JP4671035B2 - 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明者らは、化学増幅型レジスト材料への配合により、通常露光のみならず液浸露光においても高い解像性と良好なパターン形状を与える化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、フッ素化アルキル基を有するアミン化合物、好ましくは、フッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物、更により好ましくは、下記一般式(1)〜(7)で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物を配合して用いれば、高い解像性と良好なパターン形状を与える化学増幅型フォトレジスト材料が得られることを見出し、本発明を完成させたものである。本発明のレジスト材料は、液浸時の水へのアミン化合物の溶出が少ないため、特に液浸露光に好適であり、パターン形状などの改善に大きな効果が期待できる。
(A)上記式(1)〜(7)で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上、
(B)有機溶剤、
(C)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
(D)酸発生剤
を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(3−(4−(2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ)−エチル)−フェノキシ)−プロポキシ)−フェニル)エタノンオキシム(トリフルオロメタンスルホネート)、2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(3−(4−(2,2,2−トリフルオロ−1−(1−プロパンスルホニルオキシイミノ)−エチル)−フェノキシ)−プロポキシ)−フェニル)エタノンオキシム(1−プロパンスルホネート)、2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(3−(4−(2,2,2−トリフルオロ−1−(1−ブタンスルホニルオキシイミノ)−エチル)−フェノキシ)−プロポキシ)−フェニル)エタノンオキシム(1−ブタンスルホネート)等が挙げられ、更に米国特許第6916591号明細書記載の2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(3−(4−(2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フェニルスルホニルオキシイミノ)−エチル)−フェノキシ)−プロポキシ)−フェニル)エタノンオキシム(4−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フェニルスルホネート)、2,2,2−トリフルオロ−1−(4−(3−(4−(2,2,2−トリフルオロ−1−(2,5−ビス(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゼンスルホニルオキシ)フェニルスルホニルオキシイミノ)−エチル)−フェノキシ)−プロポキシ)−フェニル)エタノンオキシム(2,5−ビス(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ベンゼンスルホニルオキシ)フェニルスルホネート)等が挙げられる。
で示されるオキシムスルホネート(例えばWO2004/074242に具体例記載)として、具体的には、2−[2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ペンチル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4−ペンタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ブチル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ヘキシル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ペンチル]−4−ビフェニル、2−[2,2,3,3,4,4−ペンタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ブチル]−4−ビフェニル、2−[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ヘキシル]−4−ビフェニル等が挙げられる。
なお、下記式中Acはアセチル基を表す。
本発明のアミン化合物を以下に示す方法で合成した。
1H−NMR(600MHz in CDCl3):δ=2.47(4H,m),2.60(2H,t,J=7.2Hz),2.69(2H,t,J=7.2Hz),3.67(4H,t,J=4.6Hz),4.59(2H,t,J=13.7Hz),6.04(1H,tt,J=52.1,5.3Hz).
19F−NMR(565MHz in CDCl3,トリフルオロ酢酸標準):δ=−137.9(2F,m),−130.6(2F,m),−126.0(2F,m),−120.4(2F,m).
本発明のアミン化合物を配合した本発明のレジスト材料を調製し、次いで本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。
なお、下記実施例及び比較例で使用したベースポリマー、酸発生剤、アミン(amine 11〜13)の構造式を以下に示す。下記例でMw、Mnはゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定したポリスチレン換算の重量平均分子量、数平均分子量の値である。
合成例1で得られたアミン化合物(amine 1)を用いて、以下に示す組成で各成分を混合した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。
(A)ベースポリマー(Polymer 1)100質量部
(B)酸発生剤(PAG 1)2.0質量部
(C)溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート280質量部及び乳酸エチル120質量部
(D)アミン化合物(amine 1)0.1質量部
実施例1に準じて、合成例2〜10により合成したアミン化合物(amine 2〜10)及び比較となるアミン化合物(amine 11〜13)について、これらを配合したレジスト材料を調製し(該実施例及び比較例のアミンについて、amine 1の0.1質量部を基準にモル数で算出し、調製した)、解像性及びパターン形状の評価を行った。
上記評価結果をもとに0.15μmのライン・アンド・スペース・パターンの解像の可否、及びパターン形状の観察結果を、下記表1にまとめた。
合成例1で得られたアミン化合物を用いて、以下に示す組成で各成分を混合した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。
(A)ベースポリマー(Polymer 2)80質量部
(B)酸発生剤(PAG 2)2.0質量部
(C)溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート640質量部
(D)アミン化合物(amine 1)0.25質量部
実施例11に準じて、合成例2〜10により合成したアミン化合物(amine 2〜10)及び比較となるアミン化合物(amine 11〜13)について、これらを配合したレジスト材料を調製し(該実施例及び比較例のアミンについて、amine 1の0.25質量部を基準にモル数で算出し、調製した)、解像性及びパターン形状の評価を行った。
上記評価結果をもとに0.12μmのライン・アンド・スペース・パターンの解像の可否、及びパターン形状の観察結果を、下記表2にまとめた。
アミン添加剤の水抽出量評価
表2の実施例11〜20と比較例5,6で示される0.2μmサイズのフィルターで濾過したレジスト溶液を、8インチウェハーに塗布し、120℃で60秒間ベークして300nm膜厚のレジスト膜を作製した。20mLの純水をレジスト膜上に5分間ディスペンスし、純水を回収し、室温で窒素を流しながら10倍濃縮した溶液をCapilary Electrolute Mass Spectroscopy(CE−MS、Instrument:Agilent CE System社製(G1600A))でアミン物質の定量を行い、測定値を濃縮前の濃度に換算した。結果を下記表3にまとめた。
Claims (3)
- 下記一般式(1)〜(7)で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
- (A)下記一般式(1)〜(7)で示されるフッ素化アルキル基及びモルホリン構造を有するアミン化合物の1種又は2種以上、
(B)有機溶剤、
(C)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
(D)酸発生剤
を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
- (1)請求項1又は2記載の化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、
(3)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299558A JP4671035B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
US11/543,833 US7468236B2 (en) | 2005-10-14 | 2006-10-06 | Amine compound, chemically amplified resist composition and patterning process |
KR1020060099758A KR100988679B1 (ko) | 2005-10-14 | 2006-10-13 | 아민 화합물, 화학 증폭형 레지스트 재료 및 패턴 형성방법 |
TW095137750A TWI348593B (en) | 2005-10-14 | 2006-10-13 | Amine compound, chemically amplified resist composition and patterning process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299558A JP4671035B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007108451A JP2007108451A (ja) | 2007-04-26 |
JP4671035B2 true JP4671035B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=38034354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005299558A Active JP4671035B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7468236B2 (ja) |
JP (1) | JP4671035B2 (ja) |
KR (1) | KR100988679B1 (ja) |
TW (1) | TWI348593B (ja) |
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- 2006-10-06 US US11/543,833 patent/US7468236B2/en active Active
- 2006-10-13 KR KR1020060099758A patent/KR100988679B1/ko active IP Right Grant
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JP2005165295A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2005266766A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2005264103A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2006251672A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200734820A (en) | 2007-09-16 |
KR100988679B1 (ko) | 2010-10-18 |
TWI348593B (en) | 2011-09-11 |
KR20070041385A (ko) | 2007-04-18 |
US7468236B2 (en) | 2008-12-23 |
JP2007108451A (ja) | 2007-04-26 |
US20070087287A1 (en) | 2007-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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