JPS5945439A - レジスト組成物 - Google Patents

レジスト組成物

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JPS5945439A
JPS5945439A JP58109463A JP10946383A JPS5945439A JP S5945439 A JPS5945439 A JP S5945439A JP 58109463 A JP58109463 A JP 58109463A JP 10946383 A JP10946383 A JP 10946383A JP S5945439 A JPS5945439 A JP S5945439A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分Ｉｐｆ） 本発明（１，１ノジスト組成物に於て石川ン」・、成る
種σ戸１【合体と光陽イオン１１゛（今回始剤（Ｃ，Ｄ
Ｉ’、　ｊ　（，１旧Ｃｐｈｏ１．ｎｉｉｌ、ｉｌ＋１
．ｏｒ）との）１１合物に係り、川に具体的ｔ−云えば
、す日ｑ（剤を選択Ｊ−ることによっでポジ型又はネガ
型に働さぞし、てＶ遠紫外線がＩＪ、、　’ｉｉｊ視光
線迄の種々の波長Ｌコ利し７こ感応しｔ（する、ｆ’ｆ
′川なｄｌ！今物に係る０、で１１．らの中の成る種の
混合物はりてに、プラズマ食刻及びノシ応性イオン食刻
に対して耐イ′１を（７シている。
〔従来技術〕
ビニル及び複素環の１１′Ｊ、爪体の光陽イオン重合。
並びにオニウｌ＼塩の光分飼′ににり牛しノー酸にＪ、
って開始さ汎るオキシラン及びチラノ（目１．１．Ｔ’
　ｉｌ　ＩＩ　Ｃ）の環を含む重合体の光交叉結合は周
／Ｊ１１である。米国特許第４２１０４４！Ｊ号及び第
４２７３６６８じ明ｉｔｎ升は、陽イオン重合及び交叉
結合の為の光重合開始剤どし、てオニウ１１塩を用いる
事を示している。
米国’ｈ’ｊ　ｆ！’第３９８　’Ｉ　２５３　；明細
ｒＶＬ：Ｊ’：、ホシＱ４ｊの像を形成するために、ジ
アゾニウム塩の如き酸を生しる化合物に加えることによ
り、ポリフタルアルデヒド髪紫外線、電子ビー１１及び
Ｘ線にツ、１して感応せしめることを示し−Ｃいる。
米国特許第１１３＋１７８２壮明絹書゛は、酸を形成す
る化合物と、周ｊυ１的に存在するオル１−カルボン酸
ニスデルを有する＋ｌ’（合作化合物とを含む、ポジ型
のレリーフ像を形成するだめの、放ｎ１に列して感応す
る混合物を示している。
米国特許第４１０４０７０号明細書は、修市された像反
転プロセス（Ｍｏｄｉｆ　ｉｅｄ　Ｔｍａ（＜ｅ　Ｒａ
ｖｅｒｓ＋＋］１’　ｒ　Ｏ（：　Ｃｓ　″Ｎ−月１＋
１１）＃こ一ノいて記載しているが、その方法は第：（
成分の添加及び全面露光−［−程を必要とする。
いずれのｆ＋’ｃ來技術も、本発明に於ける特定の重合
体を用いることを示しくおらづ、又その重合体の技分れ
し、へ基を襞間（ｃｌｅａｖｃ）さげて、それらのＪｉ
　ａ的にイｆ（Ｉする基の構造を、重合体被膜の露光領
１成及び未露光領域の溶解度’＋＝、ｙ性に大きな相違
が生しる５名、変化させるために、）１６陽イオン！「
（合間始剤を用いることについてもＪｉ７示していない
。
「発明の概・周〕 本発明にｔ；（ｔ−）て、酸にツ・１して不安定な反復
的に存在する技分れし・たＪ＋しくｒｃｃｕｒｒａｎｌ
、　ａｃｉｄ　１ａｂｉｌｃｐｅｎｄ；＋ｎ１ｇｒｏｕ
ｐｓ）　％、アリールジアソ゛ニウ１１、ジアリールＥ
−１ｃニウ１１、又は１−リアリールスルボニｒニア　
ｌ、　等の”Ｆ　Ｊ、Ｑ（ハＩＩゲン化物と絹合わぜる
ことににす、現像１１すを適切に選択することによ−）
てポジ型又はネガ型の１ノシス１−としで働く、紫外線
、電ｒヒｌ’、又はＸ線に夕・Ｉして感応する１ノジス
１〜組成物が得らＩＬる。１−記聞始剤を含む重合体が
系板−１−に：ｔすい被膜として被覆され、制御された
条（’Ｉのドてヘークされ、放射に対してパターン状に
さらさイし、そして：（＋ｌＪ＃ｌＩされた条イ′１の
ドでボース１−・＼−りされる。放射に勾してさらされ
た被１模の部分に於て、重合体の酸に刺しで不安定な反
復的に存在する枝分れした基が襞間さＡして、極性を有
する反復的に存在する基が形成され、ｎ光領域がアルカ
リリ′ｌ像剤又は極（’ｌ溶媒で処理されることにＪ、
り選択的に除去さＡしる。上記被膜の未露光領域は、無
極（’Ｉでｄろるために、焦１が１ノ１′溶楳て処理さ
汎ることにより選択的に除去される。従って、露光領域
及び未露光領域の溶解度特性に大きな相違が存在するた
めに、現像剤を適切に選択することによ−）で、像の反
転が極めて容易に達成される。本発明に於ける溶解１、
ｖ性に相違を生せしめる機構は、１記従来技術の機構と
全く異っている。」−記従来技術は、ネガ型の場合には
交叉も１４合に依存してポジ型の場合には主鎖の劣化に
依存しているが、本発明は側鎖の臂１７ＦＩに関連して
いる。
本発明の一実施例に於ては、用いられる組成物が遠紫外
線からＩｉｒ視）＋６線迄の種々の波長に刻して感応す
る俤にされる。例えは、ｙ；゛杏族の環に於ける置換に
よ一゛）で、アリールジアゾニウｌ＼塩の吸収極大がノ
ド銀ランプの出力のスベク１−ルに適合され１ニドる。
四に、ジアリールヨードニウム塩及びトリアリ−ルスル
ホニウｌｚ　ｉにＡは、約；３００口ｍ辺は吸１１１４
１、ないが、ｊｌｌに増感剤成分を更に加えることによ
−）η、中間の紫外線かＩＥ、　ｉｌ剤光線迄のより長
いｄ２長に於ζノるパターン化が１Ｉｆ（ｒｌ＝’にな
る。
反復的に（ｒ／＋：　するｙ）”ｆｒ族の環を含む、本
発明に、１、ろ組成１４りけ、ｊつズマ食刻及び反ノ、
２．：　（’ＩイＡン食４すに文、１シ？、、１１ｉ１
１″１イ、イ１するどい）、もう１つのｅ−７Ｊま（７
いり、＋１慴夕白Ｉ７ている シ］′リールＥ−＋−、、＝：ウノ、又は１へリアリ　
−ルスルポ−”：）　ｉＸ金属ハ【」ゲン化物を含む本
発明による組成物は、Ｊバｉ紮タ目゛ｊ１（−ン、ｉ　
Ｌ　ｆルしく感応して、２７＋、ｌ、り士））’Ｘい被
１１ζ１に於こも１［１：直に近い（１１！の角度を有
４る付１めｌ　ｌ！’ｌｌ解像力の（Ｑ（をノ１しるの
で、遠紫外線（２００〜、１０　（ｌ　ｎ　ｍ　）によ
る露光とともに用い１゛、れだときに１．５に有用［ｌ
−、）　Ｋ＃利である。
本発明に於ては、放射に刻してさらされたときに強い酸
に生じるすへての物質が光屯合開ρｈ剤ｒある／（，１
７ろことを理解されたい。しかしながｌ）、最も好まし
い光重合開始剤は、置換されていない、及び対称的に又
は非苅称的に置換された、ジアリールヨードニウム塩又
はトリアリールスポニウ１１１盆である。１〜リアリー
ルセレノニウｊ１坑〜もｆ「用である。置換されたアリ
ールジアニウｊ１塩も同様に用い’Ｅ）れｆ）る６本発
明に於ける塩の最も好まし、い７１アニオン（ｇＱ　ｇ
　ＣＩＩ　ｉｌ　旧ＯＩＩ　Ｓ　）は、テ１へラフルオ
ロ硼素酸塩、ヘキザフルオロアンヂモン酸ハト：、ヘギ
リ“フルオロ砒素酸１５．．及び・＼ギーリフルオロ燐
酸塩のタ１１キ銘体金属ハロゲン化物であるが、本発明
がそれらの苅アニオン及び光重合開始剤に現定されろこ
とはへ＝い。放射に苅し−Ｃさらされたときに酸を生じ
ろ、広範囲の化白物が用いられ得る。本発明に於て、用
いられる開始剤の量は、重合体に対して１乃至１００重
基％の範囲である。そのりＴ−ましい濃度範囲は５乃至
５０重景％である。
本宛１升に於ける好ましい重合体は、効率的に加酊）分
解を７１・し７で、前１］駆動質と極めて異なる（ケ性
（溶解度）４有り−る生成物を牛しる、周期的に存在す
る枝分Ｊｌｉだ基を含むヒニル重合体である。
しかしながら、本発明ｔ：Ｊ、ビニルイ；１加重合によ
って得ｌ″、れだ１１′（合体に限定さＡしない。本発
明に於てイ１゛用な１゛（合体を合成するために、縮合
、重伺加及びイ、；加縮合の’Ｊｌｌき、他の重合十〇
用いられ得る。
りｒましい酸に苅して不安定な枝分れした基は、カルボ
ン酸の（、（ｔｒｌ、−ブチル・エステル及びフェノー
ルの１．ｌ！　Ｈ−１，−ブチル・カルボナ−１へであ
るが、酸に勾して不安定てｄろる広範囲の基が本発明に
於て（ｉ用であることを理解されたい。そＪしらは、′
（１技術分野に於て周う１１である、ｊ〜リヂル、ヘン
シル及びヘンスヒトリルよによる変樗′１体等を含む。
最ｔ）りｆま〔１，い［１″（合体は、ポリ（ｐ−１，
ｃｒドブＩ・キシカルボニル４Ｎシ〜ＬＹ−メチルスチ
レン）、ポリ（［）−１、ｒ！ｒ　ｌ−フ′１−キシカ
ルボニルオキシスヂレン）、ポリ（ＬｃｒＬ−ブチル−
［）−ビニルベンシアー１−）、ポリ（１，ｅ目、−ブ
チル叩イソプロペニルフェニルオキシアセター１−）、
及びポリ（ｌｅｒｌ；−ブチル・メタクリラ−１〜）で
ある。
１ノジス１〜絹成物を中位の紫外線からｉ’ｉＪ視光線
迄のより長い波長に苅して感応させるために、ジアリー
ルヨー１〜ニウ１１ｊ漁又は１ヘリアリールスルホニウ
１１塩とともに用いられる好ましい化合物は、ピレン及
びペリレンの如き、多環式の芳香族である。
有効な増感剤である、アクリジン等の他の染料も用いら
れ彷る。本発明が、１．ｒ定の類の染料の使用に限定さ
Ｊｌ、ることはない。
〔実施例の説明〕
？多りに、１）１ｊ述の好ましい重合体を形成する為の
好ましい合成力法を示す。光重合ｆ７Ｆ１始剤の合成に
−）いては、既に文献に計４１１１に示さオしている。
本発明を用いる為の好ましい方法も、以Ｆに示されてい
る。
ハ、ｐ−１−，（！ｌ・１．−ブ１〜キシカルボニルオ
キシ−α−メチルスチレンの形成： Δ−１゜ １５０　ｍ　Ｑの乾燥したテ１〜ラヒドロフラン（′１
゛ＨＦ）中に溶解された５、／１４ｇのＰ−ヒドロオキ
シフ′セトフゴーノン、上り成るン容ン（ｊ７が、４．
４８＋；のカリウノ、・１．ｃｒｌ、−ブ′１ヘキシド
で処、哩された。その混合物に、ｉ’　ＩＩ　ｌ”中に
ｉｆｆ　ｆα′されたＩｏ、０２ｇのジーｉ、ｒ・目−
ブチル・シカルボナ−１〜が加えらＪｔ、た。
室混て＋　ＩＲＩ°間の間攪件さＩした後、その反応混
合物が冷水中に２１がれ、得られた混合物が酢酸エチル
を用いて抽出さＪした。４；”Ｉ　／ＩＩＩ的処理■１
．稈の後、その溶？ＩＱが濃縮され、生成物が室′／１
．１に於て）ｉ’ｉ品化さＪした（９．２＋ｒ、収率９
７ヅ１）。５０…Ｑの乾燥しノ三［Ｊ　Ｉｔ　＋パ中に
溶ｆ蛭さく）た３、　５７１７．の臭化メチル１−リフ
−１−ニルポスホニウ１１より成る！Ｖ　Ｆｉｊ　？Ｉ
νが、１゜１　／、！　Ｉてのカリウノ、・１．ａｒｌ
　　ノ１−キシドＣ処哩された。゛）０分間Ｆ！、　ｆ
’ｌ’さ、Ｉ【５た後、２　Ｑ　ｍ　（！のＩ’ｌｌＦ
中［、−溶解さＪｔた２・、’ｌ　（ｉ　ｇの１１−１
．（・ｒ＋−］］Ｉ−キシ力ルポ二月／４−’ｔ’−シ
）′１・１・′、ノエノン、１、り成ろｌ合液がノ用え
１゛＋Ｊ＋、　た　。　　（票　ず′（Ｉイ１−ノクル
Ｊｌｌ　　ｉ、石”　の　後　、　　子１　（！、φ１
勿のＪζり　がｄ畏釘ｄさＡＬ’Ｃ１゛（′１冒’ｌ　
ノ４．．目’ｌが？！Ｆ　、７．　ＪＬ、その１４石が
ヘギリン在溶１り１１剤とし−こ用いた高月、液体クロ
ア１〜グリフｒによ’Ｊ　’Ｉ’＋’ｌｌ　Ｍ、さ、ｌ
ヒｃ−、、ｌ　、　　！’ｉ　５　ｇ（６６％）の糸を
粋なｐ　−ｒ　Ｌ　＜：　ｒ　１．−ノドキシカルボご
ルオキシーα−メチルスチレンが彷られた。
Δ−２゜ ２．２−ビス（トヒ］くロオキシフェニル）ゾロパンの
塩基触Ｓ襞間により合成された５、Ｃ；４１Ｈのρ−ヒ
１くロオギシーα−メヂルスチレンと、６．５＃Ｈのカ
リウｔ１・しｃｒＬ−ブ′１−キシドとが、５０…９の
乾燥した’］”　ＩＩ　ｒパ中に溶解された混合物が、
１０分間攪拌さ］し、そね５から’Ｊ’　Ｉｔ　ｒ”中
に溶ｆη′さＡした１２゜７ｇのジー１；ｃｒｔ；−ブ
チル・ジカルボナ−１−より成る溶液が加えらＪした。
その結果得らＡ１．たゼラチン状ｄｌ！合物が、２０分
間機械的に攪拌された後に、冷水中に注がれた標（（【
！的処１−稈の後、抽出溶剤（ｌＩＩＩＩ′酸エチル）
を蒸発させることにより、オ゛１（生成物がｔｒｌられ
た。・＼キサンを溶部剤として用いた高）１液体り［Ｊ
７１〜グラフィにより精製されて、８：　　Ｏ：＋ｇ（
８１％）の純粋なｐ−１，、ｅｒ　（、−ブ１〜キシカ
ルボニルオキシーα−メチルスチレンが得られた。
ＩＪ　、　ｐ−ｒＬｃｒｔ；−ブ１〜キシ力ルポニルオ
ギシスチレンの形成： 乾燥したＴｉ１Ｆ中に溶解さ汎た２１．７＋この１）−
［１１・［］７１キシベンスアルγヒＩ−より成ろ１容
ｉ′１νが、窒Ｊ（ｊ　ｒ？囲気の１−Ｃ１１９，９４
ｇσ〕カリウ／、・１、（・１−１　　ブト・￥シＩ−
Ｃ処理された。室温で数分間攪ｆ丁さＡｔた？、２’　
４：、／ｌ　２　、　８Ｋ　ノシ−１，Ｃｒｔ、−７’
　チ）Ｉｉ・シカルボナ−１・が加えＩ゛、れ、その混
合物が更に室Ｗ、、ｔて一１時間の間＋Ｉ”件さ旧た。
、　ｉ’＃層クロマ１ヘクラノイにより、反応が完ｒし
たことが示され、その〆ｆ９否物が氷水中に注がＡした
１、Ｙのノ１成物がｉｌｌ酸エチルを用いて抽出され、
Ａく洗いされ、硫酸マグネシラ１１１、でＩ：４燥さＪ
ｌ、た。ｌ合剤が、：・Ｋ発さ・１シて、ｐ−１，＋！
ｌ’１．−ブ１ヘキシカルボ：、）ｖ、７１キシスチＩ
ノンを形成するたｊ　Ｌ：１　直１’ｆｆ　用イ”Ｊ　
しｌｒ　ル１．’ｌ　９　ｇ　（９９％）の相４４判が
Ｑ！’Ｆ　＋゛、れだ６又は、その生成物（、Ｉ、純粋
な］４料の１１−１．（・ｒｌ、−）′１−キシカルボ
ニルノｌ゛キシベンズアルデヒ１−を？ｉ）るために、
高へ液体クロマ１へグラフ・ｒ（ＩＩ　ＩＴ　＋、　（
：）によりｌ’１’ｉ　！Ｉｔ２された。。
４０　Ｏｎｌ　Ｄ、　（７’）　Ｉ：ｔｆ、　ｊ＋５Ｊ
４　シタ’ｌ’　ｌ　ｌ　ｌ？中ニ？Ｒ（Ｗ　；ｌ’！
　シタ３４．１ｇの臭（Ｉｓメヂル１へリーノエニルホ
スオニウムより成る懸濁液が、窒メ・５雰囲気の下で、
Ｉｏ、７ｇのカリウム・ｌ；　ｅｒ　Ｌ−ブ１ヘキシて
処理された。室温でｉ０分分間性された後、子のにｌＩ
ｔ色の溶液が、１００　ｍ　１１０）乾燥したｉ’　Ｉ
Ｉ　Ｆ中にｌｒｆ解さＪｌ、た２＋。
２ｇのｐ−Ｌｃｒｔ−プ°１〜キシカルボニルオキシベ
ンズアルデヒド 間ｊＵ”ｒされた後、その混合物が冷水中にｔｈがれ。
酢酸エチルを用いて抽出さＪｌ．た。１１機物の和が１
１（。
汀１さオＩ，、硫酸マグネシラ１１−１−で乾燥さイｌ
，で、濃縮された。その粗生成物が高圧液体りし１７ｈ
クラノイにより精製されて、］　（ｉ．　に　ＩＣ　（
７　９％）の純粋なｐ−Ｌ．ｅｌ”−ブ１ヘキシカルボ
ニルオキシスチＩノンが得られた。又は、Ｊ−記組生成
物は、；威月蒸留によって精製された。
Ｃ　、　ｐ−１；ａｔ・レブ゛１ーキシカルボニルオキ
シスブ１ノンの形成： ｐ−ｔ；ｃｒｔ．−ブ１〜キシカルボニルオキシ−スチ
レン（３．ＯＯＯｇ）が高真空状態の［・で弓・λハ・
）され−重合アンプル中に真空蒸留されたＩ　Ｏ　ｍ　
Ｏ。
の乾燥した液状の二酸化硫黄中に溶Ｈされ，て、黄色の
溶液が得ら汎だ。液体窒素温Ｊσで凍結されたぞの単凰
体溶液どともに、三弗化硼素エーテルｆ．バ化合物（０
．０２　ｍ　Ｑ．、甲鼠体に対して１．２モル％）がＬ
ｌす：９蒸Ｗ１により導入され−た。−６５℃で溶（）
たどき、ぞの混合物は混濁し、更に−〔５５°Ｃに於て
１１１、筒用後に、Ｈ１分１七１１が鯖ｌ察された。そ
れが１゛，、殆ど全り′７ｈ（が固体化した。２６時間
後に、アンプルかＩＪＪられで開かれ、冷たいメタノー
ルが−に　５”Ｃて加え１．’ｌ＋Ｊシて、１Ｒ合体が
白色の沈殿物として得ｌもれた。そのｆＩ体がシタ［Ｉ
ルメタン中に溶解され、メタノール中に沈殿され、メタ
ノール中でｉｌｉ沈殿されることｔｃ　Ｊ：　ｉ月′）
冒（２され、３８　”Ｃ　テＪ’ｌ；空乾燥さＡして、
数平均分子量／ｌ　Ｇ　９　Ｉ）　Ｏ　（膜Ａスモメト
す９　を右する２．　　Ｇ　Ｉ　ｆＩ　ｇ（８　７．　
　Ｉ　％）の生成物がｔ！ｊ；　＋゛，れた１。
１）、ポリ（ｌｌ−１（！ｒ１．−　ｆＩ・Ａシカルボ
ニルオキシスヂ１７ン）の形成： １）−１。
市販のポリ（ｐ　−　１，（・１１　　ビニルフェノー
ル）が、相転移条イ′１のトＣ、ジー１．ｃｒｌ．−ブ
°デル・ジカルボナー１〜及び炭酸す１−リウ１１ど反
Ｉ、１、：された。得られた重合体が沈殿により有機物
の相から分離さＪして、アリール・アルキル 収特性を示す、収率９０％以−１，の生成物力育ｔ１ら
れだ。
１）−　２　、　ｐ−１．ｃｒＬ　ブＩ−キシ力ルポニ
ルオキシスヂレンの＆庫１基重合： ０、０３ｇのアゾビスイソブヂロニ［ヘリルを含む５　
ｍ　Ｑ．の１〜ルエン中に溶解され八′：）ｇの１’−
ｔｅｌ−１．−フ１〜ギシカルボニル２ｐキシスチレン
より成る７容ン皮が窒素の下で６５乃至７５°Ｃに加熱
された。その混合物は・晩の後に（！ｌめて粘イ′１に
なり、ジク「Ｉルメタンで希釈された後，重合体が石油
エーテル中に沈殿さＡした。白色の固形物が石油エーテ
ルて洗序さ１＋．、更にメタノールで洗浄さＪｌ．た。
その重合体は、／１．１ｇ（収率８２％）の重け（及び
４３０００の故事均分７−Ｅｉ．（オスモメトす）をイ
１した。
１）−３．ρ−１；　ｅ　ｒ　ｌ；−ブ１ヘキシカルボ
ニルオキシスチレンの陽イオン重合： ｐ−Ｌｃｒシーブ１ヘキシカルボニルオキシスヂレン（
１、、０００ｇ）が高真空状態の下で乾燥され、重合ア
ンプル中に真空蒸留された３．０ｍＱ．の乾燥した液状
の二酸化硫黄中に溶解されて、黄色の溶ンｆζがｆ′１
’）れノ“−１，液体窒崇ｄ諸度で凍結さ引（、たそ（
７戸１１甲、体溶ン１シとどもに、Ｓ弗化硼素エーテル
ｔ１１化合物（５μθ、ｌ１１．−ｊ、を体し；苅ｔ−
２て０．８モル％）が真空込留により導入さＡシ／、−
、、ｊｒ＜今が−〔；５°（゛て２７　＋１．”Ｉ’間
の間行わＪした。アンプルが切１゛、れて開かれ、冷／
−いメタン　ルが−（；５°（二Ｃ加えＩ゛）れて、ｒ
Ｉ文合体が白色の沈殿物とし１℃得Ｉ：′）れだ。その
重合体がグロロホル１１中に：１を缶′され、メタノー
ル中に沈殿され、メタノール中て内性に投さ才しること
によりｔｌ′Ｉ製され、４　＋１　”（二ｌ’　ｉ：＋
ｊ、プ条されテ、東（甲Ｉ勺分子）ｉ！、２８Ｃ）（＋
　　ｒ、＋　　　（（Ｊ　　＋）ｃ：　）　　　を　ｆ
ノ　４−　る　０．！’ｌｏｆ＞ζ　　（！’＋（１，
１％）の生成物が／ｒ！ｊＩご）Ａ１．た。
１＝：　、　Ｉ、・シスト溶？ｔｖの形成、露ソ乙及び
現イψ：１つのＩＪＩＬノ（＋！的な実！険に於’（、
＋１’（合体がジグライｌｘ　（＋ｌ　ｉＩＸＩｙｍ（
・）Ｋはシタ口・＼ヤリノン中に固形物が２０１１“ｊ
　）４１％にノ：ノ：る１Ｔ２に１容角１′され、それ
にオニウ１１塩力箱１【合体し附しＵ　２０　！Ｉχ暇
％のｆｉｔで加えられろ。
ぞの１容ン１ｖ、が０．２１ｔのテフロン・フィルりを
経て濾過さｊしる。その７容貨Ｖをシリコン・つ］ニハ
」；に回転被覆することにより、レジス１一層が形成さ
れる。その被覆された被膜が９０乃至＋００’（”て３
０分間ベータされる。
次に、上記被膜が、０ｒｉｅｌ（商品名）照ルＩ装置ゾ
はｌ１ｙｂｒｊｄ　　Ｔｃｃｌｕ＋ｏｌｏＨｙ　　Ｇｒ
ｏｕｐ　　Ｍｏｄｅｌ　　３４　５−　Ｉ　　Ｑ（商品
名）　Ｘｅ−１１Ｈランプからの紫外線の放、！１１に
岡して石英マスクを経て露光され、ズは２５１＜ｅＶの
走査電子ビームの放ｎ＝Ｊ戚はＸ線の放射に対してハタ
ーン状に露光される・ 露光された被膜が９０乃至１００°Ｃで５乃１＜１５秒
間加熱される。
その露光及び加熱された被１１９が’ＡＡ基の水溶液又
はアルコール中で現像されて、未露光領戦に於Ｕる被膜
のノｖさを減じることなく高解像力を有するポジ型の像
が得られる。上記系は、露光及びベークされた後に、ジ
クロルメタンの如き無極イ′１゛濱媒、又はヘキサンと
ジクロルメタンとの４１合物中−７ｚＱｌ像されること
によって、容易にネガ型にされ１′１・る、。
より長い波長にスｊする感ノ、εζ性は、Ｉ―記レしス
１−溶液に夕景のピレン又はペリレンを加えることによ
って達成され得る。ピレンは、ジフェニルＥ−ドニウ１
１塩を含む１ノジスト絹成物を３１３　ｎ　ｍの放ルｊ
に苅しＣ感応する様にするために有効である。
ペリレンは、シフエールヨー　ドニウ１１塩又はトリノ
エニルスルポニウノ’　ＪＪ＋Ｋを含むレジス１−組成
物を３　Ｇ　５　ｎ　ｍ、／ＩＯ４ｎ　ｍ及び４３　（
ｉ　ｎ　ｍの放１１にＺ、ｌ　して感応する１毛にする
ために有効である。
［パ、実施例： 実施例−１ ポリ（ｐ　−Ｌ、ｃｒ　ｌ’、−ブトキシカルボニルオ
キシ−α−メヂルスチレン）（り々甲均分／１７ｔ４　
Ｇ　９００）がジグライｌ、中に、固形物が２０Ｌ１τ
本％にンＪＮる様に、１容解された。１−リフエニルス
ルポニウ１１・／＼キ１ナフルポ［１ア−セナー１へが
、重合体に列して２０中琺％のｌｆｔで力１１えｌ？）
れだ。その１容液をシリコン・ウェハー１に、１０００
　ｐｐｍのｉｆｆ度で回転波？Ｔｌすることにより、０
　、　Ｃｊ　７１０）　Ｉ’／さを有するレジス１−の
被膜が形成さＪした。その被膜がＩ　ＯＯ’（’：で３
０分面ベータされ、紫外線の放射に苅して５乃至１０叱
■／ｃｎ（の照射鼠で石英マスクを経で露光された。１
００°（：で５秒間ボース１−ベータされた後、塩基の
水溶液中で６０秒間現像されることにより、高ｌ７Ｉ７
像力を有するポジ型の像が得られた。同様に、ジグロル
メタン／ヘキザン中で５乃至１０秒間１３２　イ（４＋
さＡしることにより、ネガ型の像が得られた。
矢−施−例−？− ポリ（ｐ−１；ｅｒ−１；−ブ１〜キシ力ルボニルオギ
シ−ｆｒ−メチルスヂレン）（数平均分子ｌ／ＩＧ９０
０）がシクロヘキサン中に、固形物が３０重爪％になる
俤に、ｌ容解された。トリフェニルスルホニウｌトヘキ
ナフルオロファーセナ−１−が、重合体に２．ｌシて２
０重景％の量で加えら４（また。濾過されたその溶液を
シリコン・ウェハー１．に２０００＋・ρＩｌ＋の速度
で回転波Ｙａすることにより、２．４７ｚのノゾさをイ
１するレジストの被膜が形成された。その被膜が１００
℃で３０分間ベータされ、２５４　ｎ　ｍの狭シ；；・
域幅の紫外線の放射に対して５０　ｍ、Ｉ／　ｃｎＴの
照＋１．Ｊ［辻で石英マスクを経て露光された。その露
光された被膜が１００℃で１５秒間ボース１〜ベークさ
れた。
インプロパツール中で３０秒間現像されることにより、
垂直に近い壁の角度を有している、高解像力を（Ｔする
ポジ型の顯が得Ｉっれた。Ｖ、ジグロルメタン中ｒ　３
０秒間現像されることにより、ネガＪ（１〕の１９ξが
得られた。
実施例Ｊ ポリ（ｐｌ、（！ｌ’ｌ　　ブ１〜＝Ｖシカルボニルオ
キシスヂレン）（数ｉｌｉ均分子＠２　Ｉ　６００）　
カＩ、１．２゜２−テ１−ラクロルエタンとジグライム
（５：Ｉ）との？Ｉｌ！合物中に、固形物が３重臥ヅ、
になる様に、１容吊′された。ジフエニルヨードニウｌ
トヘキリ゛フルオロアーセナ−１−（重合体に対して２
０重鼠％）及び少ｎｔのべり１ノンか、重合体の溶？ｆ
しに加えＩ′、れた。その１容？市をイ＋莢ウェハ１．
に２５０　Ｏｒｐｍの速度で回転波画引ることにより、
１１７さｌ　Ｉｔの被膜が形成された。ぞのに旧１つ１
が１００℃で１０分間ベークされ、：１６５ｎ…の１・
１り・ｊ；１゛戦幅の紫外線の放射に勾しこ２５叱１　
／　ｃＪσ月！（（１１鼠Ｃ露光された。＋００°（゛
で２分間ボース１−べ−））された移・、紫外線及び赤
外線分光分４Ｊ１により、側ダｉのノ；（が完全に慰問
されてい一ζλニーとか確ＩＵｊＡされた。
実−施イ４Ｖター ポリ（ｐ−１；ｅｒＬどブ１−キシカルボニルオキシ−
α−メヂルスヂレン）（数平均分子地４　Ｇ　ＯＯＯ）
がジグライ１１中に、同形物が２０虫最％になる様に、
ｉ容解された。１〜リフエニルスルホニウ１３・・＼■
リフルオロアーセナー１へが、重合体に幻しｒ　２０　
虫星％の星て加えら、ｉｔた。その溶液をシリコン・ウ
ェハー１−に：１０００ｒｐｍの速度て回転被覆するこ
とにより、ノブさｏ、６７ｚのレジス１への被膜が形成
された。その被膜が１００°（二で３０分間ベ一りさ、
！ｌ１．７１．０乃至０．２５μの線が母ら」しる様に
、２５Ｋ　（！　Ｖ　Ｏ）走査電子・ビーＡ（７）放射
に対しテ５０．２０．１０及び５１１　Ｃ／　ｃｎＴの
照４Ｊ眼て露光さＡした。その露光された被膜が１００
℃で５秒間ボース１−ベータされ、イソプロパツール中
で現像されて、高Ｆｆｌ　４ｆｌ！力を有するポジ型の
像が得ｌす、れた。その像の質は、１０１１　Ｃ／　（
：ｎＴに於て良好である。
ソく一旅−シＩ− 遊離基重合により合成されたポリ（１−ｅｒＬ−ブチル
・メタクリラ−１−）がジグライム中に、固形物が２０
ＩＩ’（）ｉｔ　’？ｊ、にｉＪ・ろ（１）に１容角１
′さＡした。トリフ］−ニルスルホニウム １「（合体に苅して２　ｒｌ　ｒｌ”ｊ　Ｍ　％の量で
加えｌ〕，れた。その１容？市をシリコン・ウェハＩ，
に３　０　０　０　ｔ−１・ｎｌの速度で回転Ｆ）Ｏ　
ｒ（Ｉすることにより、Ｊ［７さＩ〕，　６７１のＩノ
ジストの？Ｉ！Ｉ　ＩＩζｉが形成された。乙の被１換
が１００°（二ｒ３０分１１１１ベークさＪｌ，、紮夕
Ｌ　斜Ｈ　ｃｚ）放１−）　Ｌ，、文１シテ５５ｍ．Ｉ
　／　ｌ濱σ月！（（旧）ｉｔ−ｃ石）１マスタを経°
Ｃ陛光された。
その露光されたｒｌｖ　＋＋ζｔが１００″Ｃ゛て２０
秒間ボース１−ベ−りさ］シ，ジクロルメタン中で３（
）秒間現像されて、高解（Ｒ．！力をＨするネガ型の像
が得られた，。
出願人　、ｒンタ−リショナル・ヒジネス・マシーンズ
・二１−ボレ−ショレ 代理人　ｊ？理Ｉ，　岡　　１１１　　　次　　）１（
タトＩ名） 第１頁の続き ０発　明　者　ジーン・エム・ジエイ・フレヒト カナダ国オンタリオ州オタワ・ スタンステッド・ロード８１０番 地

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸に勾しく一不安定ｚノコ反復的に存在する枝分れし八
    」１（４・右１−る１″（合体ど、故旧にλ、１してさ
    ＩＥ、されたどきに酸を生じる）１いｒ（今回始剤どを
    含むレジス１−相成物。
JP58109463A 1982-08-23 1983-06-20 レジスト組成物 Granted JPS5945439A (ja)

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US06/410,201 US4491628A (en) 1982-08-23 1982-08-23 Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US410201 1982-08-23

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Publication Number Publication Date
JPS5945439A true JPS5945439A (ja) 1984-03-14
JPH0227660B2 JPH0227660B2 (ja) 1990-06-19

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JP (1) JPS5945439A (ja)
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Cited By (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229242A (ja) * 1986-02-24 1987-10-08 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション イミド含有ポリマ−の高解像力ホトレジスト
JPS6327829A (ja) * 1986-06-13 1988-02-05 マイクロサイ，インコーポレイテッド レジスト組成物およびその使用
JPS6435433A (en) * 1987-07-01 1989-02-06 Basf Ag Radiation sensitive mixture for photosensitive layer forming material
JPH0218564A (ja) * 1988-05-19 1990-01-22 Basf Ag 感放射線混合物及びレリーフパターン作製方法
JPH0240658A (ja) * 1988-08-01 1990-02-09 Hitachi Ltd 感放射線組成物及びパターン形成方法
EP0410606A2 (en) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
JPH03223858A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH03289658A (ja) * 1990-04-06 1991-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ画像の形成方法
JPH04158363A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Mitsubishi Electric Corp パターン形成用レジスト材料
US5118582A (en) * 1989-03-20 1992-06-02 Hitachi, Ltd. Pattern forming material and process for forming pattern using the same
JPH04350658A (ja) * 1991-05-28 1992-12-04 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材
JPH04359906A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリ（パラ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）及びその製造方法
JPH055993A (ja) * 1991-06-28 1993-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5290666A (en) * 1988-08-01 1994-03-01 Hitachi, Ltd. Method of forming a positive photoresist pattern utilizing contrast enhancement overlayer containing trifluoromethanesulfonic, methanesulfonic or trifluoromethaneacetic aromatic diazonium salt
US5314931A (en) * 1991-05-28 1994-05-24 Shin-Etsu Chemical Co., Limited Resist compositions
JPH06266112A (ja) * 1992-11-03 1994-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 改良型フォトレジスト組成物
JPH06266106A (ja) * 1992-12-31 1994-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 放射線感受性レジスト組成物及びその使用
EP0523245B1 (en) * 1991-02-01 1996-07-17 Nippon Paint Co., Ltd. Method for manufacturing multiple color display device
EP0788031A1 (en) 1996-02-05 1997-08-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
US5955606A (en) * 1995-09-14 1999-09-21 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. N-vinyllactam derivatives and polymer thereof
US6319649B1 (en) 1994-10-13 2001-11-20 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition and method of forming resist images
JP2001348553A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Nitto Denko Corp 粘着剤組成物とその粘着シ―ト類およびこれらの製造方法
JP2002146316A (ja) * 2000-02-28 2002-05-22 Nitto Denko Corp 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
JP2002167566A (ja) * 2000-12-01 2002-06-11 Nitto Denko Corp 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
US6410204B1 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
JP2002229220A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂
US6623907B2 (en) 2000-02-04 2003-09-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP2004043732A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Three M Innovative Properties Co 発泡性接着剤組成物
JP2006290798A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Jsr Corp オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2006290797A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Jsr Corp オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
US7192682B2 (en) 2002-06-28 2007-03-20 Nec Corporation Unsaturated monomers, polymers, chemically-amplified resist composition, and process of pattern formation
US7217492B2 (en) 2002-12-25 2007-05-15 Jsr Corporation Onium salt compound and radiation-sensitive resin composition
US7220808B2 (en) 2003-03-10 2007-05-22 Maruzen Petrochemical Co. Ltd. Thiol compound, copolymer and method for producing the copolymer
WO2007060919A1 (ja) 2005-11-25 2007-05-31 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
JP2008001914A (ja) * 2007-09-13 2008-01-10 Mitsubishi Rayon Co Ltd 化学増幅型レジスト用樹脂
JP2008309878A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2008309879A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US7514205B2 (en) 2005-03-17 2009-04-07 Jsr Corporation Composition for forming antireflection film, laminate, and method for forming resist pattern
US7521169B2 (en) 2002-10-29 2009-04-21 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US7695889B2 (en) 2005-05-10 2010-04-13 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for semiconductor lithography and process for production thereof
US7709182B2 (en) 2004-12-03 2010-05-04 Jsr Corporation Composition for forming antireflection film, layered product, and method of forming resist pattern
JP2010244062A (ja) * 2006-12-25 2010-10-28 Fujifilm Corp パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US7838606B2 (en) 2003-10-30 2010-11-23 Maruzen Petrochemical Co., Ltd Production process of copolymer for semiconductor lithography
US7960494B2 (en) 2006-12-06 2011-06-14 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for semiconductor lithography and process for producing the same
US7985534B2 (en) 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US8017304B2 (en) 2007-04-13 2011-09-13 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
US8030419B2 (en) 2006-12-22 2011-10-04 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Process for producing polymer for semiconductor lithography
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
US8067516B2 (en) 2006-05-18 2011-11-29 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for positive type lithography, polymerization initiator used in production of said copolymer, and composition for semiconductor lithography
US8163852B2 (en) 2003-02-20 2012-04-24 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Resist polymer and method for producing the polymer
WO2012074122A1 (en) * 2010-11-30 2012-06-07 Fujifilm Corporation Negative pattern forming method and resist pattern
US8211615B2 (en) 2006-11-07 2012-07-03 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for immersion lithography and compositions
US8227183B2 (en) 2006-12-25 2012-07-24 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
KR20120122947A (ko) 2010-08-19 2012-11-07 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 중합체 및 화합물
US8377625B2 (en) 2008-10-30 2013-02-19 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Method for producing a copolymer solution with a uniform concentration for semiconductor lithography
KR20130038169A (ko) 2011-10-07 2013-04-17 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR20130111997A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR20140050053A (ko) 2011-08-16 2014-04-28 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물
US8765355B2 (en) 2010-08-19 2014-07-01 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition, method for forming a pattern, polymer and compound
US8802350B2 (en) 2011-04-11 2014-08-12 Jsr Corporation Photoresist composition, resist-pattern forming method, polymer, and compound
US8802348B2 (en) 2007-08-09 2014-08-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US8852847B2 (en) 2007-06-12 2014-10-07 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8859180B2 (en) 2006-10-23 2014-10-14 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer and composition for semiconductor lithography and process for producing the copolymer
US8895225B2 (en) 2007-06-12 2014-11-25 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
KR20140135985A (ko) 2012-03-19 2014-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물
KR20140135957A (ko) 2012-03-19 2014-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 화합물 및 그의 제조 방법
JP2015007807A (ja) * 2012-10-31 2015-01-15 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
KR20150020083A (ko) 2013-08-13 2015-02-25 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법, 기판의 가공 방법 및 포토레지스트 조성물
US8968586B2 (en) 2012-02-15 2015-03-03 Jsr Corporation Pattern-forming method
US9023584B2 (en) 2010-11-26 2015-05-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, and compound
US9040221B2 (en) 2010-05-20 2015-05-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9046782B2 (en) 2007-06-12 2015-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same
US9128370B2 (en) 2010-08-17 2015-09-08 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition and compound
US9140984B2 (en) 2009-12-22 2015-09-22 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition
CN105005181A (zh) * 2012-10-31 2015-10-28 富士胶片株式会社 化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途
US9200098B2 (en) 2009-09-11 2015-12-01 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition and compound
KR20150143411A (ko) 2013-04-17 2015-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 소자의 제조 방법 및 이온 주입 방법
US9229323B2 (en) 2011-02-04 2016-01-05 Jsr Corporation Pattern-forming method
JP2016033182A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 住友化学株式会社 組成物およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ
US9304393B2 (en) 2010-12-28 2016-04-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and compound

Families Citing this family (676)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770977A (en) * 1984-09-21 1988-09-13 Commissariat A L'energie Atomique Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process
FR2570844B1 (fr) * 1984-09-21 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie
EP0199303B1 (en) * 1985-04-18 1992-06-24 Oki Electric Industry Company, Limited Method of forming a photoresist pattern
US4663269A (en) * 1985-08-07 1987-05-05 Polytechnic Institute Of New York Method of forming highly sensitive photoresist film in the absence of water
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
US4665006A (en) * 1985-12-09 1987-05-12 International Business Machines Corporation Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching
US4657845A (en) * 1986-01-14 1987-04-14 International Business Machines Corporation Positive tone oxygen plasma developable photoresist
US4968581A (en) * 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
US4897336A (en) * 1986-04-11 1990-01-30 Chien James C W Self-developing radiation sensitive resist with amorphous polymer having haloalkyl substitution derived from cycic ether
US4689289A (en) * 1986-04-30 1987-08-25 General Electric Company Block polymer compositions
US5310619A (en) * 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
US5362607A (en) * 1986-06-13 1994-11-08 Microsi, Inc. Method for making a patterned resist substrate composite
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
JPS6336240A (ja) * 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
EP0264908B1 (en) * 1986-10-23 1996-03-20 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160 C
US4931379A (en) * 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
US4800152A (en) * 1987-03-16 1989-01-24 International Business Machines Corporation Negative resist compositions
US4965322A (en) * 1987-04-06 1990-10-23 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Photosensitive and heat-sensitive polymers, process for producing the same and process for recording information using the same
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
US4808511A (en) * 1987-05-19 1989-02-28 International Business Machines Corporation Vapor phase photoresist silylation process
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US4962171A (en) * 1987-05-22 1990-10-09 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US5081001A (en) * 1987-05-22 1992-01-14 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US4916247A (en) * 1987-09-07 1990-04-10 Ciba-Geigy Corporation Organometal-containing compounds
EP0307353A3 (de) * 1987-09-07 1990-09-12 Ciba-Geigy Ag Organometallhaltige Polymere und deren Verwendung
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US4824758A (en) * 1988-01-25 1989-04-25 Hoechst Celanese Corp Photoresist compositions based on acetoxystyrene copolymers
US4996136A (en) * 1988-02-25 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Radiation sensitive materials and devices made therewith
JP2540199B2 (ja) * 1988-02-25 1996-10-02 アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー デバイスの製造方法
DE3812325A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE3817011A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817010A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
EP0366590B2 (en) * 1988-10-28 2001-03-21 International Business Machines Corporation Highly sensitive positive photoresist compositions
US6051659A (en) * 1992-08-20 2000-04-18 International Business Machines Corporation Highly sensitive positive photoresist composition
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3902115A1 (de) * 1989-01-25 1990-08-02 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
EP0388343B1 (en) * 1989-03-14 1996-07-17 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist
US5391465A (en) * 1989-06-20 1995-02-21 Rohm And Haas Company Method of using selected photoactive compounds in high resolution, acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation wherein the photoresist comprise conventional deep UV photoacid generators
US5220037A (en) * 1989-07-22 1993-06-15 Basf Aktiengesellschaft Sulfonium salts and use thereof
DE3924298A1 (de) * 1989-07-22 1991-02-07 Basf Ag Neue sulfoniumsalze und deren verwendung
DE3927632A1 (de) * 1989-08-22 1991-02-28 Basf Ag Umsetzungsprodukt, verfahren zu dessen herstellung und damit erhaltenes strahlungsempfindliches material
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930584A1 (de) * 1989-09-13 1991-03-14 Basf Ag Auf elektrophotographischem wege hergestellte offsetdruckplatte mit hydrophilen betonerten bereichen und oleophilen unbetonerten bereichen
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
US5023164A (en) * 1989-10-23 1991-06-11 International Business Machines Corporation Highly sensitive dry developable deep UV photoresist
DE3940965A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
CA2051400A1 (en) * 1989-12-15 1991-06-16 Alan R. Browne Autodeposition emulsion for selectively protecting metallic surfaces
US5216135A (en) 1990-01-30 1993-06-01 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Diazodisulfones
EP0440374B1 (en) * 1990-01-30 1997-04-16 Wako Pure Chemical Industries Ltd Chemical amplified resist material
DE4005212A1 (de) * 1990-02-20 1991-08-22 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
JP2661317B2 (ja) * 1990-03-27 1997-10-08 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US4985332A (en) * 1990-04-10 1991-01-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use
US5206317A (en) * 1990-04-10 1993-04-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
US5120629A (en) * 1990-04-10 1992-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photosensitive electrostatic master
US5212047A (en) * 1990-04-10 1993-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
US5145764A (en) * 1990-04-10 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
US5120633A (en) * 1990-04-10 1992-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists
US5252427A (en) * 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
US5219711A (en) * 1990-04-10 1993-06-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator
US5077174A (en) * 1990-04-10 1991-12-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working dry film element having a layer of resist composition
US5262281A (en) * 1990-04-10 1993-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists
EP0451311B1 (de) * 1990-04-12 1999-03-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
US5045431A (en) * 1990-04-24 1991-09-03 International Business Machines Corporation Dry film, aqueous processable photoresist compositions
JP2648804B2 (ja) * 1990-04-24 1997-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ドライフィルム型の水性処理可能なホトレジスト組成物
JP2648805B2 (ja) * 1990-04-24 1997-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液体適用型の水性処理可能なホトレジスト組成物
DE59010396D1 (de) * 1990-04-27 1996-08-01 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
JP2645384B2 (ja) * 1990-05-21 1997-08-25 日本ペイント株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
EP0464614B1 (en) * 1990-06-25 1999-09-29 Matsushita Electronics Corporation A composition having sensitivity to light or radiation
DE69130594T2 (de) * 1990-06-29 1999-05-06 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Verfahren zur Erzeugung eines Musters
JPH0488346A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Nippon Paint Co Ltd レジスト組成物
US5066566A (en) * 1990-07-31 1991-11-19 At&T Bell Laboratories Resist materials
US5229244A (en) * 1990-08-08 1993-07-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dry processible photosensitive composition including photo-acid generator and optically clear polymer (co-polymer) blend that becomes tacky upon exposure to actinic radiation
EP0476865A1 (en) * 1990-08-31 1992-03-25 Wako Pure Chemical Industries Ltd Resist material and process for forming pattern using the same
KR920008537A (ko) * 1990-10-19 1992-05-28 원본미기재 내식막 조성물
US5082965A (en) * 1990-10-29 1992-01-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparation of alkoxycarbonyloxystyrene
US5256809A (en) * 1990-11-16 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Method for preparing a salt of 4-hydroxystyrene and for preparing 4-tertiary-butoxycarbonyloxystyrene therefrom
US5241098A (en) * 1990-11-16 1993-08-31 Hoechst Celanese Corporation Method for preparing a salt of 4-hydroxystyrene and for preparing 4-tertiary-butoxycarbonyloxystyrene therefrom
US5304690A (en) * 1990-11-16 1994-04-19 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of salts of 4-hydroxystyrene
JPH04184345A (ja) * 1990-11-19 1992-07-01 Fujitsu Ltd レジストパターンの形成方法
JP3031421B2 (ja) * 1990-11-28 2000-04-10 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材
EP0494383B1 (de) * 1990-12-20 1996-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Photoresist
EP0492253B1 (de) * 1990-12-20 1997-04-23 Siemens Aktiengesellschaft Photostrukturierungsverfahren
ES2090218T3 (es) * 1990-12-20 1996-10-16 Siemens Ag Generacion estructural fotolitografica.
ES2076450T3 (es) * 1990-12-20 1995-11-01 Siemens Ag Polimeros mixtos.
JPH04253939A (ja) * 1991-02-05 1992-09-09 Shin Etsu Chem Co Ltd パラ第三級ブトキシカルボニルオキシスチレンの合成方法
US5219788A (en) * 1991-02-25 1993-06-15 Ibm Corporation Bilayer metallization cap for photolithography
US5851736A (en) * 1991-03-05 1998-12-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern
DE4214363C2 (de) * 1991-04-30 1998-01-29 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
DE4120172A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt
DE4124029A1 (de) * 1991-07-19 1993-01-21 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von tert.-butyloxycarbonyl-gruppen tragenden organischen verbindungen
DE4124028A1 (de) * 1991-07-19 1993-01-21 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von n-tert.-butoxycarbonyl-maleimid
EP0524759A1 (en) * 1991-07-23 1993-01-27 AT&T Corp. Device fabrication process
US5250395A (en) * 1991-07-25 1993-10-05 International Business Machines Corporation Process for imaging of photoresist including treatment of the photoresist with an organometallic compound
DE4126409A1 (de) * 1991-08-09 1993-02-11 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch mit einem polymeren bindemittel mit einheiten aus (alpha)-(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren
US5506088A (en) * 1991-09-17 1996-04-09 Fujitsu Limited Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same
US5258257A (en) * 1991-09-23 1993-11-02 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions comprising polymer having acid labile groups
US5439582A (en) * 1991-10-02 1995-08-08 Nippon Paint Co., Ltd. Process for producing multicolor display
EP0537524A1 (en) * 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions and methods
JP2964107B2 (ja) * 1991-11-11 1999-10-18 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト材料
US5229256A (en) * 1991-12-06 1993-07-20 International Business Machines Corporation Process for generating positive-tone photoresist image
DE69218393T2 (de) * 1991-12-16 1997-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistmaterial
DE4202845A1 (de) * 1992-01-31 1993-08-05 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5342734A (en) * 1992-02-25 1994-08-30 Morton International, Inc. Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
JP2559192B2 (ja) * 1992-04-07 1996-12-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ヒドロキシ芳香族化合物の炭酸化物を生成させるための改良された方法
TW304235B (ja) * 1992-04-29 1997-05-01 Ocg Microelectronic Materials
US5550004A (en) * 1992-05-06 1996-08-27 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chemically amplified radiation-sensitive composition
US5384229A (en) * 1992-05-07 1995-01-24 Shipley Company Inc. Photoimageable compositions for electrodeposition
US5587274A (en) * 1992-06-19 1996-12-24 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
JP3202792B2 (ja) * 1992-06-19 2001-08-27 日本ペイント株式会社 レジスト組成物
US6111133A (en) * 1992-09-23 2000-08-29 Lucent Technologies Inc. Process for preparing substituted styrenes
US5319142A (en) * 1992-10-06 1994-06-07 Hoechst Celanese Corporation Process for preparing substituted and unsubstituted arylalkylamines
US5480748A (en) * 1992-10-21 1996-01-02 International Business Machines Corporation Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development
EP0698230A1 (en) * 1992-10-29 1996-02-28 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist
JP2688168B2 (ja) 1992-11-03 1997-12-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション フォトレジストイメージ形成プロセス
JP2654339B2 (ja) * 1992-11-24 1997-09-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 感光性レジスト組成物及び基板上にレジスト像を形成する方法
US5395734A (en) * 1992-11-30 1995-03-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Shoot and run printing materials
DE59306590D1 (de) * 1992-12-04 1997-07-03 Ocg Microelectronic Materials Positiv-Photoresist mit verbesserten Prozesseigenschaften
DE4242051A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
DE4242050A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung
JPH06214395A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
EP0608983B1 (en) * 1993-01-25 1997-11-12 AT&T Corp. A process for controlled deprotection of polymers and a process for fabricating a device utilizing partially deprotected resist polymers
KR100355254B1 (en) * 1993-02-15 2003-03-31 Clariant Finance Bvi Ltd Positive type radiation-sensitive mixture
US5314782A (en) * 1993-03-05 1994-05-24 Morton International, Inc. Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
US5308744A (en) * 1993-03-05 1994-05-03 Morton International, Inc. Source of photochemically generated acids from diazonaphthoquinone sulfonates of nitrobenzyl derivatives
US6703181B1 (en) 1993-03-12 2004-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same
US5496678A (en) * 1993-04-16 1996-03-05 Kansai Paint Co., Ltd. Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
JP3339157B2 (ja) * 1993-05-31 2002-10-28 ソニー株式会社 感光性組成物及びパターン形成方法
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
JP3297199B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
US5744281A (en) * 1993-09-14 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive
JP3353258B2 (ja) * 1993-10-26 2002-12-03 富士通株式会社 遠紫外線用レジスト
US5688628A (en) * 1993-11-11 1997-11-18 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
EP0653681B1 (en) * 1993-11-17 2000-09-13 AT&T Corp. A process for device fabrication using an energy sensitive composition
JP3203995B2 (ja) * 1993-12-24 2001-09-04 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3271728B2 (ja) * 1994-02-14 2002-04-08 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5486267A (en) * 1994-02-28 1996-01-23 International Business Machines Corporation Method for applying photoresist
US5597868A (en) * 1994-03-04 1997-01-28 Massachusetts Institute Of Technology Polymeric anti-reflective compounds
US5663035A (en) * 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5736296A (en) * 1994-04-25 1998-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound
DE4414897A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Aromatische Diazoniumsalze und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
DE4414896A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
WO1995032455A1 (de) * 1994-05-25 1995-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Trockenentwickelbarer positivresist
US5580694A (en) 1994-06-27 1996-12-03 International Business Machines Corporation Photoresist composition with androstane and process for its use
JP3033443B2 (ja) 1994-06-29 2000-04-17 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料
US5561216A (en) * 1994-07-01 1996-10-01 University Of North Carolina At Chapel Hill Late transition metal catalysts for the CO- and terpolymerization of olefin and alkyne monomers with carbon monoxide
US5558971A (en) 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
US5863705A (en) * 1994-09-12 1999-01-26 Siemens Aktiengesellschaft Photolithographic pattern generation
WO1996012216A1 (fr) * 1994-10-13 1996-04-25 Nippon Zeon Co., Ltd. Composition de reserve
JP3585277B2 (ja) * 1994-12-05 2004-11-04 本州化学工業株式会社 スチレン誘導体の製造方法
JP3198845B2 (ja) * 1994-12-05 2001-08-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
US5663036A (en) * 1994-12-13 1997-09-02 International Business Machines Corporation Microlithographic structure with an underlayer film comprising a thermolyzed azide
DE4444669A1 (de) * 1994-12-15 1996-06-20 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches Gemisch
JP3277114B2 (ja) * 1995-02-17 2002-04-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 陰画調レジスト像の作製方法
KR100293130B1 (ko) * 1995-04-12 2001-09-17 카나가와 치히로 고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP3046225B2 (ja) * 1995-06-15 2000-05-29 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
US5922810A (en) * 1995-07-31 1999-07-13 Fmc Corporation Deprotection of protected functional polymers
US5863699A (en) * 1995-10-12 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Photo-sensitive composition
US6391512B1 (en) * 1995-10-20 2002-05-21 Konica Corporation Image forming material and image forming method
JP3073149B2 (ja) * 1995-10-30 2000-08-07 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
KR100191126B1 (ko) 1995-11-28 1999-06-15 윤덕용 비닐4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체와 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
US5585220A (en) * 1995-12-01 1996-12-17 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
US6165673A (en) * 1995-12-01 2000-12-26 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
US5879856A (en) * 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
ATE244904T1 (de) 1995-12-21 2003-07-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymerzusammensetzung und rezistmaterial
KR19990076735A (ko) 1996-01-26 1999-10-15 나카노 카쯔히코 레지스트 조성물
JP3804138B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
ATE199985T1 (de) 1996-02-09 2001-04-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymer und resistmaterial
JP3962432B2 (ja) * 1996-03-07 2007-08-22 住友ベークライト株式会社 酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
TW394850B (en) * 1996-03-07 2000-06-21 Clariant Finance Bvi Ltd Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion
TW337591B (en) * 1996-04-15 1998-08-01 Shinetsu Chem Ind Co Anti-reflection coating material
KR0183901B1 (ko) * 1996-07-03 1999-04-01 삼성전자 주식회사 레지스트 조성물
JP3808140B2 (ja) * 1996-09-10 2006-08-09 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 新規酸感応性基で保護されたヒドロキシスチレン重合体およびこれらを含む放射線感応性材料
US6090526A (en) * 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US5876899A (en) * 1996-09-18 1999-03-02 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
JP3297324B2 (ja) * 1996-10-30 2002-07-02 富士通株式会社 レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
KR100211548B1 (ko) * 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100197673B1 (en) 1996-12-20 1999-06-15 Hyundai Electronics Ind Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom
KR100220951B1 (ko) * 1996-12-20 1999-09-15 김영환 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
US6103445A (en) * 1997-03-07 2000-08-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Photoresist compositions comprising norbornene derivative polymers with acid labile groups
US6117345A (en) * 1997-04-02 2000-09-12 United Microelectronics Corp. High density plasma chemical vapor deposition process
US5981145A (en) * 1997-04-30 1999-11-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Light absorbing polymers
US5994430A (en) * 1997-04-30 1999-11-30 Clariant Finance Bvi) Limited Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof
US5958654A (en) * 1997-08-25 1999-09-28 Lucent Technologies Inc. Lithographic process and energy-sensitive material for use therein
US6077643A (en) * 1997-08-28 2000-06-20 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US7026093B2 (en) * 1997-08-28 2006-04-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US7482107B2 (en) * 1997-08-28 2009-01-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
KR100489576B1 (ko) * 1997-10-08 2005-12-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR19990036901A (ko) 1997-10-08 1999-05-25 카나가와 치히로 폴리스티렌계 고분자 화합물, 화학증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR100254472B1 (ko) * 1997-11-01 2000-05-01 김영환 신규한 말레이미드계 또는 지방족 환형 올레핀계 단량체와 이들 단량체들의 공중합체수지 및 이수지를 이용한 포토레지스트
KR100252546B1 (ko) * 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 2003-03-10 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100313150B1 (ko) * 1997-12-31 2001-12-28 박종섭 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
US6165674A (en) * 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
US6190839B1 (en) 1998-01-15 2001-02-20 Shipley Company, L.L.C. High conformality antireflective coating compositions
US6037097A (en) * 1998-01-27 2000-03-14 International Business Machines Corporation E-beam application to mask making using new improved KRS resist system
EP2045275B1 (en) 1998-02-23 2012-01-25 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Polycyclic resist compositions with increased etch resistance
US6103447A (en) 1998-02-25 2000-08-15 International Business Machines Corp. Approach to formulating irradiation sensitive positive resists
US6303263B1 (en) 1998-02-25 2001-10-16 International Business Machines Machines Irradiation sensitive positive-tone resists using polymers containing two acid sensitive protecting groups
US6146806A (en) 1998-04-06 2000-11-14 Nec Corporation Negative photoresist composition using polymer having 1,2-diol structure and process for forming pattern using the same
DE69941227D1 (de) 1998-04-06 2009-09-17 Fujifilm Corp Photoempfindliche Harzzusammensetzung
KR100252062B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체 혼합물, 이를 포함하는포토레지스트 조성물 및 이의 제조방법
KR100252061B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이의 제조방법
US6074800A (en) * 1998-04-23 2000-06-13 International Business Machines Corporation Photo acid generator compounds, photo resists, and method for improving bias
DE59908549D1 (de) * 1998-04-24 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung
KR19990081722A (ko) 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
KR100376983B1 (ko) 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
US6759483B2 (en) 1998-05-05 2004-07-06 Chemfirst Electronic Materials L.P. Preparation of homo-, co- and terpolymers of substituted styrenes
KR100261224B1 (ko) 1998-05-07 2000-09-01 윤종용 실리콘을 함유하는 폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
TW457277B (en) * 1998-05-11 2001-10-01 Shinetsu Chemical Co Ester compounds, polymers, resist composition and patterning process
TWI232855B (en) * 1998-05-19 2005-05-21 Jsr Corp Diazodisulfone compound and radiation-sensitive resin composition
KR100287175B1 (ko) * 1998-05-20 2001-09-22 윤종용 화학 증폭형 포토레지스트의 용해 억제제 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물
JP3175697B2 (ja) * 1998-06-18 2001-06-11 日本電気株式会社 化学増幅系フォトレジスト
TW444027B (en) 1998-06-30 2001-07-01 Ind Tech Res Inst Ring-opened polymer prepared from pericyclic olefin and photosensitive composition containing the polymer
US6103456A (en) * 1998-07-22 2000-08-15 Siemens Aktiengesellschaft Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
US6093517A (en) * 1998-07-31 2000-07-25 International Business Machines Corporation Calixarenes for use as dissolution inhibitors in lithographic photoresist compositions
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
US6136501A (en) * 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions comprising same
US6127089A (en) * 1998-08-28 2000-10-03 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect structure with low k dielectric materials and method of making the same with single and dual damascene techniques
JP3120402B2 (ja) 1998-09-03 2000-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 不活性化芳香族アミン化合物を含むフォトレジスト組成物
KR100504644B1 (ko) * 1998-10-29 2005-08-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지형 레지스트 재료
WO2000026973A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 Presstek, Inc. Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
US6770413B1 (en) 1999-01-12 2004-08-03 Shipley Company, L.L.C. Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same
JP3680920B2 (ja) 1999-02-25 2005-08-10 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
KR100314761B1 (ko) 1999-03-03 2001-11-17 윤덕용 노르보르넨에 콜릭산, 디옥시콜릭산 또는 리소콜릭산 유도체를 결합시킨 단량체를 이용한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
US6455223B1 (en) 1999-03-26 2002-09-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
TWI226339B (en) 1999-03-26 2005-01-11 Shinetsu Chemical Co High molecular weight compound and the method to prepare the same
KR100320773B1 (ko) 1999-05-31 2002-01-17 윤종용 포토레지스트 조성물
US6187506B1 (en) 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US6461789B1 (en) 1999-08-25 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
TWI289568B (en) 1999-08-30 2007-11-11 Shinetsu Chemical Co Polymer compound, resist material, and pattern formation method
US6638684B2 (en) 1999-08-31 2003-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive laminate, process for forming resist pattern using same and positive resist composition
KR100308423B1 (ko) 1999-09-07 2001-09-26 주식회사 동진쎄미켐 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물
US6369279B1 (en) 1999-09-08 2002-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
TW527363B (en) 1999-09-08 2003-04-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
KR100549160B1 (ko) 1999-10-13 2006-02-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6333436B1 (en) 1999-10-13 2001-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
TWI269940B (en) * 1999-10-29 2007-01-01 Shinetsu Chemical Co Resist composition
JP3755571B2 (ja) 1999-11-12 2006-03-15 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US6365322B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
JP3963624B2 (ja) 1999-12-22 2007-08-22 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
US6509138B2 (en) 2000-01-12 2003-01-21 Semiconductor Research Corporation Solventless, resistless direct dielectric patterning
TWI225184B (en) * 2000-01-17 2004-12-11 Shinetsu Chemical Co Chemical amplification type resist composition
US6835524B2 (en) 2000-02-16 2004-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6579658B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
DE10008843A1 (de) 2000-02-25 2001-09-06 Beiersdorf Ag Polare Acrylathaftklebemassen
US6783914B1 (en) 2000-02-25 2004-08-31 Massachusetts Institute Of Technology Encapsulated inorganic resists
DE10008840A1 (de) 2000-02-25 2001-09-06 Beiersdorf Ag Strukturierte UV-vernetzte Acrylathaftklebemassen
US6538086B1 (en) 2000-02-28 2003-03-25 Industrial Technology Research Institute Polymer with a pericyclic protective group and resist composition containing the same
KR100674073B1 (ko) 2000-03-07 2007-01-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR100536540B1 (ko) 2000-03-07 2005-12-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
US6737214B2 (en) 2000-03-09 2004-05-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemical amplification resist compositions
US7122288B2 (en) 2000-03-28 2006-10-17 Fujitsu Limited Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device
JP2003531401A (ja) 2000-04-17 2003-10-21 イェール・ユニヴァーシティ 化学増幅型レジスト中の光生成触媒の拡散の測定方法
KR100582630B1 (ko) * 2000-04-20 2006-05-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 에스테르 화합물, 고분자 화합물, 레지스트 재료및 패턴 형성 방법
US6692883B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
KR100660513B1 (ko) 2000-04-27 2006-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4576737B2 (ja) 2000-06-09 2010-11-10 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
DE60138930D1 (de) * 2000-06-15 2009-07-16 3M Innovative Properties Co Mikroherstellungsverfahren für organische optische Bauteile
US7118845B2 (en) * 2000-06-15 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby
US7265161B2 (en) * 2002-10-02 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures
US6852766B1 (en) 2000-06-15 2005-02-08 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
JP2004503928A (ja) * 2000-06-15 2004-02-05 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 多方向光反応吸収方法
US7026103B2 (en) * 2000-06-15 2006-04-11 3M Innovative Properties Company Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes
WO2001096958A2 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 3M Innovative Properties Company Process for producing microfluidic articles
US7014988B2 (en) * 2000-06-15 2006-03-21 3M Innovative Properties Company Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements
ATE440308T1 (de) * 2000-06-15 2009-09-15 3M Innovative Properties Co Methode und gerät zur erzielung wiederholter multiphotonabsorption
US6593431B2 (en) 2000-06-27 2003-07-15 Chemfirst Electronic Materials Lp Purification means
US6787611B2 (en) * 2000-06-27 2004-09-07 Chemfirst Electronic Materials L.P. Purification means
US6447980B1 (en) 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP3712047B2 (ja) 2000-08-14 2005-11-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TW588221B (en) 2000-09-07 2004-05-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
TW565747B (en) 2000-09-07 2003-12-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
TW594410B (en) 2000-09-07 2004-06-21 Shinetsu Chemical Co Resist compositions and patterning process
EP1204001B1 (en) 2000-11-01 2013-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6749988B2 (en) 2000-11-29 2004-06-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Amine compounds, resist compositions and patterning process
ATE394707T1 (de) 2000-12-04 2008-05-15 Ciba Holding Inc Oniumsalze und ihre verwendung als latente säuren
US6743564B2 (en) 2000-12-07 2004-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Amine compounds, resist compositions and patterning process
US6835804B2 (en) 2000-12-07 2004-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of polymer, and resist composition using the polymer
US7261992B2 (en) * 2000-12-21 2007-08-28 International Business Machines Corporation Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
JP3962893B2 (ja) 2001-02-09 2007-08-22 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6905555B2 (en) 2001-02-15 2005-06-14 Micell Technologies, Inc. Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes
US6562146B1 (en) 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6596093B2 (en) 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6641678B2 (en) 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6613157B2 (en) 2001-02-15 2003-09-02 Micell Technologies, Inc. Methods for removing particles from microelectronic structures
US6602351B2 (en) 2001-02-15 2003-08-05 Micell Technologies, Inc. Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures
TWI300790B (en) 2001-02-28 2008-09-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, Resist Compositions and Patterning Process
TWI245774B (en) 2001-03-01 2005-12-21 Shinetsu Chemical Co Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP2002278053A (ja) 2001-03-16 2002-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
KR100749494B1 (ko) 2001-04-03 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물
KR20030076225A (ko) 2001-04-04 2003-09-26 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 규소 함유 아세탈 보호된 중합체 및 이의 포토레지스트조성물
TW588032B (en) * 2001-04-23 2004-05-21 Shinetsu Chemical Co New tertiary amine compound having ester structure and method for producing the same
JP3988517B2 (ja) 2001-04-27 2007-10-10 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
US6936398B2 (en) 2001-05-09 2005-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Resist with reduced line edge roughness
US6686429B2 (en) 2001-05-11 2004-02-03 Clariant Finance (Bvi) Limited Polymer suitable for photoresist compositions
US6737215B2 (en) 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
TWI245043B (en) 2001-06-25 2005-12-11 Shinetsu Chemical Co Novel ester compounds
TW574607B (en) 2001-06-25 2004-02-01 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
TW584786B (en) 2001-06-25 2004-04-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP3891257B2 (ja) 2001-06-25 2007-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
DE10131489B4 (de) * 2001-06-29 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und chemischer Nachverstärkung von Resiststrukturen
DE10131488B4 (de) * 2001-06-29 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur chemischen Nachverstärkung von Photoresists im UV-Bereich
DE10131667B4 (de) 2001-06-29 2007-05-31 Infineon Technologies Ag Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Silylierung
DE10131487B4 (de) * 2001-06-29 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Negativer Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Aromatisierung von Resiststrukturen
DE10142590A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße
US6673514B2 (en) 2001-09-07 2004-01-06 Kodak Polychrome Graphics Llc Imagable articles and compositions, and their use
TW574614B (en) * 2001-09-27 2004-02-01 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified resist compositions and patterning process
JP2003107707A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Clariant (Japan) Kk 化学増幅型ポジ型感放射線性樹脂組成物
DE10147953B4 (de) 2001-09-28 2007-06-06 Infineon Technologies Ag CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht
JP3821217B2 (ja) * 2001-10-30 2006-09-13 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
DE10153497B4 (de) * 2001-10-31 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Silylierung von Fotoresists im UV-Bereich
DE10153496B4 (de) * 2001-10-31 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Aromatisierung und Cycloaliphatisierung von Fotoresists im UV-Bereich
JP3890365B2 (ja) 2001-11-01 2007-03-07 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
JP3901997B2 (ja) * 2001-11-27 2007-04-04 富士通株式会社 レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP4522628B2 (ja) 2001-11-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物
DE60218342T2 (de) * 2001-12-12 2007-10-31 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Polymerzusammensetzungen und deren verwendungen
JP3874092B2 (ja) * 2001-12-26 2007-01-31 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6750266B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US6800416B2 (en) 2002-01-09 2004-10-05 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Negative deep ultraviolet photoresist
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP3877605B2 (ja) * 2002-02-08 2007-02-07 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
AU2003219824A1 (en) * 2002-02-21 2003-09-09 Honeywell International Inc. Fluorinated molecules and methods of making and using same
TW200304042A (en) 2002-02-22 2003-09-16 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
DE10208786B4 (de) * 2002-02-28 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Modifikation von Resiststrukturen und Resistschichten aus wässriger Phase
US6916592B2 (en) * 2002-03-25 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Esters, polymers, resist compositions and patterning process
US6872514B2 (en) * 2002-03-25 2005-03-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
TWI304412B (en) * 2002-03-26 2008-12-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions andpatterning process
US20030190818A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Ruben Carbonell Enhanced processing of performance films using high-diffusivity penetrants
US6866983B2 (en) * 2002-04-05 2005-03-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
JP3856122B2 (ja) * 2002-04-05 2006-12-13 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US6864324B2 (en) 2002-04-19 2005-03-08 Chem First Electronic Materials L.P. Anhydrous, liquid phase process for preparing hydroxyl containing polymers of enhanced purity
US7232638B2 (en) * 2002-05-02 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP2006511628A (ja) * 2002-05-07 2006-04-06 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フッ素化ポリマー
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
JP3912512B2 (ja) * 2002-07-02 2007-05-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6919161B2 (en) * 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP3844069B2 (ja) * 2002-07-04 2006-11-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004059844A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Central Glass Co Ltd 含フッ素高分子化合物
JP3912516B2 (ja) * 2002-08-09 2007-05-09 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US20040067435A1 (en) 2002-09-17 2004-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
JP4371206B2 (ja) 2002-09-30 2009-11-25 信越化学工業株式会社 エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
US7232650B2 (en) * 2002-10-02 2007-06-19 3M Innovative Properties Company Planar inorganic device
JP3900276B2 (ja) * 2002-10-25 2007-04-04 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US20040091813A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-13 Honeywell International Inc. Fluorinated polymers
US7264913B2 (en) * 2002-11-21 2007-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
TWI252374B (en) * 2003-01-30 2006-04-01 Shinetsu Chemical Co Polymer, resist composition and patterning process
JP4240202B2 (ja) * 2003-02-10 2009-03-18 信越化学工業株式会社 スルホン酸エステル基を有する高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4133399B2 (ja) * 2003-02-10 2008-08-13 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4222850B2 (ja) 2003-02-10 2009-02-12 Ｓｐａｎｓｉｏｎ Ｊａｐａｎ株式会社 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法
US7422836B2 (en) * 2003-02-20 2008-09-09 Promerus Llc Dissolution rate modifiers for photoresist compositions
US20040166434A1 (en) * 2003-02-21 2004-08-26 Dammel Ralph R. Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
WO2004102162A2 (en) * 2003-03-21 2004-11-25 The Regents Of The University Of California Inorganic oxides comprising multiple surface-bound functional groups
JP4068006B2 (ja) * 2003-05-07 2008-03-26 信越化学工業株式会社 サーマルフロー工程を用いた微細なコンタクトホール形成方法
US7834113B2 (en) * 2003-05-08 2010-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresist compositions and processes for preparing the same
JP4009852B2 (ja) 2003-05-21 2007-11-21 信越化学工業株式会社 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4081677B2 (ja) 2003-05-21 2008-04-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4029288B2 (ja) 2003-05-21 2008-01-09 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3981830B2 (ja) * 2003-05-26 2007-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4114064B2 (ja) * 2003-05-27 2008-07-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004354417A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4360844B2 (ja) * 2003-06-16 2009-11-11 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4088784B2 (ja) * 2003-06-19 2008-05-21 信越化学工業株式会社 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料
US7090963B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 International Business Machines Corporation Process for forming features of 50 nm or less half-pitch with chemically amplified resist imaging
JP4085034B2 (ja) * 2003-07-17 2008-04-30 信越化学工業株式会社 化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
KR101036793B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-25 오지 세이시 가부시키가이샤 시트상 발포체 및 그 제조 방법
KR100527411B1 (ko) * 2003-08-23 2005-11-09 한국과학기술원 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 단량체, 이들의중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조방법과포토레지스트 패턴의 형성 방법
JP4013063B2 (ja) * 2003-08-26 2007-11-28 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US7166418B2 (en) * 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
JP2005099683A (ja) * 2003-09-05 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法
US7060775B2 (en) * 2003-10-02 2006-06-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7169530B2 (en) * 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7232641B2 (en) * 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
TWI286555B (en) * 2003-10-23 2007-09-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP4235810B2 (ja) * 2003-10-23 2009-03-11 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4355917B2 (ja) * 2003-10-29 2009-11-04 信越化学工業株式会社 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7276324B2 (en) * 2003-11-14 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
CN100392444C (zh) * 2003-12-05 2008-06-04 3M创新有限公司 制造光子晶体和其中可控制的缺陷的方法
US20050124712A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals
US7189491B2 (en) * 2003-12-11 2007-03-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP4525912B2 (ja) * 2004-01-30 2010-08-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2005220274A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7473512B2 (en) * 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
JP4199687B2 (ja) 2004-03-17 2008-12-17 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US7081511B2 (en) * 2004-04-05 2006-07-25 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for making polyesters
US7060416B2 (en) * 2004-04-08 2006-06-13 Eastman Kodak Company Positive-working, thermally sensitive imageable element
KR100942627B1 (ko) * 2004-04-09 2010-02-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US7255973B2 (en) * 2004-04-09 2007-08-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
JP4557159B2 (ja) * 2004-04-15 2010-10-06 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4502115B2 (ja) * 2004-04-23 2010-07-14 信越化学工業株式会社 含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
KR100887202B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-06 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 형성용 재료, 및 이보호막을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법
JP4360264B2 (ja) * 2004-04-30 2009-11-11 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3978215B2 (ja) * 2004-05-25 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3978217B2 (ja) * 2004-05-27 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3978216B2 (ja) * 2004-05-27 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2005344009A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
JP4606136B2 (ja) * 2004-06-09 2011-01-05 富士通株式会社 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP2006021396A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版および平版印刷方法
US7146909B2 (en) 2004-07-20 2006-12-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
JP4368267B2 (ja) * 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
US7507521B2 (en) * 2004-08-09 2009-03-24 Intel Corporation Silicon based optically degraded arc for lithographic patterning
US20060057501A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Hengpeng Wu Antireflective compositions for photoresists
US7691556B2 (en) * 2004-09-15 2010-04-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
JP4368282B2 (ja) 2004-09-24 2009-11-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4404734B2 (ja) 2004-09-27 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4544085B2 (ja) * 2004-09-28 2010-09-15 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
US7687225B2 (en) * 2004-09-29 2010-03-30 Intel Corporation Optical coatings
JP4431888B2 (ja) 2004-10-28 2010-03-17 信越化学工業株式会社 含フッ素重合性化合物、その製造方法、この化合物から得られる高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US7537879B2 (en) 2004-11-22 2009-05-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP4789599B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． フォトレジスト組成物
US20060150846A1 (en) 2004-12-13 2006-07-13 Fuji Photo Film Co. Ltd Lithographic printing method
JP2006181838A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版
US20070299176A1 (en) * 2005-01-28 2007-12-27 Markley Thomas J Photodefinable low dielectric constant material and method for making and using same
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
JP4506968B2 (ja) * 2005-02-04 2010-07-21 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
EP1691238A3 (en) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP4474296B2 (ja) 2005-02-09 2010-06-02 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US20060177772A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Abdallah David J Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings
JP2006225476A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US7541131B2 (en) * 2005-02-18 2009-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
US20060188812A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Tomoki Nagai Phenolic hydroxyl group-containing copolymer and radiation-sensitive resin composition
US7255056B2 (en) * 2005-03-04 2007-08-14 Lockheed Martin Corporation Stable, high-speed marine vessel
JP4404792B2 (ja) 2005-03-22 2010-01-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP2006328003A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規な重合性エステル化合物
JP4687878B2 (ja) * 2005-05-27 2011-05-25 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7521170B2 (en) * 2005-07-12 2009-04-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
JP4815270B2 (ja) 2005-08-18 2011-11-16 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法及び作製装置
JP4759343B2 (ja) 2005-08-19 2011-08-31 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版および平版印刷方法
EP1762895B1 (en) 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflective Hard Mask Compositions
US20070065756A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-22 Quantiscript Inc., Universite De Sherbrooke High sensitivity electron beam resist processing
JP4697443B2 (ja) * 2005-09-21 2011-06-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
WO2007047379A2 (en) * 2005-10-12 2007-04-26 Sundance Enterprises Fluidized positioning and protection system
JP4671035B2 (ja) * 2005-10-14 2011-04-13 信越化学工業株式会社 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4488230B2 (ja) * 2005-10-31 2010-06-23 信越化学工業株式会社 レジスト用重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
US7553905B2 (en) * 2005-10-31 2009-06-30 Az Electronic Materials Usa Corp. Anti-reflective coatings
JP4582331B2 (ja) * 2005-11-08 2010-11-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US7629106B2 (en) * 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
JP4614089B2 (ja) * 2005-11-17 2011-01-19 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4831307B2 (ja) 2005-12-02 2011-12-07 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7583444B1 (en) * 2005-12-21 2009-09-01 3M Innovative Properties Company Process for making microlens arrays and masterforms
US7893410B2 (en) * 2005-12-21 2011-02-22 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for processing multiphoton curable photoreactive compositions
EP1829942B1 (en) 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7491483B2 (en) * 2006-03-06 2009-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, positive resist compositions and patterning process
JP5100115B2 (ja) * 2006-03-16 2012-12-19 東洋合成工業株式会社 スルホニウム塩及び酸発生剤
US8858807B2 (en) * 2006-03-24 2014-10-14 3M Innovative Properties Company Process for making microneedles, microneedle arrays, masters, and replication tools
US7771913B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7300741B2 (en) * 2006-04-25 2007-11-27 International Business Machines Corporation Advanced chemically amplified resist for sub 30 nm dense feature resolution
JP2009537870A (ja) 2006-05-18 2009-10-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 抽出構造体を備えた導光体の製造方法及びその方法で製造された導光体
US7704670B2 (en) * 2006-06-22 2010-04-27 Az Electronic Materials Usa Corp. High silicon-content thin film thermosets
US20070298349A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Ruzhi Zhang Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer
KR101265352B1 (ko) * 2006-07-06 2013-05-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에스테르 화합물과 그의 제조 방법, 고분자 화합물,레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
JP4784753B2 (ja) * 2006-07-06 2011-10-05 信越化学工業株式会社 重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
US7638262B2 (en) 2006-08-10 2009-12-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
US7416834B2 (en) * 2006-09-27 2008-08-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
JP5183903B2 (ja) * 2006-10-13 2013-04-17 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US7666575B2 (en) * 2006-10-18 2010-02-23 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating compositions
JP4784760B2 (ja) * 2006-10-20 2011-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4803377B2 (ja) * 2006-10-25 2011-10-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TWI416253B (zh) 2006-11-10 2013-11-21 Jsr Corp 敏輻射線性樹脂組成物
US7956142B2 (en) * 2006-11-10 2011-06-07 Jsr Corporation Polymerizable sulfonic acid onium salt and resin
TW200836002A (en) * 2006-12-19 2008-09-01 Cheil Ind Inc Photosensitive resin composition and organic insulating film produced using the same
US8530148B2 (en) * 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8637229B2 (en) * 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US7824844B2 (en) * 2007-01-19 2010-11-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Solvent mixtures for antireflective coating compositions for photoresists
US7875408B2 (en) 2007-01-25 2011-01-25 International Business Machines Corporation Bleachable materials for lithography
TWI374478B (en) 2007-02-13 2012-10-11 Rohm & Haas Elect Mat Electronic device manufacture
US8026040B2 (en) * 2007-02-20 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicone coating composition
US7736837B2 (en) * 2007-02-20 2010-06-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition based on silicon polymer
US20100093969A1 (en) * 2007-02-26 2010-04-15 Ruzhi Zhang Process for making siloxane polymers
JP5060986B2 (ja) * 2007-02-27 2012-10-31 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
WO2008104881A1 (en) 2007-02-27 2008-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicon-based antifrelective coating compositions
JP4843710B2 (ja) * 2007-03-20 2011-12-21 富士通株式会社 導電性反射防止膜形成用材料、導電性反射防止膜の形成方法、レジストパターン形成方法、半導体装置、及び磁気ヘッド
JP2008233660A (ja) 2007-03-22 2008-10-02 Fujifilm Corp 浸漬型平版印刷版用自動現像装置およびその方法
ATE471812T1 (de) 2007-03-23 2010-07-15 Fujifilm Corp Negativ-lithografiedruckplattenvorläufer und lithografiedruckverfahren damit
JP4860525B2 (ja) 2007-03-27 2012-01-25 富士フイルム株式会社 硬化性組成物及び平版印刷版原版
US8182975B2 (en) * 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5030638B2 (ja) 2007-03-29 2012-09-19 富士フイルム株式会社 カラーフィルタ及びその製造方法
EP1974914B1 (en) 2007-03-29 2014-02-26 FUJIFILM Corporation Method of preparing lithographic printing plate
EP1975702B1 (en) 2007-03-29 2013-07-24 FUJIFILM Corporation Colored photocurable composition for solid state image pick-up device, color filter and method for production thereof, and solid state image pick-up device
US7498116B2 (en) * 2007-03-30 2009-03-03 Fujifilm Corporation Resist composition and pattern formation method using the same
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
EP1975706A3 (en) 2007-03-30 2010-03-03 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor
EP1975710B1 (en) 2007-03-30 2013-10-23 FUJIFILM Corporation Plate-making method of lithographic printing plate precursor
TWI391788B (zh) 2007-04-06 2013-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 塗覆組成物
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
US20080264672A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Photoimprintable Low Dielectric Constant Material and Method for Making and Using Same
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US20080284039A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 International Business Machines Corporation Interconnect structures with ternary patterned features generated from two lithographic processes
US8017296B2 (en) * 2007-05-22 2011-09-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition comprising fused aromatic rings
EP2006738B1 (en) 2007-06-21 2017-09-06 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor
EP2006091B1 (en) 2007-06-22 2010-12-08 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method
JP5213375B2 (ja) 2007-07-13 2013-06-19 富士フイルム株式会社 顔料分散液、硬化性組成物、それを用いるカラーフィルタ及び固体撮像素子
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
US20090042148A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Munirathna Padmanaban Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof
US20090042133A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Zhong Xiang Antireflective Coating Composition
CN101795840B (zh) * 2007-09-06 2013-08-07 3M创新有限公司 形成模具的方法以及使用所述模具形成制品的方法
CN101796443A (zh) 2007-09-06 2010-08-04 3M创新有限公司 具有提供输出光区域控制的光提取结构的光导装置
WO2009032815A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Tool for making microstructured articles
JP2009083106A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版用版面保護剤及び平版印刷版の製版方法
JP2009085984A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 平版印刷版原版
JP4890403B2 (ja) 2007-09-27 2012-03-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4951454B2 (ja) 2007-09-28 2012-06-13 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作成方法
EP2042311A1 (en) 2007-09-28 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of preparing lithographic printing plate and lithographic printing method
JP5244518B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-24 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP5055077B2 (ja) 2007-09-28 2012-10-24 富士フイルム株式会社 画像形成方法および平版印刷版原版
JP4790682B2 (ja) 2007-09-28 2011-10-12 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4911469B2 (ja) * 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5039492B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5002399B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-15 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版の処理方法
JP5039493B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP4994175B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-08 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版、及びそれに用いる共重合体の製造方法
EP2208100B8 (en) * 2007-10-11 2017-08-16 3M Innovative Properties Company Chromatic confocal sensor
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
JP2009199061A (ja) 2007-11-12 2009-09-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物
WO2009063824A1 (ja) 2007-11-14 2009-05-22 Fujifilm Corporation 塗布膜の乾燥方法及び平版印刷版原版の製造方法
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US7858287B2 (en) * 2007-11-30 2010-12-28 Hyogo Prefecture Photosensitive resin, and photosensitive composition
JP2009139852A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fujifilm Corp 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版
US8455846B2 (en) * 2007-12-12 2013-06-04 3M Innovative Properties Company Method for making structures with improved edge definition
US20090162800A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 David Abdallah Process for Imaging a Photoresist Coated over an Antireflective Coating
JP5066452B2 (ja) 2008-01-09 2012-11-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版用現像処理方法
JP2009186997A (ja) 2008-01-11 2009-08-20 Fujifilm Corp 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版方法
JP5155677B2 (ja) 2008-01-22 2013-03-06 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版、およびその製版方法
TWI452419B (zh) * 2008-01-28 2014-09-11 Az Electronic Mat Ip Japan Kk 細微圖案光罩及其製造方法、及使用其之細微圖案形成方法
JP2009184188A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Fujifilm Corp 平版印刷版原版および印刷方法
US8605256B2 (en) * 2008-02-26 2013-12-10 3M Innovative Properties Company Multi-photon exposure system
JP5175582B2 (ja) 2008-03-10 2013-04-03 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP2009214428A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Fujifilm Corp 平版印刷版原版および平版印刷方法
JP4940174B2 (ja) 2008-03-21 2012-05-30 富士フイルム株式会社 平版印刷版用自動現像装置
JP2009229771A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Fujifilm Corp 平版印刷版用自動現像方法
JP2009236355A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 乾燥方法及び装置
US7989144B2 (en) * 2008-04-01 2011-08-02 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating composition
US20090253081A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 David Abdallah Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
JP5164640B2 (ja) 2008-04-02 2013-03-21 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US7932018B2 (en) * 2008-05-06 2011-04-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition
IL196690A0 (en) * 2008-05-29 2011-08-01 Plasan Sasa Ltd Interchangeable door
US8329387B2 (en) 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
JP5364444B2 (ja) * 2008-07-15 2013-12-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
US20100040838A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Abdallah David J Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image
JP5183380B2 (ja) 2008-09-09 2013-04-17 富士フイルム株式会社 赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US20100119980A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US20100119979A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
JP4753056B2 (ja) * 2008-11-28 2011-08-17 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US20100136477A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Ng Edward W Photosensitive Composition
EP2216683B1 (en) 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Substrates coated with an antireflective composition and a photoresist
EP2216684B1 (en) 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer
US8084186B2 (en) * 2009-02-10 2011-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane
US20100203450A1 (en) 2009-02-11 2010-08-12 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and methods of use
JP5537920B2 (ja) 2009-03-26 2014-07-02 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及び、パターン形成方法
WO2010117102A1 (ko) 2009-04-09 2010-10-14 서강대학교 산학협력단 콜로이드 입자들을 단결정들로 정렬하는 방법
KR20120012792A (ko) 2009-04-15 2012-02-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 이것에 이용하는 중합체 및 이것에 이용하는 화합물
US8501383B2 (en) 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US9244352B2 (en) 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US20100316949A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Rahman M Dalil Spin On Organic Antireflective Coating Composition Comprising Polymer with Fused Aromatic Rings
US8883407B2 (en) 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
CN102804065B (zh) 2009-06-16 2014-07-16 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物
CN101930173B (zh) 2009-06-22 2014-05-14 罗门哈斯电子材料有限公司 光致酸产生剂和其光致抗蚀剂
US9057951B2 (en) 2009-08-26 2015-06-16 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist composition and process for its use
US8883401B2 (en) 2009-09-24 2014-11-11 Fujifilm Corporation Lithographic printing original plate
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US8551686B2 (en) * 2009-10-30 2013-10-08 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
TWI477495B (zh) 2009-12-10 2015-03-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
KR101806155B1 (ko) 2009-12-10 2017-12-07 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 콜레이트 광산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
KR101857467B1 (ko) 2009-12-14 2018-06-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 설포닐 광산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
US8815754B2 (en) 2009-12-15 2014-08-26 Rohm And Haas Electronics Materials Llc Photoresists and methods for use thereof
TWI605310B (zh) 2009-12-15 2017-11-11 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑及其使用方法
JP2011186432A (ja) 2009-12-15 2011-09-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトレジストおよびその使用方法
US8821978B2 (en) 2009-12-18 2014-09-02 International Business Machines Corporation Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom
US8623458B2 (en) 2009-12-18 2014-01-07 International Business Machines Corporation Methods of directed self-assembly, and layered structures formed therefrom
US8486609B2 (en) 2009-12-23 2013-07-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
WO2011083872A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film
US8927190B2 (en) 2010-01-25 2015-01-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist comprising nitrogen-containing compound
US8507192B2 (en) * 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US9223209B2 (en) 2010-02-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Sulfonamide-containing photoresist compositions and methods of use
JP5969171B2 (ja) 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
EP2383611A3 (en) 2010-04-27 2012-01-25 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoacid generators and photoresists comprising same
US8445181B2 (en) 2010-06-03 2013-05-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US8852848B2 (en) 2010-07-28 2014-10-07 Z Electronic Materials USA Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
US8580479B2 (en) 2010-11-03 2013-11-12 Empire Technology Development, Llc Lithography using photoresist with photoinitiator and photoinhibitor
US20120122029A1 (en) 2010-11-11 2012-05-17 Takanori Kudo Underlayer Developable Coating Compositions and Processes Thereof
EP2472327A1 (en) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresists and methods for use thereof
EP2472329B1 (en) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP2472328B1 (en) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
WO2012106512A2 (en) 2011-02-02 2012-08-09 3M Innovative Properties Company Nozzle and method of making same
US8465902B2 (en) 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
JP5386527B2 (ja) * 2011-02-18 2014-01-15 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
US8906590B2 (en) 2011-03-30 2014-12-09 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US9599895B2 (en) 2011-04-12 2017-03-21 Empire Technology Development Llc Lithography using photoresist with photoinitiator and photoinhibitor
JP5772717B2 (ja) * 2011-05-30 2015-09-02 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8623589B2 (en) 2011-06-06 2014-01-07 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions and processes thereof
CN103608726B (zh) 2011-06-08 2016-11-09 3M创新有限公司 包含聚合物系留的纳米颗粒的光致抗蚀剂
US8568958B2 (en) 2011-06-21 2013-10-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof
JP5889568B2 (ja) 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
US20130108956A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite positive photosensitive composition and use thereof
US20130105440A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite negative photosensitive composition and use thereof
US9962430B2 (en) 2012-02-15 2018-05-08 Chirhoclin, Inc. Methods for treating pain associated with chronic pancreatitis
WO2013134104A2 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Microchem Corp. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
JP5490168B2 (ja) 2012-03-23 2014-05-14 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP5512730B2 (ja) 2012-03-30 2014-06-04 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
US8846295B2 (en) 2012-04-27 2014-09-30 International Business Machines Corporation Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof
US11406718B2 (en) 2012-05-29 2022-08-09 Chirhoclin, Inc. Methods of detecting pancreobiliary ductal leaks
US9170494B2 (en) 2012-06-19 2015-10-27 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective compositions and methods of using same
US8906592B2 (en) 2012-08-01 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating composition and process thereof
US9315636B2 (en) 2012-12-07 2016-04-19 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds, their compositions and methods
US20150060113A1 (en) 2013-01-22 2015-03-05 Yongcai Wang Photocurable composition, article, and method of use
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9291909B2 (en) 2013-05-17 2016-03-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof
US9152051B2 (en) 2013-06-13 2015-10-06 Az Electronics Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating composition and process thereof
US9201305B2 (en) 2013-06-28 2015-12-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US9296922B2 (en) 2013-08-30 2016-03-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use
US20150110867A1 (en) 2013-10-23 2015-04-23 Lawrence Livermore National Security, Llc Techniques for release of material into an environment
US9005854B1 (en) 2013-11-05 2015-04-14 Eastman Kodak Company Electroless plating method using halide
US9023560B1 (en) 2013-11-05 2015-05-05 Eastman Kodak Company Electroless plating method using non-reducing agent
US8936890B1 (en) 2013-11-05 2015-01-20 Eastman Kodak Company Electroless plating method
US9128378B2 (en) 2013-11-05 2015-09-08 Eastman Kodak Company Forming conductive metal patterns with reactive polymers
US9122161B2 (en) 2013-11-05 2015-09-01 Eastman Kodak Company Electroless plating method using bleaching
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US9155201B2 (en) 2013-12-03 2015-10-06 Eastman Kodak Company Preparation of articles with conductive micro-wire pattern
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9418836B2 (en) 2014-01-14 2016-08-16 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Polyoxometalate and heteropolyoxometalate compositions and methods for their use
US9409793B2 (en) 2014-01-14 2016-08-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin coatable metallic hard mask compositions and processes thereof
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9274426B2 (en) 2014-04-29 2016-03-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating compositions and processes thereof
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
JP6363431B2 (ja) 2014-08-27 2018-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9499698B2 (en) 2015-02-11 2016-11-22 Az Electronic Materials (Luxembourg)S.A.R.L. Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates
US10241409B2 (en) 2015-12-22 2019-03-26 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same
JP7008075B2 (ja) 2016-12-21 2022-01-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 金属酸化物ナノ粒子及び有機ポリマーを含むスピンオン材料の組成物
WO2019048393A1 (en) 2017-09-06 2019-03-14 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. AN INORGANIC OXIDE-CONTAINING VINYL DEPOSITION COMPOSITION USEFUL AS HARD MASKS AND FILLING MATERIALS HAVING ENHANCED THERMAL STABILITY
WO2020016389A1 (en) 2018-07-19 2020-01-23 Lintfield Limited Thioxanthone derivatives, composition comprising the same and pattern forming method comprising said composition
GB202000736D0 (en) 2020-01-17 2020-03-04 Lintfield Ltd Modified thioxanthone photoinitators
US11744878B2 (en) 2020-08-19 2023-09-05 Chirhoclin, Inc. Methods for treatment of COVID-19 syndrome
TW202302514A (zh) 2021-05-06 2023-01-16 德商馬克專利公司 旋塗式金屬有機調配物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB844039A (en) * 1959-02-20 1960-08-10 Kalle & Co Ag Improvements in or relating to photo-mechanical reproduction
US3515552A (en) * 1966-09-16 1970-06-02 Minnesota Mining & Mfg Light-sensitive imaging sheet and method of using
US3536489A (en) * 1966-09-16 1970-10-27 Minnesota Mining & Mfg Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions
US3782939A (en) * 1972-02-09 1974-01-01 Mining And Mfg Co Dry positive-acting photoresist
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
US4210449A (en) * 1972-10-16 1980-07-01 American Can Company Radiation sensitive composition comprising copolymer of glycidyl methacrylate and allyl glycidyl ether and diazonium salt of complex halogenide
US3859099A (en) * 1972-12-22 1975-01-07 Eastman Kodak Co Positive plate incorporating diazoquinone
CA1005673A (en) * 1972-12-22 1977-02-22 Constantine C. Petropoulos Positive printing plate incorporating diazoquinone
US3984253A (en) * 1974-04-22 1976-10-05 Eastman Kodak Company Imaging processes and elements therefor
CH621416A5 (ja) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
US4193799A (en) * 1976-07-09 1980-03-18 General Electric Company Method of making printing plates and printed circuit
JPS5381116A (en) * 1976-12-25 1978-07-18 Agency Of Ind Science & Technol Radiation sensitive polymer and its working method
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
US4273668A (en) * 1977-09-14 1981-06-16 General Electric Company Arylsulfonium salt-solvent mixtures
US4250053A (en) * 1979-05-21 1981-02-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sensitized aromatic iodonium or aromatic sulfonium salt photoinitiator systems
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS5629232A (en) * 1979-08-16 1981-03-24 Fujitsu Ltd Pattern forming material
JPS5639539A (en) * 1979-09-07 1981-04-15 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Pattern forming method
NL8101200A (nl) * 1981-03-12 1982-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.
JPS5868743A (ja) * 1981-10-21 1983-04-23 Hitachi Ltd 放射線感応性有機高分子材料

Cited By (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229242A (ja) * 1986-02-24 1987-10-08 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション イミド含有ポリマ−の高解像力ホトレジスト
JPS6327829A (ja) * 1986-06-13 1988-02-05 マイクロサイ，インコーポレイテッド レジスト組成物およびその使用
JPS6435433A (en) * 1987-07-01 1989-02-06 Basf Ag Radiation sensitive mixture for photosensitive layer forming material
JPH0218564A (ja) * 1988-05-19 1990-01-22 Basf Ag 感放射線混合物及びレリーフパターン作製方法
US5290666A (en) * 1988-08-01 1994-03-01 Hitachi, Ltd. Method of forming a positive photoresist pattern utilizing contrast enhancement overlayer containing trifluoromethanesulfonic, methanesulfonic or trifluoromethaneacetic aromatic diazonium salt
JPH0240658A (ja) * 1988-08-01 1990-02-09 Hitachi Ltd 感放射線組成物及びパターン形成方法
US5118582A (en) * 1989-03-20 1992-06-02 Hitachi, Ltd. Pattern forming material and process for forming pattern using the same
EP0410606A2 (en) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
JPH03223858A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH03289658A (ja) * 1990-04-06 1991-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ画像の形成方法
JPH04158363A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Mitsubishi Electric Corp パターン形成用レジスト材料
EP0523245B1 (en) * 1991-02-01 1996-07-17 Nippon Paint Co., Ltd. Method for manufacturing multiple color display device
JPH04350658A (ja) * 1991-05-28 1992-12-04 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材
US5314931A (en) * 1991-05-28 1994-05-24 Shin-Etsu Chemical Co., Limited Resist compositions
JPH04359906A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリ（パラ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）及びその製造方法
JPH055993A (ja) * 1991-06-28 1993-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
JPH06266112A (ja) * 1992-11-03 1994-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 改良型フォトレジスト組成物
JPH06266106A (ja) * 1992-12-31 1994-09-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 放射線感受性レジスト組成物及びその使用
US6319649B1 (en) 1994-10-13 2001-11-20 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition and method of forming resist images
US5955606A (en) * 1995-09-14 1999-09-21 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. N-vinyllactam derivatives and polymer thereof
EP0788031A1 (en) 1996-02-05 1997-08-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
US6410204B1 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
US6623907B2 (en) 2000-02-04 2003-09-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP2002146316A (ja) * 2000-02-28 2002-05-22 Nitto Denko Corp 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
JP2001348553A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Nitto Denko Corp 粘着剤組成物とその粘着シ―ト類およびこれらの製造方法
JP2002167566A (ja) * 2000-12-01 2002-06-11 Nitto Denko Corp 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
JP2002229220A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂
JP4697827B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-08 三菱レイヨン株式会社 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂
US7192682B2 (en) 2002-06-28 2007-03-20 Nec Corporation Unsaturated monomers, polymers, chemically-amplified resist composition, and process of pattern formation
JP2004043732A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Three M Innovative Properties Co 発泡性接着剤組成物
US7521169B2 (en) 2002-10-29 2009-04-21 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US7638261B2 (en) 2002-10-29 2009-12-29 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US7217492B2 (en) 2002-12-25 2007-05-15 Jsr Corporation Onium salt compound and radiation-sensitive resin composition
US8163852B2 (en) 2003-02-20 2012-04-24 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Resist polymer and method for producing the polymer
US7220808B2 (en) 2003-03-10 2007-05-22 Maruzen Petrochemical Co. Ltd. Thiol compound, copolymer and method for producing the copolymer
US7838606B2 (en) 2003-10-30 2010-11-23 Maruzen Petrochemical Co., Ltd Production process of copolymer for semiconductor lithography
US7709182B2 (en) 2004-12-03 2010-05-04 Jsr Corporation Composition for forming antireflection film, layered product, and method of forming resist pattern
US7514205B2 (en) 2005-03-17 2009-04-07 Jsr Corporation Composition for forming antireflection film, laminate, and method for forming resist pattern
JP2006290798A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Jsr Corp オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2006290797A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Jsr Corp オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
US7695889B2 (en) 2005-05-10 2010-04-13 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for semiconductor lithography and process for production thereof
US8206888B2 (en) 2005-11-25 2012-06-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
WO2007060919A1 (ja) 2005-11-25 2007-05-31 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
US8067516B2 (en) 2006-05-18 2011-11-29 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for positive type lithography, polymerization initiator used in production of said copolymer, and composition for semiconductor lithography
US8709698B2 (en) 2006-05-18 2014-04-29 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for positive type lithography, polymerization initiator used in production of said copolymer, and composition for semiconductor lithography
US8859180B2 (en) 2006-10-23 2014-10-14 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer and composition for semiconductor lithography and process for producing the copolymer
US8211615B2 (en) 2006-11-07 2012-07-03 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for immersion lithography and compositions
KR101450926B1 (ko) * 2006-12-06 2014-10-14 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 반도체 리소그래피용 공중합체와 그 제조 방법
US7960494B2 (en) 2006-12-06 2011-06-14 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Copolymer for semiconductor lithography and process for producing the same
US8030419B2 (en) 2006-12-22 2011-10-04 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Process for producing polymer for semiconductor lithography
JP2013117739A (ja) * 2006-12-25 2013-06-13 Fujifilm Corp パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8227183B2 (en) 2006-12-25 2012-07-24 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP2015057667A (ja) * 2006-12-25 2015-03-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8951718B2 (en) 2006-12-25 2015-02-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US9291904B2 (en) 2006-12-25 2016-03-22 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP2013054377A (ja) * 2006-12-25 2013-03-21 Fujifilm Corp パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US9465298B2 (en) 2006-12-25 2016-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP2010244062A (ja) * 2006-12-25 2010-10-28 Fujifilm Corp パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8017304B2 (en) 2007-04-13 2011-09-13 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
US8241840B2 (en) 2007-04-13 2012-08-14 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
US7985534B2 (en) 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US8071272B2 (en) 2007-06-12 2011-12-06 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8017298B2 (en) 2007-06-12 2011-09-13 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8895225B2 (en) 2007-06-12 2014-11-25 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US9458343B2 (en) 2007-06-12 2016-10-04 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP2008309878A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088557B2 (en) 2007-06-12 2012-01-03 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US7998655B2 (en) 2007-06-12 2011-08-16 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US9176386B2 (en) 2007-06-12 2015-11-03 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2008309879A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US9046782B2 (en) 2007-06-12 2015-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same
US8852847B2 (en) 2007-06-12 2014-10-07 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8802348B2 (en) 2007-08-09 2014-08-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP2008001914A (ja) * 2007-09-13 2008-01-10 Mitsubishi Rayon Co Ltd 化学増幅型レジスト用樹脂
US8377625B2 (en) 2008-10-30 2013-02-19 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Method for producing a copolymer solution with a uniform concentration for semiconductor lithography
US9200098B2 (en) 2009-09-11 2015-12-01 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition and compound
US9140984B2 (en) 2009-12-22 2015-09-22 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition
US9040221B2 (en) 2010-05-20 2015-05-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9261780B2 (en) 2010-05-20 2016-02-16 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9128370B2 (en) 2010-08-17 2015-09-08 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition and compound
KR20120122947A (ko) 2010-08-19 2012-11-07 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 중합체 및 화합물
US8765355B2 (en) 2010-08-19 2014-07-01 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition, method for forming a pattern, polymer and compound
US9023584B2 (en) 2010-11-26 2015-05-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, and compound
US8859192B2 (en) 2010-11-30 2014-10-14 Fujifilm Corporation Negative pattern forming method and resist pattern
JP2012133329A (ja) * 2010-11-30 2012-07-12 Fujifilm Corp ネガ型パターン形成方法及びレジストパターン
WO2012074122A1 (en) * 2010-11-30 2012-06-07 Fujifilm Corporation Negative pattern forming method and resist pattern
US9304393B2 (en) 2010-12-28 2016-04-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and compound
KR20180132965A (ko) 2011-02-04 2018-12-12 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물
KR20180069113A (ko) 2011-02-04 2018-06-22 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물
US9229323B2 (en) 2011-02-04 2016-01-05 Jsr Corporation Pattern-forming method
US8802350B2 (en) 2011-04-11 2014-08-12 Jsr Corporation Photoresist composition, resist-pattern forming method, polymer, and compound
KR20140050053A (ko) 2011-08-16 2014-04-28 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물
KR20130038169A (ko) 2011-10-07 2013-04-17 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US9268219B2 (en) 2011-10-07 2016-02-23 Jsr Corporation Photoresist composition and resist pattern-forming method
US8968586B2 (en) 2012-02-15 2015-03-03 Jsr Corporation Pattern-forming method
KR20140135957A (ko) 2012-03-19 2014-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 화합물 및 그의 제조 방법
KR20190126934A (ko) 2012-03-19 2019-11-12 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 화합물 및 그의 제조 방법
KR20140135985A (ko) 2012-03-19 2014-11-27 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물
US9594303B2 (en) 2012-03-19 2017-03-14 Jsr Corporation Resist pattern-forming method and photoresist composition
US9477149B2 (en) 2012-03-19 2016-10-25 Jsr Corporation Photoresist composition, compound, and production method thereof
KR20130111997A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US9329474B2 (en) 2012-04-02 2016-05-03 Jsr Corporation Photoresist composition and resist pattern-forming method
CN105005181A (zh) * 2012-10-31 2015-10-28 富士胶片株式会社 化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途
US10705428B2 (en) 2012-10-31 2020-07-07 Fujifilm Corporation Organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, container for organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, and pattern forming method, method of manufacturing electronic device, and electronic device using the same
JP2015007807A (ja) * 2012-10-31 2015-01-15 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
KR20150143411A (ko) 2013-04-17 2015-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 소자의 제조 방법 및 이온 주입 방법
KR20150020083A (ko) 2013-08-13 2015-02-25 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 방법, 기판의 가공 방법 및 포토레지스트 조성물
US9417527B2 (en) 2013-08-13 2016-08-16 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, substrate-processing method, and photoresist composition
US9817311B2 (en) 2013-08-13 2017-11-14 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, substrate-processing method, and photoresist composition
JP2016033182A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 住友化学株式会社 組成物およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0404206A3 (en) 1991-02-27
EP0404206B1 (en) 1996-09-04
EP0404206A2 (en) 1990-12-27
DE3382809T2 (de) 1997-04-03
EP0102450A2 (en) 1984-03-14
JPH0227660B2 (ja) 1990-06-19
EP0102450B1 (en) 1991-09-04
US4491628A (en) 1985-01-01
DE3382809D1 (de) 1996-10-10
EP0102450A3 (en) 1986-10-15
DE3382401D1 (de) 1991-10-10

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