NL8101200A - Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal. - Google Patents

Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal. Download PDF

Info

Publication number
NL8101200A
NL8101200A NL8101200A NL8101200A NL8101200A NL 8101200 A NL8101200 A NL 8101200A NL 8101200 A NL8101200 A NL 8101200A NL 8101200 A NL8101200 A NL 8101200A NL 8101200 A NL8101200 A NL 8101200A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
resist material
resist
polymer
poly
aromatic groups
Prior art date
Application number
NL8101200A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19837149&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=NL8101200(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8101200A priority Critical patent/NL8101200A/nl
Priority to EP82200242A priority patent/EP0060585B2/en
Priority to AT82200242T priority patent/ATE7546T1/de
Priority to DE8282200242T priority patent/DE3260160D1/de
Priority to US06/355,977 priority patent/US4405708A/en
Priority to JP57035949A priority patent/JPS57161743A/ja
Publication of NL8101200A publication Critical patent/NL8101200A/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/108—Polyolefin or halogen containing

Description

_ « i 1 PHN 9979 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven " Werkwijze voor het aanhrengen van een reszetmateriaal op een drager en res istmateriaal"
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het volgens een patroon aaDbrengen van een resistmateriaal op een drager waarbij het resistmateriaal gelijkmatig verdeeld op het substraat wordt aangebracht, het resistmateriaal plaatselijk wordt belicht en 5 het resistmateriaal plaatselijk wordt verwijderd. De uitvinding heeft tevens betrekking op een nieuw type resistmateriaal.
Bij het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen, in het bijzonder van zogenaamde large scale en very large scale geïntegreerde schakelingen moeten voor sommige stappen gedeelten van de drager worden 10 af geschermd. Men doet dit over het algemeen door op de drager plaatse lijk res is tmaterialen volgens een bepaald patroon aan te brengen. Dikwijls maakt men bij het vervaardigen van dergelijke schakelingen gebruik van maskers ; deze maskers worden onder toepassing van resist-materialen vervaardigd.
15 Wanneer eenmaal het resistmateriaal volgens een patroon is aangebracht wordt de drager en de daarop aanwezige lagen veelal door midel van plasma-etsen verder behandeld. Daarbij is een vereiste dat het resistmateriaal door het plasma-etsen zo weinig mogelijk wordt aangetast.
20 De uitvinding nu voorziet in de mogelijkheid bestaande resist- materialen beter bestand te maken tegen plasma-etsen en in de toepassing van dergelijke verbeterde resistmaterialen.
De werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat een resistmateriaal wordt toegepast dat een mengsel van een organisch 25 polymeer zonder aromatische groepen en 1-30gew.% van een polymeer met aromatische groepen bevat.
Het resistmateriaal volgens de uitvinding heeft het kenmerk dat het een mengsel van een organisch polymeer zonder aromatische groepen en 1-30 gew.% van een polymeer met aromatische groepen bevat.
30 Als polymeer met aromatische groepen wordt bij voorkeur (poly) styreen, in de aromatische kern gesubstitueerd (poly) styreen of in de zijketen gesubstitueerd (poly) styreen toegepast. Ook mengsels van dergelijke polymeren kenen in aanmerking.
8101200 * * EHN 9979 2
Goede resultaten zijn verkregen met poly (d> -methylstyreen).
Het polymeer met aromatische groepen dient in een hoeveelheid van 1-30 gew.% bij voorkeur van 1-15 gew.% in het resistmateriaal aanwezig te zijn.
5 Bij hoeveelheden van minder dan 1 gew.% treedt, het gewenste effect in onvoldoende mate op. Hoeveelheden van meer dan 30 gew.%, sons zelfs van meer dan 15 gew.% zijn gewoonlijk niet compatibel, dat wil zeggen niet goed mengbaar met de overige componenten van het resistmateriaal.
10 Het mengen van het polymeer met aromatische groepen met het polymeer zonder aromatische groepen kan op alle gebruikelijke ma- nieren geschieden: mengen van oplossingen, mengen van droge stoffen en dergelijke.
Als organisch polymeer zonder aromatische groepen komen alle 15 tot nu toe voor resistmaterialen toegepaste polymeren in aanmerking. Daaronder vallen zowel de positieve alsook de negatieve resistmaterialen; tevens vallen daaronder de zogenaamde electron beam resists, foto-resists, deep UV resists enz. Voorbeelden van geschikte polymeren zijn: polyalkeensulfonen zoals polybuteensulfon, (meth)acrylaten, polymethyl·- 20 isopropenylketon .en dergelijke. Een groep geschikte verbindingen kan worden aangegeven met de volgende formule:
R
25 C
* \ O R1 waarin R een alkylgroep, halogeenatocm of cyaangroep voorstelt en een alkoxy-, alkyl-, hydroxylgroep of halogeenatocm voorstelt.
30
Toevoeging van een polymeer met aromatische groepen geeft onverwacht een grotere toename van de bestandheid tegen plasma-etsen dan men op grond van de toegevoegde hoeveelheid en de eigenschappen van zo'n polymeer zou mogen verwachten.
Voorbeeld 1
Bepaling bestandheid tegen plasma-etsen.
Ieder van de hieronder genoemde polymeren werd op een afzonderlijk siliciumplak aangebracht in een dikte van ongeveer 1 micrometer, 8101200 5, / PHN 9979 3 - De aangebrachte lagen werden thermisch behandeld om het oplosmiddel te verwijderen. In de zo verkregen plakken kunnen door plaatselijke belichting met UV licht of met elektronenstralen, gevolgd door ontwikkelen, patronen worden aangebracht. Het aanbrengen van patronen werd 5 bij dit voorbeeld achterwege gelaten.
De gelijkmatige beklede plakken warden onderworpen aan een plasma-ets behandeling. De afname van de dikte van de resistlaag is hieronder als etssnelheid aangegeven. Onder dezelfde omstandigheden bedroeg de etssnelheid van silicium 53 nanometer per minuut.
10 materiaal thermische etsbehandeling etssnelheid behandeling nancmeter/p .min.
polyrosthylmetha- plenaire .. crylaat (EMMA) 20 min. reactor 147 10 150 C C Cl. plasma 400 watt 3 minuten EMMA + 9 gew.% poly methyl- id. id. 33 20 styreen) (EMS) EMS id. id. 10 EMMA id. . C Cl4/Cl2plas- > 130 ma, plenaire reactor 500 watt, 5 min .
EMMA+5 gew.% EMS id. id. 50 EMMA+ 10 gew.% id. id. 32
EMS
30 polymethylisqpro- id id 36 penylketon id. + EMS id. id. 30 35 Molecuulgewicht van het EMS volgens opgave fabrikant 960: 4 gewichtsgemiddeld molecuulgewicht EMMA 10,3 x 10 ; aantal gemiddeld 4 molecuulgewicht EMMA 7,3 x 10 .
De gevoeligheid van genoemde resistmaterialen werd door 8101200 % ïï EHN 9979 4 τ· ____ toevoegen van poly (öi-methylstyreen) nauwelijks gewijzigd.
Voorbeeld 2
Dit voorbeeld werd op dezelfde wijze uitgevoerd als aan-5 gegeven bijvoorbeeld 1. 'Als resistmateriaal werden respectievelijk een copolymeer van methylmethacrylaat met ongeveer 10¾ isobutylmetha-crylaat(1),(1)plus 10 gew.% EMS, polymethylmethacrylaat(II)en(II)plus 10 gew.% IMS toegepast. Voordat de etssnelheid werd bepaald, werden de resistmaterialen met een electronenstraal plaatselijk belicht en 10 ontwikkeld met methylisobutylketon.
Plasma-etsen in een planaire reactor met een chloor/zuur-stof koolmonoxide plasma 100cc Cl^: SccC^: 40ccCO), 60°, 400W, 10 min. etsen leverde de volgende resultaten ten aanzien van de etssnelheid (Δ) σρ:Δ (I + 10% EMS) = 0,63 χΔ I βηΔ ( II + 10% EMS) = 0,8 χΔ (II). 15 Etsen in een tetrachloorkoolstof/chloor (40%) plasma, bij 5Q0W en 80 millitorr in een planaire reactor leverde de resultaten op zoals aangegeven in de hieronder weergegeven Tabel B.
Resistmateriaal. etssnelheid (nm/min.) " 20 ' I 212 1 + 10 gew.% EMS 73 11 231 II + 10 gew.% EMS 64 2g silicium 34; 40
De gevoeligheid en de overige eigenschappen van het resistmateriaal werden door toevoegen van PMS niet wezenlijk beïnvloed.
30 35 8101200

Claims (3)

  1. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een resistmateriaal wordt toegepast dat 1-30 gew.% (poly) styreen, in de 10 aromatische kern gesubstitueerd (poly) styreen en/of in de zij keten gesubstitueerd (poly) styreen bevat. 3. werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat een resistmateriaal wordt toegepast dat een mengsel van een (meth) a-crylaat (co) polymeer en 1-30 gew.% polyfoi’ -methylstyreen) bevat.
  2. 4. Resistmateriaal dat een mengsel van een organisch polymeer zonder aromatische groepen en 1-30 gew.% van een polymeer met aromatische groepen bevat.
  3. 5. Resistmateriaal dat een mengsel van een (meth) acrylaat (co) polymeer en 1-30 gew.% poly (d methylstyreen) bevat. 20 25 30 8101200 35
NL8101200A 1981-03-12 1981-03-12 Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal. NL8101200A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8101200A NL8101200A (nl) 1981-03-12 1981-03-12 Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.
EP82200242A EP0060585B2 (en) 1981-03-12 1982-02-26 Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture
AT82200242T ATE7546T1 (de) 1981-03-12 1982-02-26 Verfahren zur herstellung eines resistmusters auf ein substrat und resistmaterial.
DE8282200242T DE3260160D1 (en) 1981-03-12 1982-02-26 Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture
US06/355,977 US4405708A (en) 1981-03-12 1982-03-08 Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture
JP57035949A JPS57161743A (en) 1981-03-12 1982-03-09 Method of applying resist pattern on substrate and resist material mixture

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8101200 1981-03-12
NL8101200A NL8101200A (nl) 1981-03-12 1981-03-12 Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8101200A true NL8101200A (nl) 1982-10-01

Family

ID=19837149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8101200A NL8101200A (nl) 1981-03-12 1981-03-12 Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4405708A (nl)
EP (1) EP0060585B2 (nl)
JP (1) JPS57161743A (nl)
AT (1) ATE7546T1 (nl)
DE (1) DE3260160D1 (nl)
NL (1) NL8101200A (nl)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58116532A (ja) * 1981-12-29 1983-07-11 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3248601A1 (de) * 1982-12-30 1984-07-12 Röhm GmbH, 6100 Darmstadt Polymerisate mit geringer wasseraufnahme
JPS6026337A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
JPS6070442A (ja) * 1983-09-28 1985-04-22 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
US4665009A (en) * 1984-07-10 1987-05-12 Hughes Aircraft Company Method of developing radiation sensitive negative resists
US4617085A (en) * 1985-09-03 1986-10-14 General Electric Company Process for removing organic material in a patterned manner from an organic film
US4869994A (en) * 1988-01-25 1989-09-26 Hoechst Celanese Corp. Photoresist compositions based on hydroxystyrene copolymers
JP2885311B2 (ja) * 1994-11-01 1999-04-19 工業技術院長 ポリマーの相分離を利用した表面加工法
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체
US6190829B1 (en) 1996-09-16 2001-02-20 International Business Machines Corporation Low “K” factor hybrid photoresist
US6114082A (en) 1996-09-16 2000-09-05 International Business Machines Corporation Frequency doubling hybrid photoresist having negative and positive tone components and method of preparing the same
US5861330A (en) * 1997-05-07 1999-01-19 International Business Machines Corporation Method and structure to reduce latch-up using edge implants
US6218704B1 (en) 1997-05-07 2001-04-17 International Business Machines Corporation ESD protection structure and method
US5882967A (en) * 1997-05-07 1999-03-16 International Business Machines Corporation Process for buried diode formation in CMOS
US5972570A (en) * 1997-07-17 1999-10-26 International Business Machines Corporation Method of photolithographically defining three regions with one mask step and self aligned isolation structure formed thereby
US5981148A (en) * 1997-07-17 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for forming sidewall spacers using frequency doubling hybrid resist and device formed thereby
US6184041B1 (en) 1998-05-13 2001-02-06 International Business Machines Corporation Fused hybrid resist shapes as a means of modulating hybrid resist space width
KR100314761B1 (ko) 1999-03-03 2001-11-17 윤덕용 노르보르넨에 콜릭산, 디옥시콜릭산 또는 리소콜릭산 유도체를 결합시킨 단량체를 이용한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
KR100749494B1 (ko) 2001-04-03 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물
JP4893270B2 (ja) * 2006-11-29 2012-03-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
EP2017674A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-21 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8507174B2 (en) * 2007-08-10 2013-08-13 Fujifilm Corporation Positive resist composition, pattern forming method using the composition, and compound for use in the composition
JP6767747B2 (ja) * 2016-01-15 2020-10-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物、硬化膜の製造方法、遮光膜、カラーフィルタおよび固体撮像素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2892712A (en) * 1954-04-23 1959-06-30 Du Pont Process for preparing relief images
CA774047A (en) * 1963-12-09 1967-12-19 Shipley Company Light-sensitive material and process for the development thereof
US3900325A (en) * 1972-06-12 1975-08-19 Shipley Co Light sensitive quinone diazide composition with n-3-oxohydrocarbon substituted acrylamide
US3996393A (en) * 1974-03-25 1976-12-07 International Business Machines Corporation Positive polymeric electron beam resists of very great sensitivity
US4272603A (en) * 1977-06-03 1981-06-09 Chenevert Donald J Resin blends for improved vesicular systems
US4141733A (en) * 1977-10-25 1979-02-27 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions

Also Published As

Publication number Publication date
EP0060585B1 (en) 1984-05-16
ATE7546T1 (de) 1984-06-15
DE3260160D1 (en) 1984-06-20
JPS57161743A (en) 1982-10-05
JPS64689B2 (nl) 1989-01-09
EP0060585B2 (en) 1987-06-24
EP0060585A1 (en) 1982-09-22
US4405708A (en) 1983-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8101200A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een resistmateriaal op een drager en resist-materiaal.
JP2713322B2 (ja) ポジテイブレジスト像形成方法
JP2004530921A (ja) 次世代リソグラフィー用の高分解能レジスト
EP0232972A2 (en) Negative photoresist compositions and processes for preparing thermally stable, negative images using them
TW201211683A (en) Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
US5372914A (en) Pattern forming method
TW200811922A (en) Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
Peter et al. Organotin in nonchemically amplified polymeric hybrid resist imparts better resolution with sensitivity for next-generation lithography
Carbaugh et al. Negative tone photolithography with photo-sensitised polymethyl methacrylate (PMMA)
JPH0119135B2 (nl)
KR100520670B1 (ko) 포토레지스트 패턴의 형성방법
US4348472A (en) Method of applying a layer in accordance with a pattern on a substrate, a negative resist material and a substrate coated with the resist
TWI223129B (en) Methods for producing film forming novolak resins and uses of the same
JPS6037548A (ja) 照射線反応ネガレジストの形成方法
JPH0317651A (ja) 製品の製造方法
JP3332100B2 (ja) パターン形成方法
US4816377A (en) Photolithographic method producing sub-micron patterns in the manufacture of electronic microcircuits
JPS63199715A (ja) ｏ−ニトロカルビノールエステル基を有する共重合体及び該共重合体を用いた２層レジスト並びに半導体素子の製法
WO2006030240A2 (en) Novel resist material
US7670749B2 (en) Resist material and method for forming a patterned resist layer on a substrate
JPH03289659A (ja) 感光性組成物
JPS5817105A (ja) 電離放射線感応性材料
JPH0334055B2 (nl)
JPS59121042A (ja) ネガ型レジスト組成物
JP2702717B2 (ja) コントラスト増強層用組成物、アルキルニトロン類およびそれらの用途

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed