JPS6327829A - レジスト組成物およびその使用 - Google Patents

レジスト組成物およびその使用

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JPS6327829A
JPS6327829A JP62145454A JP14545487A JPS6327829A JP S6327829 A JPS6327829 A JP S6327829A JP 62145454 A JP62145454 A JP 62145454A JP 14545487 A JP14545487 A JP 14545487A JP S6327829 A JPS6327829 A JP S6327829A
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    • G—PHYSICS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明以前には、トンプソン（Ｔｈｏａｐｓｏｎ）らに
よって１９８３年アメリカ化学会（Ａｍｅｒｉｃａｎ　
ＣｈｅｒＡｉｃａｔ　５ｏｃ１ｅｔｙ）　、Ａ　ＣＳ第
２１９シンポジウム（ＡＣ９Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　５ｅ
ｒｉｅｓ　２１９）、第１１１頁、「マイクロリソグラ
フィー入門（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍｌｃ
ｒｏｌＩｔｈｏｇｒａｐｈｙ）　Ｊに示されているよう
に、溶解禁止に基づくノボラックをベースとするポジ型
レジストは一般に、稀薄な水性塩基による現像に対して
ノボラック樹脂を不溶性にするための溶解禁止剤として
置換１．２−ジアゾナフトキノン類を利用していた。こ
れらジアゾナフトキノンは照射の際に転位を受け、レジ
ストの露光した部分は稀薄水性塩基に対して可溶性にな
る。これらのホトレジストは広く使われているが通常は
ジアゾナフトキノンに特有の吸収に基づ＜３６６ｎｍよ
り長い近紫外（ＵＶ）に限られている。
イト−＜Ｉｔｓ）らの米国特許第４．４９１，６２８号
に教示されているように、光開始剤としてジアリールヨ
ードニウム塩類またはトリアリールスルホニウム塩類を
用いるとその結果として遠ＵＶ領域（２００〜３００ｎ
ｍ）で使用することができるポジおよびネガ型で作動す
るレジスト組成物が得られる。これらの光開始剤は不安
定な懸垂（ペンダント）基が繰返して存在するビニル系
ポリマーと共に使われる。これらのビニル系ポリマーは
酸分解を受けてこれら前駆体とは溶解性が非常に異なる
生成物を生成する。
イト−（Ｉｔｏ）らのレジスト組成物を用いると有効な
結果が達成されうるが、これらのビニル系ポリマーおよ
びそれらの酸に不安定な置換されたモノマー性前駆体は
市販されていない。さらに、アリールオニウム塩を使用
している結果正常な操作条件下で露光した際過剰に架橋
が生ずるため、得られたホトレジストの性能が損われる
ことがある。
時には、ホトレジスト組成物中に安定剤を混入すること
によって、改良された結果が得られることがある。
本発明の基礎となった本発明者らの発見は、市販のポリ
マーをベースの樹脂として用いて、電子ビーム、Ｘ線お
よび６００〜２００ｎｍの範囲のＵＶに対して感受性の
ホトレジスト組成物が製造できるということである。こ
のホトレジストは、以下に定義する化学的に結合した酸
に不安定な基を有する溶解禁止剤およびアリールオニウ
ム塩と組合せて市販のポリマーを使用することによって
、不溶性から可溶性の状態に変換することができる。
ホトレジスト溶解機構は完全には理解されていないが、
照射されたアリールオニウム塩から酸が発生する際に化
学的増幅効果が達成されると考えられる。溶解禁止剤の
可溶性状態への変換は酸に不安定な基の酸分解によって
達成され、これにより、露出されたホトレジスト領域が
可溶化される。
発明の陳述 本発明によって、水または水性塩基（塩基性水溶液）に
可溶なレジストを得るのに有用なレジスト組成物が提供
される。この組成物は、重量で、次の割合の成分からな
る。
（Ａ）有機溶媒１００部、ならびに、 （Ｂ）重量で、 （１）平均分子量（ＭＷ）が２００〜２０゜０００であ
り、水または水性塩基に可溶性の有機ポリマー１００部
、 （２）水または水性塩基に不溶性でありかつ沸点が少な
くとも１００℃であり、（１）用の溶解禁止剤である、
酸に対して不安定な基で置換された単純な化合物５〜１
００部、および （３）有効量のアリールオニウム塩 からなる固形分５〜８５部。
本発明の実施に際し上記の所望のレジスト組成物を調製
するのに利用することができる水または水性塩基に可溶
性の有機ポリマー（以後単に「ポリマー」という）のい
くつかとしては、たとえば、フェノールノボラック樹脂
、クレゾールノボラック樹脂、クロロフェノールノボラ
ック樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、水溶性デ
ンプン、セルロースポリマー（たとえば、カルボキシメ
チルヒドロキシエチルセルロース、プロポキシル化セル
ロース）、ポリアクリルアミド、ポリ−２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート、ポリメチルビニルエーテル、ポ
リエチレンオキシド、４−ヒドロキシフェニルマレイミ
ドと、スチレン、スチルベン、ビニルエーテル類および
４−ヒドロキシスチレンの中から選択されたものとのコ
ポリマー、ならびにポリ−４−ビニルフェノール、ポリ
−４−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、ポリアクリル
アクリル酸およびポリメタクリル酸のようなポリマーが
ある。
本発明を実施する際に、水または水性塩基可溶性レジス
トを製造するのに使用することができる酸不安定性基で
置換した単純な化合物、すなわち溶解禁止剤（以後単に
「禁止剤」という）の中には、たとえばつぎに挙げるも
のがある。
（ｃＨ）　　Ｃ０Ｃ（ｃＨ）　　Ｃ０Ｃ（ｃＨ３）３Ｃ
（ｃＨ３）３ りしり　−（、（Ｌ、ｆ１３〕３ 本発明の禁止剤は分子量が約１０００未満のものが好ま
しい。それらは酸に対して不安定な懸垂基をもっており
、その懸垂基はカルボン酸のｔｅｒｔ−ブチルエステル
およびフェノール類のｔｅｒｔ−ブチルカーボネートが
好ましい。さらにこれらの酸に不安定な基はトリチル、
ベンジル、ベンズヒドリルおよび上記の禁止剤中に例示
した修飾基であってもよい。たとえば、トリアリールス
ルホニウム塩、ジアリールクロロニウム塩、ジアリール
ブロモニウム塩、トリアリールセレノニウム塩、チオピ
リリウム塩、キサンチリウム塩、イミダゾリウム塩、ジ
アルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアルキルヒドロ
キシフェニルスルホニウム塩、フエロセニウム塩、ジア
ゾニウム塩、トリアリールスルホオキソニウム塩、ジア
リールヨードオキソニウム塩、フェナシルトリアリール
ホスホニウム塩、フェナシルトリアルキルアンモニウム
塩、フェナシルピリジニウム塩がある。その他の例はチ
ンベ（Ｈ，−Ｊ、　Ｔｌ１ｐｅ）およびバウマン（Ｈ、
Ｂａｕａ＋ａｎｎ）によって接着（Ａｄｈｅｓｉｏｎ）
、　　９　、　９　（１９８４）に、またクリベロ（ｃ
ｒ　１ｖｅｌ　ｌｏ）によって米国特許第４，０５８，
４４０号、第４，０５８゜４０１号、第４，０６９，０
５５号および第４゜１５１．１７５号（これらは本発明
と同じ詣受入に譲渡されており、引用によって本明細書
中に含まれるものとする）に挙げられている。
次に別のオニウム塩のいくつかの例を挙げる。
Ｃ（ｃＨ３）５ ＣＩ（ｃＨ ［ＣＨＦ　ｅ　”　ＣＨ］　Ｐ　Ｆ　ｅ　−本発明の組
成物は、有機溶媒、ポリマー、禁止剤、および照射によ
って分解しつる開始剤をブレンドすることによって製造
することができる。
このレジスト組成物を製造する際、各種の成分の添加順
序は特に重要ではない。ポリマー１００部につき禁止剤
を約５〜約１００部、開始剤を約０．５〜約２５部用い
ると有効な結果が得られることが判明している。好まし
い場合として、ポリマー１００部に対して開始剤を５〜
７０部、かつポリマー１００部に対して開始剤を１〜２
０部使用することができる。
ここで有機溶媒という用語には、本発明を実施する際に
レジスト組成物の製造に使用することができる有機溶媒
またはそのような有機溶媒の混合物が含まれ、たとえば
１．２−ジメトキシエタン、ジ（２−メトキシエチル）
エーテル、酢酸１−メトキシ−２−プロピル、クロロベ
ンゼン、１，１゜２．２−テトラクロロエタン、酢酸１
−メトキシ−２−エチル、ジオキサン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン、ｎ−ブタノール、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、酢酸アミルおよ
び酢酸ブチルがある。
さらに本発明は、基板上にパターン化されたレジストを
製造する方法を提供する。この方法は、（１）基板を本
発明のレジスト組成物で処理、すなわちスピン塗布、噴
霧、溶液注型、または浸漬塗布してレジスト−基板復合
体を作成し、（２）このレジスト−基板復合体を約３５
℃〜１８０℃の範囲の温度にベーキングし、 （３）適用（塗布）されたレジストをパターン化された
様式で照射し、 （４）照射されたレジストを約３５６Ｃ〜１８５℃の範
囲の温度に加熱し、 （５）照射されたレジストを現像してパターン化された
レジスト基板復合体を生成せしめることからなる。
レジスト−基板復合体を製造するために本発明の方法を
実施する際に処理することができる基板の中には銅−ク
ラッド（被覆）積層体、シリコン（ケイ素）ウェハ、二
酸化ケイ素ウェハ、アルミニウムおよびヒ化ガリウムが
ある。
本発明の方法を実施する際に用いることができる現像剤
の例としては塩基水溶液、たとえばＮａ０ＨＳＫＯＨお
よび水酸化テトラブチルアンモニウムの水溶液がある。
典型的な現像液は、米国メイン州（Ｍａｉｎｅ）　、ニ
ュートン社（Ｎｅｗｔｏｎ）製のシラブレー（Ｓｈｌｐ
ｌａｙ）　、米国ロードアイランド州（Ｒｈ。
ｄａ　ｌ５ｌａｎｄ）、イースト・プロピデンス社（Ｅ
ａｓｌ　Ｐｒｏｖｌｄｅｎｃｅ）製のフント（７（ｕｎ
ｔ）、および米国コネティカット州（ｃｏｎｎｅｃｔｉ
ｃｕｔ）　、ワリングフォード社（ｌＪａｌｌｌｎｇｆ
’ｏｒｄ）製のＫＴＩである。
さらに、上記のオニウム塩すなわち開始剤は、所定の波
長の光の吸収をよくするため、またはオニウム塩を吸収
のないスペクトル領域に増感するため、各種の光増感剤
と組合せて使用することができるということが見出され
ている。上記の開始剤またはそれらの混合物と組合せて
用いることができる典型的な増感剤としては、たとえば
ベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アントロ
ン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン
、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオ
レンジ、ベンゾフラビン、モトフラビン−Ｔ１アントラ
キノン、９．１０−ジフェニルアントラセン、９−フル
オレノン、ベンゾフェノン、およびコロネンがある。
また、上記の増感剤を本発明の実施の際に用いられる開
始剤と組合せて使用して電子ビームおよびＸ線照射下な
らびに可視光またはＵＶの照射下でのホトレジストの応
答を修正することもできる。
本発明のレジスト組成物の考えられる応用例のいくつか
としては、たとえば回路板、集積回路、たとえばポリメ
チルメタクリレートと組合せた多層レジスト構造体など
がある。本発明のレジスト組成物中には、流動調節剤、
表面活性剤、反射防止染料および湿潤剤を用いることも
できる。
当業者がより容易に本発明を実施できるように以下に実
施例を例示して説明する。しかし本発明はこれらの実施
例に限定されることはない。部とあるのはすべて重量部
である。
実施例１ 市販の各種フェノール樹脂（分子量約１．０００）１．
５ｇ、ジルｔ−ブチルテレフタレート０゜５ｇ−、ジフ
ェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムへキ
サフルオロホスフェート０．１ｇ、および１−メトキシ
−２−プロピルアセテート［ｉｍＬを使用してホトレジ
スト組成物を製造した。これら各種のホトレジスト組成
物を、予めヘキサメチルジシラザンで処理しておいたシ
リコンウェハの上にスピンコードした。処理したウェハ
を９０℃で１７２時間ベーキングした。次にこれらのウ
ェハを露光して像を形成する照射は、サス（Ｓｕｓｓ）
ＭＡ　５６接触／近接プリンターを３１３０ｍの近接モ
ードで作動させ、露出時間は１０〜４０秒、強度は４．
５ｍＷ／ｃ−として行なった。露光後ウェハを強制空気
オーブン中で６０秒間１１０〜１３０℃に加熱し、次に
水とＫＴＩ３５１現像剤の混合物を用いて現像した。使
用した市販の「フェノール樹脂」と、現像液混合物およ
び現像法を次に示す。
フェノール樹脂　　　　　　　　現像剤／水メタークレ
ゾールノボラック　１：１ ポリビニルフエノール　　　　５；１　（浸漬）ｔ−ブ
チルフェノール ノボラック　　　　　　　　　５：１（浸漬）これらの
レジストを現像したところ、２〜３゜５μｍの像が解像
できた。
実施例２ 以下のようにして禁止剤のｔ−ブチルナフタレン−２−
カルボキシレートを製造した。
２−ナフトエ酸５１．６ｇ　（０，３モル）とチオニル
クロライド１２０ｍ１の混合物を１時間還流した。過剰
のチオニルクロライドを除去した。得られた固体をテト
ラヒドロフラン１５０ｍＬに溶かし、カリウムｔ−ブト
キシド４０ｇ（０，３５モル）を増ユしながら加えた。
この添加が完了した後反応混合物を４時間還流し、冷却
し、次いで水中に注いだ。１１られた固体を濾過して集
め、水で洗い、減圧下で乾燥した。この生成物をｎ−ヘ
キサンで再結晶すると融点が８８〜９０℃の結晶性の固
体が得られた。この製法による生成物はｔ−ブチルナフ
タレン−２−カルボキシレートであり、これは６８％の
収率で得られた。
実施例１の手順に従い、メタ−クレゾールノボラック樹
脂１．５ｇ、ｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレ
ート０．５ｇ、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニ
ルスルホニウムへキサフルオロホスフェート０、Ｉｇｓ
および１−メトキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬを
使用してホトレジスト組成物を製造した。実施例１の手
順に従って作成した被覆シリコンウェハを、照射時間を
１５〜４０秒として像が形成するようにＵＶ光で露光す
ると、解像度が３．５μｍと良好な、優れたポジ型の像
が得られた。
実施例３ 市販のメタ−クレゾールノボラック樹脂をジ−ｔ−ブチ
ルテレフタレートまたはｔ−ブチルナフグレン−２−カ
ルボキシレートと共に用いて別のホトレジスト組成物を
製造した。ジ−ｔ−ブチルテレフタレート溶解禁止剤を
用いてホトレジストを製造する際には、メタ−クレゾー
ルノボラック樹脂１．５ｇ、禁止剤０．５ｇ−，４−メ
トキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメチ
ルスルホネート０．１ｇ、および光増感剤として９−フ
ルオレノン０．０３ｇを使用した。
ｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレートを用いた
ホトレジストを、メタ−クレゾールノボラック樹脂１．
５ｇ、禁止剤０．５ｇ、４−メトキシフェニルフェニル
ヨードニウムトリフルオロメチルスルホネート０．１ｇ
、光増感剤としてのペリレン０．０１ｇ、および１−メ
トキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬと組合せた。
上記のホトレジスト組成物を実施例１の手順に従ってシ
リコンウェハ上にスピンコードした。ジ−ｔ−ブチルテ
レフタレート禁止剤と９−フルオレノン光増感剤を含々
するホトレジスト組成物は３１３ｎｍで５秒間照射し、
ｔ−ブチルナフタレン−２−カルボキシレートとペリレ
ン増感剤を含有するホトレジスト組成物は３６５ｎｍ（
６，３ｍ　Ｗ　／　ｃｄ　）および４０５〜４３６ｎｍ
　（８，１ｍＷ／ｄ）で５秒間照射した。使用した禁止
剤、光増感剤および波長の組合せを次の表に示す。
禁　止　剤　　　　　光増感剤　　　Ｕ■λ（ｏｆｆり
ジーｔ−ブチル　　　９−フルオレノン　　３１３テレ
フタレート ｔ−ブチルナフタレ　　ペリレン　　　　４０５−４３
８ンー２−カルボキシ　　　　　　　　　　３６５レー
ト 上記の条件下ＫＴＩ３５０現像液中でレジストを加工処
理した。１μｍの像が解像できた。
実施例４ 禁止剤のｔ−ブチル−２−ナフチルカーボネートを次の
手順によって製造した。
２−ナフトール５ｇ（０，３５モル）をテトラヒドロフ
ラン９０ｍＬに溶かした溶液に、窒素雰囲気下でカリウ
ムｔ−ブトキシド３．９ｇ　（０゜０３５モル）を加え
た。この混合物を５分間攪拌し、ジーｔ−プチルジカー
ボネー）８．３ｇ’（０゜０３５モル）を加えた。混合
物を２時間攪拌した。
次にこの混合物を氷水中に注ぎ、エチルアセテートで三
日抽出した。−緒にしたａ機層を水で三日、次に飽和食
塩水で洗浄した後無水硫酸ナトリウム上で乾爆した。次
いで混合物をロータリーエバポレーターで濃縮した。結
晶性の固体が得られ、これを石油エーテルで再結晶した
後減圧下で乾燥した。融点が７４〜７５℃のｔ−ブチル
ナフチルカーボネートが収率６５％で得られた。
実施例１の手順に従い、市販のメタ−クレゾールノボラ
ック樹脂１．２ｇｓ　　ｔ−ブチル−２−ナフチルカー
ボネート０．８ｇ、ジフェニル−４−チオフェノキシフ
ェニルスルホニウムへキサフルオロホスフェート０．１
ｇおよび１−メトキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬ
を用いてホトレジスト組成物を製造した。ウェハにスピ
ンコードし、実施例１に記載したようにして２０〜４０
秒露光し、１２５℃で３０〜６０秒間ベーキングした。
ホトレジストをＫＴＩ３５１と水の１：２．５混合物中
で１分間現像すると、くっきりした２μｍのライン／ス
ペースが得られた。
実施例５ 実施例１の手順に従い、ｍ−クレゾールノボラック樹脂
１．２ｇ、４−ｔ−ブトキシ−ｐ−ビフェニル０．８ｇ
、ジフェニル−４−チオフェノキシ−１−フェニルスル
ホニウムへキサフルオロホスフェート０．１ｇおよび１
−メトキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬを用いてホ
トレジスト組成物を製造した。被覆したウェハを３１３
ｎｍのＵＶ１．：２０〜４０秒間露光し、１２５℃で３
０〜６０秒間ベーキングし、ＫＴＩ３５１と水の１：１
混合物に浸漬して、くっきりと解像された３μｍのライ
ン／スペースを得た。
実施例６ 市販のメタ−クレゾールノボラック樹脂１．５ｇ、ｔ−
ブチル−ＩＨ−インデン−３−カルボキシレート５００
＋ｎｇ、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスル
ホニウムへキサフルオロホスフェート１００ｍｇおよび
１−メトキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬを用いて
ホトレジスト組成物゛を製造した。このホトレジストを
実施例１に記載したようにしてスピンコードし照射した
。３１３ｎｍで１５〜２０秒間照射し、１２５°Ｃで３
０〜６０秒間ベーキングし、ＫＴＩ３５１現像剤と水の
１＝１溶液中で１分間現像して、くっきりした２、５μ
ｍのライン／スペースを得た。
実施例７ 市販のメタ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルアダマ
ンクン−１−カルボキシレート、各種の開始剤、および
１−メトキシ−２−プロピルアセテートを用いてホトレ
ジスト組成物を製造した。
これらのホトレジスト組成物のうちのあるものは、メタ
−クレゾールノボラック１．５ｇ％　ｔ−ブチルアダマ
ンタン−１−カルボキシレート５００ｆｆ１ｇ。
ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウム
へキサフルオロホスフェ−）１００ｍｇ、および１−メ
トキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬを共にブレンド
して作成した。別のホトレジストの調合では、メタ−ク
レゾールノボラック樹脂を１．５「、禁止剤を５００■
、４−メトキシフェニル−ヨードニウムへキサフルオロ
ホスフェートを１１０ｍｇおよび１−メトキシ−２−プ
ロピルアセテートを６ｍＬ使用した。これら各種のホト
レジスト組成物をすでに記載したようにしてシリコンウ
ェハに塗布し、５．２２ｍＷ／ｃＪの強度で、３１３ｎ
ｍで１０〜１５秒間、２５４ｎｍで２〜３秒間露光して
像を形成した。このレジストを実施例１の手順に従って
加工した。スルホニウム含有ホトレジストでは３μｍ１
ヨードニウム含有ホトレジストでは２．５μｍの解像度
が得られた。
実施例８ ｍ−クレゾールノボラック樹脂［シェネクタデイー・ケ
ミカルズ（Ｓｃｈｅｎｅｃｔａｄｙ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓ）製ＨＲＪ２６Ｑ６コ　１．５ｇ、ジーｔ〜プチルア
ジベ−）５００ｍｇ、４−メトキシフェニルフェニルヨ
ードニウムへキサフルオロホスフェート１００ｍｇ。
および１−メトキシ−２−プロピルアセテート６ｍＬで
構成されたホトレジスト組成物を、予めヘキサメチルジ
シラザンで処理しておいたシリコンウェハにスピンコー
ドし、ベーキングした。膜厚が２μｍの皮膜を得た。こ
のホトレジスト被覆を、サス（Ｓｕｓｓ）ＭＡ　５６接
触／近接プリンターを２５４ｎｍ近接モードで作動させ
て強度は５．２２ｍＷ　／　ｃ−として４〜５秒間露光
した。露光後ウェハ４ｘ３ｏ℃で３０〜６０秒間ポスト
ベーキングし、次いでＫＴＩ３５１と水の１：１混合物
中で６０秒間現像した。解像度のよい影像パターンが３
゜５μｍのライン／スペースで得られた。
実施例９ 実施例、８のｍ−クレゾールノボラック樹脂３ｇをメチ
ルエチルケトン１０ｍＬに溶解した。得られた溶液に、
ｔ−ブチル−２−ナフタレンカルボキシレートをＩｇ、
ペリレンを０．０２＋ｒ、および４−メトキシフェニル
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
を０．２ｆ加えた。
この混合物を銅−クラッドエポキシ−ガラス回路板の上
に塗布し、乾燥して溶剤を除去した。乾燥した回路板を
マイラー（Ｍｙｌａｒ）樹脂製の写真ネガで覆った。こ
のネガを、８００Ｗで安定させたＧＥ　　Ｈ−３Ｔ７中
圧水銀灯を用いて８インチの距離から３０秒間照射した
。像形成の後回路板を１００℃で３分間ベーキングし、
ＫＴＭ３５１と水の１＝１混合物中で現像した。次いで
塩化第二鉄の水溶液を用いてこのパターンを回路板にエ
ツチングしてマスクのくっきりしたポジ型像を得た。
上記の結果は本発明の実施の際に使用することができる
非常に多くの変形のうちのほんの数例に関するだけであ
るが、本発明はこれらの実施例の前に記載したずっと広
範囲のポリマー、禁止剤および開始剤を使用することが
できるものである。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（Ａ）有機溶媒１００重量部、ならびに、（Ｂ）
    （ｉ）平均分子量が２００〜２０，０００であり水また
    は水性塩基に可溶性の有機ポリマー１００重量部、 （ｉｉ）水または水性塩基に不溶性で沸点が少なくとも
    １００℃の、（ｉ）用の溶解禁止剤である、酸に不安定
    な基で置換された単純な化合物５〜１００重量部、およ
    び （ｉｉｉ）有効量のアリールオニウム塩からなる固形分
    ５〜８５重量部 からなるレジスト組成物。
  2. （２）有機ポリマーがノボラック樹脂であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまたは溶液
    注型可能な組成物。
  3. （３）酸に対して不安定な基で置換された溶解禁止剤が
    単純な化合物の第三級ブチルエステルであることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまたは溶液
    注型可能な組成物。
  4. （４）アリールオニウム塩がスルホニウム塩であること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまた
    は溶液注型可能な組成物。
  5. （５）アリールオニウム塩がヨードニウム塩であること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまた
    は溶液注型可能な組成物。
  6. （６）光増感剤を含有することを特徴とする特許請求の
    範囲第１項に記載のスピンまたは溶液注型可能な組成物
    。
  7. （７）溶解禁止剤がアリールｔ−ブチルエーテルである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスピン
    または溶液注型可能な組成物。
  8. （８）溶解禁止剤がアリールｔ−ブチルカーボネートで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のス
    ピンまたは溶液注型可能な組成物。
  9. （９）オニウム塩がヘキサフルオロアンチモン酸トリフ
    ェニルスルホニウムであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項に記載のスピンまたは溶液注型可能な組成物
    。
  10. （１０）オニウム塩がヘキサフルオロリン酸ジフェニル
    −４−チオフェノキシフェニルスルホニウムであること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまた
    は溶液注型可能な組成物。
  11. （１１）オニウム塩がヘキサフルオロリン酸４−メトキ
    シフェニルフェニルヨードニウムであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載のスピンまたは溶液注型
    可能な組成物。
  12. （１２）オニウム塩がトリフルオロメタンスルホン酸４
    −メトキシフェニルフェニルヨードニウムであることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスピンまたは
    溶液注型可能な組成物。
  13. （１３）パターン化されたレジスト基板複合体の製造方
    法であって、 （ｉ）基板をレジスト組成物で処理してレジスト−基板
    復合体を作成し、 （ｉｉ）レジスト−基板複合体を約３５℃〜１８０℃の
    範囲の温度にベーキングし、 （ｉｉｉ）適用されたレジストをパターン化された様式
    で照射し、 （ｉｖ）照射されたレジストを約３５℃〜１８５℃の範
    囲の温度に加熱し、 （ｖ）照射されたレジストを現像してパターン化された
    レジスト基板複合体を生成せしめる ことからなっており、 レジスト組成物が下記の成分からなる方法：（Ａ）有機
    溶媒１００重量部、ならびに、 （Ｂ）（ａ）平均分子量が２００〜２０，０００であり
    水または水性塩基に可溶性の有機ポリマー１００重量部
    、 （ｂ）水または水性塩基に不溶性で沸点が少なくとも１
    ００℃の、（ａ）用の溶解禁止剤である、酸に不安定な
    基で置換された単純な化合物５〜１００重量部、および （ｃ）有効量のアリールオニウム塩 からなる固形分５〜８５重量部。
  14. （１４）特許請求の範囲第１３項に記載の方法によって
    製造された、基板とレジスト組成物からなる複合体。
  15. （１５）基板がシリコンウェハであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１４項に記載の複合体。
  16. （１６）基板が銅−クラッド積層体であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１４項に記載の複合体。
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