JP2714378B2 - レジスト組成物およびその使用 - Google Patents

レジスト組成物およびその使用

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JP2714378B2
JP2714378B2 JP62145454A JP14545487A JP2714378B2 JP 2714378 B2 JP2714378 B2 JP 2714378B2 JP 62145454 A JP62145454 A JP 62145454A JP 14545487 A JP14545487 A JP 14545487A JP 2714378 B2 JP2714378 B2 JP 2714378B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明以前には、トンプソン（Thompson）らによって
1983年アメリカ化学会（American Chemical Societ
y）、ACS第219シンポジウム（ACS Symposium Series 21
9）、第111頁、「マイクロリソグラフィー入門（Introd
uction to Microlithography）」に示されているよう
に、溶解禁止に基づくノボラックをベースとするポジ型
レジストは一般に、稀薄な水性塩基による現像に対して
ノボラック樹脂を不溶性にするための溶解禁止剤として
置換1.2−ジアゾナフトキレン類を利用していた。これ
らジアゾナフトキノンは照射の際に転位を受け、レジス
トの露光した部分は稀薄水性塩基に対して可溶性にな
る。これらのホトレジストは広く使われているが通常は
ジアゾナフトキノンに特有の吸収に基づく366nmより長
い近紫外（UV）に限られている。 イトー（Ito）らの米国特許第4,491,628号に教示され
ているように、光開始剤としてジアリールヨードニウム
塩類またはトリアリールスルホニウム塩類を用いるとそ
の結果として遠UV領域（200〜300nm）で使用することが
できるポジおよびネガ型で作動するレジスト組成物が得
られる。これらの光開始剤は不安定な懸垂（ペンダン
ト）基が繰返して存在するビニル系ポリマーと共に使わ
れる。これらのビニル系ポリマーは酸分解を受けてこれ
ら前駆体とは溶解性が非常に異なる生成物を生成する。 イトー（Ito）らのレジスト組成物を用いると有効な
結果が体制されうるが、これらのビニル系ポリマーおよ
びそれらの酸に不安定な置換されたモノマー性前駆体は
市販されていない。さらに、アリールオニウム塩を使用
している結果正常な操作条件下で露光した際過剰に架橋
が生ずるため、得られたホトレジストの性能が損われる
ことがある。時には、ホトレジスト組成物中に安定剤を
混入することによって、改良された結果が得られること
がある。 本発明の基礎となった本発明者らの発見は、市販のポ
リマーをベースの樹脂として用いて、電子ビーム、Ｘ線
および600〜200nmの範囲のUVに対して感受性のホトレジ
スト組成物が製造できるということである。このホトレ
ジストは、以下に定義する化学的に結合した酸に不安定
な基を有する溶解禁止剤およびアリールオニウム塩と組
合せて市販のポリマーを使用することによって、不溶性
から可溶性の状態に変換することができる。ホトレジス
ト溶解機構は完全には理解されていないが、照射された
アリールオニウム塩から酸が発生する際に化学的増幅効
果が達成されると考えられる。溶解禁止剤の可溶性状態
への変換は酸に不安定な基の酸分解によって達成され、
これにより、露出されたホトレジスト領域が可溶化され
る。 発明の陳述 本発明によって、水または水性塩基（塩基性水溶液）
に可溶なレジストを得るのに有用なレジスト組成物が提
供される。この組成物は、重量で、次の割合の成分から
なる。 （Ａ）有機溶媒100部、ならびに、 （Ｂ）重量で、 （１）平均分子量（MW）が200〜20,000であり、水また
は水性塩基に可溶性の有機ポリマー100部、 （２）水または水性塩基に不溶性でありかつ沸点が少な
くとも100℃であり、（１）用の溶解禁止剤である、酸
に対して不安定な基で置換された単純な化合物５〜100
部、および （３）有効量のアリールオニウム塩からなる固形分５〜
85部。 本発明の実施に際し上記の所望のレジスト組成物を調
製するのに利用することができる水または水性塩基に可
溶性の有機ポリマー（以後単に「ポリマー」という）の
いくつかとしては、たとえば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、クロロフェノールノボ
ラック樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、水溶性
デンプン、セルロースポリマー（たとえば、カルボキシ
メチルヒドロキシエチルセルロース、プロポキシル化セ
ルロース）、ポリアクリルアミド、ポリ−２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、ポリメチルビニルエーテル、
ポリエチレンオキシド、４−ヒドロキシフェニルマレイ
ミドと、スチレン、スチルベン、ビニルエーテル類およ
び４−ヒドロキシスチレンの中から選択されたものとの
コポリマー、ならびにポリ−４−ビニルフェノール、ポ
リ−４−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、ポリアクリ
ルアクリル酸およびポリメタクリル酸のようなポリマー
がある。 本発明を実施する際に、水または水性塩基可溶性レジ
ストを製造するのに使用することができる酸不安定性基
で置換した単純な化合物、すなわち溶解禁止剤（以後単
に「禁止剤」という）の中には、たとえばつぎに挙げる
ものがある。 本発明の禁止剤は分子量が約1000未満のものが好まし
い。それらは酸に対して不安定な懸垂基をもっており、
その懸垂基はカルボン酸のtert−ブチルエステルおよび
フェノール類のtert−ブチルカーボネートが好ましい。
さらにこれらの酸に不安定な基はトリチル、ベンジル、
ベンズヒドリルおよび上記の禁止剤中に例示した修飾基
であってもよい。たとえば、以下で「開始剤」と呼ぶ、
本発明の実施において照射の際に酸を形成させるために
使用され得る照射分解可能な開始剤（アリールオニウム
塩）には、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールク
ロロニウム塩、ジアリールブロモニウム塩、トリアリー
ルセレノニウム塩、チオピリリウム塩、キサンチリウム
塩、イミダゾリウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニ
ウム塩、ジアルキルヒドロキシフェニルスルホニウム
塩、フェロセニウム塩、ジアゾニウム塩、トリアリール
スルホオキソニウム塩、ジアリールヨードオキソニウム
塩、フェナシルトリアリールホスホニウム塩、フェナシ
ルトリアルキルアンモニウム塩、フェナシルピリジニウ
ム塩がある。その他の例はチンペ（H.−J.Timpe）およ
びバウマン（H.Baumann）によってAdhesion,９,9（198
4）に、またクリベロ（Crivello）によって米国特許第
4,058,400号、第4,058,401号、第4,069,055号および第
4,151,175号（これらは本発明と同じ譲受人に譲渡され
ており、引用によって本明細書中に含まれるものとす
る）に挙げられている。 次に別のオニウム塩のいくつかの例を挙げる。 本発明の組成物は、有機溶媒、ポリマー、禁止剤、お
よび照射によって分解しうる開始剤をブレンドすること
によって製造することができる。 このレジスト組成物を製造する際、各種の成分の添加
順序は特に重要ではない。ポリマー100部につき禁止剤
を約５〜約100部、開始剤を約0.5〜約25部用いると有効
な結果が得られることが判明している。好ましい場合と
して、ポリマー100部に対して禁止剤を５〜70部、かつ
ポリマー100部に対して開始剤を１〜20部使用すること
ができる。 ここで有機溶媒という用語には、本発明を実施する際
にレジスト組成物の製造に使用することができる有機溶
媒またはそのような有機溶媒の混合物が含まれ、たとえ
ば1,2−ジメトキシエタン、28−メトキシエチル）エー
テル、酢酸１−メトキシ−２−プロピル、クロロベンゼ
ン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、酢酸１−メトキシ
−２−エチル、ジオキサン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン、ｎ−ブタノール、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、酢酸アルミおよび酢酸ブチ
ルがある。 さらに本発明は、基板上にパターン化されたレジスト
を製造する方法を提供する。この方法は、 （１）基板を本発明のレジスト組成物で処理、すなわち
スピン塗布、噴霧、溶液注型、または浸漬塗布してレジ
スト−基板複合体を作成し、 （２）このレジスト−基板複合体を約35℃〜180℃の範
囲の温度にベーキングし、 （３）適用（塗布）されたレジストをパターン化された
様式で照射し、 （４）照射されたレジストを約35℃〜185℃の範囲の温
度に加熱し、 （５）照射されたレジストを現像してパターン化された
レジスト基板複合体を生成せしめる ことからなる。 レジスト−基板複合体を製造するために本発明の方法
を実施する際に処理することができる基板の中には銅−
クラッド（被覆）積層体、シリコン（ケイ素）ウェハ、
二酸化ケイ素ウェハ、アルミニウムおよびヒ化ガリウム
がある。 本発明の方法を実施する際に用いることができる現像
剤の例としては塩基水溶液、たとえばNaOH、KOHおよび
水酸化テトラブチルアンモニウムの水溶液がある。 典型的な現像剤は、マサチューセッツ州、ニュートン
のシップレー（Shipley）社、ロードアイランド州、イ
ースト・プロビデンスのフント（Hunt）社、およびコネ
ティカット州、ワリングフォードのKTI社で製造されて
いる。 さらに、上記のオニウム塩すなわち開始剤は、所定の
波長の光の吸収をよくするため、またはオニウム塩を吸
収のないスペクトル領域に増感するため、各種の光増感
剤と組合せて使用することができるということが見出さ
れている。上記の開始剤またはそれらの混合物と組合せ
て用いることができる典型的な増感剤としては、たとえ
ばベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アント
ロン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレ
ン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジン
オレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、アント
ラキノン、9,10−ジフェニルアントラセン、９−フルオ
レノン、ベンゾフェノン、およびコロネンがある。 また、上記の増感剤を本発明の実施の際に用いられる
開始剤と組合せて使用して電子ビームおよびＸ線照射下
ならびに可視光またはUVの照射下でのホトレジストの応
答を修正することもできる。 本発明のレジスト組成物の考えられる応用例のいくつ
かとしては、たとえば回路板、集積回路、たとえばポリ
メチルメタクリレートと組合せた多層レジスト構造体な
どがある。本発明のレジスト組成物中には、流動調節
剤、表面活性剤、反応防止染料および湿潤剤を用いるこ
ともできる。 当業者がより容易に本発明を実施できるように以下に
実施例を例示して説明する。しかし本発明はこれらの実
施例に限定されることはない。部とあるのはすべて重量
部である。 実施例１ 市販の各種フェノール樹脂（分子量約1,000）1.5g、
ジ−ｔ−ブチルテレフタレート0.5g、ジフェニル−４−
チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホ
スフェート0.1g、および１−メトキシ−２−プロピルア
セテート6mLを使用してホトレジスト組成物を製造し
た。これら各種のホトレジスト組成物を、予めヘキサメ
チルジシラザンで処理しておいたシリコンウェハの上に
スピンコートした。処理したウェハを90℃で1/2時間ベ
ーキングした。次にこれらのウェハを露光して像を形成
する照射は、サス（Suss）MA56接触／近接プリンターを
313nmの近接モードで作動させ、露出時間は10〜40秒、
強度は4.5mW/cm2として行なった。露光後ウェハを強制
空気オーブン中で60秒間110〜130℃に加熱し、次に水と
KTI351現像剤の混合物を用いて現像した。使用した市販
の「フェノール樹脂」と、現像液混合物および現像法を
次に示す。 フェノール樹脂 現像剤／水 メタ−クレゾールノボラック 1:1 ポリビニルフェノール 5:1（浸漬） ｔ−ブチルフェノールノボラック 5:1（浸漬） これらのレジストを現像したところ、２〜3.5μｍの
像が解像できた。 実施例２ 以下のようにして禁止剤のｔ−ブチルナフタレン−２
−カルボキシレートを製造した。 ２−ナフトエ酸51.6g（0.3モル）とチオニルクロライ
ド120mlの混合物を１時間還流した。過剰のチオニルク
ロライドを除去した。得られた固体をテトラヒドロフラ
ン150mLに溶かし、カリウムｔ−ブトキシド40g（0.35モ
ル）を増量しながら加えた。この添加が完了した後反応
混合物を４時間還流し、冷却し、次いで水中に注いだ。
得られた固体を濾過して集め、水で洗い、減圧下で乾燥
した。この生成物をｎ−ヘキサンで再結晶すると融点が
88〜90℃の結晶性の固体が得られた。この製法による生
成物はｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレートで
あり、これは68％の収率で得られた。 実施例１の手順に従い、メタ−クレゾールノボラック
樹脂1.5g、ｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレー
ト0.5g、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロホスフェート0.1g、および１−
メトキシ−２−プロピルアセテート6mLを使用してホト
レジスト組成物を製造した。実施例１の手順に従って作
成した被覆シリコンウェハを、照射時間を15〜40秒とし
て像が形成するようにUV光で露光すると、解像度が3.5
μｍと良好な、優れたポジ型の像が得られた。 実施例３ 市販のメタ−クレゾールノボラック樹脂をジ−ｔ−ブ
チルテレフタレートまたはｔ−ブチルナフタレン−２−
カルボキシレートと共に用いて別のホトレジスト組成物
を製造した。ジ−ｔ−ブチルテレフタレート溶解禁止剤
を用いてホトレジストを製造する際には、メタ−クレゾ
ールノボラック樹脂1.5g、禁止剤0.5g、４−メトキシフ
ェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメチルスルホ
ネート0.1g、および光増感剤として９−フルオレノン0.
03gを使用した。 ｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレートを用い
たホトレジストを、メタ−クレゾールノボラック樹脂1.
5g、禁止剤0.5g、４−メトキシフェニルフェニルヨード
ニウムトリフルオロメチルスルホネート0.1g、光増感剤
としてのペリレン0.01g、および１−メトキシ−２−プ
ロピルアセテート6mLと組合せた。 上記のホトレジスト組成物を実施例１の手順に従って
シリコンウェハ上にスピンコートした。ジ−ｔ−ブチル
テレフタレート禁止剤と９−フルオレノン光増感剤を含
有するホトレジスト組成物は313nmで５秒間照射し、ｔ
−ブチルナフタレン−２−カルボキシレートとペリレン
増感剤を含有するホトレジスト組成物は365nm（6.3mW/c
m2）および405〜436nm（8.1mW/cm2）で５秒間照射し
た。使用した禁止剤、光増感剤および波長の組合せを次
の表に示す。 上記の条件下KTI350現像液中でレジストを加工処理し
た。１μｍの像が解像できた。 実施例４ 禁止剤のｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネートを次
の手順によって製造した。 ２−ナフトール5g（0.35モル）をテトラヒドロフラン
90mLに溶かした溶液に、窒素雰囲気下でカリウムｔ−ブ
トキシド3.9g（0.035モル）を加えた。この混合物を５
分間撹拌し、ジ−ｔ−ブチルジカーボネート8.3g（0.03
5モル）を加えた。混合物を２時間撹拌した。次にこの
混合物を氷水中に注ぎ、エチルアセテートで三回抽出し
た。一緒にした有機層を水で三回、次に飽和食塩水で洗
浄した後無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。次いで混合
物をロータリーエバポレーターで濃縮した。結晶性の固
体が得られ、これを石油エーテルで再結晶した後減圧下
で乾燥した。融点が74〜75℃のｔ−ブチルナフチルカー
ボネートが収率65％で得られた。 実施例１の手順に従い、市販のメタークレゾールノボ
ラック樹脂1.2g、ｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネー
ト0.8g、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロホスフェート0.1gおよび１−メ
トキシ−２−プロピルアセテート6mLを用いてホトレジ
スト組成物を製造した。ウェハにスピンコートし、実施
例１に記載したようにして20〜40秒露光し、125℃で30
〜60秒間ベーキングした。ホトレジストをKTI351と水の
1:2.5混合物中で１分間現像すると、くっきりした２μ
ｍのライン／スペースが得られた。 実施例５ 実施例１の手順に従い、ｍ−クレゾールノボラック樹
脂1.2g、４−ｔ−ブトキシ−ｐ−ビフェニル0.8g、ジフ
ェニル−４−チオフェノキシ−１−フェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロホスフェート0.1gおよび１−メトキシ
−２−プロピルアセテート6mLを用いてホトレジスト組
成物を製造した。被覆したウェハを313nmのUVに20〜40
秒間露光し、125℃で30〜60秒間ベーキングし、KTI351
と水の1:1混合物に浸漬して、くっきりと解像された３
μｍのライン／スペースを得た。 実施例６ 市販のメタ−クレゾールノボラック樹脂1.5g、ｔ−ブ
チル−1H−インデン−３−カルボキシレート500mg、ジ
フェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘ
キサフルオロホスフェート100mgおよび１−メトキシ−
２−プロピルアセテート6mLを用いてホトレジスト組成
物を製造した。このホトレジストを実施例１に記載した
ようにしてスピンコートし照射した。313nmで15〜20秒
間照射し、125℃で30〜60秒間ベーキングし、KTI351現
像剤と水の1:1溶液中で１分間現像して、くっきりした
2.5μｍのライン／スペースを得た。 実施例７ 市販のメタ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルアダ
マンタン−１−カルボキシレート、各種の開始剤、およ
び１−メトキシ−２−プロピルアセテートを用いてホト
レジスト組成物を製造した。これらのホトレジスト組成
物のうちのあるものは、メタクレゾールノボラック1.5
g、ｔ−ブチルアダマンタン−１−カルボキシレート500
mg、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロホスフェート100mg、および１−メ
トキシ−２−プロピルアセテート6mLを共にブレンドし
て作成した。別のホトレジストの調合では、メタ−クレ
ゾールノボラック樹脂を1.5g、禁止剤を500mg、４−メ
トキシフェニル−ヨードニウムヘキサフルオロホスフェ
ートを110mgおよび１−メトキシ−２−プロピルアセテ
ートを6mL使用した。これら各種のホトレジスト組成物
をすでに記載したようにしてシリコンウェハに塗布し、
5.22mW/cm2の強度で、313nmで10〜15秒間、254nmで２〜
３秒間露光して像を形成した。このレジストを実施例１
の手順に従って加工した。スルホニウム含有ホトレジス
トでは３μｍ、ヨードニウム含有ホトレジストでは2.5
μｍの解像度が得られた。 実施例８ ｍ−クレゾールノボラック樹脂［シェネクタデイー・
ケミカルズ（Schenectady Chemicals）製HRJ2606］1.5
g、ジ−ｔ−ブチルアジペート500mg、４−メトキシフェ
ニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート
100mg、および１−メトキシ−２−プロピルアセテート6
mLで構成されたホトレジスト組成物を、予めヘキサメチ
ルジシラザンで処理しておいたシリコンウェハにスピン
コートし、ベーキングした。膜厚が２μｍの皮膜を得
た。このホトレジスト被覆を、サス（Suss）MA56接触／
近接プリンターを254nm近接モードで作動させて強度は
5.22mW/cm2として４〜５秒間露光した。露光後ウェハを
130℃で30〜60秒間ポストベーキングし、次いでKT1351
と水の1:1混合物中で60秒間現像した。解像度のよい影
響パターンが3.5μｍのライン／スペースで得られた。 実施例９ 実施例８のｍ−クレゾールノボラック樹脂3gをメチル
エチルケトン10mLに溶解した。得られた溶液に、ｔ−ブ
チル−２−ナフタレンカルボキシレートを1g、ペリレン
を0.02g、および４−メトキシフェニルフェニルヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホネートを0.2g加えた。
この混合物を銅−クラッドエポキシ−ガラス回路板の上
に塗布し、乾燥して溶剤を除去した。乾燥した回路板を
マイラー（Mylar）樹脂製の写真ネガで覆った。このネ
ガを、800Wで安定させたGE Ｈ−3T7中圧水銀灯を用い
て８インチの距離から30秒間照射した。像形成の後回路
板を100℃で３分間ベーキングし、KTI351と水の1:1混合
物中で現像した。次いで塩化第二鉄の水溶液を用いてこ
のパターンを回路板にエッチングしてマスクのくっきり
したポジ型像を得た。 上記の結果は本発明の実施の際に使用することができ
る非常に多くの変形のうちのほんの数例に関するだけで
あるが、本発明はこれらの実施例の前に記載したずっと
広範囲のポリマー、禁止剤および開始剤を使用すること
ができるものである。
フロントページの続き (72)発明者 ジュリア・ラム・リー アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケ ネクタデイ、リバー・ロード、2456番 (56)参考文献 特開 昭60−205444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−3625（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 １．（Ａ）有機溶媒100重量部、ならびに、 （Ｂ）（B.1）平均分子量が200〜20,000であり水または
    水性塩基に可溶性の有機ポリマー100重量部、 （B.2）該有機ポリマー用の溶解禁止剤である、酸に不
    安定な基で置換された単純な化合物であって、その分子
    量が1000未満であり、水または水性塩基に不溶性で沸点
    が少なくとも100℃であり、ｔ−ブチルエステル、アリ
    ールｔ−ブチルエーテル、アリールｔ−ブチルカーボネ
    ート、１−トリメチルシロキシナフタレン、３−シクロ
    ヘキセニルベンゾエート、および3,6−ビス（ベンゾイ
    ルオキシ）シクロヘキセンでなる群から選択され、そし
    て、該酸に不安定な基が非水条件下において酸で脱離し
    得る、化合物５〜100重量部、および （B.3）有効量のアリールオニウム塩 からなる固形分５〜85重量部 を含有するレジスト組成物。 ２．有機ポリマーがノボラック樹脂であり、スピンまた
    は溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記載の組成
    物。 ３．前記酸に対して不安定な基で置換された溶解禁止剤
    が単純な化合物の第三級ブチルエステルであり、スピン
    または溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記載の組
    成物。 ４．前記アリールオニウム塩がスルホニウム塩であり、
    スピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記
    載の組成物。 ５．前記アリールオニウム塩がヨードニウム塩であり、
    スピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記
    載の組成物。 ６．光増感剤を含有し、スピンまたは溶液注型可能な特
    許請求の範囲第１項に記載の組成物。 ７．前記溶解禁止剤がアリールｔ−ブチルエーテルであ
    り、スピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第１項
    に記載の組成物。 ８．前記溶解禁止剤がアリールｔ−ブチルカーボネート
    であり、スピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第
    １項に記載の組成物。 ９．前記オニウム塩がヘキサフルオロアンチモン酸トリ
    フェニルスルホニウムであり、スピンまたは溶液注型可
    能な特許請求の範囲第１項に記載の組成物。 １０．前記オニウム塩がヘキサフルオロリン酸ジフェニ
    ル−４−チォフェノキシフェニルスルホニウムであり、
    スピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記
    載の組成物。 １１．前記オニウム塩がヘキサフルオロリン酸４−メト
    キシフェニルフェニルヨードニウムであり、スピンまた
    は溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記載の組成
    物。 １２．前記オニウム塩がトリフルオロメタンスルホン酸
    ４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムであり、ス
    ピンまたは溶液注型可能な特許請求の範囲第１項に記載
    の組成物。 １３．パターン化されたレジスト基板複合体の製造方法
    であって、 （ｉ）基板をレジスト組成物で処理してレジスト−基板
    複合体を作成し、 （ii）レジスト−基板複合体を35℃〜180℃の範囲の温
    度にベーキングし、 （iii）得られたレジストをパターン化された様式で照
    射し、 （iv）照射されたレジストを35℃〜185℃の範囲の温度
    に加熱し、 （ｖ）照射されたレジストを現像してパターン化された
    レジスト基板複合体を得ること、 を包含し、 該レジスト組成物が下記の成分を含有する方法： （Ａ）有機溶媒100重量部、ならびに、 （Ｂ）（B.1）平均分子量が200〜20,000であり水または
    水性塩基に可溶性の有機ポリマー100重量部、 （B.2）該有機ポリマー用の溶解禁止剤である、酸に不
    安定な基で置換された単純な化合物であって、その分子
    量が1000未満であり、水または水性塩基に不溶性で沸点
    が少なくとも100℃であり、ｔ−ブチルエステル、アリ
    ールｔ−ブチルエーテル、アリールｔ−ブチルカーボネ
    ート、１−トリメチルシロキシナフタレン、３−シクロ
    ヘキセニルベンゾエート、および3,6−ビス（ベンゾイ
    ルオキシ）シクロヘキセンでなる群から選択され、そし
    て、該酸に不安定な基が非水条件下において酸で脱離し
    得る、化合物５〜100重量部、および （B.3）有効量のアリールオニウム塩 からなる固形分５〜85重量部。 １４．（ｉ）基板をレジスト組成物で処理してレジスト
    −基板複合体を作成し、 （ii）レジスト−基板複合体を35℃〜180℃の範囲の温
    度にベーキングし、 （iii）得られたレジストをパターン化された様式で照
    射し、 （iv）照射されたレジストを35℃〜185℃の範囲の温度
    に加熱し、 （ｖ）照射されたレジストを現像すること、 を包含する方法により得られる、パターン化されたレジ
    スト基板複合体であって、 該レジスト組成物が下記の成分を含有するレジスト基板
    複合体： （Ａ）有機溶媒100重量部、ならびに、 （Ｂ）（B.1）平均分子量が200〜20,000であり水または
    水性塩基に可溶性有機ポリマー100重量部、 （B.2）該有機ポリマー用の溶解禁止剤である、酸に不
    安定な基で置換された単純な化合物であって、その分子
    量が1000未満であり、水または水性塩基に不溶性で沸点
    が少なくとも100℃であり、ｔ−ブチルエステル、アリ
    ールｔ−ブチルエーテル、アリールｔ−ブチルカーボネ
    ート、１−トリメチルシロキシナフタレン、３−シクロ
    ヘキセニルベンゾエート、および3,6−ビス（ベンゾイ
    ルオキシ）シクロヘキセンでなる群から選択され、そし
    て、該酸に不安定な基が非水条件下において酸で脱離し
    得る、化合物５〜100重量部、および （B.3）有効量のアリールオニウム塩 からなる固形分５〜85重量部。 １５．前記基板がシリコンウェハである特許請求の範囲
    第14項に記載の複合体。 １６．前記基板が銅−クラッド積層体である特許請求の
    範囲第14項に記載の複合体。
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