JPS62136638A - フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、サブミクロン級のりソグラフイ・パターンを
作成できる新規なレジスト組成物を対象とする。具体的
には、本発明は、遠紫外光（２００〜５００ナノメート
ル）に対して感度を有し且つ酸素反応性イオン・エツチ
ングに対して抵抗力をもつ、ポジティブ・イメージ用レ
ジスト組成物を対象とする＠ Ｂ、従来の技術 半導体基板上に酸化物、窒化物または有機ポリマーのコ
ーティングを形成する、各種半導体テバイスの製造では
、これらのコーティングの選択された部分を除去するこ
とがしばしば必要になる。

これは、通常、所期の基板にフォトレジスト・フィルム
を塗布し、フォトレジストを紫外光、電子線、Ｘ線など
の放射線源にイメージ状に露光し、露光後のフォトレジ
ストを溶媒で現像してレリーフ・パターンヲ形成し、酸
素ガスまたはフルオロカーボン・ガスをエッチャントと
して使った通常の反応性イオン・エツチング技術にもと
づ（乾式エツチングまたは湿式処理によって、そのし＋
７−）・パターンを下側にある無機または有機のポリマ
一層に転写することによって行なわれる。ポジティブ・
フォトレジストでは、放射線で露光された領域の溶解度
が非露出領域よりも大幅に増加するが、ネガティブ・フ
ォトレジストでは、放射線で露光された領域の方が相対
的に溶解度が低（なる。エツチングの後、残りのフォト
レジストを基板から剥がす。

上記のエツチングの方法に関して、これまで化学的エツ
チングまたは湿式エツチングが、秀れた成果を収めてき
た。しかし、大規模集積回路のコンポーネント密度を高
め、ユニットを小さくするために半導体集積回路の小型
化が進むにつれて、湿式エツチングでは、フィルム層の
アンダーエッチまたはオーバーエッチを防止するために
エツチング時間を注意深く調節しなければならないため
、高密度な金属回路網を微細に画定するために必要な高
解像度を与えることができないような状況に急速に近づ
いている。

有機ポリマー・コーティングの乾式エツチング、とくに
酸素を用いた反応性イオン・エツチングは、最も精密に
薄膜パターンを形成できるため、湿式エツチングに代わ
る秀れた現実的な方法であると認識されるようになって
きた。

Ｃ０発明が解決しようとする問題点 しかし、薄膜の反応性イオン・エツチングに関連する問
題の一つは、先行技術によるポジティブ・フォトレジス
ト組成物の大部分は、酸素などのエツチング・ガスを使
って下側にある層を反応性イオン・エツチングする条件
の下で、エッチ速度が大きく、したがってエッチ・マス
クとしての用途が限られていることである。

酸素反応性イオン・エツチングに対するフォトレジスト
の抵抗力を改善しようと試みても、一般に、放射線に対
するフォトレジストの感度を低下させる結果となってい
た。

Ｄ０問題点を解決するための手段 本発明によれば、オルガノポリシロキサン命セグメント
を含む放射線によって切断可能なポリマー系からなり、
光増感剤として有効量のオニウム塩を含む、放射線に対
する感度が高（、解像度が高く、酸素反応性イオン・エ
ツチングに対する抵抗力が大きいフォトレジスト組成物
が提供される。

不発明にもとづいて製造されるレジストは、遠紫外線に
対する感受性が高く、かつ酸素反応性イオン・エツチン
グに対する抵抗力が大きく、そのため秀れたサブミクロ
ン級の解像度をもたらす乾式エツチング技術として望ま
しいものである。

後で例示するように、本発明のフォトレジスト組成物を
２層レジスト・プロセスでイメージ形成層として使って
、通常のレジスト露光／溶媒現像−手順によって高解像
度のポジティブ・パターンを画定し、続いて酸素反応性
イオン・エツチングによって下側のポリマ一層を通して
エツチングを行なうことができる。本発明のフォトレジ
スト組成物は熱安定性が高（酸素反応性イオン・エツチ
ングに対する抵抗力が太きいため、酸素反応性イオン・
エツチング中にレジスト層の未露光領域がイメージを基
層に転写するためのマスクとして働き、それによって有
機ポリマー基層上に別のバリア層を設ける必要がな（な
る。

本発明のフォトレジスト４成物は、標準のりフトオフ技
術による金属パターンの形成に使用できる。

Ｅ、実施例 本出願において、１オルガノポリシロキサン−セグメン
トを含む切断可能なポリマー系゛°なる用語は、オニウ
ム塩光増感剤の存在下で、紫外光や電子線などの放射線
に当たると、ポリマーの主鎖が開裂する、ケイ素含有ポ
リマーを意味する。

オルガノポリシロキサン・セグメントヲ含ム、切断可能
なケイ素含有ポリマーの例としては、米国特許第２９９
９８４５号、第３１８９６６２号および０ポリマー壽レ
ター（Ｐｏｌｙｍｅｒ　　Ｌｅｔｔ、）”第７号、５６
９ページ（１９６９年）、に所載のヴオーン（Ｖａｕｇ
ｈｎ　）の論文で開示されているタイプの、ポリシロキ
サンとポリカーボネートのブロック共重合体がある。こ
れらのケイ素含有ポリマーは、約２個から２０個の化学
的に結合したジオルガノシロキシ基からなるポリジオル
ガノシロキサン１０−５０重量％から構成される装置り
共重合体である。このジオルガノシロキシ基は、基本的
に、各ケイ素原子が炭素−ケイ素結合を介して結合され
た２つの有機ラジカルを含む、ジアルキルシロキ７基、
アルキルアリールシロキシ基、またはジアリールシロキ
シ基からなり、ケイ素−酸素−ケイ素結合によって互い
に結合されている。

これらのケイ素含有ポリマーは、ビスフェノールとハロ
ゲン化カルボニルの縮合生成物を９０−５０重量％を含
んでいる。この縮合生成物は、次にポリジオルガノシロ
キサン・セグメントに結合される。

ポリシロキサンとポリカーボネートの共重合体の例は、
次式のポリジメチルシロキサン−ビスフェノールＡ−カ
ーボネートのブロック共重合体である。

℃φ−Ｃ−φ−０＋５ｉ−０）　　＋φ−Ｃ−φ−０−
Ｃ−０＋、。

ＣＨＲ１ＣＨ３ ただし、ＲとＲは炭素原子１−３個を含むアルキル基、
フェニル基およびアルコキシフェニル基であり、φはフ
ェニル基、ｍとｎは、反復数を表わすもので、ｎＵンロ
キサン・セグメントの平均チェーン長を表わす２〜１０
の間の整数、ｍはカーボネート・セグメントの平均チェ
ーン長を表わす１〜８の間の整数である。

オルガノシロキサン・セグメントを含゛む曲の切断可能
なケイ素含有ポリマー系には、次式のポリオルガノシロ
キサンポリアリールエステルＯ　＝　Ｑ ■ Ｎ〕 （’Ｊ ミ １シ □ 二　−　〇　−　匡 ただし、φはフェニル基、Ａｒはメタまたはパラフェニ
レン基、Ｒは炭素原子１〜４個を含むアルキル基、ｍは
１〜乙の間の整数、ｎは２〜１。

の間の整数である。

ＣＨＲ （ｂ）〜ｏ−φ−Ｃ−φ−０（−８ｉ−（Ｉ ＣＨＲ （ｃ）〜０−φ−Ｃ−φ−〇＋５ｉ−Ｏ＋ｎＩ 　Ｈｓ ■ （ｄ）０−φ−Ｃ−φ−ｏ−ｓｏ□−４ＣＨ３ Ｃ１（００ １・ｊ　　　　・１ ０＋　φ−Ｃ−φ−０−Ｃ−φ−Ｃ〜 ＣＨ３ ＣＨＯＯＯＯ １１１１＋　　　　　　　　　　　　Ｉｌｌφ−Ｃ−φ
−ｏ−ｃ−φ−Ｃ−ＯＥＣＨ２）　３−０＋ｍＣ−φ−
ＣＨ３ ＣＭ　　　　Ｒ’ ＣＨ３３ ただし、式（ｂ）　−（ｄ）において、ＲとＲ１は炭素
原子１〜３個を含むアルキル基、またはフェニルやアル
コキシフェニルなどのアリールｉ、ｍは１〜乙の間の整
数、ｎは２〜１０の間の整数である。

本発明のフォトレジスト組成物中で光増感剤として使わ
れるオニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルフオニ
ウム塩、ジアゾニウム塩がある。

本発明を実施する際には、スルフオニウム塩が好ましい
。

本発明を実施する際にとくに有用なスルフオニウム塩は
、次式で表されるものである。

［：ＲＲ１Ｒ２５）＋Ｙ− ただし、Ｒ，Ｒ１、Ｒ２は、炭素原子６〜２０個を含む
芳香族の炭素環式または複素環式の基のうちからそれぞ
れ独立に選んだもので、Ｃ１−８アルコキシ基、Ｃアル
キル基、ニトロ基、またはクロロ基のうちから選んだ１
価の基１〜４個で置換されたものでもよい。　Ｙ−は一
般式ＭＸｆ＼　　の陰イオンを表わし、Ｍは金属または
半金属イオン、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの
ハロゲン原子、ｆは４〜６の間の整数、ｇは純負電荷で
１〜５の間の整数である。

式ＭＸｆ＼１　中の金属または半金属原子としては、遷
移金属、Ｓｂ、Ｆｅ、５ｎ１Ｂ　ｔ、ＡＣＧａ、Ｉｎ、
Ｔ、、Ｚｎ、５ｃ１Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｓ、ランタニド
たとえばＣｄ、Ｐｒ％ＮｄやアクチニドたとえばＰａ、
Ｕ、Ｎｐなとの希土類元素、およびＢ、Ｐ、ＡＳなどの
半金属がある。

上式のスルフオニウム塩中の金属ハライド錯体ＭＸｆ＼
３　としては、たとえばＢＦ４−ＰＦ−１ＡｓＦ−１Ｓ
ｂＦ−１Ｆ　ｅ　ｃ　ｔ４−１８ｎｃｌ−１Ｓｂｃｊ？
−１Ｂｉｃｇ　　、ＡＪＩＦ６．Ｇａｃ＃−１ＩｎＦ−
１Ｔ　ｉ　Ｆ　６−１Ｚ　ｒ　Ｆ　６−がある。

本発明を実施する際に有用なスルフオニウム塩の好適な
例としては、次のものがある。

四フッ化ホウ酸トリフェニルスルフオニウム六フッ化リ
ン酸トリフェニルスルフオニウム六フッ化アンチモン酸
トリフェニルスルフオニウム 六フッ化ヒ酸トリフェニルスルフオニウム六フッ化ヒ酸
トリス（４−メトキシフェニル）スルフオニウム 六フッ化ヒ酸トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルフオニウム 本発明を実施する際に光増感剤として使用するスルフオ
ニウム塩は、周知のものであり当該技術で認められてい
る。

たとえば、トリアリール置換スルフオニウム化合物は、
”有機化学雑誌（Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、）”３３．２
６７１−７５（１９６８年）に所載のＧ。

Ｈ，ウイーガンド（Ｗｉｅｇａｎｄ）等の論文“トリア
リール・スルフオニウム・ハライドの合成と反応（５ｙ
ｎｔｈｅｓｉｓ　ａｎｄ　Ｒｅａｃｔｉｃｕｓ　ｏｆＴ
ｒｉａｒｙｌ　　Ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ　　Ｈａｌｔｄｅ
ｓ）”に記載されている方法によって調製できる。トリ
アリール置換スルフオニウム化合物は、米国特許第２８
０７６４８号に記載されている方法によって調製でき、
これからスルフオニウム錯塩ができる。

スルフオニウム錯塩は、ハライド塩なと当該の単塩から
、所期の随伴陰イオンの金属塩またはアンモニウム塩に
よる複分解によって調製できる。トリアリールスルフオ
ニウムの合成、性質およびそれを使った光開始陽イオン
重合は、゛ポリマー科学雑誌：ボリマー化学の部（Ｊ、
Ｐｏｌｙｍ。

５ｃｉｅｎｃｅ　：　Ｐｏｌｙｍ、　Ｃｈｅｍ、　Ｄｉ
ｖ、）″第１７巻、９７７−９９９頁（１９７９年）、
に開示されている。

本発明を実施する際に光増感剤として有用なヨードニウ
ム塩の例としては、次のような芳香族ヨードニウム錯塩
がある。

六フッ化ヒ酸ジフェニルヨードニウム 四フッ化ホウ酸ジフェニルヨードニウム六フッ化すン酸
ジ（４−メチルフェニル）ヨードニウム 六フッ化アンチモン酸ジフェニルヨードニウム本発明を
実施する際に光増感剤として使われるヨードニウム塩も
周知のものであり、先行技術で認められている。たとえ
ば、米国特許第３５６５９０６号、第５７１２９２０号
、第３７５９９８９号、第３７６３１８７号、゛米国化
学会報誌（Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、５ｏｃ）”　８１．３
４２−５１（１９５９）、所載のＦ、ベリンジャ（Ｂｅ
ｒｉｎｇｅｒ）等の論文゛ジアリールヨードニウム塩■
（ＤｉａｒｙｌＩｏｄｏｎｉｕｍ　　５ａｌｔｓ’）”
、および１化学会雑誌（Ｊ、Ｃｈｅｍ、　５ｏｃ）　”
　１９６４．４４２−５１、所載のＦ、ベリンジャ等の
論文０ジアリールヨードニウム塩ＸＸＩＩＩ　（Ｄｉａ
ｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ　　５ａｌｔｓＸ■）パがある
。

本発明を実施する際に有用なジアゾニウム塩の好適な例
は、次のものである。

四フッ化ホウ酸アリールジアゾニウム 過塩素酸アリールジアゾニウム 本発明のフォトレジスト組成物の調製に使用されるオニ
ウム塩は、放射線に対して敏感であり、放射線たとえば
紫外線にさらされると、強いプロトン酸（ｐｒｏｔｏｎ
ｉｃ　　ａｃｉｄ　）を光化学的に生成することが知ら
れている。たとえば、六フッ化ヒ酸トリアリールスルフ
オニウムは、光分解または紫外線露光されると、次式に
もとづいて変形する。

紫外線に当たると、ケイ素含有ポリマー内部に強いプロ
トン酸ＨＡ　ｓ　Ｆ　、ｓができるため、露出領域に化
学変化が生じ、架橋または解重合による切断が起こる。

ケイ素含有ポリマーが架橋する場合、照射後に溶解度が
低下し、そのフォトレジスト組成物はネガティブ会レジ
ストになる。逆に、切断または解重合が優勢になり、照
射後にポリマーの溶解度が増大する場合は、フォトレジ
ストはポジティブ・レジストになる。

本発明のフォトレジスト組成物を調製するには、オニウ
ム塩を、オルガノシロキサン・セグメントを含むケイ素
含有ポリマーと混合するが、これはフォトレジスト組成
物中の固形ポリマーに対して約１〜１５重量％の濃度で
行なわれる。

オルガノシロキサン・セグメントを含むケイ素含有ポリ
マーとオニウム塩からなる、半導体基板への塗布に適し
た、本発明のフォトレジスト組成物を、適当な通常の溶
媒、たとえばクロロベンゼン、トルエン、アニソール、
ジオキサン、エチレングリコールのモノアルキルエーテ
ル類やそれらの酢酸エステル類、たとえばエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、２−メトキシエチルアセテー
ト、イソアミルアセテートなどに溶かす。

本発明のレジスト組成物は、典型的には溶媒溶液に対し
て約４−４０重量％、好ましくは約６〜２０％の固形物
を含む。

本発明のフォトレジスト組成物の溶媒溶液は、フォトレ
ジスト技術で使用される通常の方法、好ましくはスプレ
ー法またはスピン・コーティングによって、基板に塗布
できる。たとえばスピン・コーティングの場合、スピン
速度と時間を調節することによって、所期の厚さのコー
ティングができるようにレジスト溶液の固形物含量を最
適化することかできる。

レジスト組成物を基板にコートした後、約９０−１０５
℃で約２０〜３５分焼成すると、溶媒がほぼすべて蒸発
して、厚さ約０，２〜１．０ミクロンの薄いフォトレジ
スト層が残る。次に、レジスト層を放射線源、たとえば
遠紫外線、電子線、Ｘ線、あるいは遠紫外線源としての
エキサイマ・レーザに当て、直接書込み、または電子線
照射または、適当なマスク、ネガ、ステンシル、テンプ
レートを使って紫外線露出領域に密着焼付けまたは映写
焼付けを行なって、所期の露出バタンを得ることができ
る。

本発明のフォトレジスト組成物は、遠紫外線領域の化学
線、すなわち波長が約２２０〜２９０ナノメートルの放
射線で露光するのにと（に適している。これは、このフ
ォトレジスト組成物中に含まれるオニウム塩増感剤の吸
光特性によるためである。

放射線でイメージ通り露光した後、約９５〜１０５℃で
約５〜２０分間後焼成し、次に有機溶媒溶液でイメージ
を現像することができる。

また、後焼成で得られたレリーフ・イメージは、ＣＦ４
などのフッ化炭素ガスを約１〜５％含む酸素中での乾式
エツチングによって、完全に現像でき、レジスト層の未
露光領域の厚さをそれほど失なわずに、露光領域を選択
的に除去することができる。

露光したレジスト層を溶媒中で現像すると、レジスト・
フィルムの露光部分が優先的に溶けて除去され、完全に
現像されたパターンができる。露光されたフォトし／シ
スト層を現像するのに有用な各種の有機溶媒としては、
酢酸ブチル、酢酸イソアミル、酢酸セロソルブなどのエ
ステル、エステルとアルコールの混合物、たとえば酢酸
イソアミル２０〜３０％をイソプロパツールに溶かした
もの、テトラヒドロフラン、インプロパツール争ケトン
、たとえばメチルイソブチル・ケトンをトルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素やメタノール、エタノール、
イソプロパツールなどのアルコールと併用したものなど
がある。

次に下側にあるポリマ一層にパターンを転写する際に、
現像済みのフォトレジスト層を酸素反応性イオン・エツ
チングのマスクとして使うことができる。リフト・オフ
法を使う金属パターンづげの場合、本発明のレジスト組
成物をスピン塗布して、基板上にコートされたポリマー
基層の上に薄い層を形成する。イメージ通り露光し現像
した後、イメージ層を反応性イオン・エツチングのマス
クとして使って酸素反応性イオン・エツチングにより、
レジスト・パターンを基板に転写する。全面に金属被覆
しＮ−メチル２−ピロリドンなどの適当な有機溶液中に
基板を浸漬してリフトオフ・ステンシルを除去すること
により、最終金属パターンが形成される。

下記の例によって本発明を例示する。

例　　■ ケイ素非含有セグメントに対して約６５％のポリジメチ
ルシロキサン・セグメントを含む、ポリジメチルシロキ
サン−ビスフェノールＡ−カーボネートのブロック共重
合体（平均分子量１５０，０００）を、室温で攪拌しな
がらクロロベンゼンに溶かして、樹脂固形物が６重量％
の溶液を作った。

別にオニウム塩である六フッ化ヒ酸トリフェニルスルフ
オニウムを、シクロヘキサノンに溶かして、この塩の１
０重量％の溶液を作った。

次に、ポリジメチルシロキサン−カーボネート共重合体
溶液を、サブミクロン級の０．２μｍの銀膜を通してろ
過した。ろ過した共重合体溶液５０ｇをオニウム塩溶液
１８ｇと混合して、共重合体固形分に対して６％のオニ
ウム塩を含むレジスト溶液を調製した。こうして得られ
たレジスト溶液をシリコン−酸化シリコン（０，５μｍ
に熱成長させたＳ　Ｉ　０２　）ウェハ上に２０００ｒ
ｐｍで３０秒間スピン拳コートして、１０５℃で３０分
間予焼成し、厚さ約０５μｍの均一なフィルムを作った
。次にキャスバー・マスク魯アライナを使ってレジスト
・フィルムに遠紫外線を３分間当て、続いて９５℃で５
分間後焼成して、サブミクロン級の解像度をもつ明瞭な
レリーフ・イメージを得た。

ウェハを酢酸インアミルとインプロパツールの混合溶媒
に浸して、ウェハ基板まで完全に現像されたパターンを
得た。

比較のため、ポリジメチルシロキサン（平均分子量約５
００．０００　）を酢酸イソアミルに溶かした５％溶液
ヲ、六フッ化ヒ酸トリフェニルスルフオニウムをシクロ
ヘキサノンに溶かした１０％溶液でドープして、ポリジ
メチルシロキサン固形物に対して６重量％の光増感剤を
含むレジスト溶液を調製する以外は例Ｔと同じ手順を繰
り返した。

予焼酸したフィルムを遠紫外線に１０秒間当て、１００
℃で後焼成すると、非常にぼんやりしたレリーフ・イメ
ージができた。

さらに比較のため、レジスト組成物を樹脂固形分に対し
て６重量％の六フッ化ヒ酸トリフェニルスルフオニウム
でドープしたポリカーボネート樹脂（平均分子量約５０
．０００）から構成する以外は、例■と同じ手順を繰り
返した。予焼酸したフィルムをパターン通り遠紫外線に
７５秒間当てた。

露光したフィルムを２００℃で１０分間後焼成し、続い
てジクロロメタンとイソプロピルアルコールの混合溶媒
系で現像すると、やはり非常にぼんやりしたポジティブ
・パターンができた。

例　　　■ 光増感剤として使用するオニウム塩が六フッ化アンチモ
ン酸トリフェニルスルフオニウムでアリ、それを樹脂固
形物に対して１２重量％の濃度で、ポリジメチルシロキ
サン−カーボネート共重合体溶液に加える以外は、例■
と同じ手順を繰り返した。

上記のように調製したレジスト溶液を、０．４５ミクロ
ンの銀フィルターでろ過し、シリコン・ウニ・・上の厚
さ１９μｍの硬焼酸（２３０℃）ＡＺｌ　３５０Ｊ層の
表面にスピン塗布した。ＡＺ１３５０Ｊは、シラブレー
社（５ｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏｍｐａｎｙ）から市販されて
おり、通常レジスト材料または硬焼底下層として使われ
るノボラック−ジアゾナフトキノン系をベースにしたも
のである。このレジストを１０５℃で３０分間焼成して
、厚さ０，６μｍのフィルムを得、それをＰＥ−５００
装置上で走査速度１ｏｏｏ（アパチャ４）でＵＶ−２を
使って映写焼付けしてイメージ通り露光した。続いてこ
れを１０５℃で５分間後焼成すると、秀れた品質のレリ
ーフ壽イメージができた。このレリーフ・パターンをイ
ソプロピルアルコール−酢酸アミル混合溶媒系で室温で
１分間現像して、サブミクロン級の解像度をもつ、完全
に現像されたレジスト・パターンを得た。

下側にあるノボラック下層にパターンを転写するため、
現像された複合層を、モジュラ−・グイオード中で３０
０ワツト、０　流量２５ｓｅｃｍで約４０分間酸素反応
性イオン・エッチして、金属リフトオフ処理に必要なオ
ーバーハングを設けるために５０％オーバーエッチしな
がら、ノボラツクをベースとする硬質下層にレジスト・
パターンを完全に転写した。

エッチしたパターンの最終的厚さは約２．１μｍであり
、このイメージ層が酸素反応性イオン・エツチングのマ
スクとして有効なことが証明された。

エッチしたパターンを走査式電子顕微鏡で検査すると、
秀れたアンダーカット・プロフィルが認められ、このオ
ルガノポリシロキサン・レジスト層が酸素反応性イオ／
・エツチングを使ってイメージを下層に転写する際の有
効な酸素反応性イオン・エツチングのバリアとして働（
ことがさらに証明された。

Ｆ０発明の効果 本発明のフォトレジスト組成物は、酸素を用いた反応性
イオン・エツチングに対して高い耐性を有し、しかも放
射線に対する感度が高（、解像度が高い。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 オルガノポリシロキサン・セグメントを含む切断可能な
   ポリマー系と、有効量のオニウム塩光増感剤からなり、 上記の切断可能なポリマー系が、ポリシロキサンとポリ
   カーボネートのブロック共重合体およびポリオルガノシ
   ロキサンポリアリールエステルから選択されたものであ
   ることを特徴とする、フォトレジスト組成物。