JPS6136235A - ヘテロポリ酸塩 - Google Patents
ヘテロポリ酸塩Info
- Publication number
- JPS6136235A JPS6136235A JP15408984A JP15408984A JPS6136235A JP S6136235 A JPS6136235 A JP S6136235A JP 15408984 A JP15408984 A JP 15408984A JP 15408984 A JP15408984 A JP 15408984A JP S6136235 A JPS6136235 A JP S6136235A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphotungstate
- group
- heteropolyacid
- atom
- salt
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は新規なヘテロポリ酸塩に関し、さらに詳しくは
、光を照射することにより速やかに分解してヘテロポリ
酸を遊離する光分解性へテロポリ酸塩に関する。
、光を照射することにより速やかに分解してヘテロポリ
酸を遊離する光分解性へテロポリ酸塩に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
光を照射した際に酸を遊離する化合物、例えば、光分解
性塩は、レジストあるいは光硬化性樹脂等広い分野で利
用されている。
性塩は、レジストあるいは光硬化性樹脂等広い分野で利
用されている。
現在知られている光分解性塩としては、例えば、次式＝
（Ａｒ＋Ｘｅ１１Ｙｅ （式中、Ａｒはフェニル基及びその誘導体を表わし、Ｘ
はヨウ素原子、塩素原子、イオウ原子等を表わし、Ｙは
ＢＦ４、ＰＦ６、Ａ ｓ Ｆ ｅ、ＳｂＦ６等を表わし
、ｍは２，３のいずれかを表わす） で示される錯体が挙げられる（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕ
ｌｅｓ。
（Ａｒ＋Ｘｅ１１Ｙｅ （式中、Ａｒはフェニル基及びその誘導体を表わし、Ｘ
はヨウ素原子、塩素原子、イオウ原子等を表わし、Ｙは
ＢＦ４、ＰＦ６、Ａ ｓ Ｆ ｅ、ＳｂＦ６等を表わし
、ｍは２，３のいずれかを表わす） で示される錯体が挙げられる（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕ
ｌｅｓ。
１０．１３０７（１９７７）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｃｕｒｉｎｇ。
Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｃｕｒｉｎｇ。
回、２（１８７８）等）。
本発明者らは、これら先行技術に鑑み、光を照射するこ
とによって速やかに分解し、光硬化性樹脂、レジスト等
の分野で有用な塩について鋭意研究を重ねた結果、上記
先行技術より更にすぐれた性質を有する新規な化合物を
見出し本発明を完成するに至った。
とによって速やかに分解し、光硬化性樹脂、レジスト等
の分野で有用な塩について鋭意研究を重ねた結果、上記
先行技術より更にすぐれた性質を有する新規な化合物を
見出し本発明を完成するに至った。
［発明の目的］
本発明の目的は、新規にして有用なヘテロポリ酸塩を提
供することである。
供することである。
［発明の概要］
本発明の新規なヘテロポリ酸塩はへテロポリ酸のオニウ
ム塩であり、次式： ％式％［ （式中、Ｘはハロゲン原子、窒素族原子、酸素族原子を
表わし、Ｒは炭素数１〜３０の置換もしくは非置換アル
キル基、炭素数６〜４０の置換もしくは非置換アリール
基を表わし、ｙｎｅはへテロポリ酸の陰イオンを表わし
、ｍは２または３の整数、ｎは３，４．５などの整数を
表わす） で示される。
ム塩であり、次式： ％式％［ （式中、Ｘはハロゲン原子、窒素族原子、酸素族原子を
表わし、Ｒは炭素数１〜３０の置換もしくは非置換アル
キル基、炭素数６〜４０の置換もしくは非置換アリール
基を表わし、ｙｎｅはへテロポリ酸の陰イオンを表わし
、ｍは２または３の整数、ｎは３，４．５などの整数を
表わす） で示される。
式［Ａ］の塩において（Ｒ−Ｘ）’３１’はオニウムイ
オンを表わす。ここで、ＸとしてはＣＪＪ 、１などの
／＼ロゲン原子； Ｎ、Ｐなどの窒素族原子； Ｏ，
Ｓ、Ｓｅなどの酸素族原子である。したがって、上記Ｘ
のそれぞれに対応するオニウム塩は、クロニウム塩、ヨ
ードニウム塩：アンモニウム塩、ホスホニウム塩；オキ
ソニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩などとな
る。Ｒとしては上記に挙げたものであれば何であっても
よく、又、Ｒに導入される置換基としてはＣ１、Ｆなど
のハロゲン原子、エーテル基、ニトリル基、ニトロ基、
カルボニル基、チオエーテル基などがあげられる。
オンを表わす。ここで、ＸとしてはＣＪＪ 、１などの
／＼ロゲン原子； Ｎ、Ｐなどの窒素族原子； Ｏ，
Ｓ、Ｓｅなどの酸素族原子である。したがって、上記Ｘ
のそれぞれに対応するオニウム塩は、クロニウム塩、ヨ
ードニウム塩：アンモニウム塩、ホスホニウム塩；オキ
ソニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩などとな
る。Ｒとしては上記に挙げたものであれば何であっても
よく、又、Ｒに導入される置換基としてはＣ１、Ｆなど
のハロゲン原子、エーテル基、ニトリル基、ニトロ基、
カルボニル基、チオエーテル基などがあげられる。
炭素数１〜３０の置換もしくは非置換アルキル基の具体
例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、オクタデシル基などがあげられ、炭素
数６〜４０の置換もしくは非置換アリール基の具体例と
しては、フェニル基、４−メチルフェニル基、トメトキ
シフェニル基、５−ニトロフェニル基、４−クロロフェ
ニル基、４−へブチルフェニル基、４−ドデシルフェニ
ル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３．５−ジ
メチルートヒドロキシフェニル基、トルイル基、４−メ
チルチオフェニル基、２−ベンゾチェニル基、ナフチル
基。
例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、オクタデシル基などがあげられ、炭素
数６〜４０の置換もしくは非置換アリール基の具体例と
しては、フェニル基、４−メチルフェニル基、トメトキ
シフェニル基、５−ニトロフェニル基、４−クロロフェ
ニル基、４−へブチルフェニル基、４−ドデシルフェニ
ル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３．５−ジ
メチルートヒドロキシフェニル基、トルイル基、４−メ
チルチオフェニル基、２−ベンゾチェニル基、ナフチル
基。
アントラニル基などがあげられる。
ヘテロポリ酸Ｙとしては特に限定されるものではないが
、例えばリンタングステン酸、リンモリブデン酸、タン
グステンゲルマニウム酸、ケイタングステン酸、モリブ
デンケイ酸、ホウタングステン酸などが好ましい。
、例えばリンタングステン酸、リンモリブデン酸、タン
グステンゲルマニウム酸、ケイタングステン酸、モリブ
デンケイ酸、ホウタングステン酸などが好ましい。
本発明のへテロポリ酸塩の具体例としては、トリフェニ
ルスルホニウムホスホタングステート。
ルスルホニウムホスホタングステート。
トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムホスホクン
ゲステート、トリトルイルスルホニウムホスホタングス
テート、トリ（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホニウムホスホタングステート、トリ（４−
メチルチオフェニル）スルホニウムホスホタングステー
ト、ジフェニルヨードニウムホスホタングステート、ジ
（５−ニトロフェニル）ヨードニウムホスホタングステ
ート、ジナフチルヨードニウムホスホタングステート、
ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムホ
スホタングステート、ジ（２−ベンゾチェニル）ヨード
ニウムホスホタングステート、ジ（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）ヨードニウムホスホクンゲス
テート、テトラトルイルアンモニウムホスホタングステ
ート、テトラフェニルホスホニウムホスホタングステー
ト、テトラ（３，５−ジメチル十ヒドロキシフェニル）
ホスホニウムホスホタングステート、トリフェニルスル
ホニウムシリコタングステート、ジ（４−メチルフェニ
ル）ヨードニウムシリコタングステート、トリノェニル
スルホニウムホスホモリブデート、ジフェニルヨードニ
ウムホスホモリブデート、ジ（４−ドデシルフェニル）
ヨードニウムホスホモリブデート、テトラフェニルアン
モニウムホスホモリブデート、ジ（４−へブチルフェニ
ル）ヨードニウムタングストゲルマネート、ジ（４−ク
ロロフェニル）ヨードニウムモリブドシリコネートなど
が挙げられる。
ゲステート、トリトルイルスルホニウムホスホタングス
テート、トリ（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホニウムホスホタングステート、トリ（４−
メチルチオフェニル）スルホニウムホスホタングステー
ト、ジフェニルヨードニウムホスホタングステート、ジ
（５−ニトロフェニル）ヨードニウムホスホタングステ
ート、ジナフチルヨードニウムホスホタングステート、
ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムホ
スホタングステート、ジ（２−ベンゾチェニル）ヨード
ニウムホスホタングステート、ジ（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）ヨードニウムホスホクンゲス
テート、テトラトルイルアンモニウムホスホタングステ
ート、テトラフェニルホスホニウムホスホタングステー
ト、テトラ（３，５−ジメチル十ヒドロキシフェニル）
ホスホニウムホスホタングステート、トリフェニルスル
ホニウムシリコタングステート、ジ（４−メチルフェニ
ル）ヨードニウムシリコタングステート、トリノェニル
スルホニウムホスホモリブデート、ジフェニルヨードニ
ウムホスホモリブデート、ジ（４−ドデシルフェニル）
ヨードニウムホスホモリブデート、テトラフェニルアン
モニウムホスホモリブデート、ジ（４−へブチルフェニ
ル）ヨードニウムタングストゲルマネート、ジ（４−ク
ロロフェニル）ヨードニウムモリブドシリコネートなど
が挙げられる。
」二記のへテロポリ酸塩は、上記のＭａｃｒｏ■ｏｌｅ
ｃｕ−Ｉｅｓ、 １０ 、１３０？ （１９７？）に記
述されている光分解性塩の製法と類似した方法を使用し
て合成することができる。又、これらのへテロポリ酸塩
は、通常紫外光（ＵＶ光）を照射することによって光分
解する。照射される光の波長は１８０〜８００ｎｍ、好
ましくは２００〜４００ｎ＋＊である。更に光源として
は、高圧水銀ランプ、カーボンアークランプ、キセノン
ランプ、アルゴングロー放電管、メタルハライドランプ
などが使用できる。
ｃｕ−Ｉｅｓ、 １０ 、１３０？ （１９７？）に記
述されている光分解性塩の製法と類似した方法を使用し
て合成することができる。又、これらのへテロポリ酸塩
は、通常紫外光（ＵＶ光）を照射することによって光分
解する。照射される光の波長は１８０〜８００ｎｍ、好
ましくは２００〜４００ｎ＋＊である。更に光源として
は、高圧水銀ランプ、カーボンアークランプ、キセノン
ランプ、アルゴングロー放電管、メタルハライドランプ
などが使用できる。
［発明の実施例］
実施例１
（１）ジフェニルヨードニウムホスホタングステートの
製造 ヨウ素酸カリウム５０ｇ、無水酢酸＋００＋Ｊｌおよび
ベンゼン６４ｇをジグロロメタン１００ｍＪＬに溶解さ
せた。−１０℃に冷却したこの混合物中に５０＋ＪＬの
濃硫酸を滴下し、滴下終了後−１Ｏ℃において４時間攪
拌し、更に室温で１６時間攪拌を行なった。次いで、純
水を２００ｍＭ加えて未反応の無水酢酸を加水分解した
。リンタングステン酸３４０ｇを１００ｍＪｌの純水に
溶解し、この水溶液を上記反応混合物中に滴下したのち
有機層を分離、濃縮することによって結晶を析出させた
。析出した結晶をア七トンから再結晶して目的物を得た
（収率８０％）。この化合物のＩＩ−ＮＭＲスペクトル
をＤＭＳＯ中２５℃で測定したところδ： ７．３６ｐ
ｐｔｓに相当するシグナルが観測されたことから、この
化合物がジフェニルヨードニウムホスホタングステート
であることを確認した。
製造 ヨウ素酸カリウム５０ｇ、無水酢酸＋００＋Ｊｌおよび
ベンゼン６４ｇをジグロロメタン１００ｍＪＬに溶解さ
せた。−１０℃に冷却したこの混合物中に５０＋ＪＬの
濃硫酸を滴下し、滴下終了後−１Ｏ℃において４時間攪
拌し、更に室温で１６時間攪拌を行なった。次いで、純
水を２００ｍＭ加えて未反応の無水酢酸を加水分解した
。リンタングステン酸３４０ｇを１００ｍＪｌの純水に
溶解し、この水溶液を上記反応混合物中に滴下したのち
有機層を分離、濃縮することによって結晶を析出させた
。析出した結晶をア七トンから再結晶して目的物を得た
（収率８０％）。この化合物のＩＩ−ＮＭＲスペクトル
をＤＭＳＯ中２５℃で測定したところδ： ７．３６ｐ
ｐｔｓに相当するシグナルが観測されたことから、この
化合物がジフェニルヨードニウムホスホタングステート
であることを確認した。
（２）光分解性の確認
次いで、この塩の光分解性を調べるために、該塩の０．
１％濃度の重アセトン溶液に４００臀の高圧水銀ランプ
を用いてＵＶ光を２０分間照射し、このＵＶ照射の前後
において’Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。
１％濃度の重アセトン溶液に４００臀の高圧水銀ランプ
を用いてＵＶ光を２０分間照射し、このＵＶ照射の前後
において’Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。
その結果、ＵＶ照射後へテロポリ酸塩のフェニル基のシ
グナルの強度が減少しており、この化合物は約５０％が
光分解してリンタングステン酸が遊離したことが確認さ
れた。
グナルの強度が減少しており、この化合物は約５０％が
光分解してリンタングステン酸が遊離したことが確認さ
れた。
実施例２
（１） ）リス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホニウムホスホモリブデートの製造二硫化
炭素４００ｒａ ｌと２，６−シメチルフエノールとを
混合し、この混合物を１０℃に冷却したのち８９ｇの塩
化アルミニウムを加え、更に、塩化チオニル７９．５ｇ
を加えて２時間反応させた。この反応物を塩酸 ５０＋
ｊＬおよび氷 １０００■見を入れた容器中にゆっくり
と注いだのち、容器の温度を６０℃に上げて１時間攪拌
し、溶液をろ過して生成物を得た。
ェニル）スルホニウムホスホモリブデートの製造二硫化
炭素４００ｒａ ｌと２，６−シメチルフエノールとを
混合し、この混合物を１０℃に冷却したのち８９ｇの塩
化アルミニウムを加え、更に、塩化チオニル７９．５ｇ
を加えて２時間反応させた。この反応物を塩酸 ５０＋
ｊＬおよび氷 １０００■見を入れた容器中にゆっくり
と注いだのち、容器の温度を６０℃に上げて１時間攪拌
し、溶液をろ過して生成物を得た。
生成物を水で洗浄し、乾燥したのち、メタノール−水の
混合溶液から再結晶してトリス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）スルホニウムクロライドを得た
。このトリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホニウムクロライド３０ｇを３００ｍＭのエ
タノールに溶解し、このエタノール溶液にリンモリブデ
ン酸１２７ｇを加えたのちに水を添加することにより結
晶化させた。この結晶をエタノールから再結晶して、目
的物を得た（収率７８％）。
混合溶液から再結晶してトリス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）スルホニウムクロライドを得た
。このトリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホニウムクロライド３０ｇを３００ｍＭのエ
タノールに溶解し、このエタノール溶液にリンモリブデ
ン酸１２７ｇを加えたのちに水を添加することにより結
晶化させた。この結晶をエタノールから再結晶して、目
的物を得た（収率７８％）。
この化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルを重クロロホルム
中２５℃で測定したところ、δ： ２．２２ 、７．３
７ｐｐｍに相当するシグナルが観測されたことから、こ
の化合物がトリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホニウムホスホモリブデートであること
が確認された。
中２５℃で測定したところ、δ： ２．２２ 、７．３
７ｐｐｍに相当するシグナルが観測されたことから、こ
の化合物がトリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホニウムホスホモリブデートであること
が確認された。
（２）光分解性の確認
実施例１と同様に光分解性を調べるために、この結晶ｏ
、 ｏ ｔ’ｇを １０＋ＪＬの重アセトニトリルと
１０＋ａｆＬの重メタノールとの混合溶液中に溶解し
、ＵＶ光（４００Ｗの高圧水銀ランプ）を３０分間照射
したところ、メチル基の’Ｈ−ＮＭＲシグナルが減少し
、この化合物の約６０％が光分解してリンモリブデン酸
が遊離したことが確認された。
、 ｏ ｔ’ｇを １０＋ＪＬの重アセトニトリルと
１０＋ａｆＬの重メタノールとの混合溶液中に溶解し
、ＵＶ光（４００Ｗの高圧水銀ランプ）を３０分間照射
したところ、メチル基の’Ｈ−ＮＭＲシグナルが減少し
、この化合物の約６０％が光分解してリンモリブデン酸
が遊離したことが確認された。
実施例３〜５
実施例２において使用されたリンモリブデン酸に代えて
、リンタングステン酸、ケイタングステン酸およびホウ
タングステン酸を使用した他は実施例２と同様にして合
成を行ない、それぞれ下記に示す化合物を得た。
、リンタングステン酸、ケイタングステン酸およびホウ
タングステン酸を使用した他は実施例２と同様にして合
成を行ない、それぞれ下記に示す化合物を得た。
１）実施例３
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルホニウムホスホタングステート（収率８２％。ｄ８
−ジメチルスルホキシド中、δ：２．２２ 、７．３７
に相当する用−ＮＭＲシグナル。）２）実施例４ トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルホニウムケイタングステート （収率８８％。ｄ６−ジメチルスルホキシド中、δ：２
．２６ 、７．３９に相当するＩＨ−ＮＭＲシグナル。
スルホニウムホスホタングステート（収率８２％。ｄ８
−ジメチルスルホキシド中、δ：２．２２ 、７．３７
に相当する用−ＮＭＲシグナル。）２）実施例４ トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルホニウムケイタングステート （収率８８％。ｄ６−ジメチルスルホキシド中、δ：２
．２６ 、７．３９に相当するＩＨ−ＮＭＲシグナル。
）３）実施例５
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
スルホニウムホウタングステート （収率８３％。ｄ６−ジメチルスルホキシド中、δ：２
．２３ 、７．４０に相当するＩＨ−ＮＭＲシグナル。
スルホニウムホウタングステート （収率８３％。ｄ６−ジメチルスルホキシド中、δ：２
．２３ 、７．４０に相当するＩＨ−ＮＭＲシグナル。
）これらの化合物それぞれについて実施例２と同様にし
てＵＶ照射を行ない、ＩＨ−ＮＭＲスペクトルを測定し
たところ、同様に光分解したことが確認された。
てＵＶ照射を行ない、ＩＨ−ＮＭＲスペクトルを測定し
たところ、同様に光分解したことが確認された。
実施例６
（１）トリス（４−メチルフェニル）ヨードニウムホス
ホタングステートの製造 ヨウ素酸カリウム１００ｇ、無水酢酸１００謬りおよび
トルエン１００ｍＪ１の混合溶液に一５℃において７０
＋＋＋ ｌの硫酸を滴下し、更に１００■文の無水酢酸
を滴下したのち、室温で４８時間放置した。次いで、５
℃において純水２００ｍ１を加えたのちエーテル７５．
ｍｌを加え、有機層を分離、濃縮することによりトリス
（４−メチルフェニル）ヨードニウムクロライドを得た
。
ホタングステートの製造 ヨウ素酸カリウム１００ｇ、無水酢酸１００謬りおよび
トルエン１００ｍＪ１の混合溶液に一５℃において７０
＋＋＋ ｌの硫酸を滴下し、更に１００■文の無水酢酸
を滴下したのち、室温で４８時間放置した。次いで、５
℃において純水２００ｍ１を加えたのちエーテル７５．
ｍｌを加え、有機層を分離、濃縮することによりトリス
（４−メチルフェニル）ヨードニウムクロライドを得た
。
この化合物３１．８ｇと酸化銀２０ｇおよび水 １０＋
ＪＬを混合したのちろ過し、ろ液にリンタングステン酸
２８８ｇの水溶液を加え、生成した沈殿をアセトンから
再結晶することにより目的物を得た（収率７０％）。
ＪＬを混合したのちろ過し、ろ液にリンタングステン酸
２８８ｇの水溶液を加え、生成した沈殿をアセトンから
再結晶することにより目的物を得た（収率７０％）。
この化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルをＤＭＳＯ−ｄ６
中２５℃で測定したところ、δ： ２．３７ 、３．８
０ 、７．３０ 。
中２５℃で測定したところ、δ： ２．３７ 、３．８
０ 、７．３０ 。
７．４０ 、８．０６および８．１５ｐｐｍに相当する
シグナルが観測されたことから、この化合物がトリス（
４−メチルフェニル）ヨードニウムホスホタングステー
トであることが確認された。
シグナルが観測されたことから、この化合物がトリス（
４−メチルフェニル）ヨードニウムホスホタングステー
トであることが確認された。
（２）光分解性の確認
更に、上記の実施例と同様に光分解性を調べるためにこ
の化合物の１．０％濃度の重アセトン溶液にＵＶ光（４
００−の高圧水銀ランプ）を２０分間照射して’Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルを測定したところ、メチル基のシグナル
の強度が減少し、その結果この化合物の約８０％が光分
解してリンタングステン酸が遊離したことが確認された
。
の化合物の１．０％濃度の重アセトン溶液にＵＶ光（４
００−の高圧水銀ランプ）を２０分間照射して’Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルを測定したところ、メチル基のシグナル
の強度が減少し、その結果この化合物の約８０％が光分
解してリンタングステン酸が遊離したことが確認された
。
かかる本発明のへテロポリ酸塩は光照射により速やかに
分解すると共に、生成したヘテロポリ酸は金属を腐食さ
せたりすることが少ないため、例えば電気機器等に使用
した場合でもこれらの電気的特性、例えば絶縁性を劣化
させることが少ない。したがって光硬化性樹脂あるいは
レジスト材料の光硬化触媒として有用である。
分解すると共に、生成したヘテロポリ酸は金属を腐食さ
せたりすることが少ないため、例えば電気機器等に使用
した場合でもこれらの電気的特性、例えば絶縁性を劣化
させることが少ない。したがって光硬化性樹脂あるいは
レジスト材料の光硬化触媒として有用である。
更に、本発明の光分解性へテロポリ酸塩は、光照射によ
る酸化−還元反応の触媒として機能することができると
いうことが確認されたため、今後様々な分野での利用が
期待できる。
る酸化−還元反応の触媒として機能することができると
いうことが確認されたため、今後様々な分野での利用が
期待できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次式：（Ｒ＿ｍ−Ｘ）＾■＿ｎ・Ｙ＾ｎ＾■［Ａ］（式
中、Ｘはハロゲン原子、窒素族原子、酸素族原子を表わ
し、Ｒは炭素数１〜３０の置換もしくは非置換アルキル
基、炭素数６〜４０の置換もしくは非置換アリール基を
表わし、Ｙ＾ｎ＾■はヘテロポリ酸の陰イオンを表わし
、ｍは２または３の整数、ｎは３、４、５などの整数を
表わす） で示されることを特徴とするヘテロポリ酸塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15408984A JPS6136235A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ヘテロポリ酸塩 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15408984A JPS6136235A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ヘテロポリ酸塩 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136235A true JPS6136235A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15576653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15408984A Pending JPS6136235A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ヘテロポリ酸塩 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136235A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327829A (ja) * | 1986-06-13 | 1988-02-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | レジスト組成物およびその使用 |
| JP2007187408A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 換気システムおよびフィルター装置 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15408984A patent/JPS6136235A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327829A (ja) * | 1986-06-13 | 1988-02-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | レジスト組成物およびその使用 |
| JP2007187408A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 換気システムおよびフィルター装置 |
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