DE10147953B4 - CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht - Google Patents

CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht Download PDF

Info

Publication number
DE10147953B4
DE10147953B4 DE10147953A DE10147953A DE10147953B4 DE 10147953 B4 DE10147953 B4 DE 10147953B4 DE 10147953 A DE10147953 A DE 10147953A DE 10147953 A DE10147953 A DE 10147953A DE 10147953 B4 DE10147953 B4 DE 10147953B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
polymer
biocompatible compound
biocompatible
groups
anchor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10147953A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10147953A1 (de
Inventor
Klaus Dr. Elian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10147953A priority Critical patent/DE10147953B4/de
Priority to US10/262,179 priority patent/US6686131B2/en
Publication of DE10147953A1 publication Critical patent/DE10147953A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10147953B4 publication Critical patent/DE10147953B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung biokompatibler Strukturen, wobei ein chemisch verstärkter Fotoresist, der ein Polymer enthält, welches Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung umfasst, auf einem Substrat aufgetragen und strukturiert wird, so dass ein strukturierter Resist erhalten wird, und der strukturierte Resist mit einer biokompatiblen Verbindung behandelt wird, so dass die biokompatible Verbindung an die Ankergruppen des Polymers koordiniert wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung biokompatibler Strukturen sowie einen biokompatiblen Mikrochip.
  • Die Bioelektronik ist ein sich schnell entwickelndes Forschungsgebiet, das Chemie, Biochemie und Physik verbindet. Ihr Ziel ist die Kommunikation zwischen elektronischen Vorrichtungen und lebenden Zellen. Hauptmerkmal eines bioelektronischen Bauteils ist die Immobilisierung eines Biomaterials auf einem leitenden oder halbleitenden Träger und die Umwandlung von biologischen Funktionen, die mit dem biologischen Material verbunden sind, in elektronische Signale. Beispiele für mikroelektronische Bauteile, mit denen biologische Funktionen beeinflusst und gesteuert werden können, sind Herzschrittmacher sowie Innenohr-Hörprothesen. Die Entwicklung derartiger bioelektronischer Bauteile führt hin zu immer komplexeren Systemen, in denen eine Vielzahl von Übertragungskanälen für den Informationsübergang zwischen elektronischem Bauteil und den zu beeinflussenden Zellen erforderlich sind. So befinden sich zum Beispiel Retina-Implantate oder Geh-/Stehprothesen in der Entwicklung. Dafür ist es notwendig, Implantate zu entwickeln, die mit zahlreichen Kontaktpunkten sowohl Nervengewebe in zeitlich versetzter Abfolge stimulieren als auch eine Vielzahl von Nervensignalen räumlich und zeitlich gut aufgelöst erfassen können. Hierbei scheiden allerdings metallische Elektroden, wie sie bei Herzschrittmachern verwendet werden, meist aus, da diese als Fremdkörper erkannt werden und so zu Abstoßungsreaktionen führen. Man versucht daher, den elektrischen Kontakt zwischen elektronischem Bauteil und biologischem Gewebe mit Hilfe von Polymeren, wie zum Beispiel Silikonen oder Polyurethan herzustellen. Dazu müssen die Polymere allerdings elektrisch leitend und zusätzlich biokompatibel sein, das heißt, die Materialien dürfen keine Abstoßungsreaktion auslösen. Um Nervenbahnen gezielt ankontaktieren zu können, ist eine Strukturierung dieser Materialien oder der verwendeten Substrate, zum Beispiel Minisiliziumplättchen mit Abmessungen im Bereich von wenigen mm, notwendig. Die Größe der in bzw. auf dem Substrat erzeugten Strukturen, wie Pyramiden oder Löcher, liegt dabei in einem Bereich von 10 μm bis ungefähr 70 μm. Das kritischste Element in der Bioelektronik ist die Schnittstelle zwischen Elektronik und biologischem Gewebe. Um einen geeigneten Kontakt herzustellen, geht man bisher zum Beispiel in der Weise vor, dass zunächst ca. 25 μm tiefe pyramidenförmige Vertiefungen in einen Siliziumchip eingeätzt werden. Die Vertiefungen werden anschließend zunächst mit leitfähigem Silikon angefüllt und anschließend eine zweite Schicht aus nicht leitfähigem Silikon aufgetragen. Die Polymeren werden anschließend vernetzt und die strukturierte flexible Schicht dann vom Siliziumchip abgezogen. Zu den auf der Oberfläche der flexiblen Schicht entstandenen Siliziumnoppen wird schließlich über einzelne Anschlussleitungen ein Kontakt hergestellt. Nach einem ähnlichen Prinzip können rechteckige Gruben mit winzigen Abmessungen aus Polyurethan hergestellt werden, welche als Mikroküvetten für die Kultivierung von Nervenzellen fungieren können. Um einzelne Neuronen gezielt an Mikrosysteme anschließen zu können, werden auf der Oberfläche des Substrats unterstützende Strukturen, wie zum Beispiel grabenähnliche Mikrostrukturen vorgesehen. Ferner werden auf der Oberfläche Haftvermittler aufgetragen, welche das Aufwachsen von Zellen auf der Oberfläche des Substrats erleichtern. In solchen Strukturen wachsen ausgesäte Zellen zu netzartigen Gebilden heran und es bilden sich biohybride Systeme in Form zellenbewachsener Mikrochips aus. Als Haftvermittler an der Grenzfläche kommen Materialien in Betracht, die das Zellwachstum fördern und die Adhäsion der Zellen unterstützen.
  • Trotz der zahlreichen Aktivitäten auf dem Gebiet der Bioelektronik befindet sich dieses Gebiet noch in einem experimentellen Stadium, so dass insbesondere im Bereich der Schnittstelle zwischen elektronischem Bauteil und Zellen erhebliche Fortschritte erforderlich sind, um dieses Gebiet für eine medizinische Anwendung in der Praxis zugänglich zu machen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung biokompatibler Strukturen zur Verfügung zu stellen, welches einfach durchzuführen ist und die Herstellung einer Kontaktmatrix mit vielen Kontaktpunkten ermöglicht.
  • Die Aufgabe wird gelöst mit einem Verfahren zur Herstellung biokompatibler Strukturen, wobei ein chemisch verstärkter Fotoresist, der ein Polymer enthält, welches Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung umfasst, auf einem Substrat aufgetragen und strukturiert wird, so dass ein strukturierter Resist erhalten wird, und der strukturierte Resist mit einer biokompatiblen Verbindung behandelt wird, so dass die biokompatible Verbindung an die Ankergruppen des Polymers koordiniert wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren nutzt eine Technik, wie sie bei der lithographischen Strukturierung von Halbleiterchips verwendet wird. Diese Technik ist sehr weit entwickelt, und es lassen sich mit ihrer Hilfe Strukturen bis hinab in den Bereich von weniger als 100 nm erzeugen. Für bioelektronische Anwendungen werden, wie bereits oben erwähnt, Strukturen mit Abmessungen im Bereich von ca. 25 μm benötigt. Strukturen in diesen Abmessungen lassen sich daher mit den bekannten Fotoresists und Abbildungstechniken ohne weiteres darstellen. Das im Fotoresist verwendete Polymer muss lediglich Ankergruppen aufweisen, welche die nachträgliche Anbindung biokompatibler Substanzen ermöglicht. Eine nachträgliche Modifikation von Fotoresists ist bereits aus der Strukturierung von Halblei tern bekannt. Bei diesem Verfahren werden die auf einem Substrat erzeugten Resiststrukturen nachträglich durch Anknüpfung von Aufweitungsreagentien auf geweitet, um auf diese Weise Strukturen herstellen zu können, deren Abmessungen unterhalb der Auflösungsgrenze der zur Belichtung verwendeten optischen Apparaturen liegen. Derartige Resists und Aufweitungsverfahren werden beispielsweise in der EP 0395 917 B1 und der US 5,234,793 A beschrieben (CARL: Chemical Amplification of Resist Lines).
  • Für die Herstellung der biokompatiblen Strukturen können an sich alle chemisch verstärkten Fotoresists wie auch alle bekannten Strukturierungsverfahren eingesetzt werden. Erforderlich ist lediglich, dass am strukturierten Resist noch Gruppen vorhanden sind, welche die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung ermöglichen. Es können sowohl positive wie auch negative chemisch verstärkte Fotoresists verwendet werden. Bei den positiven chemisch verstärkten Resists werden im Entwicklungsschritt die belichteten Abschnitte des Fotoresists mit einer Entwicklungslösung entfernt, während die unbelichteten Bereiche als Stege auf dem Substrat verbleiben. Dies wird dadurch erreicht, dass durch die Belichtung ein Katalysator freigesetzt wird, welcher das Polymer des Fotoresists in seiner chemischen Natur so verändert, dass eine deutliche Differenzierung zwischen belichteten und unbelichteten Bereichen erreicht wird. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass Gruppen am Polymer abgespalten werden, wodurch sich die Polarität des Polymers deutlich erhöht, so dass es in wässrigen Entwicklern löslich wird. Es können auch negativ strukturierbare Resists verwendet werden, bei denen die belichteten Bereiche auf dem Substrat als Stege verbleiben, während die unbelichteten Bereiche mit einem wässrigen Entwickler entfernt werden. Die chemische Differenzierung zwischen unbelichteten und belichteten Abschnitten wird dabei meist in der Weise durchgeführt, dass durch die Belichtung ein Katalysator freigesetzt wird, welcher bei spielsweise eine Vernetzung des Polymers des Fotoresists be wirkt, wodurch dieses in wässrigen Entwicklern unlöslich wird. Im Entwicklungsschritt werden dann die unbelichteten Bereiche, die meist Verbindungen mit hoher Polarität aufweisen, mit einem wässrigen Entwickler entfernt. Es können auch modifizierte Verfahren angewendet werden, die auf den oben erwähnten positiven und negativen chemisch verstärkten Fotoresistsystemen beruhen. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise in der US 4,491,628 beschrieben. Dabei wird die auf einem Substrat aufgetragene Schicht eines positiven Fotoresists zunächst belichtet, wobei aus einem Fotosäurebildner eine Säure freigesetzt wird. Im anschließenden Verstärkungsschritt werden durch Tempern in den belichteten Bereichen säurelabile Gruppen vom Polymer abgespalten, so dass dieses nun in einer polaren Form vorliegt. Im Unterschied zum oben beschriebenen positiven Entwicklungsverfahren wird nun nicht mit einem polaren wässrigen Entwickler entwickelt, sondern es wird für die Entwicklung ein unpolares Lösungsmittel verwendet. Dadurch werden nur die unbelichteten Bereiche vom Substrat abgelöst, in denen das Polymer seine ursprüngliche unpolare Form beibehalten hat. Da die polaren Anteile des Resists, in denen durch die Belichtung polare Gruppen erzeugt wurden, beispielsweise Carbonsäuregruppen, in unpolaren Lösungsmitteln unlöslich sind, verbleiben diese als Stege auf dem Substrat.
  • Für die Herstellung eines strukturierten Resists kann auch in Verfahren angewandt werden, wie es beispielsweise in der WO 01/42860 A1 beschrieben ist. Dabei enthält der Fotoresist eine Fotobase wie auch eine Thermosäure. Bei der Belichtung des Fotoresists wird in den belichteten Bereichen eine Base freigesetzt. Wird der Fotoresist anschließend erwärmt, so wird aus dem Thermosäurebildner eine Säure freigesetzt. In den belichteten Bereichen wird die Säure durch die zuvor freigesetzte Base neutralisiert und steht daher nicht mehr als Katalysator zur Verfügung. In den unbelichteten Bereichen katalysiert die Säure die Abspaltung säurelabiler Gruppen aus dem Polymer. Das Polymer wird daher in den unbelichteten Bereichen von seiner unpolaren Form in eine polare Form überführt. Im anschließenden Entwicklerschritt können daher die unbelichteten Bereiche mit einem wässrig-alkalischen Entwickler selektiv vom Substrat abgelöst werden, während die belichteten Bereiche als Stege auf dem Substrat verbleiben.
  • Bei allen diesen Verfahren ist es wesentlich, dass nach der Strukturierung des Fotoresists noch Gruppen für die Anbindung der biokompatiblen Verbindung zur Verfügung stehen.
  • Bevorzugt wird für die Strukturierung des Fotoresists jedoch ein Verfahren. eingesetzt, wie es in der EP 0 395 917 B1 beschrieben ist. Es wird ein positiver Fotoresist verwendet, an welchem nach dem Belichten, Verstärken und Entwickeln in einem weiteren Schritt die biokompatible Verbindung angeknüpft wird.
  • Das Verfahren umfasst in dieser Ausführungsform die folgenden Schritte:
    Aufbringen eines chemisch verstärkten Fotoresists auf ein Substrat, wobei der Fotoresist die folgenden Komponenten enthält:
    ein Polymer, welches säurelabile Gruppen umfasst, die nach ihrer Abspaltung eine polare Gruppe freisetzen, wodurch die Löslichkeit des Polymers in wässrig-alkalischen Entwicklern erhöht wird, das weiter Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung aufweist, wobei die Ankergruppen auch in geschützter Form vorliegen können;
    einen Fotosäurebildner;
    ein Lösungsmittel;
    Trocknen des Fotoresists, wobei ein Fotoresistfilm erhalten wird;
    abschnittsweises Belichten des Fotoresistfilms;
    Tempern des belichteten Fotoresistfilms, wobei in den belichteten Abschnitten die säurelabilen Gruppen vom Polymer abgespalten werden;
    Entwickeln des belichteten und getemperten Fotoresistfilms mit einer wässrig-alkalischen Entwicklerlösung, wobei die belichteten Abschnitte des Fotoresistfilms vom Substrat abgelöst werden und ein strukturierter Resist erhalten wird;
    Freisetzen der Ankergruppen sofern die Ankergruppen in geschützter Form vorliegen,
    Aufbringen einer Lösung einer biokompatiblen Verbindung, wobei die biokompatible Verbindung an die Ankergruppen des Polymers koordiniert wird;
    Entfernen überschüssiger Lösung der biokompatiblen Verbindung.
  • Als Polymer können für den Fotoresist solche Polymere eingesetzt werden, welche nach der Entwicklung noch eine Gruppe aufweisen, an welche die biokompatible Verbindung koordinieren kann. Die Polymere müssen ausreichende Filmbildungseigenschaften aufweisen, um einen gleichmäßigen Film des Fotoresists auf dem Substrat erzeugen zu können. Es können alle Polymere eingesetzt werden, die in der Polymerkette oder seitenständig säurelabile Gruppen mit geringer Alkalilöslichkeit besitzen, welche durch katalytische Einwirkung von Säure und gegebenenfalls einer gleichzeitigen Temperaturbehandlung (Kontrastierung) polare Gruppen, zum Beispiel saure Gruppen, am Polymer erzeugen. Als säurelabile Gruppen kommen zum Bei spiel in Betracht: tert.-Alkylester-, tert.-Butoxycarbonyloxy-, Tetrahydrofuranyloxy-, Tetrahydropyranyloxy-, tert.-Butylether-, Lacton- oder Acetalgruppen. Tert.-Butylestergruppen sind besonders bevorzugt.
  • Das filmbildende Polymer kann daher durch Polymerisation oder Copolymerisation entsprechender Monomere erhalten werden. Als Monomere sind beispielsweise Acrylate, Methacrylate, Maleinsäuremono- und -diester, Itaconsäuremono- und -diester, Norbornencarbonsäureester oder auch Norbonendicarbonsäuremono- und -diester geeignet. Entsprechende Wiederholungseinheiten des Polymers sind im Weiteren dargestellt. Y steht dabei für einen durch Säure abspaltbaren Rest, wie er beispielsweise in einer der oben genannten säurelabilen Gruppen enthalten ist und nach dessen Abspaltung die polare Gruppe, beispielsweise eine Carboxyl- oder eine Hydroxylgruppe freigesetzt wird, und R1 für einen nicht säurelabilen Rest, beispielsweise für eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen. Ferner bezeichnet n eine ganze Zahl zwischen 1 und 10.
    Figure 00080001
    Figure 00090001
  • Die Abspaltung des säurelabilen Restes aus der säurelabilen Gruppe unter Freisetzung der polaren Gruppe ist im Folgenden beispielhaft an zwei bevorzugten Wiederholungseinheiten dargestellt. Im ersten Beispiel umfasst die Wiederholungseinheit eine tert.-Butylestergruppe, aus der unter Einwirkung von Säure eine Carboxylgruppe freigesetzt wird.
    Figure 00090002
  • Im zweiten Beispiel umfasst die säurelabile Gruppe einen tert.-Butoxycarbonyloxyrest. Unter Einwirkung von Säure wird als polare Gruppe daher eine saure Hydroxylgruppe freigesetzt.
    Figure 00090003
  • Diese Monomeren können mit weiteren Monomeren copolymerisiert werden. Ein geeignetes Monomer ist beispielsweise Styrol. Neben den genannten Monomeren können auch andere für die Herstellung von in Fotoresists enthaltenen Polymeren übliche Monomere verwendet werden. Beispielsweise können cycloaliphatische Gruppen durch Copolymerisation von Norbornen und Norbornenderivaten eingeführt werden. Siliziumhaltige Gruppen lassen sich durch Copolymerisation von Trialkylallylsilanen einführen. Die genaue Zusammensetzung des Polymeren hängt von den Eigenschaften ab, die für die weitere Prozessierung gefordert werden. Wird der Fotoresist zum Beispiel auch zum Ätzen des Substrats verwendet, so muss dieser eine ausreichende Ätzresistenz aufweisen. Dies wird erreicht, indem in das Polymer siliziumhaltige Gruppen, aromatische Gruppen oder alicyclische Gruppen eingeführt werden.
  • Als Fotosäurebildner können die für Fotoresists üblichen Fotorsäurebildner eingesetzt werden. Bevorzugt werden Oniumverbindungen verwendet, wie sie beispielsweise in der EP 0 955 562 A1 beschrieben sind.
  • Als Lösungsmittel des Resists kann zum Beispiel Methoxypropylacetat, Cyclopentanon, Cyclohexanon, γ-Butyrolacton, Ethyllactat, Diethylenglykoldimethylether oder ein Gemisch aus wenigstens zwei dieser Verbindungen verwendet werden. Allgemein können aber alle gängigen Lösungsmittel oder deren Gemische verwendet werden, die in der Lage sind, die Resistkomponenten in einer klaren, homogenen und lagerstabilen Lösung aufzunehmen, die bei der Beschichtung des Substrates eine gute Schichtqualität gewährleisten.
  • Der Fotoresist wird mit gängigen Verfahren auf dem Substrat aufgetragen, zum Beispiel durch Aufschleudern, Aufsprühen oder Tauchverfahren. Anschließend wird das Lösungsmittel mit gängigen Verfahren entfernt. Dazu wird im Allgemeinen das Substrat mit dem Resistfilm erwärmt.
  • Anschließend erfolgt ein Belichten des Resistfilms, wozu ebenfalls die gängigen Verfahren angewandt werden können. Die Belichtung kann beispielsweise mittels einer Fotomaske erfolgen oder auch durch direkte Belichtung mit fokussierten Elektronen oder Ionen. Bevorzugt weist die Belichtungsstrahlung eine Wellenlänge im Bereich von 10 bis 400 nm auf. Da für die biokompatiblen Strukturen keine besonders hohe Auflösung gefordert ist, wird üblicherweise Licht einer Wellenlänge von 365 nm, 248 nm oder 193 nm verwendet, wie es auch bei der Herstellung von Mikrochips verwendet wird. In den belichteten Bereichen wird aus dem Fotosäurebildner eine Säure freigesetzt und es entsteht ein latentes Bild der gewünschten Struktur. Nach dem Belichten des Resistfilms erfolgt ein Kontrastierungsschritt, in dem das latente Bild verstärkt und in das Polymer des Fotoresists eingeprägt wird, so dass der Fotoresist nun ein chemisches Profil aufweist. Dazu wird das Substrat mit dem belichteten Resistfilm erhitzt, im Allgemeinen auf Temperaturen von 80 bis 200°C. Beim Tempern werden unter dem katalytischen Einfluss der Säure die säurelabilen Gruppen am Polymer gespalten und polare Gruppen freigesetzt. Das Polymer weist nun eine hohe Polarität und damit eine Löslichkeit in polaren Lösungsmitteln auf. Die belichteten Bereiche können daher mit einer wässrig-alkalischen Entwicklerlösung abgelöst werden. Als Entwicklerlösung kann beispielsweise eine 2,38 %-ige Lösung aus Tetramethylammoniumhydroxid in Wasser verwendet werden. Nach der Entwicklung wird ein strukturierter Resist erhalten, welcher Strukturelemente aufweist, auf die später die Zellen aufwachsen sollen. Um die biokompatible Verbindung in den strukturierten Fotoresist einführen zu können, muss das Polymer entsprechende Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung aufweisen. Dazu kann in der Weise vorgegangen werden, dass der strukturierte Fotoresist, welcher noch säurelabile Gruppen umfasst, flutbelichtet wird. Dabei wird in den zuvor unbelichteten Bereichen nun ebenfalls eine Säure freigesetzt.
  • Unter Erwärmen werden nun ebenfalls die säurelabilen Gruppen abgespalten und polare Gruppen, zum Beispiel Carboxylgruppen oder saure alkoholische Gruppen, wie zum Beispiel saure phenolische Hydroxylgruppen, freigesetzt. Diese können dann als Ankergruppen für die Koordination der biokompatiblen Verbindung verwendet werden. Es ist auch möglich, im Fotoresist zusätzlich einen Thermosäurebildner vorzusehen. Der strukturierte Fotoresist kann dann erhitzt werden, wobei die Säure freigesetzt wird und ebenfalls die Abspaltung der säurelabilen Gruppen bewirkt wird.
  • Nach der Freisetzung der Ankergruppen durch die Abspaltung der säurelabilen Gruppen wird eine Lösung der biokompatiblen Verbindung auf den strukturierten Resist aufgetragen. Das Lösungsmittel ist dabei so ausgewählt, dass der strukturierte Resist nicht vom Substrat abgelöst wird und gleichzeitig die biokompatible Verbindung vom Lösungsmittel in Form einer Lösung oder einer Emulsion aufgenommen wird. Geeignet sind z.B. gepufferte wässrige Lösungen. Die biokompatible Verbindung, welche eine geeignete Koordinationsgruppe aufweist, koordiniert nun an die Ankergruppen des Polymers. Dies muss nicht notwendigerweise unter Ausbildung einer kovalenten Bindung erfolgen. Die Koordination der biokompatiblen Verbindung an die Ankergruppe des Polymers kann auch unter Salzbildung erfolgen, indem beispielsweise die Ankergruppen am Polymer durch Carboxylgruppen und die koordinative Gruppe an der biokompatiblen Verbindung durch eine Aminogruppe gebildet wird. Es ist auch einen Koordination durch Dipol-Dipol-Wechselwirkungen möglich, sofern eine ausreichend starke Fixierung der biokompatiblen Verbindung im Fotoresist erfolgt. Eine solche Koordination der biokompatiblen Verbindung an die Ankergruppe des Polymers durch nicht-kovalente Bindungen hat den Vorteil, dass die Bindung reversibel ist. Werden beispielsweise Wachstumsfaktoren als biokompatible Verbindung auf den strukturierten Resist gegeben, so können diese von den Zellen aufgenommen werden und so das Zellwachstum beeinflusst werden.
  • In einigen Fällen kann es bevorzugt sein, dass die biokompatible Verbindung durch eine kovalente Bindung an das Polymer des Fotoresists gebunden wird. Die Ausbildung einer kovalenten Bindung kann in einem nachgeschalteten Schritt erfolgen, indem der Fotoresist erwärmt wird und beispielsweise aus einem Ammoniumcarboxylat unter Wasserabspaltung eine Amidbindung ausgebildet wird.
  • Die Koordination der biokompatiblen Verbindung unter Ausbildung einer kovalenten Bindung kann auch durch eine Reaktion mit geeigneten Gruppen des Polymers erfolgen. Dazu sind die Ankergruppen für die Anbindung der biokompatiblen Verbindung im Polymer als Reaktivankergruppe ausgebildet. Unter einer Reaktivankergruppe wird eine Ankergruppe im Polymer verstanden, an welche die biokompatible Verbindung unter Ausbildung einer kovalenten Bindung koordiniert wird. Die Reaktivankergruppen weisen eine ausreichende Reaktivität auf, um innerhalb hinreichend kurzer Reaktionszeiten eine chemische Bindung zur biokompatiblen Verbindung ausbilden zu können. Geeignete Gruppen sind beispielsweise Carbonsäureanhydride, Epoxide, Isocyanate, Glycidylether, Amine, Alkylhalogenide, Thiole und Acylhalogenide.
  • Insbesondere bevorzugt umfasst das Polymer als Reaktivankergruppen Carbonsäureanhydridgruppen. Diese können in das Polymer eingeführt werden, indem beispielsweise Maleinsäureanhydrid, Itaconsäureanhydrid, Methacrylsäureanhydrid, Cyclohexendicarbonsäureanhydrid oder Norbornendicarbonsäureanhydrid bei der Herstellung des Polymers copolymerisiert werden. Beispielhafte Wiederholungseinheiten des Polymers, welche eine Dicarbonsäureanhydridfunktion aufweisen, sind im Folgenden dargestellt:
    Figure 00140001
    R2 steht dabei bevorzugt für Wasserstoff oder für einen beliebigen anderen Rest, insbesondere für einen Alkylrest mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen. Die Reste R2 können dabei unabhängig voneinander die genannte Bedeutung aufweisen.
  • Wie bereits erwähnt, muss die biokompatible Verbindung für die Koordination an eine Ankergruppe des Polymeren eine geeignete Koordinationsgruppe aufweisen. Besonders bevorzugt umfasst die biokompatible Verbindung eine Aminogruppe und/oder eine Hydroxylgruppe, über welche die biokompatible Verbindung an die Ankergruppe des Polymers koordiniert wird. Die Koordination kann dabei über eine einzelne Gruppe oder auch über mehrere Gruppen erfolgen. Die Koordination erfolgt beispielsweise durch die Reaktion der Aminogruppe mit einem Carbonsäureanhydrid unter Ausbildung einer Amidbindung oder einer Imidogruppe. Wird eine Hydroxylgruppe der biokompatiblen Verbindung für die Koordination verwendet, wird entsprechend eine Estergruppe ausgebildet. Derartige Bindungen können von Zellen enzymatisch gespalten werden, so dass die biokompatible Verbindung während des Aufwachsens der Zelle von dieser wieder vom Resist abgespalten werden kann.
  • Als biokompatible Verbindung können an sich alle Verbindungen verwendet werden, welche ein Aufwachsen von Zellen auf die aus dem Fotoresist erzeugten Strukturen erleichtern. Diese Verbindungen können zum Teil hochmolekulare biologische Verbindungen sein. In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die biokompatible Verbindung einen Spacer, welcher die Aminogruppe oder die Hydroxylgruppe für die Koordination der biokompatiblen Verbindung an die Ankergruppe des Polymers trägt. Dies erleichtert eine Anbindung von hochmolekularen Verbindungen an das Polymer, da die sterische Hinderung verringert wird. Außerdem verbessert sich die Wirkung der biokompatiblen Verbindung, wenn diese über einen Spacer von der Oberfläche des strukturierten Resists beabstandet ist. Techniken für die Immobilisierung hochmolekularer Verbindungen auf Oberflächen sind beispielsweise aus der Immobilisierung von Antigenen auf hochmolekularen Proteinen bekannt. Entsprechende Techniken können auch für die Koordination der biokompatiblen Verbindung an die Ankergruppen des Polymeren verwendet werden.
  • Als biokompatible Verbindung wird vorzugsweise eine Aminosäure oder ein Peptid verwendet. Diese Verbindung enthalten bereits Gruppen, z.B. Aminogruppen, welche für die Koordination der biokompatiblen Verbindung an das Polymer des Resists verwendet werden können. Als Peptide können beispielsweise Wachstumsfaktoren verwendet werden. Die Aminosäure oder das Peptid kann auch wiederum als Koordinationsstelle verwendet werden, an die entsprechende wachstumsfördernde Faktoren reversibel gebunden werden. Beim Aufwachsen der Zellen werden diese Faktoren dann von der Oberfläche des strukturierten Resists abgelöst und von den Zellen aufgenommen.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist die biokompatible Verbindung ein oligomeres oder polymeres Urethan. Urethane können von Zellen enzymatisch gespalten werden. Derartige Verbindungen fördern daher das Wachstum von Zellen.
  • Als Substrat können an sich alle Materialien verwendet werden, welche mit dem Aufwachsen von Zellen verträglich sind. So können beispielsweise polymere Materialien verwendet werden oder auch Halbleiter, wie zum Beispiel Silizium. Da der strukturierte Resist für eine Informationsübertragung zwischen Mikroelektronik und Zellen eingesetzt werden soll, beispielsweise durch eine Übertragung elektrischer Signale, ist das Substrat vorzugsweise ein Mikrochip. Dieser kann entsprechende mikroelektronische Schaltungen umfassen. Die Erfindung umfasst daher auch einen biokompatiblen Mikrochips, umfassend:
    ein Substrat, welches mikroelektronische Schaltungen umfasst, sowie einen auf dem Substrat angeordneten strukturierten Resist, welcher ein Polymer enthält, das Ankergruppen aufweist, an die eine biokompatible Verbindung koordiniert ist.
  • Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Verfügung, das auf lithographischen Verfahren beruht, die bei der Herstellung von Mikrochips bereits seit langem industriell eingesetzt werden. Zur Durchführung dieser Techniken hat sich daher ein großes Wissen angesammelt. Strukturen in den für bioelektronische Anwendungen erforderlichen Dimensionen lassen sich mit diesen Verfahren ohne weiteres herstellen. Der strukturierte Resist verbleibt auf dem Substrat und wird nach einer entsprechenden Konditionierung durch eine biokompatible Verbindung mit Zellen bewachsen.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung biokompatibler Strukturen, wobei ein chemisch verstärkter Fotoresist, der ein Polymer enthält, welches Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung umfasst, auf einem Substrat aufgetragen und strukturiert wird, so dass ein strukturierter Resist erhalten wird, und der strukturierte Resist mit einer biokompatiblen Verbindung behandelt wird, so dass die biokompatible Verbindung an die Ankergruppen des Polymers koordiniert wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, umfassend die Schritte: Aufbringen eines chemisch verstärkten Fotoresists auf ein Substrat, wobei der Fotoresist die folgenden Komponenten enthält: ein Polymer, welches säurelabile Gruppen umfasst, die nach ihrer Abspaltung eine polare Gruppe freisetzen, welche die Löslichkeit des Polymers in wässrig-alkalischen Entwicklern erhöht, und das weiter Ankergruppen für die Anknüpfung einer biokompatiblen Verbindung aufweist, wobei die Ankergruppen auch in geschützter Form vorliegen können; einen Fotosäurebildner; ein Lösungsmittel; Trocknen des Fotoresists, wobei ein Fotoresistfilm erhalten wird; abschnittsweises Belichten des Fotoresistfilms; Tempern des belichteten Fotoresistfilms, wobei in den belichteten Abschnitten die säurelabilen Gruppen vom Polymer abgespalten werden; Entwickeln des belichteten und getemperten Fotoresistfilms mit einer wässrig-alkalischen Entwicklerlösung, wobei die belich teten Abschnitte des Fotoresistfilms vom Substrat abgelöst werden und ein strukturierter Resist erhalten wird; Freisetzen der Ankergruppen, sofern die Ankergruppen in geschützter Form vorliegen; Aufbringen einer Lösung einer biokompatiblen Verbindung, wobei die biokompatible Verbindung an die Ankergruppen des Polymers koordiniert wird; Entfernen überschüssiger Lösung der biokompatiblen Verbindung.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Ankergruppen für die Anknüpfung der biokompatiblen Verbindung als Reaktivankergruppe ausgebildet sind, an welche die biokompatible Verbindung unter Ausbildung einer kovalenten Bindung koordiniert wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Reaktivankergruppe ausgewählt ist aus der Gruppe, die gebildet ist aus Carbonsäureanhydrid, Epoxid, Isocyanat, Glycidylether, Amin, Alkylhalogenid, Thiol und Acylhalogenid.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die biokompatible Verbindung eine Aminogruppe und/oder eine Hydroxylgruppe aufweist, über welche die biokompatible Verbindung an die Ankergruppe des Polymers koordiniert wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die biokompatible Verbindung einen Spacer umfasst, welcher die Aminogruppe oder die Hydroxylgruppe für die Koordination der biokompatiblen Verbindung an die Ankergruppe des Polymers trägt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die biokompatible Verbindung eine Aminosäure oder ein Peptid umfasst.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die biokompatible Verbindung ein oligomeres oder polymeres Urethan ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat ein Mikrochip ist.
  10. Biokompatibler Mikrochip, umfassend: ein Substrat, welches mikroelektronische Schaltungen umfasst, sowie einen auf dem Substrat angeordneten strukturierten Resist, welcher ein Polymer enthält, das Ankergruppen aufweist, an die eine biokompatible Verbindung koordiniert ist.
DE10147953A 2001-09-28 2001-09-28 CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht Expired - Fee Related DE10147953B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10147953A DE10147953B4 (de) 2001-09-28 2001-09-28 CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht
US10/262,179 US6686131B2 (en) 2001-09-28 2002-09-30 Method of producing biocompatible structures and biocompatible microchip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10147953A DE10147953B4 (de) 2001-09-28 2001-09-28 CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10147953A1 DE10147953A1 (de) 2003-04-30
DE10147953B4 true DE10147953B4 (de) 2007-06-06

Family

ID=7700685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10147953A Expired - Fee Related DE10147953B4 (de) 2001-09-28 2001-09-28 CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6686131B2 (de)
DE (1) DE10147953B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10147954B4 (de) * 2001-09-28 2007-04-19 Infineon Technologies Ag CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über leitfähige Schicht
DE10208449A1 (de) * 2002-02-27 2003-09-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erhöhung der Ätzresistenz und zur Verkleinerung der Loch- oder Grabenbreite einer Fotoresiststruktur unter Verwendung von Lösungsmittelsystemen geringer Polarität
EP2452624A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 BIOTRONIK SE & Co. KG Implantierbarer theranostischer Artikel
WO2013010161A2 (en) 2011-07-14 2013-01-17 University Of South Florida Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234793A (en) * 1989-04-24 1993-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for dimensionally accurate structure transfer in bilayer technique wherein a treating step with a bulging agent is employed after development
US5250375A (en) * 1990-12-20 1993-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Photostructuring process
US6066438A (en) * 1996-03-08 2000-05-23 Director General Of Industrial Science & Technology Method for fixing functional material and patterned functional material
US6203758B1 (en) * 1997-11-10 2001-03-20 Bio-Pixel Ltd. Micro-circuit system with array of functionalized micro-electrodes
WO2001055789A2 (en) * 2000-01-25 2001-08-02 Infineon Technologies Ag Chemically amplified short wavelength resist

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE59010729D1 (de) 1989-04-24 1997-07-31 Siemens Ag Photostrukturierungsverfahren
TW448344B (en) * 1995-10-09 2001-08-01 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist composition
EP0955562A1 (de) 1998-05-07 1999-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Chemisch verstärkter Resist
DE19958966A1 (de) 1999-12-07 2001-06-13 Infineon Technologies Ag Erzeugung von Resiststrukturen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234793A (en) * 1989-04-24 1993-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for dimensionally accurate structure transfer in bilayer technique wherein a treating step with a bulging agent is employed after development
US5250375A (en) * 1990-12-20 1993-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Photostructuring process
US6066438A (en) * 1996-03-08 2000-05-23 Director General Of Industrial Science & Technology Method for fixing functional material and patterned functional material
US6203758B1 (en) * 1997-11-10 2001-03-20 Bio-Pixel Ltd. Micro-circuit system with array of functionalized micro-electrodes
WO2001055789A2 (en) * 2000-01-25 2001-08-02 Infineon Technologies Ag Chemically amplified short wavelength resist

Also Published As

Publication number Publication date
DE10147953A1 (de) 2003-04-30
US6686131B2 (en) 2004-02-03
US20030087203A1 (en) 2003-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69630902T2 (de) Lichtempfindliche Schicht
DE10203838A1 (de) Fluorhaltiger Fotoresist mit Reaktionsankern für eine chemische Nachverstärkung und verbesserten Copolymerisationseigenschaften
DE10329867B4 (de) Lithographieverfahren zum Verhindern einer lithographischen Belichtung des Randgebiets eines Halbleiterwafers
DE10147011B4 (de) Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung und Verfahren zur Bildung eines gemusterten Films unter Verwendung derselben
DE10147953B4 (de) CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht
DE69630555T2 (de) Photostrukturierbare dielektrische Zusammensetzung zur Verwendung in der Herstellung von Leiterplatten
DE10339717A1 (de) Mikrostrukturbildender Stoff und Verfahren zum Ausbilden einer feinen Struktur
DE10147954B4 (de) CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über leitfähige Schicht
DE10208448A1 (de) Lithografieverfahren zur Verringerung des lateralen Chromstrukturverlustes bei der Fotomaskenherstellung unter Verwendung chemisch verstärkter Resists
DE10131489B4 (de) Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und chemischer Nachverstärkung von Resiststrukturen
EP1508070A2 (de) Verfahren zur herstellung von fotomasken für die strukturierung von halbleitersubstraten durch optische lithografie
DE60122148T2 (de) Photoresistzusammensetzung mit einer wasslöslichen fotosäure erzeugenden substanz
DE10131667A1 (de) Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Silylierung
EP0394738A2 (de) Vereinfachtes Mehrlagenphotoresistsystem
DE10121178B4 (de) Experimentelles Verfahren zur Verifikation von Abbildungsfehlern bei Fotomasken
DE10208449A1 (de) Verfahren zur Erhöhung der Ätzresistenz und zur Verkleinerung der Loch- oder Grabenbreite einer Fotoresiststruktur unter Verwendung von Lösungsmittelsystemen geringer Polarität
DE10208786B4 (de) Verfahren zur Modifikation von Resiststrukturen und Resistschichten aus wässriger Phase
DE3246403A1 (de) Verfahren zur entwicklung von reliefstrukturen auf der basis von strahlungsvernetzten polymervorstufen hochwaermebestaendiger polymere
DE10131488B4 (de) Verfahren zur chemischen Nachverstärkung von Photoresists im UV-Bereich
DE10142600B4 (de) Siliziumhaltiger Resist für die Fotolithografie bei kurzen Belichtungswellenlängen
DE10153496B4 (de) Verfahren zur Aromatisierung und Cycloaliphatisierung von Fotoresists im UV-Bereich
DE102006060720A1 (de) Verfahren zur Reduzierung der Rauhigkeit der Oberfläche einer Resistschicht
DE10208785B4 (de) Lithografieverfahren zur Fotomaskenherstellung mittels Elektronenstrahllithografie
DE10246546B4 (de) Verwendung eines Resistsystems und Lithographieverfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE10131487A1 (de) Negativer Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Aromatisierung von Resiststrukturen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee