JPS61160742A - レジストの現像液 - Google Patents
レジストの現像液Info
- Publication number
- JPS61160742A JPS61160742A JP164085A JP164085A JPS61160742A JP S61160742 A JPS61160742 A JP S61160742A JP 164085 A JP164085 A JP 164085A JP 164085 A JP164085 A JP 164085A JP S61160742 A JPS61160742 A JP S61160742A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- acetone
- methyl ethyl
- ethyl ketone
- developer
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストの現像の形成方法において用いる現像
液、さらに詳しくは電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビ
ームを用いるレジスト像の形成方法において用いる現像
液に関するものである。
液、さらに詳しくは電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビ
ームを用いるレジスト像の形成方法において用いる現像
液に関するものである。
光性樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光、現像する
ことにより微細パターンを形成し、レジストパターンに
覆われていない部分を湿式エツチングするという加工法
を用いていた。しかし、この方法は光による回折等のた
め、解像度が約１ミクロンと限界がある上に湿式エツチ
ングではサイドエッチ、エッチャントの不純物の影響が
ある等の理由でｉ ミクロン以下の微細加工にｔＸ適さ
ない。
ことにより微細パターンを形成し、レジストパターンに
覆われていない部分を湿式エツチングするという加工法
を用いていた。しかし、この方法は光による回折等のた
め、解像度が約１ミクロンと限界がある上に湿式エツチ
ングではサイドエッチ、エッチャントの不純物の影響が
ある等の理由でｉ ミクロン以下の微細加工にｔＸ適さ
ない。
そこで、最近、半導体集積回路の高密度化の要請に伴い
、光の代りに更に波長の短いＸ線、電子線、遠紫外線、
イオンビーム等の放射線を用いて微細なパターンを形成
し、湿式エツチングに代わってプラズマガス、反応性ス
パッタリング、イオンミリング等による乾式エツチング
方式により、高精度な微細パターン管形成する方法が主
流になりつつある。
、光の代りに更に波長の短いＸ線、電子線、遠紫外線、
イオンビーム等の放射線を用いて微細なパターンを形成
し、湿式エツチングに代わってプラズマガス、反応性ス
パッタリング、イオンミリング等による乾式エツチング
方式により、高精度な微細パターン管形成する方法が主
流になりつつある。
従って、かかる微細加工方法において用いられるレジス
トには、上記放射線に対して高感度である事はもちろん
のこと、プラズマガス・反応性スパッタリング・イオン
ミリングに対する高い耐性が必要とされる、 本発明者は、ポリメトキシスチレンとクロルメチル基金
導入したボ１ノスチレンの混合物すなわちの ブレンドボリマーメ製造が非常に容易でしかも高感度で
尚耐エッチ性があり、高解像性のレジスト材料 １＆ａ形成できる事を見いだした。
トには、上記放射線に対して高感度である事はもちろん
のこと、プラズマガス・反応性スパッタリング・イオン
ミリングに対する高い耐性が必要とされる、 本発明者は、ポリメトキシスチレンとクロルメチル基金
導入したボ１ノスチレンの混合物すなわちの ブレンドボリマーメ製造が非常に容易でしかも高感度で
尚耐エッチ性があり、高解像性のレジスト材料 １＆ａ形成できる事を見いだした。
しかし、この場合には２−類のポリマーを膨潤させずに
同時に溶解させる必要があった。これまで、ポリスチレ
ン系誘導体において有効な現像液とされているテトラヒ
ドロ７ランを本発明者は用いてみたが、現像中の膨潤が
激しく、微ｍなレジスト像の形成で、満足のいく結果が
得られてはいなかった。
同時に溶解させる必要があった。これまで、ポリスチレ
ン系誘導体において有効な現像液とされているテトラヒ
ドロ７ランを本発明者は用いてみたが、現像中の膨潤が
激しく、微ｍなレジスト像の形成で、満足のいく結果が
得られてはいなかった。
本発明はこのような欠点を改善して膨潤が無く微細なレ
ジスト像の形成が可能な現像液を提供する墨ｐ目的とす
るものでｂる。
ジスト像の形成が可能な現像液を提供する墨ｐ目的とす
るものでｂる。
本発明は、ポリメトキシスチレンとクロルメチル基を導
入したポリスチレンの混合物からなるレジスト材料の現
像液であって、アセトンあるいにメチルエチルケトンを
生成分とするｊＪ！’ｉ特徴とす現像液でおる。
入したポリスチレンの混合物からなるレジスト材料の現
像液であって、アセトンあるいにメチルエチルケトンを
生成分とするｊＪ！’ｉ特徴とす現像液でおる。
本発明者は、クロルメチル基を導入したポリスチレン系
の材料を研究した結果、架構反応は、モノマーユニット
単位でランダムに生じるので、共重合体にしなくとも単
独重合体の混合物良い！ｌ＄ｔ−見い出した。更に本発
明者は鋭意研究を進めた結果、混合する２９類のポリマ
ーの分子量が異なっても、クロルメチル基金導入したポ
リスチレンと混合する相手ポリマーの分散が狭ければ、
解像度の指標となるｒ値は非常に大きく保つ事ができ解
像度は分子量分布の狭い共重合体に劣らない事を見い出
した。従って、本発明である混合物系を用いれは、リビ
ング重合により単分散のものができるポリマーを、上記
クロルメチル基を導入したポリスチレンと混合する事に
より解像度を損なわず高感度化できる。
の材料を研究した結果、架構反応は、モノマーユニット
単位でランダムに生じるので、共重合体にしなくとも単
独重合体の混合物良い！ｌ＄ｔ−見い出した。更に本発
明者は鋭意研究を進めた結果、混合する２９類のポリマ
ーの分子量が異なっても、クロルメチル基金導入したポ
リスチレンと混合する相手ポリマーの分散が狭ければ、
解像度の指標となるｒ値は非常に大きく保つ事ができ解
像度は分子量分布の狭い共重合体に劣らない事を見い出
した。従って、本発明である混合物系を用いれは、リビ
ング重合により単分散のものができるポリマーを、上記
クロルメチル基を導入したポリスチレンと混合する事に
より解像度を損なわず高感度化できる。
このように、混合物系という新しい概念に基づくレジス
ト材料は同じ組成の共重合体レジストに比べて性能は劣
らないばかりでなく、混ぜ合わせるだけでいいので、リ
ビング重合で単分散のできるポリマーを解像度を下けず
にそのまま高感度化できる。
ト材料は同じ組成の共重合体レジストに比べて性能は劣
らないばかりでなく、混ぜ合わせるだけでいいので、リ
ビング重合で単分散のできるポリマーを解像度を下けず
にそのまま高感度化できる。
本発明者はこの混合物系のうちポリメトキシスチレンと
クロルメチル基を導入したポリスチレン（ポリクロルメ
チルスチレンもシくハ、クロルメチル化ポリスチレン）
の混合物からなるレジスト材料の現像液として覆々の溶
媒を検討した結果特にアセトン、るるいはメチルエチル
ケト７等の低分子からなるケトンを生成分として含む′
ｆｊｔ像液が特に優れている事を見い出して本発明に到
達した。
クロルメチル基を導入したポリスチレン（ポリクロルメ
チルスチレンもシくハ、クロルメチル化ポリスチレン）
の混合物からなるレジスト材料の現像液として覆々の溶
媒を検討した結果特にアセトン、るるいはメチルエチル
ケト７等の低分子からなるケトンを生成分として含む′
ｆｊｔ像液が特に優れている事を見い出して本発明に到
達した。
すなわち本発明の現像液は、ポリメトキシスチレンとク
ロルメチル基を導入したポリスチレンの混合物から成る
レジスト材料に電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビーム
等を照射して不溶化せしめた後、未照射部分を溶解除去
してレジスト像全形いる。
ロルメチル基を導入したポリスチレンの混合物から成る
レジスト材料に電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビーム
等を照射して不溶化せしめた後、未照射部分を溶解除去
してレジスト像全形いる。
撞々の溶媒を比較検討した結果、アセトンあるいはメチ
ルエチルケトンは、未照射部分を残渣を残さず非常によ
く溶かし出すことがわかった。しかも現像中の膨潤が極
めて小さい事がわかった。
ルエチルケトンは、未照射部分を残渣を残さず非常によ
く溶かし出すことがわかった。しかも現像中の膨潤が極
めて小さい事がわかった。
従ってアセトンあるいはメチルエチルケトンを生成分と
する溶液により現像すると、微細なレジスト像が残渣を
残さず良好に形成できるアセトンあるいはメチルエチル
ケトンを単独で使用しても良いが貧溶媒を混合して更に
膨１４に抑えることができる。
する溶液により現像すると、微細なレジスト像が残渣を
残さず良好に形成できるアセトンあるいはメチルエチル
ケトンを単独で使用しても良いが貧溶媒を混合して更に
膨１４に抑えることができる。
混合する貧溶媒としては、イングロビルアルコール、エ
チルアルコール等がある。必要であれば現像液で処理し
た後、貧溶媒でリンス処理してもよい。現像液において
、アセトンあるいはメチルエチルケトンの割合は５０容
量−以上であることが望ましい。これ以下であると、溶
解性が充分ではなく、未照射部分を完全に溶かし出すこ
とができないからである。
チルアルコール等がある。必要であれば現像液で処理し
た後、貧溶媒でリンス処理してもよい。現像液において
、アセトンあるいはメチルエチルケトンの割合は５０容
量−以上であることが望ましい。これ以下であると、溶
解性が充分ではなく、未照射部分を完全に溶かし出すこ
とができないからである。
以下実施例を用いて本発明を説明する。
のレジスト溶液にした。このレジスト溶液をスピン塗布
（３０００回転／分）によりシリコン基板上し に塗ＷｓＯ℃３０分の焼き締めを行って０．６ミクロン
厚の均一な塗膜を得た。加速電圧２０ＫＶ、４μＣ／ｍ
の照射量で種々の寸法図形を描画して潜像全作った後
、メチルエチルケトン：エチルアルコール９：ｌの混合
溶媒で９０秒現像した。得られたレジスト像′ｆｔ観測
したところ、０．８ミクロン幅のレジストパターンが形
成されており残渣もなく、優れた解像ａ含水した。
（３０００回転／分）によりシリコン基板上し に塗ＷｓＯ℃３０分の焼き締めを行って０．６ミクロン
厚の均一な塗膜を得た。加速電圧２０ＫＶ、４μＣ／ｍ
の照射量で種々の寸法図形を描画して潜像全作った後
、メチルエチルケトン：エチルアルコール９：ｌの混合
溶媒で９０秒現像した。得られたレジスト像′ｆｔ観測
したところ、０．８ミクロン幅のレジストパターンが形
成されており残渣もなく、優れた解像ａ含水した。
（参考例）
本発明との比較のため従来例として実施例１と同様のも
のをテトラヒドロフラン：イン１０ピルアルコール３：
１の混合溶媒で９０秒現像したところ２μｍ幅のレジス
ト像が形成されたが、それ以上の解像度はでなかった。
のをテトラヒドロフラン：イン１０ピルアルコール３：
１の混合溶媒で９０秒現像したところ２μｍ幅のレジス
ト像が形成されたが、それ以上の解像度はでなかった。
また、残渣がところどころに存在していた。
（実施例２）
実施例１で用いたものと同じレジスタ溶液をスピン塗布
（６０００回転／分）によりシリコン基板上に塗布して
８０℃３０分の焼き締めを行って０．４８ ミクロン
厚の均一の塗布膜を得た。加速電圧２０ＫＶ 、２０ｔ
ｓＣ／ａ／Ｉ の照射量で露光した後、アセトン−エチ
ルアルコール（９：ｌ）での混合液で３０秒現像し、イ
ソプロビすアルコールテコ０秒リンスした。観測したと
ころ０．６ミクロン幅のレジスト像が残渣もなく良好に
形成された。
（６０００回転／分）によりシリコン基板上に塗布して
８０℃３０分の焼き締めを行って０．４８ ミクロン
厚の均一の塗布膜を得た。加速電圧２０ＫＶ 、２０ｔ
ｓＣ／ａ／Ｉ の照射量で露光した後、アセトン−エチ
ルアルコール（９：ｌ）での混合液で３０秒現像し、イ
ソプロビすアルコールテコ０秒リンスした。観測したと
ころ０．６ミクロン幅のレジスト像が残渣もなく良好に
形成された。
（実施例３）
ポリメトキシスチレン（Ｍｗ＝２万、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
２）ＩＩとクロルメチル化ポリスチレン（Ｍｗ＝］万、
Ｍｗ／Ｍ ｎ≦１．１）ｌｐ をイソアミルアセテー
トに溶かして１０ｗｔ＊のレジスト溶液を作った。
２）ＩＩとクロルメチル化ポリスチレン（Ｍｗ＝］万、
Ｍｗ／Ｍ ｎ≦１．１）ｌｐ をイソアミルアセテー
トに溶かして１０ｗｔ＊のレジスト溶液を作った。
この溶液をスピン塗布（３０００回転７分）により０．
５ミクロンの塗布膜を形成した。加速電圧２０ＫＶ、１
２μＣ／′ｃｄの照射量で露光してメチルエチルケトン
ニイングロビルアルコール９ ： ｌ ｆ１合ａで６０
秒現像した後、イソプロピルアルコールで３０秒リンス
した。観測したところ０．８ミクロン幅のレジスト像が
残渣もなく良好に形成されており、優れた解像性を示し
た。
５ミクロンの塗布膜を形成した。加速電圧２０ＫＶ、１
２μＣ／′ｃｄの照射量で露光してメチルエチルケトン
ニイングロビルアルコール９ ： ｌ ｆ１合ａで６０
秒現像した後、イソプロピルアルコールで３０秒リンス
した。観測したところ０．８ミクロン幅のレジスト像が
残渣もなく良好に形成されており、優れた解像性を示し
た。
Claims (1)
- ポリメトキシスチレンとクロルメチル基を導入したポリ
スチレンの混合物からなるレジストの現像液であって、
生成分としてアセトンもしくはメチルエチルケトンを含
む事を特徴とするレジストの現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP164085A JPS61160742A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | レジストの現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP164085A JPS61160742A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | レジストの現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160742A true JPS61160742A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0562734B2 JPH0562734B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=11507121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP164085A Granted JPS61160742A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | レジストの現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160742A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08262738A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細パターン形成方法 |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP164085A patent/JPS61160742A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08262738A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562734B2 (ja) | 1993-09-09 |
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