JP3010607B2 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型感放射線性樹脂
組成物に関する。さらに詳しくは、特にエキシマレーザ
ーなどの遠紫外線の如き放射線を用いる微細加工に有用
なレジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に
関する。
組成物に関する。さらに詳しくは、特にエキシマレーザ
ーなどの遠紫外線の如き放射線を用いる微細加工に有用
なレジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造に代表される微細加工の
分野においては、集積回路のより高い集積度を得るため
に、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化がさら
に進んでおり、近年では、０.５μｍ以下の微細加工を
安定的に行うことのできる技術が必要とされている。そ
のため、用いられるレジストにおいても、０.５μｍ以
下のパターンを精度良く形成することが必要である。し
かし、従来の可視光線（７００〜４００ｎｍ）または近
紫外線（４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、０.
５μｍ以下のパターンを精度良く形成することは極めて
困難である。それ故、より波長の短い（３００ｎｍ以
下）放射線を利用したリソグラフィー技術が検討されて
いる。
分野においては、集積回路のより高い集積度を得るため
に、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化がさら
に進んでおり、近年では、０.５μｍ以下の微細加工を
安定的に行うことのできる技術が必要とされている。そ
のため、用いられるレジストにおいても、０.５μｍ以
下のパターンを精度良く形成することが必要である。し
かし、従来の可視光線（７００〜４００ｎｍ）または近
紫外線（４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、０.
５μｍ以下のパターンを精度良く形成することは極めて
困難である。それ故、より波長の短い（３００ｎｍ以
下）放射線を利用したリソグラフィー技術が検討されて
いる。
【０００３】このような放射線としては、水銀灯の輝線
スペクトル（２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）などに代表される遠紫外線や、Ｘ線、電
子線などを挙げることができる。これらのうち、特に注
目されているのがエキシマレーザーである。このため、
使用されるレジストに関しても、エキシマレーザーによ
り０.５μｍ以下のパターンを高感度、高解像度で、パ
ターンのプロファイルが良く、フォーカス許容性（放射
線照射時に焦点がずれても良好なパターンを保つことが
できる）、現像性（現像時のスカムや現像残りがな
い）、残膜性（現像時に膜減りしない）、接着性（現像
時にレジストパターンが剥がれない）などの性能が優れ
ていることが必要とされる。さらに、最近では、放射線
照射によって酸を発生させ、その触媒作用により感度を
向上させる「化学増幅型レジスト」が提案されている。
これらのレジストにおいては、一般に、感度は良好であ
るが、安定性に問題があり、例えば放射線照射から現像
までの時間や放射線照射後の加熱温度の違いなどにより
性能が大きく変化するという問題がある。
スペクトル（２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）などに代表される遠紫外線や、Ｘ線、電
子線などを挙げることができる。これらのうち、特に注
目されているのがエキシマレーザーである。このため、
使用されるレジストに関しても、エキシマレーザーによ
り０.５μｍ以下のパターンを高感度、高解像度で、パ
ターンのプロファイルが良く、フォーカス許容性（放射
線照射時に焦点がずれても良好なパターンを保つことが
できる）、現像性（現像時のスカムや現像残りがな
い）、残膜性（現像時に膜減りしない）、接着性（現像
時にレジストパターンが剥がれない）などの性能が優れ
ていることが必要とされる。さらに、最近では、放射線
照射によって酸を発生させ、その触媒作用により感度を
向上させる「化学増幅型レジスト」が提案されている。
これらのレジストにおいては、一般に、感度は良好であ
るが、安定性に問題があり、例えば放射線照射から現像
までの時間や放射線照射後の加熱温度の違いなどにより
性能が大きく変化するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、微細加工を安定的に行うことがで
き、高感度、高解像度で、パターンプロフファイルが良
く、フォーカス許容性、現像性、残膜性、密着性などの
性能に優れ、安定性も良好であり、レジストとして好適
な、感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発
明のさらに他の目的は以下の説明から明らかとなろう。
なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、微細加工を安定的に行うことがで
き、高感度、高解像度で、パターンプロフファイルが良
く、フォーカス許容性、現像性、残膜性、密着性などの
性能に優れ、安定性も良好であり、レジストとして好適
な、感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発
明のさらに他の目的は以下の説明から明らかとなろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、 （１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカル
ボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の
水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ば
れる少なくとも１種の酸解離性基で、該酸性官能基に対
し１５〜６３％の割合で置換されたアルカリ不溶性また
は難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ
可溶性である樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という）、 （２）感放射線性酸形成剤（以下、「酸形成剤」とい
う）、および （３）下記式（１９）〜（２３）： ここで、Ｒ 37 、Ｒ 38 およびＲ 39 は、同一または異なり、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル
基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリー
ル基であり、ここでＲ 37 とＲ 38 は互いに結合して環を形
成してもよい。 （式中、Ｒ 40 、Ｒ 41 、Ｒ 42 およびＲ 43 は、同一または異
なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表される構
造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基
性化合物、を含有することを特徴とする集積回路製造用
ポジ型感放射線性樹脂組成物により達成される。
の上記目的および利点は、 （１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカル
ボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の
水素原子が、置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ば
れる少なくとも１種の酸解離性基で、該酸性官能基に対
し１５〜６３％の割合で置換されたアルカリ不溶性また
は難溶性樹脂で、上記の基が酸解離したときにアルカリ
可溶性である樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という）、 （２）感放射線性酸形成剤（以下、「酸形成剤」とい
う）、および （３）下記式（１９）〜（２３）： ここで、Ｒ 37 、Ｒ 38 およびＲ 39 は、同一または異なり、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル
基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリー
ル基であり、ここでＲ 37 とＲ 38 は互いに結合して環を形
成してもよい。 （式中、Ｒ 40 、Ｒ 41 、Ｒ 42 およびＲ 43 は、同一または異
なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表される構
造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基
性化合物、を含有することを特徴とする集積回路製造用
ポジ型感放射線性樹脂組成物により達成される。
【０００６】以下、本発明の組成物について説明する。
本発明の組成物で用いられる樹脂（Ｂ）は、酸性官能基
としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つ
アルカリ可溶性樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という）の
該酸性官能基の水素原子を上記の如き特定の酸解離性基
で置換したものである。
本発明の組成物で用いられる樹脂（Ｂ）は、酸性官能基
としてフェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つ
アルカリ可溶性樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という）の
該酸性官能基の水素原子を上記の如き特定の酸解離性基
で置換したものである。
【０００７】樹脂（Ａ） 本 発明で使用される樹脂（Ａ）は、アルカリ現像液に可
溶であるという性質を有するものであれば特に限定され
ない。従って、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、
例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基などの酸性
官能基を有する樹脂であればよい。好適な樹脂（Ａ）と
しては、例えば下記式（１）
溶であるという性質を有するものであれば特に限定され
ない。従って、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、
例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基などの酸性
官能基を有する樹脂であればよい。好適な樹脂（Ａ）と
しては、例えば下記式（１）
【０００８】
【化１】
【０００９】で表わされる繰返し単位、下記式（２）
【００１０】
【化２】
【００１１】で表わされる繰返し単位、下記式（３）
【００１２】
【化３】
【００１３】で表わされる繰返し単位および下記式
（４）
（４）
【００１４】
【化４】
【００１５】で表わされる繰返し単位の少なくとも１つ
の繰返し単位を含有する樹脂を挙げることができる。
の繰返し単位を含有する樹脂を挙げることができる。
【００１６】本発明における樹脂（Ａ）は、式（１）、
式（２）、式（３）または式（４）で表わされる繰返し
単位のみで構成されてもよいし、またその他の繰返し単
位を有してもよい。ここにおけるその他の繰返し単位と
しては、例えば無水マレイン酸、フマロニトリル、アク
リルアミド、アクリロニトリル、ビニルピリジン、ビニ
ルピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルアニリンな
どの二重結合を含有するモノマーの二重結合が開裂した
繰返し単位を挙げることができる。
式（２）、式（３）または式（４）で表わされる繰返し
単位のみで構成されてもよいし、またその他の繰返し単
位を有してもよい。ここにおけるその他の繰返し単位と
しては、例えば無水マレイン酸、フマロニトリル、アク
リルアミド、アクリロニトリル、ビニルピリジン、ビニ
ルピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルアニリンな
どの二重結合を含有するモノマーの二重結合が開裂した
繰返し単位を挙げることができる。
【００１７】本発明の樹脂（Ａ）における式（１）、式
（２）、式（３）および式（４）で表わされる繰返し単
位の含有量は含有されるその他の繰返し単位により一概
に決定できないが、通常、１５モル％以上、好ましくは
２０モル％以上である。本発明の樹脂（Ａ）の分子量
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以
下、「Ｍｗ」という）が、好ましくは１,０００〜１５
０,０００、特に好ましくは３,０００〜１００,０００
である。
（２）、式（３）および式（４）で表わされる繰返し単
位の含有量は含有されるその他の繰返し単位により一概
に決定できないが、通常、１５モル％以上、好ましくは
２０モル％以上である。本発明の樹脂（Ａ）の分子量
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以
下、「Ｍｗ」という）が、好ましくは１,０００〜１５
０,０００、特に好ましくは３,０００〜１００,０００
である。
【００１８】本発明の樹脂（Ａ）を製造する方法として
は、例えば対応するビニルモノマーを重合して得ること
もできるし、あるいはフェノール類とアルデヒド類を重
縮合して得ることもできる。これらの樹脂（Ａ）のう
ち、式（１）または式（２）で表わされる繰返し単位を
含有する樹脂は、水素添加率が７０％以下、好ましくは
５０％以下、さらに好ましくは４０％以下の水素添加物
として用いることもできる。
は、例えば対応するビニルモノマーを重合して得ること
もできるし、あるいはフェノール類とアルデヒド類を重
縮合して得ることもできる。これらの樹脂（Ａ）のう
ち、式（１）または式（２）で表わされる繰返し単位を
含有する樹脂は、水素添加率が７０％以下、好ましくは
５０％以下、さらに好ましくは４０％以下の水素添加物
として用いることもできる。
【００１９】樹脂（Ｂ） 本 発明で用いられる樹脂（Ｂ）は、上述の樹脂（Ａ）の
酸性官能基のフェノール性水酸基またはカルボキシル基
の水素原子を置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ば
れる少なくとも１種の酸解離性基（以下、「置換基Ｂ」
とする）で置換したアルカリ不溶性または難溶性樹脂で
ある。ここで、酸解離性基とは酸の存在下で解離するこ
とが可能な基のことをいう。
酸性官能基のフェノール性水酸基またはカルボキシル基
の水素原子を置換メチル基、１−置換エチル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ば
れる少なくとも１種の酸解離性基（以下、「置換基Ｂ」
とする）で置換したアルカリ不溶性または難溶性樹脂で
ある。ここで、酸解離性基とは酸の存在下で解離するこ
とが可能な基のことをいう。
【００２０】置換基Ｂの具体例としては、メトキシメチ
ル基、メチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル
基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピ
ラニル基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、ブ
ロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、α−メチル
フェナシル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロペンチル基、ベンジル基、トリフェニルメ
チル基、ジフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニト
ロベンジル基、メトキシベンジル基、ピペロニル基など
の置換メチル基；１−メトキシエチル基、１−エトキシ
エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、１,１−ジ
メチルプロピル基などの１−置換エチル基；トリメチル
ゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチ
ルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、フェ
ニルジメチルゲルミル基などのゲルミル基；メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基などのアルコキシカルボニル基；および
ル基、メチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル
基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピ
ラニル基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、ブ
ロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、α−メチル
フェナシル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロペンチル基、ベンジル基、トリフェニルメ
チル基、ジフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニト
ロベンジル基、メトキシベンジル基、ピペロニル基など
の置換メチル基；１−メトキシエチル基、１−エトキシ
エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、１,１−ジ
メチルプロピル基などの１−置換エチル基；トリメチル
ゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチ
ルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、フェ
ニルジメチルゲルミル基などのゲルミル基；メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基などのアルコキシカルボニル基；および
【００２１】アセチル基、プロピオニル基、ブチリル
基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピ
バロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリス
トイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリ
ル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジ
ポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル
基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル
基、メタクリル基、クロトノイル基、オレオイル基、マ
レオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロ
イル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル
基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、
ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル
基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニ
コチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基な
どのアシル基を挙げることができる。
基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピ
バロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリス
トイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリ
ル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジ
ポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル
基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル
基、メタクリル基、クロトノイル基、オレオイル基、マ
レオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロ
イル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル
基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、
ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル
基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニ
コチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基な
どのアシル基を挙げることができる。
【００２２】その中でもｔ−ブチル基、ベンジル基、テ
トラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テト
ラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基
またはｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
トラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テト
ラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基
またはｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
【００２３】置換基Ｂの導入は、樹脂（Ａ）の酸性官能
基を介して行なわれ、置換基Ｂは、樹脂（Ａ）の全酸性
官能基に対し、１５〜６３％、好ましくは３０〜６３％
導入する。樹脂（Ｂ）の分子量はＧＰＣで測定したＭｗ
が好ましくは１,０００〜１５０,０００、特に好ましく
は３,０００〜１００,０００である。
基を介して行なわれ、置換基Ｂは、樹脂（Ａ）の全酸性
官能基に対し、１５〜６３％、好ましくは３０〜６３％
導入する。樹脂（Ｂ）の分子量はＧＰＣで測定したＭｗ
が好ましくは１,０００〜１５０,０００、特に好ましく
は３,０００〜１００,０００である。
【００２４】樹脂（Ｂ）はアルカリ不溶性または難溶性
である。アルカリ難溶性とは、本発明を用いて形成され
るレジスト皮膜にパターンを形成する際の好適なアルカ
リ現像条件において、当該レジスト皮膜の代わりに樹脂
（Ｂ）のみの皮膜を用いて同様のアルカリ現像を行った
場合に、樹脂（Ｂ）が初期膜厚の５０％以上の膜厚で、
当該操作後に残存する性質をいう。
である。アルカリ難溶性とは、本発明を用いて形成され
るレジスト皮膜にパターンを形成する際の好適なアルカ
リ現像条件において、当該レジスト皮膜の代わりに樹脂
（Ｂ）のみの皮膜を用いて同様のアルカリ現像を行った
場合に、樹脂（Ｂ）が初期膜厚の５０％以上の膜厚で、
当該操作後に残存する性質をいう。
【００２５】酸形成剤 本発明で用いられる放射線に感応して酸を発生する化合
物、すなわち酸形成剤は、例えばオニウム塩、ハロゲン
含有化合物、キノンジアジド化合物、スルホン化合物、
スルホン酸化合物、ニトロベンジル化合物などであり、
具体的には以下に示す化合物を例示することができる。
物、すなわち酸形成剤は、例えばオニウム塩、ハロゲン
含有化合物、キノンジアジド化合物、スルホン化合物、
スルホン酸化合物、ニトロベンジル化合物などであり、
具体的には以下に示す化合物を例示することができる。
【００２６】オニウム塩としては、例えばヨードニウム
塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム
塩、アンモニウム塩などを挙げることができ、好ましく
は下記式（５）
塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム
塩、アンモニウム塩などを挙げることができ、好ましく
は下記式（５）
【００２７】
【化５】
【００２８】で表わされる化合物、下記式（６）
【００２９】
【化６】
【００３０】で表わされる化合物および下記式（７）
【００３１】
【化７】
【００３２】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００３３】ハロゲン含有化合物としては、例えばハロ
アルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有
ヘテロ環状化合物などを挙げることができ、好ましくは
下記式（８）
アルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有
ヘテロ環状化合物などを挙げることができ、好ましくは
下記式（８）
【００３４】
【化８】
【００３５】で表わされる化合物および下記式（９）
【００３６】
【化９】
【００３７】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００３８】キノンジアジド化合物としては、例えばジ
アゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物な
どを挙げることができ、好ましくは下記式（１０）
アゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物な
どを挙げることができ、好ましくは下記式（１０）
【００３９】
【化１０】
【００４０】で表わされる化合物、下記式（１１）
【００４１】
【化１１】
【００４２】で表わされる化合物、下記式（１２）
【００４３】
【化１２】
【００４４】で表わされる化合物および下記式（１３）
【００４５】
【化１３】
【００４６】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００４７】スルホン化合物としては、例えばβ−ケト
スルホン、β−スルホニルスルホンなどを挙げることが
でき、好ましくは下記式（１４）
スルホン、β−スルホニルスルホンなどを挙げることが
でき、好ましくは下記式（１４）
【００４８】
【化１４】
【００４９】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００５０】ニトロベンジル化合物としては、例えばニ
トロベンジルスルホネート化合物、ジニトロベンジルス
ルホネート化合物などを挙げることができ、好ましくは
下記式（１５）
トロベンジルスルホネート化合物、ジニトロベンジルス
ルホネート化合物などを挙げることができ、好ましくは
下記式（１５）
【００５１】
【化１５】
【００５２】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００５３】スルホン酸化合物としては、例えばアルキ
ルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステ
ル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホナート
などを挙げることができ、好ましくは下記式（１６）
ルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステ
ル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホナート
などを挙げることができ、好ましくは下記式（１６）
【００５４】
【化１６】
【００５５】で表わされる化合物、下記式（１７）
【００５６】
【化１７】
【００５７】で表わされる化合物および下記式（１８）
【００５８】
【化１８】
【００５９】で表わされる化合物を挙げることができ
る。
る。
【００６０】これらのうち、オニウム塩およびキノンジ
アジド化合物が特に好ましい。これら酸形成剤の配合量
は、上記樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、好ましくは
１〜７０重量部であり、より好ましくは３〜５０重量
部、さらに好ましくは３〜２０重量部である。１重量部
未満では、十分なパターン形成能力が得られ難く、また
７０重量部を超えると、スカムを生じ易くなる。
アジド化合物が特に好ましい。これら酸形成剤の配合量
は、上記樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、好ましくは
１〜７０重量部であり、より好ましくは３〜５０重量
部、さらに好ましくは３〜２０重量部である。１重量部
未満では、十分なパターン形成能力が得られ難く、また
７０重量部を超えると、スカムを生じ易くなる。
【００６１】含窒素塩基性化合物 本発明に使用される含窒素塩基性化合物は、下記式（１
９）〜（２３）で表わされる構造の少なくとも１種の構
造を分子内に有する化合物である。
９）〜（２３）で表わされる構造の少なくとも１種の構
造を分子内に有する化合物である。
【００６２】
【化１９】
【００６３】式（１９）で表わされる構造を分子内に有
する化合物の具体例としては、アンモニア、トリエチル
アミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、アニ
リン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、１−ナフチルアミ
ン、２−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレン
ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、ピロリジン、ピペリジンなどが挙げられる。
する化合物の具体例としては、アンモニア、トリエチル
アミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、アニ
リン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、１−ナフチルアミ
ン、２−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレン
ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、ピロリジン、ピペリジンなどが挙げられる。
【００６４】式（２０）で表わされる構造を分子内に有
する化合物の具体例としては、イミダゾール、４−メチ
ルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾー
ル、チアベンダゾールなどが挙げられる。
する化合物の具体例としては、イミダゾール、４−メチ
ルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾー
ル、チアベンダゾールなどが挙げられる。
【００６５】式（２１）で表わされる構造を分子内に有
する化合物の具体例としては、ピリジン、２−メチルピ
リジン、４−エチルピリジン、１−メチル−４−フェニ
ルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、ニ
コチン酸アミド、ジベンゾイルチアミン、四酪酸リボフ
ラミンなどが挙げられる。
する化合物の具体例としては、ピリジン、２−メチルピ
リジン、４−エチルピリジン、１−メチル−４−フェニ
ルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、ニ
コチン酸アミド、ジベンゾイルチアミン、四酪酸リボフ
ラミンなどが挙げられる。
【００６６】式（２２）で表わされる構造を分子内に有
する化合物の具体例としては、４,４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４,４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３,４’−ジアミノジフェニルエーテル、４,４’−
ジアミノベンゾフェノン、４,４’−ジアミノジフェニ
ルアミン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１,４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル］ベンゼン、１,３−ビス［１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンなどが挙
げられる。
する化合物の具体例としては、４,４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４,４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３,４’−ジアミノジフェニルエーテル、４,４’−
ジアミノベンゾフェノン、４,４’−ジアミノジフェニ
ルアミン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１,４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル］ベンゼン、１,３−ビス［１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンなどが挙
げられる。
【００６７】式（２３）で表わされる構造を分子内に有
する化合物の具体例としては、コハル酸ジメチル−１−
（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２,２,
６,６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ｛［６
−（１,１,３,３−テトラメチルブチル）イミノ−１,
３,５−トリアジン−２,４−ジイル］［（２,２,６,６
−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ］ヘキサメチ
レン［（２,２,６,６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）イミノ］｝、２−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス
（１,２,２,６,６−ペンタメチル−４−ピペリジル）な
どが挙げられる。
する化合物の具体例としては、コハル酸ジメチル−１−
（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２,２,
６,６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ｛［６
−（１,１,３,３−テトラメチルブチル）イミノ−１,
３,５−トリアジン−２,４−ジイル］［（２,２,６,６
−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ］ヘキサメチ
レン［（２,２,６,６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）イミノ］｝、２−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス
（１,２,２,６,６−ペンタメチル−４−ピペリジル）な
どが挙げられる。
【００６８】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
はの使用量は、樹脂（Ｂ）１００重量部に対し、通常、
０.００１〜１０重量部、好ましくは０.０１〜５重量部
である。０.００１重量部未満ではパターン形状および
接着性が悪化する傾向があり、一方１０重量部を超える
と感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
はの使用量は、樹脂（Ｂ）１００重量部に対し、通常、
０.００１〜１０重量部、好ましくは０.０１〜５重量部
である。０.００１重量部未満ではパターン形状および
接着性が悪化する傾向があり、一方１０重量部を超える
と感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。
【００６９】本発明の組成物においては、さらに必要に
応じて、種々の添加剤を配合することができる。このよ
うな添加剤としては、例えば塗布性、ストリエーション
や乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性などを改良す
るための界面活性剤を挙げることができる。この界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオ
キシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオ
クチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレート、市販品
としては、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，
ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックスＦ
１７１、Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロラー
ドＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、オル
ガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業
（株）製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）
重合体であるポリフローＮｏ.７５、Ｎｏ.９５（共栄社
油脂化学工業（株）製）などが用いられる。
応じて、種々の添加剤を配合することができる。このよ
うな添加剤としては、例えば塗布性、ストリエーション
や乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性などを改良す
るための界面活性剤を挙げることができる。この界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオ
キシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオ
クチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレート、市販品
としては、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，
ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックスＦ
１７１、Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロラー
ドＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８
２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０
４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、オル
ガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業
（株）製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）
重合体であるポリフローＮｏ.７５、Ｎｏ.９５（共栄社
油脂化学工業（株）製）などが用いられる。
【００７０】界面活性剤の配合量は、前記樹脂（Ｂ）１
００重量部当り、通常、２重量部以下である。その他の
添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保安
安定剤、消泡剤などを挙げることができる。
００重量部当り、通常、２重量部以下である。その他の
添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保安
安定剤、消泡剤などを挙げることができる。
【００７１】本発明の組成物は、前述した樹脂（Ｂ）、
酸形成剤、含窒素塩基性化合物および必要により配合さ
れる各種添加剤を、それぞれ必要量、溶剤に溶解させる
ことによって調製される。
酸形成剤、含窒素塩基性化合物および必要により配合さ
れる各種添加剤を、それぞれ必要量、溶剤に溶解させる
ことによって調製される。
【００７２】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリ
コ−ルモノエチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノプ
ロピルエ−テル、エチレングリコ−ルモノブチルエ−テ
ル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレ
ングリコ−ルジエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ル
ジプロピルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ
−テル、２−メトキシエチルアセテ−ト、２−エトキシ
エチルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノメチルエ
−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ
−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノプロピル
エ−テルアセテ−ト、トルエン、キシレン、メチルエチ
ルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプ
タノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン
酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒ
ドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢
酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３
−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−
メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチ
ル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸
ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メ
トキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸
エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メ
チルピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ
−ジメチルアセトアミドなどを挙げることができる。
エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリ
コ−ルモノエチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノプ
ロピルエ−テル、エチレングリコ−ルモノブチルエ−テ
ル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレ
ングリコ−ルジエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ル
ジプロピルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ
−テル、２−メトキシエチルアセテ−ト、２−エトキシ
エチルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノメチルエ
−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ
−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノプロピル
エ−テルアセテ−ト、トルエン、キシレン、メチルエチ
ルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプ
タノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン
酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒ
ドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢
酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３
−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−
メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチ
ル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸
ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メ
トキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸
エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メ
チルピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ
−ジメチルアセトアミドなどを挙げることができる。
【００７３】また、これらの溶剤には、必要に応じてベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレ
ングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−
ルモノエチルエ−テル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテ−トなどの高沸点溶剤を添加
することもできる。
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレ
ングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−
ルモノエチルエ−テル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテ−トなどの高沸点溶剤を添加
することもできる。
【００７４】本発明の組成物は、上記の溶液の形でシリ
コンウェハーなどの基板上に塗布し、乾燥することによ
ってレジスト膜を形成する。この場合、基板上への塗布
は、例えば本発明の組成物を固体分濃度がで５〜５０重
量％となるように前記の溶剤に溶解し、濾過した後、こ
れを回転塗布、流し塗布、ロ−ル塗布などにより塗布す
ることによって行われる。
コンウェハーなどの基板上に塗布し、乾燥することによ
ってレジスト膜を形成する。この場合、基板上への塗布
は、例えば本発明の組成物を固体分濃度がで５〜５０重
量％となるように前記の溶剤に溶解し、濾過した後、こ
れを回転塗布、流し塗布、ロ−ル塗布などにより塗布す
ることによって行われる。
【００７５】形成されたレジスト膜には、微細パターン
を形成するために部分的に放射線が照射される。用いら
れる放射線には特に制限はなく、例えばエキシマレーザ
ーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線、
電子線などの荷電粒子線のような放射線が、使用される
酸形成剤の種類に応じて用いられる。放射線量などの照
射条件は、組成物の配合組成、各添加剤の種類などに応
じて適宜決定される。
を形成するために部分的に放射線が照射される。用いら
れる放射線には特に制限はなく、例えばエキシマレーザ
ーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線、
電子線などの荷電粒子線のような放射線が、使用される
酸形成剤の種類に応じて用いられる。放射線量などの照
射条件は、組成物の配合組成、各添加剤の種類などに応
じて適宜決定される。
【００７６】本発明においては、レジストのみかけの感
度等を向上させるために、放射線照射後に加熱を行なう
ことが好適である。この加熱条件は、組成物の配合組
成、各添加剤の種類などによって異なるが、通常、３０
〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
度等を向上させるために、放射線照射後に加熱を行なう
ことが好適である。この加熱条件は、組成物の配合組
成、各添加剤の種類などによって異なるが、通常、３０
〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
【００７７】次いで行われる現像に使用される現像液と
しては、レジストパターンを得るためには、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸
ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチ
ルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−
ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ル
アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロ−ル、ピペリ
ジン、１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウン
デセン、１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−
ノナンなどを溶解してなるアルカリ性水溶液などを使用
することができる。
しては、レジストパターンを得るためには、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸
ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチ
ルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−
ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ル
アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロ−ル、ピペリ
ジン、１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウン
デセン、１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−
ノナンなどを溶解してなるアルカリ性水溶液などを使用
することができる。
【００７８】また、上記現像液に水溶性有機溶媒、例え
ばメタノ−ル、エタノ−ルなどのアルコ−ル類や界面活
性剤を適宜添加したアルカリ性水溶液を現像液として使
用することもできる。さらに現像液として、クロロホル
ム、ベンゼンなどを使用することができ、この場合はネ
ガ型のレジストパターンを得ることができる。
ばメタノ−ル、エタノ−ルなどのアルコ−ル類や界面活
性剤を適宜添加したアルカリ性水溶液を現像液として使
用することもできる。さらに現像液として、クロロホル
ム、ベンゼンなどを使用することができ、この場合はネ
ガ型のレジストパターンを得ることができる。
【００７９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例中、各種の特性は次のようにして評価した。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例中、各種の特性は次のようにして評価した。
【００８０】最適露光量 ０.４μｍのラインアンドスペースが設計通りにパター
ン形成できる露光量。解像度 最適露光量を与えた時に分離しているラインアンドスペ
ースの最小サイズ。パターン形状 走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの方形状断
面の下辺長Ａと上辺長Ｂを測定し、０.８５≦Ｂ／Ａ≦
１である場合をパターン形状が良好であると判断した。
ただし、パターン形状が裾を引いていたり、逆テーパー
状になっている場合は、Ｂ／Ａが上記範囲に入っていて
も不良と判断した。
ン形成できる露光量。解像度 最適露光量を与えた時に分離しているラインアンドスペ
ースの最小サイズ。パターン形状 走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの方形状断
面の下辺長Ａと上辺長Ｂを測定し、０.８５≦Ｂ／Ａ≦
１である場合をパターン形状が良好であると判断した。
ただし、パターン形状が裾を引いていたり、逆テーパー
状になっている場合は、Ｂ／Ａが上記範囲に入っていて
も不良と判断した。
【００８１】フォーカス許容性 ステッパの焦点をずらして露光した場合に、上記に定義
した良好なパターン形状を保つことができる焦点のずれ
の範囲。安定性 露光後、２時間放置してから露光後ベークを行い、最適
露光量およびパターン形状を評価した。接着性 走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの剥がれの
程度を調べた。
した良好なパターン形状を保つことができる焦点のずれ
の範囲。安定性 露光後、２時間放置してから露光後ベークを行い、最適
露光量およびパターン形状を評価した。接着性 走査型電子顕微鏡を用い、レジストパターンの剥がれの
程度を調べた。
【００８２】Ｍｗ： 東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨXL ２本、Ｇ３
０００ＨXL １本、Ｇ４０００XL １本）を用い、流量
１.０ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム
温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準と
するゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定
した。
０００ＨXL １本、Ｇ４０００XL １本）を用い、流量
１.０ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム
温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準と
するゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定
した。
【００８３】実施例１ ポリヒドロキシスチレン３０ｇをテトラヒドロフランに
溶解して、カリウムｔ−ブトキシド１０ｇを添加し、攪
拌下、０℃において、ジ−ｔ−ブチルカルボネート７５
ｇを滴下し、６時間反応した。反応終了後、この溶液を
水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０
℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝３０,
０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１.６０で、ＮＭＲ測定の結果か
らフェノール性水酸基の水素の６３％がｔ−ブトキシカ
ルボニル基で置換された構造であった。
溶解して、カリウムｔ−ブトキシド１０ｇを添加し、攪
拌下、０℃において、ジ−ｔ−ブチルカルボネート７５
ｇを滴下し、６時間反応した。反応終了後、この溶液を
水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０
℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝３０,
０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１.６０で、ＮＭＲ測定の結果か
らフェノール性水酸基の水素の６３％がｔ−ブトキシカ
ルボニル基で置換された構造であった。
【００８４】このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.２ｇおよび
ジアミノジフェニルメタン０.０２ｇを３−メトキシプ
ロピオン酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフ
ィルターで濾過して組成物溶液を調製した。調製した組
成物溶液を、シリコンウェハー上に塗布した後に、１０
０℃で２分間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジ
スト膜を形成した。
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.２ｇおよび
ジアミノジフェニルメタン０.０２ｇを３−メトキシプ
ロピオン酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフ
ィルターで濾過して組成物溶液を調製した。調製した組
成物溶液を、シリコンウェハー上に塗布した後に、１０
０℃で２分間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジ
スト膜を形成した。
【００８５】形成したレジスト膜にステッパーを用い
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３０ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、９０℃で２分間露光後ベークを行い、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒
間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスし
た。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように
良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１
５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パ
ターン形状の変化は認められなかった。
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３０ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、９０℃で２分間露光後ベークを行い、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒
間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスし
た。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように
良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１
５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パ
ターン形状の変化は認められなかった。
【００８６】比較例１ 実施例１で用いた組成物溶液において、ジアミノジフェ
ニルメタンを添加しない組成物溶液を調製し、エキシマ
レーザーの照射量を変化させた以外は同様にしてパター
ン形成を行った。結果を表１に示した。５ｍＪ.ｃｍ-2
照射した場合に０.３５μｍのラインアンドスペースパ
ターンが解像されたが、パターン上部において庇が張り
出すような形状であった。また、露光から露光後ベーク
までの間隔を２時間とした場合には、表面に不溶層が形
成し、パターンを解像することができなかった。
ニルメタンを添加しない組成物溶液を調製し、エキシマ
レーザーの照射量を変化させた以外は同様にしてパター
ン形成を行った。結果を表１に示した。５ｍＪ.ｃｍ-2
照射した場合に０.３５μｍのラインアンドスペースパ
ターンが解像されたが、パターン上部において庇が張り
出すような形状であった。また、露光から露光後ベーク
までの間隔を２時間とした場合には、表面に不溶層が形
成し、パターンを解像することができなかった。
【００８７】実施例２ ポリヒドロキシスチレン５４ｇをアセトンに溶解して、
ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７ｇ、炭酸カリウム１０
ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添加し、攪拌下、還流を
続けながら、７時間反応した。反応終了後、この溶液を
水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０
℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝１８,
０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１.８７で、ＮＭＲ測定の結果か
らフェノール性水酸基の水素の２２％がｔ−ブチル酢酸
残基で置換された構造であった。
ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７ｇ、炭酸カリウム１０
ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添加し、攪拌下、還流を
続けながら、７時間反応した。反応終了後、この溶液を
水中に滴下し、析出したポリマーを真空乾燥器にて５０
℃で一晩乾燥した。得られたポリマーは、Ｍｗ＝１８,
０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１.８７で、ＮＭＲ測定の結果か
らフェノール性水酸基の水素の２２％がｔ−ブチル酢酸
残基で置換された構造であった。
【００８８】このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.１ｇおよび
ニコチン酸アミド０.０２ｇを３−メトキシプロピオン
酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルター
で濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液
を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分
間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形
成した。
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.１ｇおよび
ニコチン酸アミド０.０２ｇを３−メトキシプロピオン
酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルター
で濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液
を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分
間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形
成した。
【００８９】形成したレジスト膜にステッパーを用い
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを５２ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行
い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンス
した。形成されたポジ型パターンは、表１に示したよう
に良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを
１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、
パターン形状の変化は認められなかった。
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを５２ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行
い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンス
した。形成されたポジ型パターンは、表１に示したよう
に良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを
１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、
パターン形状の変化は認められなかった。
【００９０】比較例２ 実施例２で用いた組成物溶液において、ニコチン酸アミ
ドを添加しない組成物溶液を調製し、同様にパターン形
成を行った。表１に示したように、表面に不溶層が形成
し、パターンを形成することができなかった。
ドを添加しない組成物溶液を調製し、同様にパターン形
成を行った。表１に示したように、表面に不溶層が形成
し、パターンを形成することができなかった。
【００９１】実施例３ マレイン酸とスチレンとの共重合体１０７ｇを酢酸エチ
ルに溶解して、３,４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン５０ｇ
とｐ−トルエンスルホン酸０.１ｇを添加し、攪拌下、
５℃において、３時間反応した。反応終了後、この溶液
を蒸留水と混合し、分液ロートを用いてｐ−トルエンス
ルホン酸を抽出した後、ヘキサン中に滴下し、析出した
ポリマーを真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得ら
れたポリマーは、Ｍｗ＝１１,０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２.
１で、ＮＭＲ測定の結果からマレイン酸のカルボン酸の
うち５２％がテトラヒドロピラニル基で置換された構造
であった。
ルに溶解して、３,４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン５０ｇ
とｐ−トルエンスルホン酸０.１ｇを添加し、攪拌下、
５℃において、３時間反応した。反応終了後、この溶液
を蒸留水と混合し、分液ロートを用いてｐ−トルエンス
ルホン酸を抽出した後、ヘキサン中に滴下し、析出した
ポリマーを真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得ら
れたポリマーは、Ｍｗ＝１１,０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２.
１で、ＮＭＲ測定の結果からマレイン酸のカルボン酸の
うち５２％がテトラヒドロピラニル基で置換された構造
であった。
【００９２】このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホ
ニウムヘキサフロロアンチモネート０.２ｇおよびチア
ベンダゾール０.０３ｇを３−メトキシプロピオン酸メ
チル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルターで濾
過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液を、
シリコンウェハー上に塗布した後に、１００℃で２分間
ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形成
した。
ニウムヘキサフロロアンチモネート０.２ｇおよびチア
ベンダゾール０.０３ｇを３−メトキシプロピオン酸メ
チル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルターで濾
過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液を、
シリコンウェハー上に塗布した後に、１００℃で２分間
ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形成
した。
【００９３】形成したレジスト膜にステッパーを用い
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３８ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、９０℃で２分間露光後ベークを行い、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒
間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスし
た。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように
良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１
４０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パ
ターン形状の変化は認められなかった。
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３８ｍＪ.ｃ
ｍ-2照射した後、９０℃で２分間露光後ベークを行い、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒
間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンスし
た。形成されたポジ型パターンは、表１に示したように
良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを１
４０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、パ
ターン形状の変化は認められなかった。
【００９４】比較例３ 実施例３で用いた組成物溶液において、チアベンダゾー
ルを添加しない組成物溶液を調製し、エキシマレーザー
の照射量を変化させた以外は実施例３と同様にしてパタ
ーン形成を行った。結果を表１に示した。５ｍＪ.ｃｍ
-2照射した場合に、０.４μｍのラインアンドスペース
パターンが解像されたが、パターン上部において庇が張
り出すような形状であった。また、露光から露光後ベー
クまでの間隔を２時間とした場合には、表面に不溶層が
形成し、パターンを解像することができなかった。
ルを添加しない組成物溶液を調製し、エキシマレーザー
の照射量を変化させた以外は実施例３と同様にしてパタ
ーン形成を行った。結果を表１に示した。５ｍＪ.ｃｍ
-2照射した場合に、０.４μｍのラインアンドスペース
パターンが解像されたが、パターン上部において庇が張
り出すような形状であった。また、露光から露光後ベー
クまでの間隔を２時間とした場合には、表面に不溶層が
形成し、パターンを解像することができなかった。
【００９５】実施例４ クレゾールノボラック（ｍ−／ｐ−＝６／４）５４ｇを
アセトンに溶解して、ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７
ｇ、炭酸カリウム１０ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添
加し、攪拌下、還流を続けながら、７時間反応した。反
応終了後、この溶液を水中に滴下し、析出したポリマー
を真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得られたポリ
マーは、Ｍｗ＝５,６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４.８で、ＮＭ
Ｒ測定の結果からフェノール性水酸基の水素の２２％が
ｔ−ブチル酢酸残基で置換された構造であった。
アセトンに溶解して、ｔ−ブチル−α−ブロモ酢酸２７
ｇ、炭酸カリウム１０ｇおよびヨウ化カリウム９ｇを添
加し、攪拌下、還流を続けながら、７時間反応した。反
応終了後、この溶液を水中に滴下し、析出したポリマー
を真空乾燥器にて５０℃で一晩乾燥した。得られたポリ
マーは、Ｍｗ＝５,６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４.８で、ＮＭ
Ｒ測定の結果からフェノール性水酸基の水素の２２％が
ｔ−ブチル酢酸残基で置換された構造であった。
【００９６】このポリマー１０ｇとトリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.１ｇおよび
ニコチン酸アミド０.０２ｇを３−メトキシプロピオン
酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルター
で濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液
を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分
間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形
成した。
ニウムトリフルオロメタンスルホネート０.１ｇおよび
ニコチン酸アミド０.０２ｇを３−メトキシプロピオン
酸メチル３１ｇに溶解した後、０.２μｍのフィルター
で濾過して組成物溶液を調製した。調製した組成物溶液
を、シリコンウェハー上に塗布した後に、９０℃で２分
間ベーキングを行い、膜厚１.０μｍのレジスト膜を形
成した。
【００９７】形成したレジスト膜にステッパーを用い
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３１ｍＪ／ｃ
ｍ-2照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行
い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンス
した。形成されたポジ型パターンは、表１に示したよう
に良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを
１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、
パターン形状の変化は認められなかった。
て、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを３１ｍＪ／ｃ
ｍ-2照射した後、１００℃で２分間露光後ベークを行
い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
０秒間、２３℃にて現像し、次いで水で３０秒間リンス
した。形成されたポジ型パターンは、表１に示したよう
に良好な結果を与えた。さらにこのレジストパターンを
１５０℃のホットプレート上で２分間加熱したところ、
パターン形状の変化は認められなかった。
【００９８】
【表１】
【００９９】
【発明の効果】現像性、パターン形状、解像度、接着
性、フォーカス許容性および残膜性に優れ、安定性も良
好であり、特にエキシマーレーザーなどの遠紫外線以下
の波長の放射線の照射にも好適に使用されるポジ型感放
射線性樹脂組成物を提供する。
性、フォーカス許容性および残膜性に優れ、安定性も良
好であり、特にエキシマーレーザーなどの遠紫外線以下
の波長の放射線の照射にも好適に使用されるポジ型感放
射線性樹脂組成物を提供する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−223861（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−223857（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209977（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−19847（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−18564（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−273252（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−118651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−149640（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−175046（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51243（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−127369（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132442（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−154145（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−84654（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 （１）酸性官能基としてフェノール性水
酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の
該酸性官能基の水素原子が、置換メチル基、１−置換エ
チル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基およびア
シル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性基で、該
酸性官能基に対し１５〜６３％の割合で置換されたアル
カリ不溶性または難溶性樹脂で、上記の基が酸解離した
ときにアルカリ可溶性である樹脂、 （２）感放射線性酸形成剤、および （３）下記式（１９）〜（２３）： ここで、Ｒ 37 、Ｒ 38 およびＲ 39 は、同一または異なり、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６の
アミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル
基または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリー
ル基であり、ここでＲ 37 とＲ 38 は互いに結合して環を形
成してもよい。 （式中、Ｒ 40 、Ｒ 41 、Ｒ 42 およびＲ 43 は、同一または異
なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表される構
造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基
性化合物、を含有することを特徴とする集積回路製造用
ポジ型感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項２】 酸解離性基が１−置換エチル基およびア
ルコキシカルボニル基から選ばれる少なくとも１種であ
る請求項１に記載の集積回路製造用ポジ型感放射線性樹
脂組成物。 - 【請求項３】 酸解離性基がｔ−ブチル基、テトラヒド
ロピラニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基および１−エ
トキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である請求
項１に記載の集積回路製造用ポジ型感放射線性樹脂組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4073169A JP3010607B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP93301340A EP0558280A1 (en) | 1992-02-25 | 1993-02-23 | Chemically amplified resist |
| KR1019930002557A KR930018324A (ko) | 1992-02-25 | 1993-02-24 | 감방사선성 수지 조성물 |
| US08/339,289 US5580695A (en) | 1992-02-25 | 1994-11-10 | Chemically amplified resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4073169A JP3010607B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 感放射線性樹脂組成物 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10338209A Division JP3050215B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| JP10338214A Division JP3024128B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232706A JPH05232706A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3010607B2 true JP3010607B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=13510389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4073169A Ceased JP3010607B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0558280A1 (ja) |
| JP (1) | JP3010607B2 (ja) |
| KR (1) | KR930018324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101804857B1 (ko) * | 2017-02-01 | 2017-12-05 | 강덕현 | 카고 낚시용 집어통 파지대 |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5550004A (en) * | 1992-05-06 | 1996-08-27 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chemically amplified radiation-sensitive composition |
| US6703181B1 (en) | 1993-03-12 | 2004-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same |
| DE59508640D1 (de) * | 1994-06-22 | 2000-09-21 | Ciba Sc Holding Ag | Positiv-Photoresist |
| JPH0844061A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH0954437A (ja) | 1995-06-05 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学増幅型ポジレジスト組成物 |
| JP3046225B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2000-05-29 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
| JP3760957B2 (ja) * | 1996-03-05 | 2006-03-29 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3587325B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2004-11-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| JP3518158B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2004-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3198915B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2001-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3125678B2 (ja) * | 1996-04-08 | 2001-01-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JPH09325496A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Sony Corp | 感光性組成物 |
| TW490593B (en) * | 1996-10-16 | 2002-06-11 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
| EP0848288A1 (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-17 | Lucent Technologies Inc. | Resist materials |
| US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
| JP3873372B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2007-01-24 | 住友化学株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| TW526390B (en) * | 1997-06-26 | 2003-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Resist compositions |
| JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 2007-08-08 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| TW473459B (en) * | 1998-12-10 | 2002-01-21 | Ibm | Method for forming transparent conductive film using chemically amplified resist |
| US6852466B2 (en) * | 1998-12-23 | 2005-02-08 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging |
| KR100308423B1 (ko) | 1999-09-07 | 2001-09-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물 |
| US6673511B1 (en) | 1999-10-29 | 2004-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition |
| AU8015701A (en) * | 2000-08-29 | 2002-03-13 | Jsr Corp | Composition having refractive index sensitively changeable by radiation and method for forming refractive index pattern |
| KR100670090B1 (ko) | 2000-11-29 | 2007-01-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 아민 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
| AU2002228655A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresist compositions comprising bases and surfactants for microlithography |
| US6743564B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Amine compounds, resist compositions and patterning process |
| US7084303B2 (en) | 2001-04-23 | 2006-08-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Tertiary amine compounds having an ester structure and processes for preparing same |
| US7192681B2 (en) | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| JP2003043682A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Jsr Corp | 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法 |
| JP3874092B2 (ja) | 2001-12-26 | 2007-01-31 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US6866983B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-03-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist compositions and patterning process |
| JP3856122B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2006-12-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7232638B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-06-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| US6919161B2 (en) | 2002-07-02 | 2005-07-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process |
| JP3912516B2 (ja) | 2002-08-09 | 2007-05-09 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4032234B2 (ja) | 2002-09-30 | 2008-01-16 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有重合性化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4009852B2 (ja) | 2003-05-21 | 2007-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4029288B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-01-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4081677B2 (ja) | 2003-05-21 | 2008-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4114064B2 (ja) | 2003-05-27 | 2008-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4013063B2 (ja) | 2003-08-26 | 2007-11-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4612999B2 (ja) | 2003-10-08 | 2011-01-12 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP4355917B2 (ja) | 2003-10-29 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7276324B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process |
| JP4502115B2 (ja) | 2004-04-23 | 2010-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| WO2006001518A2 (en) | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member |
| JP4524154B2 (ja) | 2004-08-18 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| TW200715067A (en) * | 2005-09-06 | 2007-04-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lithographic method |
| TW200715068A (en) * | 2005-09-06 | 2007-04-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lithographic method |
| JP4671035B2 (ja) | 2005-10-14 | 2011-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4784760B2 (ja) | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4803377B2 (ja) | 2006-10-25 | 2011-10-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US8168367B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-05-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| CN102483574B (zh) | 2009-07-17 | 2014-07-09 | Jsr株式会社 | 放射线敏感性树脂组合物和化合物 |
| US8273521B2 (en) | 2009-07-31 | 2012-09-25 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition and compound |
| JP5401218B2 (ja) | 2009-09-03 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| KR20120074283A (ko) | 2009-09-24 | 2012-07-05 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물 |
| JP5542412B2 (ja) | 2009-10-28 | 2014-07-09 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5439124B2 (ja) | 2009-11-11 | 2014-03-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5775783B2 (ja) | 2010-12-07 | 2015-09-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5802394B2 (ja) | 2011-01-17 | 2015-10-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| JP6175226B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-08-02 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、半導体製造用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び電子デバイスの製造方法 |
| CN103664760A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 常熟市联创化学有限公司 | 一种3-羟基吡啶的制备方法 |
| WO2017018084A1 (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性組成物膜 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560944A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image forming method |
| GB8333901D0 (en) * | 1983-12-20 | 1984-02-01 | Minnesota Mining & Mfg | Radiationsensitive compositions |
| US4708925A (en) * | 1984-12-11 | 1987-11-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photosolubilizable compositions containing novolac phenolic resin |
| EP0212482B1 (de) * | 1985-08-12 | 1989-04-19 | Hoechst Celanese Corporation | Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist |
| EP0249139B2 (en) * | 1986-06-13 | 1998-03-11 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Resist compositions and use |
| JPS63149640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Konica Corp | 感光性組成物および感光性平版印刷版 |
| JPS6478249A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive material and image forming method |
| DE3738603A1 (de) * | 1987-11-13 | 1989-05-24 | Merck Patent Gmbh | Lagerstabile positiv-fotoresist-zusammensetzungen |
| DE3817009A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JPH02118651A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| DE68926019T2 (de) * | 1988-10-28 | 1996-10-02 | Ibm | Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung |
| DE3907953A1 (de) * | 1989-03-11 | 1990-09-13 | Hoechst Ag | Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung |
| JPH03273252A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-12-04 | Tosoh Corp | 溶解阻止剤及びポジ型レジスト組成物 |
| JP2660352B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1997-10-08 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
| GB8923459D0 (en) * | 1989-10-18 | 1989-12-06 | Minnesota Mining & Mfg | Positive-acting photoresist compositions |
| JPH03223861A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規なレジスト材料 |
| JP2621533B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1997-06-18 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| CA2042735A1 (en) * | 1990-05-25 | 1991-11-26 | Mark A. Spak | Image reversal negative working photoresist |
| JPH0451243A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JP2985249B2 (ja) * | 1990-07-17 | 1999-11-29 | ソニー株式会社 | 化学増幅型レジスト |
| JPH0480758A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPH0545883A (ja) * | 1991-03-26 | 1993-02-26 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| EP0523957A1 (en) * | 1991-07-17 | 1993-01-20 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition |
| EP0537524A1 (en) * | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
| JPH05127369A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | レジスト材料 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4073169A patent/JP3010607B2/ja not_active Ceased
-
1993
- 1993-02-23 EP EP93301340A patent/EP0558280A1/en not_active Withdrawn
- 1993-02-24 KR KR1019930002557A patent/KR930018324A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101804857B1 (ko) * | 2017-02-01 | 2017-12-05 | 강덕현 | 카고 낚시용 집어통 파지대 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0558280A1 (en) | 1993-09-01 |
| KR930018324A (ko) | 1993-09-21 |
| JPH05232706A (ja) | 1993-09-10 |
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