JPH03153660A - ４―ハロ―３―ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびその製造法 - Google Patents
４―ハロ―３―ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびその製造法Info
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- JPH03153660A JPH03153660A JP29317989A JP29317989A JPH03153660A JP H03153660 A JPH03153660 A JP H03153660A JP 29317989 A JP29317989 A JP 29317989A JP 29317989 A JP29317989 A JP 29317989A JP H03153660 A JPH03153660 A JP H03153660A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は、一般式（Ｉ）：
（式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロ −３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エス
テルおよびその製造法に関する。
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロ −３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エス
テルおよびその製造法に関する。
一般式（ｆ）の化合物は、医薬などの原料としてを用な
３−ピロリジノールに変換可能な新規化合物であるが、
とくに光学活性なＮ−ベンジル−３−ヒドロキシピロリ
ジンを製造する際の合成中間体であるＮ−ベンジル−３
−アシルオキシピロリジンの出発原料として、有用な化
合物である（特開平１−１４１６００号公報参照）。
３−ピロリジノールに変換可能な新規化合物であるが、
とくに光学活性なＮ−ベンジル−３−ヒドロキシピロリ
ジンを製造する際の合成中間体であるＮ−ベンジル−３
−アシルオキシピロリジンの出発原料として、有用な化
合物である（特開平１−１４１６００号公報参照）。
〔従来の技術および発明が解決しようとする課題］
本発明によって製造された一般式（１）で示される化合
物は、現在までに合成された例のない新規化合物である
。したがって、その製造法に関する知見もない。
物は、現在までに合成された例のない新規化合物である
。したがって、その製造法に関する知見もない。
本発明の目的は、医薬などの合成原料として有用性が高
い一般式（１）で示される４−ハロー３−ヒドロキシブ
タンニトリルのスルホン酸エステルを工業的に利用可能
な方法で経済的に提供することである。
い一般式（１）で示される４−ハロー３−ヒドロキシブ
タンニトリルのスルホン酸エステルを工業的に利用可能
な方法で経済的に提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、一般式（Ｉ）：
（式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ルおよび一般式（ （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子を表わす）で示さ
れる４−ハロ −３−ヒドロキシブタンニトリルに、一
般式ｆｌｌｌ） 。
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ルおよび一般式（ （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子を表わす）で示さ
れる４−ハロ −３−ヒドロキシブタンニトリルに、一
般式ｆｌｌｌ） 。
１
Ｒ−９−Ｙ（ｌ［Ｄ
（式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わし、
およびＹはハロゲン原子を表わす）で示されるスルホン
酸ハライドを反応させることを特徴とする、一般式（１
）；（式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エス
テルの製造法に関する。
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わし、
およびＹはハロゲン原子を表わす）で示されるスルホン
酸ハライドを反応させることを特徴とする、一般式（１
）；（式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エス
テルの製造法に関する。
［実施例］
本発明において、一般式（１１で示される４−ハロー３
−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルには
、ラセミ体、（Ｒ）体および（Ｓ）体の３ＦＩｉ類が存
在するが、これらは原料の４−ハロー３ヒドロキシブタ
ンニトリルを、それぞれラセミ体、（１？）体および（
Ｓ）体を用いることにより、いずれも合成することがで
き、これらも本発明に含まれる。
−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルには
、ラセミ体、（Ｒ）体および（Ｓ）体の３ＦＩｉ類が存
在するが、これらは原料の４−ハロー３ヒドロキシブタ
ンニトリルを、それぞれラセミ体、（１？）体および（
Ｓ）体を用いることにより、いずれも合成することがで
き、これらも本発明に含まれる。
一般式ｍ中、Ｒとしてはメチル基、トリフルオロメチル
基、エチル基、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ベ
ンジル基などがあげられる。
基、エチル基、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ベ
ンジル基などがあげられる。
一般式（１）で示される４−ハロー３−ヒドロキシブタ
ンニトリルのスルホン酸エステルは、一般式（）： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子を表わす）で示さ
れる４−ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに、４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに対して好ましく
は１〜３倍モル口の一般式（」：（式中、Ｒは置換もし
くは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フェニ
ル基またはベンジル基を表わし、およびＹはハロゲン原
子を表わす）で示されるスルホン酸ハライドを反応させ
てえられる。
ンニトリルのスルホン酸エステルは、一般式（）： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子を表わす）で示さ
れる４−ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに、４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに対して好ましく
は１〜３倍モル口の一般式（」：（式中、Ｒは置換もし
くは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フェニ
ル基またはベンジル基を表わし、およびＹはハロゲン原
子を表わす）で示されるスルホン酸ハライドを反応させ
てえられる。
本反応は塩基触媒として、トリエチルアミン、ピリジン
、４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン、イミダゾー
ル、２，６−ルチジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアニリンあるいは水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなど
から選ばれる一種または二種以上の混合物を用いて行わ
れる。塩基触媒の使用量は、一般式（Ｕ）で示される４
−ノーロー３−ヒドロキシブタンニトリルに対して、１
〜３倍モル量用いればよい。反応は無溶媒系で実施する
か、あるいは、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素などのハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどの芳香族炭化水素類、エーテル、Ｔ）ＩＰ
などのエーテル類などから選ばれる一種の、または二種
以上の混合のを濃溶媒中で実施することができる。反応
は、広い温度範囲で実施されるが、通常、−１０〜３０
℃の間が好ましい。また反応は１〜２４時間で行なわれ
る。
、４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン、イミダゾー
ル、２，６−ルチジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアニリンあるいは水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなど
から選ばれる一種または二種以上の混合物を用いて行わ
れる。塩基触媒の使用量は、一般式（Ｕ）で示される４
−ノーロー３−ヒドロキシブタンニトリルに対して、１
〜３倍モル量用いればよい。反応は無溶媒系で実施する
か、あるいは、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素などのハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレンなどの芳香族炭化水素類、エーテル、Ｔ）ＩＰ
などのエーテル類などから選ばれる一種の、または二種
以上の混合のを濃溶媒中で実施することができる。反応
は、広い温度範囲で実施されるが、通常、−１０〜３０
℃の間が好ましい。また反応は１〜２４時間で行なわれ
る。
本発明の一般式（１）で示される４−７１０−３−ヒド
ロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルの出発原料
として用いる一性成帽）で示される４−ノ１０−３−ヒ
ドロキシブタンニトリルの製造法としては、たとえば４
−クロル−３−ヒドロキシブタンニトリルは、たとえば
エピクロルヒドリンにアセトンシアンヒドリン、ｌｌＣ
Ｎ ５ＫＣＮなどのシアノ化剤を作用させることによっ
て容易に製造することができる（ブレチン・デス・ソシ
エテス・キミケス・ベルギー（Ｂｕｌｌ、 Ｓｏｃ、
Ｃｈｌｍ。
ロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルの出発原料
として用いる一性成帽）で示される４−ノ１０−３−ヒ
ドロキシブタンニトリルの製造法としては、たとえば４
−クロル−３−ヒドロキシブタンニトリルは、たとえば
エピクロルヒドリンにアセトンシアンヒドリン、ｌｌＣ
Ｎ ５ＫＣＮなどのシアノ化剤を作用させることによっ
て容易に製造することができる（ブレチン・デス・ソシ
エテス・キミケス・ベルギー（Ｂｕｌｌ、 Ｓｏｃ、
Ｃｈｌｍ。
Ｂｅｌｇｃｓ）、７２、 ＩＨ（１９６３） ：ユスト
ウス・り一ビングス豐アンナーレン・デア・ヘミ−（Ｊ
ｕｓｔｕｓ、 Ｌｉｅｂｉｇｓ、 ＾ｎｎ、、Ｃｈ
ｅ１ｅ）、 ６３１ 、２１（１９６０） ；西独特
許出願公開第２８３１１５３８号明細書コ照）。
ウス・り一ビングス豐アンナーレン・デア・ヘミ−（Ｊ
ｕｓｔｕｓ、 Ｌｉｅｂｉｇｓ、 ＾ｎｎ、、Ｃｈ
ｅ１ｅ）、 ６３１ 、２１（１９６０） ；西独特
許出願公開第２８３１１５３８号明細書コ照）。
また光学活性な（Ｒ）−もしくは（Ｓ）−４−クロル３
−ヒドロキシブタンニトリルの製造法としては、たとえ
ばラセミ体のエピクロルヒドリンから出発してえられる
ラセミ体の２−アセトキシ−３−クロルプロピル−ｐ−
トルエンスルホネートをリパーゼで不斉水解することに
よって分割し、（Ｒ）−２−アセトキシ−３−クロルプ
ロピル−ｐ−トルエンスルホネートをメタノール中でＫ
ＣＮと反応させることにより、（Ｒ）−４−クロル−３
−ヒドロキシブタンニトリルに変換する方法などが利用
できる（特開昭８２−２１２３５６号公報参照）。
−ヒドロキシブタンニトリルの製造法としては、たとえ
ばラセミ体のエピクロルヒドリンから出発してえられる
ラセミ体の２−アセトキシ−３−クロルプロピル−ｐ−
トルエンスルホネートをリパーゼで不斉水解することに
よって分割し、（Ｒ）−２−アセトキシ−３−クロルプ
ロピル−ｐ−トルエンスルホネートをメタノール中でＫ
ＣＮと反応させることにより、（Ｒ）−４−クロル−３
−ヒドロキシブタンニトリルに変換する方法などが利用
できる（特開昭８２−２１２３５６号公報参照）。
反応生成物は、通常の抽出操作、さらには、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーまたは蒸留により精製するこ
とにより、目的物を単離できる。
カラムクロマトグラフィーまたは蒸留により精製するこ
とにより、目的物を単離できる。
以下、本発明を実施例を用いてさらに詳しく説明するが
、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない
。
、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない
。
実施例１
（４−クロロ−３−メタンスルホニルオキシブタンニト
リルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
とトリエチルアミン１７．５ｍｌを塩化メチレン１００
ｍ１に溶かし、塩化メタンスルホニル７．１ｍｌを、０
〜１５℃で滴下した。１０℃以下で１時間攪拌後、反応
液に水を加え、塩化メチレンで抽出した。有機層を、飽
和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥、濾過、濃縮して
、粗生成物１５．５ｇをえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル１８０ｇ、ヘキ
サン：酢酸エチル−４：１（容量比））シて、ｔ３．ｔ
ｇの目的物をえた（収率７９％）。ＩＲ，ＩＨ−ＮＭＲ
および元素分析による／ＩＪｌｊ定結果を以下に示す。
リルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
とトリエチルアミン１７．５ｍｌを塩化メチレン１００
ｍ１に溶かし、塩化メタンスルホニル７．１ｍｌを、０
〜１５℃で滴下した。１０℃以下で１時間攪拌後、反応
液に水を加え、塩化メチレンで抽出した。有機層を、飽
和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥、濾過、濃縮して
、粗生成物１５．５ｇをえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル１８０ｇ、ヘキ
サン：酢酸エチル−４：１（容量比））シて、ｔ３．ｔ
ｇの目的物をえた（収率７９％）。ＩＲ，ＩＨ−ＮＭＲ
および元素分析による／ＩＪｌｊ定結果を以下に示す。
ν”ａｔｃｍ−’ ： ２２８０．１３７０．１１９
０、９３０、８１０、ｌａＸ ５４０ ’Ｈ−ＮＨＲ（９０Ｍ！ｌｚ、 ＣＤ（Ｊ ｓ＞δｐｐ
ｍ （内部標準；ＴＭＳ） ： ２．９５（ｄ、Ｊ
−５，５Ｈｚ、２ｔ（）、 ３．１８（ｓ、３ｔｌ）
、３．８２（ｄ、Ｊ” ５．５Ｈｚ、２１１）、
５ 、０４ （Ｉｌ、 １ｉｔ）元素分析値： （Ｃｓ
ＨｅＮ０３Ｓ（Ｊとして）計算値（％） ： Ｃ３
０，３９１４，０１１１Ｎ ７．０９測定値（％）
： Ｃ３０，５２Ｈ４，００Ｎ ６．８０実施例２ （４−クロロ−３−ｐ−トルエンスルホニルオキシブタ
ンニトリルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
とピリジン２４ｍ１を塩化メチレン４０ｍ１に溶かし、
水冷下、塩化ｐ−ｔ−ルエンスルホニル２８．７ｇを加
えた。室温で２１時間攪拌後、水冷下、水１ ｍｌを加
え、１時間攪拌した。反応液に、塩化メチレンを加え、
水層を分離後、有機層を飽和硫酸銅水溶液（Ｘ５）、水
、飽和重曹水、飽和食塩水で洗い、乾燥、清適、濃縮し
て、粗生成物２２８７ｇをえた。これを、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー精製（シリカゲル２００ｇ、ヘ
キサン：酢酸エチル−８５： １５ （容量比））シて
、１８．７ｇの目的物を結晶としてえた（収率８２％）
。これをエチルエーテル、イソプロピルエーテルにより
再結晶して白色針状結晶をえた（融点：５３〜５４℃）
。ＩＲ，ＩＨ−ＮＭＲおよび元素分析による測定結果を
以下に示す。
０、９３０、８１０、ｌａＸ ５４０ ’Ｈ−ＮＨＲ（９０Ｍ！ｌｚ、 ＣＤ（Ｊ ｓ＞δｐｐ
ｍ （内部標準；ＴＭＳ） ： ２．９５（ｄ、Ｊ
−５，５Ｈｚ、２ｔ（）、 ３．１８（ｓ、３ｔｌ）
、３．８２（ｄ、Ｊ” ５．５Ｈｚ、２１１）、
５ 、０４ （Ｉｌ、 １ｉｔ）元素分析値： （Ｃｓ
ＨｅＮ０３Ｓ（Ｊとして）計算値（％） ： Ｃ３
０，３９１４，０１１１Ｎ ７．０９測定値（％）
： Ｃ３０，５２Ｈ４，００Ｎ ６．８０実施例２ （４−クロロ−３−ｐ−トルエンスルホニルオキシブタ
ンニトリルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
とピリジン２４ｍ１を塩化メチレン４０ｍ１に溶かし、
水冷下、塩化ｐ−ｔ−ルエンスルホニル２８．７ｇを加
えた。室温で２１時間攪拌後、水冷下、水１ ｍｌを加
え、１時間攪拌した。反応液に、塩化メチレンを加え、
水層を分離後、有機層を飽和硫酸銅水溶液（Ｘ５）、水
、飽和重曹水、飽和食塩水で洗い、乾燥、清適、濃縮し
て、粗生成物２２８７ｇをえた。これを、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー精製（シリカゲル２００ｇ、ヘ
キサン：酢酸エチル−８５： １５ （容量比））シて
、１８．７ｇの目的物を結晶としてえた（収率８２％）
。これをエチルエーテル、イソプロピルエーテルにより
再結晶して白色針状結晶をえた（融点：５３〜５４℃）
。ＩＲ，ＩＨ−ＮＭＲおよび元素分析による測定結果を
以下に示す。
シｎ０ａ１ｃｍ−１： ２２７０．１６１０．１３８０
．１２００．１１９０、Ｉ ａ Ｘ ９２０．
５９０ ’Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、 ＣＤＣ１３）δｐｐｍ
（内部標準：ＴＭＳ） ； ２．４６（Ｓ、３Ｈ）
、２．８９（ｄ、Ｊ＝ ５．５１１ｚ、２１１）、３．
７２（ｄ、Ｊ−５，５Ｈｚ、２１１）、 ４．８３（ｏ
ｒ、ＩＨ）７．４０（ｃｌ、Ｊ−Ｈ（ｚ、Ｈｌ） 、
７．８６（ｄ、Ｊ−８）Ｉｚ、２］１）元素分析値：
＜Ｃｏ ｔｌ＋２ＮＯ３ＳＣＩとして）計算値（％）
： Ｃ４ｇ、２７ Ｈ４，４２Ｎ ５．１２測定
値（％） Ｉ Ｃ４７，９９Ｈ４，５９Ｎ ５．４２
〔発明の効果］ 本発明によれば、医薬などの合成原料としてｑ用件か高
い４−ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン
酸エステルを工業的に利用可能な方法で経済的にうろこ
とができる。
．１２００．１１９０、Ｉ ａ Ｘ ９２０．
５９０ ’Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、 ＣＤＣ１３）δｐｐｍ
（内部標準：ＴＭＳ） ； ２．４６（Ｓ、３Ｈ）
、２．８９（ｄ、Ｊ＝ ５．５１１ｚ、２１１）、３．
７２（ｄ、Ｊ−５，５Ｈｚ、２１１）、 ４．８３（ｏ
ｒ、ＩＨ）７．４０（ｃｌ、Ｊ−Ｈ（ｚ、Ｈｌ） 、
７．８６（ｄ、Ｊ−８）Ｉｚ、２］１）元素分析値：
＜Ｃｏ ｔｌ＋２ＮＯ３ＳＣＩとして）計算値（％）
： Ｃ４ｇ、２７ Ｈ４，４２Ｎ ５．１２測定
値（％） Ｉ Ｃ４７，９９Ｈ４，５９Ｎ ５．４２
〔発明の効果］ 本発明によれば、医薬などの合成原料としてｑ用件か高
い４−ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン
酸エステルを工業的に利用可能な方法で経済的にうろこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロ−３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ル。 ２ Ｒがメチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、
フェニル基、ｐ−メチルフェニル基またはベンジル基で
ある請求項１記載の化合物。 ３ Ｘが塩素原子で、Ｒがメチル基またはｐ−メチルフ
ェニル基である請求項１記載の化合物。 ４ 一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子を表わす）で示さ
れる４−ハロ−３−ヒドロキシブタンニトリルに、一般
式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わし、
およびＹはハロゲン原子を表わす）で示されるスルホン
酸ハライドを反応させることを特徴とする、一般式（
I ）：▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される４−ハロ
−３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステル
の製造法。 ５ Ｒがメチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、
フェニル基、ｐ−メチルフェニル基またはベンジル基で
ある請求項４記載の製造法。 ６ Ｘが塩素原子で、Ｒがメチル基またはｐ−メチルフ
ェニル基である請求項４記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29317989A JPH03153660A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | ４―ハロ―３―ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29317989A JPH03153660A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | ４―ハロ―３―ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153660A true JPH03153660A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17791439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29317989A Pending JPH03153660A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | ４―ハロ―３―ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015610A1 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-23 | Samsung Fine Chemicals Co., Ltd. | The preparation of n-substituted-hydroxycycloalkylamine derivatives |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29317989A patent/JPH03153660A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015610A1 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-23 | Samsung Fine Chemicals Co., Ltd. | The preparation of n-substituted-hydroxycycloalkylamine derivatives |
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