JPS5848532B2 - 準安定状態を有する安息香酸誘導体 - Google Patents
準安定状態を有する安息香酸誘導体Info
- Publication number
- JPS5848532B2 JPS5848532B2 JP7349978A JP7349978A JPS5848532B2 JP S5848532 B2 JPS5848532 B2 JP S5848532B2 JP 7349978 A JP7349978 A JP 7349978A JP 7349978 A JP7349978 A JP 7349978A JP S5848532 B2 JPS5848532 B2 JP S5848532B2
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- JP
- Japan
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- benzoic acid
- carbon atoms
- acid derivatives
- alkoxy group
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、準安定状態を有する新規な安息香酸誘導体、
さらに詳しくいうと、一般式 （式中、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基であり、Ｘ
及びＹは水素原子又は炭素数４以下の低級アルコキシ基
であるが、その少なくとも一方はアルコキシ基である） で表わされる安息香酸誘導体に関するものである。
さらに詳しくいうと、一般式 （式中、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基であり、Ｘ
及びＹは水素原子又は炭素数４以下の低級アルコキシ基
であるが、その少なくとも一方はアルコキシ基である） で表わされる安息香酸誘導体に関するものである。
本発明による化合物はそれ自体では液晶性を示さず、準
安定状態を示すのみであるが、他の化合物たとえば銀塩
誘導体とすることによって初めて液晶性を示すという特
異な性質を有している。
安定状態を示すのみであるが、他の化合物たとえば銀塩
誘導体とすることによって初めて液晶性を示すという特
異な性質を有している。
従来、芳香環の４一位にのみに長鎖アルコキシ基を有す
るある種の安息香酸は液晶性を示すことば知られている
が、この種の化合物で、芳香環の３位あるいは５位に低
級アルコキシ基を導入した安息香酸誘導体が液晶性を示
さず、準安定状態を示すことは意外な知見である。
るある種の安息香酸は液晶性を示すことば知られている
が、この種の化合物で、芳香環の３位あるいは５位に低
級アルコキシ基を導入した安息香酸誘導体が液晶性を示
さず、準安定状態を示すことは意外な知見である。
本発明の安息香酸誘導体は、バニリン又はシリンガアル
デヒドなどの低級アルコキシ基を持つ対応原料アルデヒ
ドを原料として用い、これに長鎖☆☆のハロゲン化アル
キルをアルカリの存在下で反応させてその水酸基をエー
テル化したのち、酸化処理してアルデヒド基をカルボキ
シル基に変えて対応する長鎖アルコキシ基と低級アルコ
キシ基を有する安息香酸を得、これを慣用の方法により
銀塩に変えることにより得ることができる。
デヒドなどの低級アルコキシ基を持つ対応原料アルデヒ
ドを原料として用い、これに長鎖☆☆のハロゲン化アル
キルをアルカリの存在下で反応させてその水酸基をエー
テル化したのち、酸化処理してアルデヒド基をカルボキ
シル基に変えて対応する長鎖アルコキシ基と低級アルコ
キシ基を有する安息香酸を得、これを慣用の方法により
銀塩に変えることにより得ることができる。
前記式において、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基で
あって、その炭素数は６〜３２程度であり、殊に炭素数
９〜２４のｎ−アルキル基が好ましい。
あって、その炭素数は６〜３２程度であり、殊に炭素数
９〜２４のｎ−アルキル基が好ましい。
Ｘ及びＹは水素原子又は炭素数４以下の低級アルコキシ
基、殊にメトキシ基であり、その少なくとも一方はアル
コキシ基である。
基、殊にメトキシ基であり、その少なくとも一方はアル
コキシ基である。
Ｚは塩素や臭素などのハロゲン原子である。
本発明の化合物を製造する場合、バニリンやシリンガア
ルデヒドなどの原料アルデヒドとハロゲン化アルキルと
の反応は、アルカリたとえば炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウムの存在下で行ない、反応により生成したハロゲン化
水素を除去する。
ルデヒドなどの原料アルデヒドとハロゲン化アルキルと
の反応は、アルカリたとえば炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウムの存在下で行ない、反応により生成したハロゲン化
水素を除去する。
反応は通常加温状態で実施される。
また、このようにして長鎖アルコキシ基の導入されたア
ルデヒドの酸化処理は、酸化剤たとえば酸化銀、過マン
ガン酸カリや重クロム酸カリの試薬酸化剤やコバルトイ
オンなどの重金属イオンの存在下、分子状酸素を用いて
行なうことができる。
ルデヒドの酸化処理は、酸化剤たとえば酸化銀、過マン
ガン酸カリや重クロム酸カリの試薬酸化剤やコバルトイ
オンなどの重金属イオンの存在下、分子状酸素を用いて
行なうことができる。
反応温度は使用する酸化剤に応じて適当に選択する。
本発明による安息香酸誘導体は、準安定状態（メタステ
イブルステート）を示し、一定温度における熱処理によ
り相互に変化しうる２種以上の結晶状態を示し、しかも
、これらがある温度状態で一方だけにもなりうるし、あ
るいは２種以上の結晶状態が共存することも可能である
。
イブルステート）を示し、一定温度における熱処理によ
り相互に変化しうる２種以上の結晶状態を示し、しかも
、これらがある温度状態で一方だけにもなりうるし、あ
るいは２種以上の結晶状態が共存することも可能である
。
さらに、これらの安息香酸誘導体においては、準安定状
態の結晶は通常の安定状態の結晶に比べて、少ない熱量
で容易に融解するなどの特徴を有する。
態の結晶は通常の安定状態の結晶に比べて、少ない熱量
で容易に融解するなどの特徴を有する。
また、このものは、銀塩にした場合、液晶性を示し、か
つ感光性をも示すことから、感光性材料としての用途を
有する。
つ感光性をも示すことから、感光性材料としての用途を
有する。
本発明の化合物の銀塩の形で感光性材料として用いる場
合、解像力の高い画像を与え、また、このものは低級ア
ルコキシ基を有することから、これを有しない長鎖アル
コキシ安息香酸銀塩に比して、その有機酸成分は準安定
状態を示すのみで液晶性がないため所定の温度のみで使
用可能となり、熱安定性はよく、さらにその融点は著し
く低められた取扱い性の良好なもので、紙や合成樹脂に
対して支持させた感光材料とすることができる。
合、解像力の高い画像を与え、また、このものは低級ア
ルコキシ基を有することから、これを有しない長鎖アル
コキシ安息香酸銀塩に比して、その有機酸成分は準安定
状態を示すのみで液晶性がないため所定の温度のみで使
用可能となり、熱安定性はよく、さらにその融点は著し
く低められた取扱い性の良好なもので、紙や合成樹脂に
対して支持させた感光材料とすることができる。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例 １
（４−ｎ−アルコキシ−３−メトキシ安息香酸の合或）
Ａ：４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシ安息香酸の
合或 （ｉ） ４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシベン
ズアルデヒドの合成 バニリン５．３２Ｐ，無水炭酸カリ１３．８２Ｐ，臭化
ｎ−オクチル７．７２？をシクロヘキサノン５０ｒｆｌ
ｌに加える。
合或 （ｉ） ４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシベン
ズアルデヒドの合成 バニリン５．３２Ｐ，無水炭酸カリ１３．８２Ｐ，臭化
ｎ−オクチル７．７２？をシクロヘキサノン５０ｒｆｌ
ｌに加える。
この溶液を攪拌下に３時間加熱還流する冷却後、臭化カ
リと未反応の炭酸カリを口別する。
リと未反応の炭酸カリを口別する。
口液を真空蒸留して、溶媒及び未反応の臭化ｎ−オクチ
ルを除去する。
ルを除去する。
蒸留残留物を少量のメタノールより再結晶すると、４ｎ
−オクチルオキシ−３−メトキシーベンズアルデヒド２
，１３♂を得た。
−オクチルオキシ−３−メトキシーベンズアルデヒド２
，１３♂を得た。
（！！） ４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシ安
息香酸の合戒 ４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシーベンズアルデ
ヒド２．１１Ｐをアセトンｌｏｏｍｌに溶かす。
息香酸の合戒 ４−ｎ−オクチルオキシ−３−メトキシーベンズアルデ
ヒド２．１１Ｐをアセトンｌｏｏｍｌに溶かす。
この溶液を加熱還流し、攪拌下に過マンガン酸カリ１．
５８ｆを徐々に加える。
５８ｆを徐々に加える。
その後、１時間還流をつづける。
冷却後、析出物を口別する。
この析出物を水に懸濁させ、希硫酸で酸性（ｐＨ約３）
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
この析出物を口別、水洗し、４ −ｎ−オクチルオキシ
３−メトキシ安息香酸を収量１．４３Ｓ’で得る。
３−メトキシ安息香酸を収量１．４３Ｓ’で得る。
メタノール、ヘキサン／ベンゼンより再結晶する。
融点１０７．５〜１０８℃。Ｂ：４−ｎ−オクタデシル
オキシ−３−メトキシベンズアルデヒドの合或 ハニリン１５．２ｆ、無水炭酸カリ６０．８Ｐ、臭化ｎ
−オクタデシル５３．３ｙをシクロヘキサノン１００ｍ
ｌに加える。
オキシ−３−メトキシベンズアルデヒドの合或 ハニリン１５．２ｆ、無水炭酸カリ６０．８Ｐ、臭化ｎ
−オクタデシル５３．３ｙをシクロヘキサノン１００ｍ
ｌに加える。
この溶液を攪拌下に、３時間加熱還流する。
冷却後、臭化カリと未反応の炭酸カリを口別する。
口液な真空蒸留して、溶媒及び未反応の臭化ｎ−オクタ
デシルを除く。
デシルを除く。
蒸留残留物を少量のメタノールより再結晶すると４ −
ｎオクタデシルオキシ−３−メトキシーベンズアルデヒ
ド３９．３Ｐを得る。
ｎオクタデシルオキシ−３−メトキシーベンズアルデヒ
ド３９．３Ｐを得る。
融点６１〜６３℃。（！） ４−ｎ−オクタデシルオ
キシ−３−メトキシ安息香酸の合或 ４−ｎ−オクタデシルオキシ−３−メトキシベンズアル
デヒド３．７４？をアセトン１５０ｒＩＬｌに溶かす。
キシ−３−メトキシ安息香酸の合或 ４−ｎ−オクタデシルオキシ−３−メトキシベンズアル
デヒド３．７４？をアセトン１５０ｒＩＬｌに溶かす。
この溶液を加熱還流し、攪拌下に、過マンガン酸力！，
ＩＩ−９Ｃｌを徐々に加える。
ＩＩ−９Ｃｌを徐々に加える。
その後、１時間還流をつづける。
冷却後、析出物を口別する。
この析出物を水に懸濁させ、希硫酸で酸性（ｐＨ約３）
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
この析出物を口別、水洗する。
この物が４ −ｎオクタデシルオキシ−３−メトキシ安
息香酸で、収量２．７０？である。
息香酸で、収量２．７０？である。
メタノール、アセトンより再結晶する。
融点１０８℃。前記と同様にして、バニリンを原料とし
て種種の４ −ｎ−７ルコキシー３−メトキシ安息香酸
を合威した。
て種種の４ −ｎ−７ルコキシー３−メトキシ安息香酸
を合威した。
その結果を次表に示す。Ｃ：４−ｎ−オクタデシルオキ
シ−３−メトキシ安息香酸の合戒 金属ナトリウム０．３ｆ （ ０．０ １ｍｏｌ ）を
溶解したメタノール溶液（４０Ｔｌ０に、４−ｎ−オク
タデシルオキシ−３−メトキシ安息香酸３．７９ｆｔ（
０．０ ０ ９ｍｏｌ ）を溶解し、室温で２時間攪
拌する。
シ−３−メトキシ安息香酸の合戒 金属ナトリウム０．３ｆ （ ０．０ １ｍｏｌ ）を
溶解したメタノール溶液（４０Ｔｌ０に、４−ｎ−オク
タデシルオキシ−３−メトキシ安息香酸３．７９ｆｔ（
０．０ ０ ９ｍｏｌ ）を溶解し、室温で２時間攪
拌する。
反応後、反応液を減圧濃縮し、析出したナトリウム塩を
ロ別し、少量のメタノールで洗浄する。
ロ別し、少量のメタノールで洗浄する。
収量３，３２１（収率８３％）。
次に、このナトリウム塩０．８ ９ １ （ ２ ｍｍ
ｏｌ）と硝酸銀０．３ ７ ｆ （ ２．２ ｍｍｏｌ
）とを水３０ｒＩＬｌに溶解し、室温で２時間攪拌す
る。
ｏｌ）と硝酸銀０．３ ７ ｆ （ ２．２ ｍｍｏｌ
）とを水３０ｒＩＬｌに溶解し、室温で２時間攪拌す
る。
反応後、析出した銀塩を口別し、水洗する。
収量１．０Ｏｆ（収率９５％）。
このものは液晶性を示すことが確認された。
実施例 ２
（４−ｎ−アルコキシ−３・５−ジメトキシ安息香酸の
合或） （ｉ） ４−ｎ−オクタデシル−３・５−ジメトキシ
ベンズアルデヒドの合成 シリンガアルデヒド３．６４Ｓ’、無水炭酸カリ８．２
９＠をＮ−Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌに加えで
、攪拌下に１００〜１１０℃に加温する。
合或） （ｉ） ４−ｎ−オクタデシル−３・５−ジメトキシ
ベンズアルデヒドの合成 シリンガアルデヒド３．６４Ｓ’、無水炭酸カリ８．２
９＠をＮ−Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌに加えで
、攪拌下に１００〜１１０℃に加温する。
この溶液に臭化ｎ−オクタデシル１３．３４′？を滴下
する。
する。
滴下後、反応後を１００〜１１０℃に３時間保つ。
反応後、冷却し、臭化カリと未反応の炭酸カリを口別す
る。
る。
口液を真空蒸留して溶媒及び未反応の臭化ｎオクタデシ
ルを除く。
ルを除く。
蒸留残留物を、少量のメタノールより再結晶すると、４
−ｎ−オクＨシルオキシ−３・５−ジメトキシベンズ
アルデヒド６．８７Ｆを得る。
−ｎ−オクＨシルオキシ−３・５−ジメトキシベンズ
アルデヒド６．８７Ｆを得る。
融点６８〜７２℃。（ｆ！） ４−ｎ−オクタデシル
オキシ−３・５−ジメトキシ安息香酸の合戒 ４−ｎ−オクタデシルオキシ−３・５−ジメトキシベン
ズアルデヒド３．４８ｆをアセトン１００ｍｌに溶かす
。
オキシ−３・５−ジメトキシ安息香酸の合戒 ４−ｎ−オクタデシルオキシ−３・５−ジメトキシベン
ズアルデヒド３．４８ｆをアセトン１００ｍｌに溶かす
。
この溶液を加熱還流し、攪拌下に、過マンガン酸カリ１
．５８Ｐを徐々に加そる。
．５８Ｐを徐々に加そる。
その後、１時間還流をつづける。冷却後、析出物を口別
する。
する。
この析出物を水に懸濁させ、希硫酸で酸性（ｐｎ約３）
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
にした後、亜硫酸ソーダを加えることにより、白色沈殿
物が得られる。
この析出物を口別、水洗する。この物が、４−ｎ−オク
タデシルオキシ−３・５−ジメトキシ安息香酸で、収量
１．９＝ｌである。
タデシルオキシ−３・５−ジメトキシ安息香酸で、収量
１．９＝ｌである。
メタノール、アセトン ベンゼンより再結晶する。
融点１１２℃。
前記と同様にして、シリンガアルデヒドを原料として用
い、種々の４−ｎ−アルコキシ−３・５−ジメトキシ安
息香酸を合成した。
い、種々の４−ｎ−アルコキシ−３・５−ジメトキシ安
息香酸を合成した。
その結果を次表に示す。
（！！ｉ） ４−ｎ−オクタデシル−３・５−ジメト
キシ安息香酸銀塩の合成 実施例ＩＣと同様にして銀塩を製造し、その液晶性を調
べたところ、液晶性を有することが確認された。
キシ安息香酸銀塩の合成 実施例ＩＣと同様にして銀塩を製造し、その液晶性を調
べたところ、液晶性を有することが確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基であり、Ｘ
及びＹは水素原子又は炭素数４以下の低級アルコキシ基
であるが、その少なくとも一方はアルコキシ基である） で表わされる安息香酸誘導体。 ２ 一般式 （式中、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基である。 ）で表わされる特許請求の範囲第１項の安息香酸誘導体
。 ３ 一般式 （式中、Ｒは炭素数６以上の長鎖アルキル基である） で表わされる特許請求の範囲第１項の安息香酸誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349978A JPS5848532B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 準安定状態を有する安息香酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349978A JPS5848532B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 準安定状態を有する安息香酸誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55334A JPS55334A (en) | 1980-01-05 |
| JPS5848532B2 true JPS5848532B2 (ja) | 1983-10-28 |
Family
ID=13519998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7349978A Expired JPS5848532B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 準安定状態を有する安息香酸誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848532B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424253B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1992-04-24 | Nissan Motor |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2519877B1 (fr) * | 1982-01-20 | 1986-10-31 | Charbonnages De France | Grille de fluidisation ainsi que foyer de combustion a grille inferieure de soufflage d'air et procede de traitement de matiere particulaire dans une chambre de fluidisation et/ou d'entrainement |
| JPS61146705A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Kansai Coke & Chem Co Ltd | 一酸化炭素を含む混合ガスから高純度一酸化炭素を分離回収する方法 |
| US5646184A (en) * | 1993-03-25 | 1997-07-08 | Kao Corporation | Preparation for external application to the skin and novel benzoic acid derivatives |
| FR2738249B1 (fr) * | 1995-09-06 | 1997-09-26 | Commissariat Energie Atomique | Complexes metalliques mesogenes, procede de polymerisation de ces complexes et polymeres anisotropes ainsi obtenus |
| US20030215871A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-20 | Pharmacopeia, Inc. | Chemically inert molecular tags |
| CN104693022A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-10 | 寿光市豪源化工有限公司 | 一种高纯度、高收率丁香酸的合成方法 |
-
1978
- 1978-06-16 JP JP7349978A patent/JPS5848532B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424253B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1992-04-24 | Nissan Motor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55334A (en) | 1980-01-05 |
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