基-丙酯钠盐(1，1-二氟-3-(甲基丙烯酰氧基)丙烷-1-磺酸钠盐)。经 1H-NMR确认盐结构。 
1H-NMR(DMSO，内标：四甲基硅烷)：δ(ppm)1.91(s，3H)，3.3(t，2H)，4.57-4.67(t，2H)，5.77(s，1H)，6.11(s，1H) 
[反应方案2] 
其中在反应方案2中，Et代表乙基。 
3)合成2-甲基丙烯酸-2，2-二氟-2-磺基丙酯二苯基甲苯基锍盐 
将31g 2-甲基丙烯酸-2，2-二氟-2-磺基丙酯钠盐(化合物的合成例2中制备的1，1-二氟-3-(甲基丙烯酰氧基)丙烷-1-磺酸钠盐)和35g由以下反应方案3中的式[C]代表的二苯基甲苯基锍三氟甲磺酸盐溶解在300mL二氯甲烷(MC)和300mL蒸馏水中，制备反应混合物，在剧烈搅拌下使反应混合物进行3小时的双层反应。 
在搅拌结束后，采集有机层的等分试样，用19F-NMR检测反应的进展，并终止反应。当反应结束后，收集反应混合液的有机层，除去溶剂。有机层用作为良溶剂的二氯甲烷和作为不良溶剂的己烷进行洗涤，再除去溶剂，得到晶体。 
将这样得到的晶体在减压下干燥，因此得到由以下反应方案3中的式[D]代表的40g(收率：96％)2-甲基丙烯酸-3，3-二氟-3-磺基丙酯二苯基甲苯基锍盐。经1H-NMR确认盐结构。 
1H-NMR(氯仿-d3，内标：四甲基硅烷)：δ(ppm)1.95(s，3H)，2.43(s，3H)，3.3(t，2H)，4.82(t，2H)，5.60(s，1H)，6.22(s，1H)，7.43-7.80(m，14H) 
[反应方案3] 
聚合物的合成例 
(实施例1) 
作为聚合单体，将13g 2-甲基-2-金刚烷基丙烯酸酯、8.4g γ-丁内酯基甲基丙烯酸酯、11.6g 3-羟基-1-金刚烷基甲基丙烯酸酯和1g由以上反应方案3中的式[D]代表的2-甲基丙烯酸-2，2-二氟-2-磺基丙酯二苯基甲苯基锍盐溶解在58g 1，2-二氯乙烷中，从而制备单体混合液。 
通过将3.7g降冰片烯、2.5g作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)和117g作为聚合溶剂的1，2-二氯乙烷加到250-mL烧瓶中，得到反应浴，并将氮气引入反应浴中。将混合物搅拌1小时，同时温度保持在15℃～25℃。 
在保持反应浴温度在65℃的同时，在1小时内将上述单体混合液缓慢滴加到反应浴中，制备反应混合液，并且使反应混合液反应16小时。在聚合结束后，将反应混合液冷却至15℃～25℃，用己烷使反应产物沉淀，然后过滤沉淀物。在过滤过程中，用同一溶剂洗涤沉淀物几次，然后在减压下干燥由此获得的晶体。因此，得到由下式(11)代表的实施例1的聚合物37g(收率：79％)。在由下式(11)代表的实施例1的聚合物中，l是0.24，m是0.25，n是0.30，o是0.20，p是0.01。 
实施例1的聚合物以聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)为1,190，分子量分布(重均分子量与数均分子量之比，Mw/Mn)为1.57。 
[式11] 
(实施例2) 
按与实施例1相同方式制备聚合物，除了通过调节聚合用各单体的量来改变式(11)中的l、m、n、o和p值。实施例2的式(11)中的聚合物的l、m、n、o和p值为l是0.24，m是0.25，n是0.30，o是0.18，p是0.03。 
(实施例3) 
按与实施例1相同方式制备聚合物，除了通过调节聚合用各单体的量来改变式(11)中的l、m、n、o和p值。实施例3的式(11)中的聚合物的l、m、n、o和p值为l是0.24，m是0.25，n是0.30，o是0.16，p是0.05。 
(实施例4) 
按与实施例1相同方式制备聚合物，除了通过调节聚合用各单体的量来改变式(11)中的l、m、n、o和p值。实施例4的式(11)中的聚合物的l、m、n、o和p值为l是0.24，m是0.25，n是0.30，o是0.14，p是0.07。 
(比较例) 
作为聚合单体，将10.0g 2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯、7.3g γ-丁内酯基甲基丙烯酸酯和10.1g 3-羟基-1-金刚烷基甲基丙烯酸酯混合，将混合物溶解在82g 1，4-二噁烷中，从而制备单体混合液。浴温缓慢升至65℃。 
通过将3.7g降冰片烯、2.5g作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈(AIBN)和117g作为聚合溶剂的1，2-二氯乙烷加到250-mL烧瓶中，得到反应浴，并将氮气引入反应浴中。将混合物搅拌1小时，同时温度保持在15℃～25℃。 
在保持反应浴温度在65℃的同时，在1小时内将上述单体混合液缓慢滴加到反应浴中，制备反应混合液，并且使反应混合液反应16小时。在聚合结束后，将反应混合液冷却至15℃～25℃，用己烷使反应产物沉淀，然后过滤沉淀物。在过滤过程中，用同一溶剂洗涤沉淀物几次，然后在减压 下干燥由此获得的晶体。因此，得到由下式(12)代表的实施例1的聚合物25g(收率：91％)。 
在下式(12)中，l是0.28，m是0.24，n是0.24，o是0.24。 
由下式(12)代表的聚合物以聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)为1,780，分子量分布(重均分子量与数均分子量之比，Mw/Mn)为1.68。 
[式12] 
抗蚀剂的制备和性能评价
(实施例1) 
相对于100重量份实施例1的聚合物，将0.75重量份的作为碱性添加剂的四甲基氢氧化铵溶解在1,000重量份的丙二醇甲基醚乙酸酯中，然后通过0.2-μm的膜式过滤器过滤溶液。由此制备抗蚀剂液。 
使用离心喷胶机将抗蚀剂液施加在基材上，并在110℃干燥90秒，形成厚度为0.2μm的薄膜。使用ArF准分子激光步进机(透镜数值孔径：0.75)将这样形成的薄膜曝光，然后将薄膜在120℃热处理90秒。用2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液将该热处理过的基材显影40秒，洗涤并干燥基材。由此，在其上形成抗蚀剂图案。 
(实施例2～4) 
按与抗蚀剂的制备和性能评价的实施例1的相同方式形成抗蚀剂图案，除了使用100重量份的聚合物合成例的实施例2～4中合成的各聚合物来代替100重量份的抗蚀剂的制备和性能评价的实施例1中的聚合物。评价抗蚀剂图案的性质。 
(比较例1～3) 
按与抗蚀剂的制备和性能评价的实施例1的相同方式形成抗蚀剂图案，除了使用由上式(12)代表的比较例的聚合物来制备具有下表1中所示组成 的各抗蚀剂液。评价抗蚀剂图案的性质。 
[表1] 
    聚合物  酸生成剂(1)  碱性添加剂(2)
 比较例1   100  3  1
 比较例2   100  5  1
 比较例3   100  7  1
(含量：按重量份) 
(1)酸生成剂：全氟丁基磺酸(nonaflate)三苯基锍盐 
(2)碱性添加剂：四甲基氢氧化铵 
在灵敏度、分辨率和LER方面对实施例1～4和比较例1～3的性质进行评价，结果见下表2中所示。 
对于灵敏度，在显影到线宽为1∶1后能够形成0.10-μm线-间隔伍(L/S)图案的曝光量被定义为最佳曝光量，并且最佳曝光量被定义为灵敏度。在此时分辨的最小图案尺寸被定义为分辨率。 
通过关键尺寸扫描电子显微镜法(CD SEM)测量LER，并将评价结果分为5级，例如1(非常差)、2(差)、3(中等)、4(好)和5(非常好)。 
[表2] 
    灵敏度(mJ/cm2))   分辨率(nm)  LER
 实施例1   15   70   4
 实施例2   18   70   4
 实施例3   15   90   4
 实施例4   13   70   5
 比较例1   19   90   2
 比较例2   17   80   3
 比较例3   16   90   3
根据表2，与比较例1～3相比，实施例1～4一般表现出优异的灵敏度，也表现出优异的分辨率。特别对于LER，与这些比较例相比，实施例1～4表现出明显优异的结果。 
因此，已经详细描述了本发明的优选实施例，但本发明的范围不限于此，本领域技术人员利用所附权利要求书限定的本发明基本构思可以做出各种变化和改进，并且这些变化和改进也包含在本发明的范围内。 

Claims (3)

1.一种由下式(4)代表的聚合物：
[式4]
其中在式(4)中，
R11、R12、R13、R14、R15、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47、R48和R49各自独立地代表选自氢原子、具有1～10个碳原子的烷基、具有1～10个碳原子的全氟烷基和具有1～10个碳原子的烷氧基中的任一种；
Q1和Q2各自独立地代表卤素原子；
R21、R22和R23各自独立地代表选自氢原子、烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和它们的组合中的任一种；
A+代表有机抗衡离子；
和
符号l、m、n、o和p分别为0<l≤0.4、0<m≤0.5、0≤n≤0.5、0≤o≤0.5和0<p≤0.2，同时l+m+n+o+p＝1；
R31代表氢原子，以及
b代表0～5的整数，和c代表0～8的整数。
2.如权利要求1所述的聚合物，其中所述聚合物的重均分子量为2,000～100,000，并且分子量分布为1.5～5。
3.一种化学放大型抗蚀剂组合物，其包含权利要求1所述的聚合物。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013075963A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Jsr Corp 化合物、重合体及びフォトレジスト組成物
JP2013173855A (ja) 2012-02-27 2013-09-05 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 高分子化合物の製造方法、該製造方法によって製造された高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法
JP5668710B2 (ja) 2012-02-27 2015-02-12 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法、該高分子化合物の製造方法
TWI527792B (zh) 2012-06-26 2016-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件
KR101415817B1 (ko) * 2012-10-17 2014-07-04 금호석유화학 주식회사 신규 오늄염 화합물, 이로부터 유도된 산 증강제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
US9029065B2 (en) 2012-10-26 2015-05-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generating compound and photoresist composition comprising same, coated article comprising the photoresist and method of making an article
JP6537118B2 (ja) * 2013-08-07 2019-07-03 東洋合成工業株式会社 化学増幅フォトレジスト組成物及び装置の製造方法
US9067909B2 (en) 2013-08-28 2015-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9046767B2 (en) 2013-10-25 2015-06-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US11613519B2 (en) * 2016-02-29 2023-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating monomer, polymer derived therefrom, photoresist composition including the polymer, and method of forming a photoresist relief image using the photoresist composition
CN115947713A (zh) * 2022-11-26 2023-04-11 青岛科技大学 一种1,3-丙烷磺酸内酯的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050153236A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. Novel polymer and chemically amplified resist composition containing the same
JP2006178317A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2007328060A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Jsr Corp パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂
US20080102407A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process
KR20080105275A (ko) * 2007-05-30 2008-12-04 주식회사 동진쎄미켐 포토에시드 제너레이터를 포함하는 포토레지스트 모노머,폴리머 및 그를 포함하는 포토레지스트 조성물
WO2010026973A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, pattern-forming method using the composition and resin used in the composition

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525497A (ja) * 1991-07-18 1993-02-02 Kao Corp 硬質表面の漂白洗浄方法
JP3613491B2 (ja) * 1996-06-04 2005-01-26 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPH10221852A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
KR100562205B1 (ko) * 2004-09-13 2006-03-22 금호석유화학 주식회사 2차 히드록실기를 갖는 알킬 환상 올레핀과 아크릴화합물의 중합체 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물
JP5194375B2 (ja) 2005-03-30 2013-05-08 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
KR100823058B1 (ko) * 2006-11-15 2008-04-18 금호석유화학 주식회사 화학증폭형 레지스트용 공중합체, 이를 포함하는화학증폭형 포토레지스트 조성물, 및 상기 조성물을 이용한화학증폭형 포토레지스트의 패터닝 방법
JP5201363B2 (ja) * 2008-08-28 2013-06-05 信越化学工業株式会社 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
KR101054485B1 (ko) * 2008-09-23 2011-08-04 금호석유화학 주식회사 오늄염 화합물, 이를 포함하는 고분자 화합물, 상기 고분자화합물을 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물 및 상기 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
KR20100036827A (ko) * 2008-09-30 2010-04-08 금호석유화학 주식회사 레지스트용 중합체 및 이를 이용하여 제조된 레지스트 조성물
JP5415982B2 (ja) * 2010-02-09 2014-02-12 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050153236A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. Novel polymer and chemically amplified resist composition containing the same
JP2006178317A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2007328060A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Jsr Corp パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂
US20080102407A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process
KR20080105275A (ko) * 2007-05-30 2008-12-04 주식회사 동진쎄미켐 포토에시드 제너레이터를 포함하는 포토레지스트 모노머,폴리머 및 그를 포함하는 포토레지스트 조성물
WO2010026973A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, pattern-forming method using the composition and resin used in the composition

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
实施例1-1至1-4, 1-10至1-12. *
第32、36、97-104段. *
第32-33、35段. *
第52-53段, (A3)、(A4)、(A11)、(A12). *
第57-58、60段. *

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