JPS6042226B2 - ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体 - Google Patents
ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体Info
- Publication number
- JPS6042226B2 JPS6042226B2 JP16561280A JP16561280A JPS6042226B2 JP S6042226 B2 JPS6042226 B2 JP S6042226B2 JP 16561280 A JP16561280 A JP 16561280A JP 16561280 A JP16561280 A JP 16561280A JP S6042226 B2 JPS6042226 B2 JP S6042226B2
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- Japan
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- acid
- acid derivatives
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- vanillin
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶として有用なベンゾイルオキシ安息香酸誘
導体、さらに詳しくは、一般式中 C=℃ ウヘR2(I) (式中、R”はn−アルキル基、R゜は水素原子又はメ
トキシ基である。
導体、さらに詳しくは、一般式中 C=℃ ウヘR2(I) (式中、R”はn−アルキル基、R゜は水素原子又はメ
トキシ基である。
)で表わされるベンゾイルオキシ安息香酸誘導体に関す
るものである。
るものである。
リグニンの酸化分解によつて一連のフェノール誘導体の
中の主なものとして、4−ヒドロキシベンズアルデヒド
、バニリン及びシリンガアルデヒJドの3種がよく知ら
れている。
中の主なものとして、4−ヒドロキシベンズアルデヒド
、バニリン及びシリンガアルデヒJドの3種がよく知ら
れている。
これらのフェノール誘導体のうち、4−ヒドロキシベン
ズアルデヒドから誘導される4−n−アルコキシ安息香
酸は液晶性物質であることが見出されているが、その他
のものについては未だ見出されていない。7 本発明者
らは、リグニンの酸化分解によつて得られる前記フェノ
ール誘導体を原料とする、液晶性物質の合成について種
々研究を行つた結果、前;9一記一般式(1)て表わさ
れるものは、液晶性物質としてすぐれたものであること
を見出し、本発明を完成するに至つた。
ズアルデヒドから誘導される4−n−アルコキシ安息香
酸は液晶性物質であることが見出されているが、その他
のものについては未だ見出されていない。7 本発明者
らは、リグニンの酸化分解によつて得られる前記フェノ
ール誘導体を原料とする、液晶性物質の合成について種
々研究を行つた結果、前;9一記一般式(1)て表わさ
れるものは、液晶性物質としてすぐれたものであること
を見出し、本発明を完成するに至つた。
本発明の化合物を得るには、バニリン又は4−ヒドロキ
シベンズアルデヒドを出発原料として用い、これにハロ
ゲン化n−アルキルを反応させてその水酸基をエーテル
化した後、酸化処理してアルデヒド基をカルボキシル基
に変える。
シベンズアルデヒドを出発原料として用い、これにハロ
ゲン化n−アルキルを反応させてその水酸基をエーテル
化した後、酸化処理してアルデヒド基をカルボキシル基
に変える。
次に、得られた4−n−アルコキシ安息香酸又は4−n
−アルコキシー3−メトキシ安息香酸にハロゲン化剤、
たとえば塩化チオニルを反応させて酸ハライドに変換し
た後、4−ヒドロキシ安息香酸を反応させる。この一連
の反応を化学式で示すと次の通りである。(前記式中、
R1はn−アルキル基であり、その炭素数は1〜2鍜度
である。
−アルコキシー3−メトキシ安息香酸にハロゲン化剤、
たとえば塩化チオニルを反応させて酸ハライドに変換し
た後、4−ヒドロキシ安息香酸を反応させる。この一連
の反応を化学式で示すと次の通りである。(前記式中、
R1はn−アルキル基であり、その炭素数は1〜2鍜度
である。
R2は水素原子又5はメトキシ基てあり、X及びYはハ
ロゲン原子を表わす。)本発明による化合物による化合
物は、液晶性物質としてすぐれた特性を示し、次のよう
な特徴を有する。
ロゲン原子を表わす。)本発明による化合物による化合
物は、液晶性物質としてすぐれた特性を示し、次のよう
な特徴を有する。
(1)従来の液晶性物質である4−n−アルコキシ安息
香酸と比べ、本化合物は一般に融点及び相転移温度が高
く、より高温領域で液晶性を示す。
香酸と比べ、本化合物は一般に融点及び相転移温度が高
く、より高温領域で液晶性を示す。
従つて高温液晶性物質としての新用途が期待される、な
どの利点を有する。(2)R1の炭素数の長さを調節す
ることにより、化合物の融点及び相転移温度を調節する
ことができる。(3) 本化合物合成の原料となる4−
ヒドロキシベンズアルデヒド、バニリン等はバルブ廃液
中のリグニン成分の酸化分解によつて簡単に得られるの
で、大量合成する場合非常に有利である。
どの利点を有する。(2)R1の炭素数の長さを調節す
ることにより、化合物の融点及び相転移温度を調節する
ことができる。(3) 本化合物合成の原料となる4−
ヒドロキシベンズアルデヒド、バニリン等はバルブ廃液
中のリグニン成分の酸化分解によつて簡単に得られるの
で、大量合成する場合非常に有利である。
また合成の各段階で用いるのに反応が単純であるので合
成が非常に簡単である。次に本発明を実施例によりさら
に詳しく説明する。
成が非常に簡単である。次に本発明を実施例によりさら
に詳しく説明する。
実施例
バニリン4.56y1無水炭酸カリ3.8V1臭化n−
ヘプチル8.05qをDMF5Omlに加える。
ヘプチル8.05qをDMF5Omlに加える。
この溶液を攪拌下に3時間加熱還流する。冷却後、臭化
カリと未反応の炭酸カリを口別する。口液を真空蒸留し
て、溶媒及び未反応の臭化n−ヘプチルを除く。蒸留残
積物を少量のメタノールから結晶して4−n−ヘプチロ
キシー3−メトキシーベンズアルデヒド6.65yを得
る。4−n−ヘプチロキシー3−メトキシーベンズアル
デヒド2.22yをアセトン150mtに溶かす。
カリと未反応の炭酸カリを口別する。口液を真空蒸留し
て、溶媒及び未反応の臭化n−ヘプチルを除く。蒸留残
積物を少量のメタノールから結晶して4−n−ヘプチロ
キシー3−メトキシーベンズアルデヒド6.65yを得
る。4−n−ヘプチロキシー3−メトキシーベンズアル
デヒド2.22yをアセトン150mtに溶かす。
この溶液を加熱還流し、攪拌下に、過マンガン酸カリ1
.9yを徐々に加える。その後1時間還流をつつける。
冷却後、析出物を口別する。この析出物を水に懸濁させ
、希硫酸で酸性(PH約3)にした後、亜硫酸ソーダを
加えることにより、白色沈殿物が得られる。この析出物
を口別、水洗し、4−n−ペプチロキシー3−メトキシ
安息香酸1.9yを得る。メタノール、アセトンから再
結晶して結一晶を得る。融点119〜120゜C04−
n−ペプチロキシー3−メトキシ安息香酸489nIg
(1.84rrL.m01)に塩化チオニル約1.5m
1を加え攪拌下約3時間加熱還流する。
.9yを徐々に加える。その後1時間還流をつつける。
冷却後、析出物を口別する。この析出物を水に懸濁させ
、希硫酸で酸性(PH約3)にした後、亜硫酸ソーダを
加えることにより、白色沈殿物が得られる。この析出物
を口別、水洗し、4−n−ペプチロキシー3−メトキシ
安息香酸1.9yを得る。メタノール、アセトンから再
結晶して結一晶を得る。融点119〜120゜C04−
n−ペプチロキシー3−メトキシ安息香酸489nIg
(1.84rrL.m01)に塩化チオニル約1.5m
1を加え攪拌下約3時間加熱還流する。
加熱終了後、減圧下で過乗の塩化チオニルを簡去し、酸
クロライドを得る。これを3m1の乾燥したピリジンに
溶かす。このピリジン溶液を4−ヒドロキシ安息香酸2
54mg(1.847nm01)のピリジン溶液(3m
1)に水冷下で攪拌しながら加える。得られた反応溶液
はさらに一昼夜室温で攪拌する。反応終了後、反応溶液
を水冷下で3規定塩酸溶液200mtに加える。生成し
た白色沈殿物を口別し、数回水洗した後乾燥する。得ら
れた粗生成物を酢酸エチルからの結晶化によつて精製し
て、4−(4″−n−ヘプチロキシー3″−メトキシベ
ンゾイル)−オキシ安息香酸を得る。同様の方法により
、バニリンと臭化n−トリデシルを出発材料として用い
て、4−(4″−n−トリデシルオキシー3″−メトキ
シベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点165゜C)、
バニリンと臭化メチルを出発原料として用いて、4−(
3″,4″ージメトキシベンゾイル)−オキシ安息香酸
(融点200゜C)、バニリンと臭化n−ペンタデシル
を用いて、4−(4−n−ペンタデシルオキシー3″−
メトキシベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点114℃
)及び4−ヒドロキシベンズアルデヒドと臭化一n−ヘ
プチルを出発原料として用いて、4一(4′−n−ヘプ
チロキシベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点185℃
)を得た。
クロライドを得る。これを3m1の乾燥したピリジンに
溶かす。このピリジン溶液を4−ヒドロキシ安息香酸2
54mg(1.847nm01)のピリジン溶液(3m
1)に水冷下で攪拌しながら加える。得られた反応溶液
はさらに一昼夜室温で攪拌する。反応終了後、反応溶液
を水冷下で3規定塩酸溶液200mtに加える。生成し
た白色沈殿物を口別し、数回水洗した後乾燥する。得ら
れた粗生成物を酢酸エチルからの結晶化によつて精製し
て、4−(4″−n−ヘプチロキシー3″−メトキシベ
ンゾイル)−オキシ安息香酸を得る。同様の方法により
、バニリンと臭化n−トリデシルを出発材料として用い
て、4−(4″−n−トリデシルオキシー3″−メトキ
シベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点165゜C)、
バニリンと臭化メチルを出発原料として用いて、4−(
3″,4″ージメトキシベンゾイル)−オキシ安息香酸
(融点200゜C)、バニリンと臭化n−ペンタデシル
を用いて、4−(4−n−ペンタデシルオキシー3″−
メトキシベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点114℃
)及び4−ヒドロキシベンズアルデヒドと臭化一n−ヘ
プチルを出発原料として用いて、4一(4′−n−ヘプ
チロキシベンゾイル)−オキシ安息香酸(融点185℃
)を得た。
これらの化合物はいずれも偏光顕微鏡による観察の結果
、液晶性物質であることが確認され、ある温度領域では
、ネマチツク相を形成することが確認された。
、液晶性物質であることが確認され、ある温度領域では
、ネマチツク相を形成することが確認された。
次表にこれらの化合物に関する転移温度を示す。
なお、表中に示した化合物A−Dは次のものを表わす。
A・・・・・・4−(3″,4″ージメトキシベンゾイ
ル) −オキシ安息香酸(式(1)において R1=
CH3,R2=0CH3) B・・・・・・4−(4″−n−ヘプチロキシー3″−
メト キシベンゾイル)−オキシ安息香酸(式 (
1)においてR1=C7Hl5,R2=0CH3)C・
・・・・・4−(4″−n−トリデシルオキシー3″一
メトキシベンゾイル−オキシ安息香酸 (式(1
)においてR゛=C,3H27,R2= 0CH3)D
・・・・・・4−(4″−n−ペンタデシルオキシー
3″−メトキシーベンゾイル)−オキシ安 息香酸(
式(1)において、R1= Cl5H3l,R2=0C
H3) E・・・・・・4−(4!−n−ヘプチロキシベンゾイ
ル)−オキシ安息香酸(式(1)におい てR1=C
7Hl5,R2=H)また、結晶の相転移に関する記号
は次のことを意味する。
A・・・・・・4−(3″,4″ージメトキシベンゾイ
ル) −オキシ安息香酸(式(1)において R1=
CH3,R2=0CH3) B・・・・・・4−(4″−n−ヘプチロキシー3″−
メト キシベンゾイル)−オキシ安息香酸(式 (
1)においてR1=C7Hl5,R2=0CH3)C・
・・・・・4−(4″−n−トリデシルオキシー3″一
メトキシベンゾイル−オキシ安息香酸 (式(1
)においてR゛=C,3H27,R2= 0CH3)D
・・・・・・4−(4″−n−ペンタデシルオキシー
3″−メトキシーベンゾイル)−オキシ安 息香酸(
式(1)において、R1= Cl5H3l,R2=0C
H3) E・・・・・・4−(4!−n−ヘプチロキシベンゾイ
ル)−オキシ安息香酸(式(1)におい てR1=C
7Hl5,R2=H)また、結晶の相転移に関する記号
は次のことを意味する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はn−アルキル基、R^2は水素原子又
はメトキシ基である。 )で表わされるベンゾイルオキシ安息香酸誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16561280A JPS6042226B2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16561280A JPS6042226B2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5788152A JPS5788152A (en) | 1982-06-01 |
JPS6042226B2 true JPS6042226B2 (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=15815664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16561280A Expired JPS6042226B2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | ベンゾイルオキシ安息香酸誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6042226B2 (ja) |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP16561280A patent/JPS6042226B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5788152A (en) | 1982-06-01 |
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