JPS58116532A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58116532A JPS58116532A JP56214813A JP21481381A JPS58116532A JP S58116532 A JPS58116532 A JP S58116532A JP 56214813 A JP56214813 A JP 56214813A JP 21481381 A JP21481381 A JP 21481381A JP S58116532 A JPS58116532 A JP S58116532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- crosslinking group
- host
- crosslinking
- group
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、パターン形成方法に関し、さらに絆しく述べ
ると、ボッ型レジスト材料を使用して、例えば電子ビー
ムのような高エネルギー輻射縁の露光後に、像状レジス
トパターンを基板上に形成する方法に関する。このパタ
ーン形成方法は、半導体装ｆ１１製造の微細加工プロセ
スに有利に使用することができる。
ると、ボッ型レジスト材料を使用して、例えば電子ビー
ムのような高エネルギー輻射縁の露光後に、像状レジス
トパターンを基板上に形成する方法に関する。このパタ
ーン形成方法は、半導体装ｆ１１製造の微細加工プロセ
スに有利に使用することができる。
（２）発明の背景
最近の動向として、半導体装置製造の分野において、果
槓度の高度化に対処すべく、サブミクロンのオーダーの
機構加工技術の開発に力が注がれている。かかるサブミ
クロンのオーダーの寸法からなるコントロールされた線
露光を達成するために、例えば電子ビーム、ＸＨｌがン
マ線などのような高エネルギー輻射線を利用した露光装
置が有用であることもまた見い出されている。さらに１
上述のような露光装置の性能を十分に発揮する丸め、鴇
々のタイプの４−）型又はネガ型レジスト材料が提案さ
れている。とシわけ、例えばアクリル樹脂系のデジ型レ
ジスト材料は、サブミクロンの備−加工に適した高い解
像能を有しているため、この技術分野において屡々／母
ターン形成に用いられている。
槓度の高度化に対処すべく、サブミクロンのオーダーの
機構加工技術の開発に力が注がれている。かかるサブミ
クロンのオーダーの寸法からなるコントロールされた線
露光を達成するために、例えば電子ビーム、ＸＨｌがン
マ線などのような高エネルギー輻射線を利用した露光装
置が有用であることもまた見い出されている。さらに１
上述のような露光装置の性能を十分に発揮する丸め、鴇
々のタイプの４−）型又はネガ型レジスト材料が提案さ
れている。とシわけ、例えばアクリル樹脂系のデジ型レ
ジスト材料は、サブミクロンの備−加工に適した高い解
像能を有しているため、この技術分野において屡々／母
ターン形成に用いられている。
（３）従来技術と間組点
例えば、従来用いられているアクリル樹脂系Ｉジ型レノ
スト材料の１つであるポリメチルメタクリレートでは、
約５Ｘ１０Ｃ／ｃｄもしくはそれ以上の電子ビーム露光
をそれに施した場合、高光域、すなわち、電子ビーム照
射部分のポリマー〇主鎖が切断してその部分の分子量が
１桁ないし２桁はど低下する。次いで、かかる分子量の
低下は、照射部分の現像液（通常、例えばメチルイソブ
チルケトンなどのような有機溶剤）に対する溶解度は未
照射部分のそれに比較して著しく大であることを意味す
るために、前記電子ビーム照射部分のみを適当な現像液
で選択的に溶解除去することができる。
スト材料の１つであるポリメチルメタクリレートでは、
約５Ｘ１０Ｃ／ｃｄもしくはそれ以上の電子ビーム露光
をそれに施した場合、高光域、すなわち、電子ビーム照
射部分のポリマー〇主鎖が切断してその部分の分子量が
１桁ないし２桁はど低下する。次いで、かかる分子量の
低下は、照射部分の現像液（通常、例えばメチルイソブ
チルケトンなどのような有機溶剤）に対する溶解度は未
照射部分のそれに比較して著しく大であることを意味す
るために、前記電子ビーム照射部分のみを適当な現像液
で選択的に溶解除去することができる。
しかしながら、尚エネルギー幅射巌用ポジ型レノスト材
料は、上述のよう罠分解型のポリマーからなるため、耐
ドライエツチング性が本質的に劣るという欠点を有して
いる。すなわち、かかるレジスト材料は、！ラズマエ、
チング（レノストによって保躾されていない基板をがス
グラズマによってエツチングする工程）時におけるグラ
ズマ中の活性なラジカル又はイオンの攻撃に対して抵抗
力を有しておらず、したがって、！ラズマエ、チンダニ
程の関に変形及び分解を生じ、レジストとしての満足の
いく機能を奏することができない。
料は、上述のよう罠分解型のポリマーからなるため、耐
ドライエツチング性が本質的に劣るという欠点を有して
いる。すなわち、かかるレジスト材料は、！ラズマエ、
チング（レノストによって保躾されていない基板をがス
グラズマによってエツチングする工程）時におけるグラ
ズマ中の活性なラジカル又はイオンの攻撃に対して抵抗
力を有しておらず、したがって、！ラズマエ、チンダニ
程の関に変形及び分解を生じ、レジストとしての満足の
いく機能を奏することができない。
したがって、このようなレジスト材料を半導体装置製造
の微細加工プロセスに適用することはすこぶる困難であ
る。
の微細加工プロセスに適用することはすこぶる困難であ
る。
（４）発明の目的
本発明の目的は、通常の高エネルギー輻射＃露光ＫＩｉ
ｉｌｉ度の感度とサブずクロンの解偉度とを保証し得る
ばかシでなく、従来技術では達成することが困難であつ
九すぐれた耐ドライエツチング性もあわせて保証するこ
とのできる、４Ｊ）型レジスト材料を使用した高エネル
ギー輻射線露光によるノ４ターン形成方法を提供するこ
とにある。
ｉｌｉ度の感度とサブずクロンの解偉度とを保証し得る
ばかシでなく、従来技術では達成することが困難であつ
九すぐれた耐ドライエツチング性もあわせて保証するこ
とのできる、４Ｊ）型レジスト材料を使用した高エネル
ギー輻射線露光によるノ４ターン形成方法を提供するこ
とにある。
（５）発明の構成
本発明に従うと、上記目的を、下記の工程：ホストポリ
マーと、高エネルギー輻射線の照射により分解可能な、
最低１００００の分子量を有している架橋基含有ポリマ
ーとを組み合わせて含んでなるデジ型レジスト材料の層
を基板上に形成すること、 形成されたレジスト材料層のホストポリマーと架橋基含
有ポリマーとを熱架橋せしめてばレジスト材料層全体を
溶剤に不溶にならしめること；又は架橋基含有ポリマー
［用志を架橋させホストポリマーを架橋基含有ポリマー
のネットワークでつつんで該レジスト材料層全体を浴剤
に不溶ならしめること； 高エネルイー輻射線パターンに前記レノスト材料層を露
光す寺す寺寺し、架構基含有ポリマーを分解して、溶剤
に可溶にならしめること、及び：前記レジスト材料層の
うち、先の露光によりＭび溶剤に可溶してならしめられ
た露光域を適当な溶剤で現１象してその領域内のレジス
ト材料を溶解除去すること、 を含んでなるパターン形成方法によって達成することが
できる。
マーと、高エネルギー輻射線の照射により分解可能な、
最低１００００の分子量を有している架橋基含有ポリマ
ーとを組み合わせて含んでなるデジ型レジスト材料の層
を基板上に形成すること、 形成されたレジスト材料層のホストポリマーと架橋基含
有ポリマーとを熱架橋せしめてばレジスト材料層全体を
溶剤に不溶にならしめること；又は架橋基含有ポリマー
［用志を架橋させホストポリマーを架橋基含有ポリマー
のネットワークでつつんで該レジスト材料層全体を浴剤
に不溶ならしめること； 高エネルイー輻射線パターンに前記レノスト材料層を露
光す寺す寺寺し、架構基含有ポリマーを分解して、溶剤
に可溶にならしめること、及び：前記レジスト材料層の
うち、先の露光によりＭび溶剤に可溶してならしめられ
た露光域を適当な溶剤で現１象してその領域内のレジス
ト材料を溶解除去すること、 を含んでなるパターン形成方法によって達成することが
できる。
本発明による・譬ターン形成方法は、ホストポリｉ−に
併用するところの架橋基含有ポリマーに架橋剤及び感光
剤としての２つの機能をもたせることをペースとしてい
る。すなわち、この方法は、先ず、架慎基含有ポリ！−
の働きによって、ホストポリマーと架橋基含有Ｉすｉ−
とを熱架橋せしめ、又は架橋基含有／ １７マー同志を
熱架橋せしめてホストポリマーを架橋基含有ポリマーの
ネットワークでつつみ、よって、レゾスト材料層を全体
として溶剤に不溶化せしめ、そして、次に、高エネルギ
ー輻射線を照射することによってその照射部分に含まれ
る架橋基含有／ ＩＪマーを分解して架橋又はネットワ
ークを崩壊せしめて、その部分を溶剤に可溶化し、そし
て、ｅ彼の現像工程において、先に可溶化せしめられた
照射部分を適当な溶剤からなる現偉液で溶解除去して／
Ｊ）型レジストノ９ターンを得ることからなっている。
併用するところの架橋基含有ポリマーに架橋剤及び感光
剤としての２つの機能をもたせることをペースとしてい
る。すなわち、この方法は、先ず、架慎基含有ポリ！−
の働きによって、ホストポリマーと架橋基含有Ｉすｉ−
とを熱架橋せしめ、又は架橋基含有／ １７マー同志を
熱架橋せしめてホストポリマーを架橋基含有ポリマーの
ネットワークでつつみ、よって、レゾスト材料層を全体
として溶剤に不溶化せしめ、そして、次に、高エネルギ
ー輻射線を照射することによってその照射部分に含まれ
る架橋基含有／ ＩＪマーを分解して架橋又はネットワ
ークを崩壊せしめて、その部分を溶剤に可溶化し、そし
て、ｅ彼の現像工程において、先に可溶化せしめられた
照射部分を適当な溶剤からなる現偉液で溶解除去して／
Ｊ）型レジストノ９ターンを得ることからなっている。
本願明細資において、１高エネルギー輻射１１ｉＩ＃と
け、この技術分野において一般的に認識されているよう
に、電子ビーム、ＸＩＶｊｌｌ がンマ線などのような
いろいろな形の輻射線を包含している。したがって、以
下、特に電子ビーム露光に関して本発明方法ｔ−説明す
るけれども、例えばＸ縁のようなその他の形をした高エ
ネルギー輻射線の場合にもまた本発明方法は有用である
ということを理解されたい。
け、この技術分野において一般的に認識されているよう
に、電子ビーム、ＸＩＶｊｌｌ がンマ線などのような
いろいろな形の輻射線を包含している。したがって、以
下、特に電子ビーム露光に関して本発明方法ｔ−説明す
るけれども、例えばＸ縁のようなその他の形をした高エ
ネルギー輻射線の場合にもまた本発明方法は有用である
ということを理解されたい。
本発明において、ホストポリマーは、耐ドライエ、チン
グ性を達成することの観点から、強い性質を有すること
、すなわち、耐グラズマ性のある分解しにくいポリマー
であることが必要である。
グ性を達成することの観点から、強い性質を有すること
、すなわち、耐グラズマ性のある分解しにくいポリマー
であることが必要である。
本発明において有用なホストポリマーとして、例えば、
Ｉリスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリβ−メチ
ルスチレン、Ｉすｍ−メチルスチレン、／１Ｊｐ−メー
ルスチレン、Ｉリビニルナフタレン、Ｉリビニルアント
ラセン、＄ＩＪｘｙニルカルバゾール、フェノールツメ
ラック樹脂、クレゾールノ？う、り樹脂、Ｉリアミド類
などをあけることができる。
Ｉリスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリβ−メチ
ルスチレン、Ｉすｍ−メチルスチレン、／１Ｊｐ−メー
ルスチレン、Ｉリビニルナフタレン、Ｉリビニルアント
ラセン、＄ＩＪｘｙニルカルバゾール、フェノールツメ
ラック樹脂、クレゾールノ？う、り樹脂、Ｉリアミド類
などをあけることができる。
このようなホストポリマーは、さらに、必要に応じて、
架橋基含有ポリマーとの架橋反応に関与し得る架橋基、
例えばカルメン酸基、フェノール基、酸ハロダン化物、
工Ｉキシ基、アミン基、ヒドロキシ基、スルホン酸基な
どを有していてもよい。このような架橋基含有ホストポ
リマーとして、例工ば、スチレン／メタクリル酸共重合
体、スチレン／グリシジルメタクリレート共重合体、ス
チレン／ヒドロキシスチレン共１合体、α−メチルスチ
レン／メタクリル酸クロリド共重合体などをあけること
ができる。
架橋基含有ポリマーとの架橋反応に関与し得る架橋基、
例えばカルメン酸基、フェノール基、酸ハロダン化物、
工Ｉキシ基、アミン基、ヒドロキシ基、スルホン酸基な
どを有していてもよい。このような架橋基含有ホストポ
リマーとして、例工ば、スチレン／メタクリル酸共重合
体、スチレン／グリシジルメタクリレート共重合体、ス
チレン／ヒドロキシスチレン共１合体、α−メチルスチ
レン／メタクリル酸クロリド共重合体などをあけること
ができる。
本発明において、架橋基含有ポリマーは、高エネルギー
輻射線の照射の帰結として分解可熊であシかつ最低１０
００００分子量（重量平均分子量Ｍｙ ）を有している
ことが必要である。
輻射線の照射の帰結として分解可熊であシかつ最低１０
００００分子量（重量平均分子量Ｍｙ ）を有している
ことが必要である。
本発ｑにおいて有用な架橋基含有ポリマーの一例として
、例えば、次のようなものをあげることができる。
、例えば、次のようなものをあげることができる。
中 メタクリル酸アルキルエステル−ヒドロキシエチル
メタクリレート共重合体にｐ−アジドスルホニル安息香
酸又はｐ−アＪ）ド安息香酸が付加したもの、例えば、 又は （Ｒ−ｍＣ１〜Ｃ５アルキル） （１１）メタアクリル酸アルキルエステル−アクリル酸
りロリド共１合体、例えば、 Ｈ５ Ｃ０ＯＲｃｏｃｔ （Ｒ■Ｃ４〜Ｃ５アルキル） 但し、この場合、＾Ｕ記ホストＩリマーに、次式に示さ
れるように、カルメン酸基−ＣＯＯＨ又はフェノ又は ＯＨ （ホ）メタクリル酸エステル−グリシジルメタクリレー
ト共重合体、告えば、 （Ｒ讃Ｃ１〜ｃ５アルキル） 但し、この場合、前記ホスト／シマーに、次式に示され
るように、カルがン酸基が含まれることが必要でるる。
メタクリレート共重合体にｐ−アジドスルホニル安息香
酸又はｐ−アＪ）ド安息香酸が付加したもの、例えば、 又は （Ｒ−ｍＣ１〜Ｃ５アルキル） （１１）メタアクリル酸アルキルエステル−アクリル酸
りロリド共１合体、例えば、 Ｈ５ Ｃ０ＯＲｃｏｃｔ （Ｒ■Ｃ４〜Ｃ５アルキル） 但し、この場合、＾Ｕ記ホストＩリマーに、次式に示さ
れるように、カルメン酸基−ＣＯＯＨ又はフェノ又は ＯＨ （ホ）メタクリル酸エステル−グリシジルメタクリレー
ト共重合体、告えば、 （Ｒ讃Ｃ１〜ｃ５アルキル） 但し、この場合、前記ホスト／シマーに、次式に示され
るように、カルがン酸基が含まれることが必要でるる。
これらの架橋基含有ポリマーは、十分な架橋効果を導く
ため、一般に、同時に使用するホス）／リマーの重量を
基準にして、１〜３ＯＪｉ量チの量で使用するのが有利
である。もちろん、使用するホストポリマーの種類やＰ
ｇｒ望とする結果等に応じて、上記範囲外の量でこれら
のポリマーを使用することもできる。
ため、一般に、同時に使用するホス）／リマーの重量を
基準にして、１〜３ＯＪｉ量チの量で使用するのが有利
である。もちろん、使用するホストポリマーの種類やＰ
ｇｒ望とする結果等に応じて、上記範囲外の量でこれら
のポリマーを使用することもできる。
４Ｖ） メタクリル版アルキルエステルーメタクリル
酸りロリＰ−メタクリル酸共重合体など、例えＣ０ＯＲ
ｃｏｃｔ ｃｏｏｎ （Ｒ−Ｃ，〜Ｃ，アルキル） 又はメタクリル酸アルキルエステル−メタクリル鈑−グ
リシゾルメタクリレート共重合体など、例えば、 これらはホス）／リマーには関与せずに架橋基含有ぼり
！−同志で架橋反応を行ない、ホス）／リマーをつつみ
込んで全体を不溶化するものである。ホストぼりマーの
１〜３０Ｍｉｋｇｂで使用する。
酸りロリＰ−メタクリル酸共重合体など、例えＣ０ＯＲ
ｃｏｃｔ ｃｏｏｎ （Ｒ−Ｃ，〜Ｃ，アルキル） 又はメタクリル酸アルキルエステル−メタクリル鈑−グ
リシゾルメタクリレート共重合体など、例えば、 これらはホス）／リマーには関与せずに架橋基含有ぼり
！−同志で架橋反応を行ない、ホス）／リマーをつつみ
込んで全体を不溶化するものである。ホストぼりマーの
１〜３０Ｍｉｋｇｂで使用する。
本発明による一ヤターン形成方法においテ、先ス、前記
ホスト４リマー及び架ＩＩ基含有／１７−ｖ−を含んで
なる４ジ型レジスト材料からレジスト溶液を調製し、こ
れを、エツチングされるべき基板上にルジストとして塗
布する。こむで使用し得る、特に好ましい基板は、例え
ばシリコンウェハーのような半導体基板、クロ４メッキ
が２２、そＬ テｆｌＪえはアルミニウムのような金ｌ
／４を包含している。
ホスト４リマー及び架ＩＩ基含有／１７−ｖ−を含んで
なる４ジ型レジスト材料からレジスト溶液を調製し、こ
れを、エツチングされるべき基板上にルジストとして塗
布する。こむで使用し得る、特に好ましい基板は、例え
ばシリコンウェハーのような半導体基板、クロ４メッキ
が２２、そＬ テｆｌＪえはアルミニウムのような金ｌ
／４を包含している。
レゾスト溶液をｖＩ４＃！するために、この分野におい
て常用されている溶剤を有剰に使用する仁とができる。
て常用されている溶剤を有剰に使用する仁とができる。
有用な溶剤の好ましい例は、メチルエチルクトン、メチ
ルイソブチルケトン、シフ四ヘキサノン、アセトン、テ
トラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジ
メチルホルムナイド、メチルセロソルプア七テート、そ
の他を包含している。必要に応じて、これらの溶剤の混
合物を使用する仁とができる。
ルイソブチルケトン、シフ四ヘキサノン、アセトン、テ
トラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジ
メチルホルムナイド、メチルセロソルプア七テート、そ
の他を包含している。必要に応じて、これらの溶剤の混
合物を使用する仁とができる。
得られたレジスト溶液を基板に塗布するためには常用の
塗布法が有用である。好ましい塗布法は、スピンコード
法、ドクターブレードコーティング法、ディラグコーテ
ィング法、ホッパーコーティング法、その他である。
塗布法が有用である。好ましい塗布法は、スピンコード
法、ドクターブレードコーティング法、ディラグコーテ
ィング法、ホッパーコーティング法、その他である。
基板上にレジスト膜を形成した後、１００〜２００℃の
温度で１０〜６０分間にわたって予め加熱を行なうこと
によってレジスト膜内のホスト＄ ｊＪ ｗ−と架橋基
含有ｌ１１）−ｑ−とを熱架橋させ、又は架橋含有ポリ
マー同志を熱架橋させ、よって、不溶化された網目構造
をそζに形成させる。
温度で１０〜６０分間にわたって予め加熱を行なうこと
によってレジスト膜内のホスト＄ ｊＪ ｗ−と架橋基
含有ｌ１１）−ｑ−とを熱架橋させ、又は架橋含有ポリ
マー同志を熱架橋させ、よって、不溶化された網目構造
をそζに形成させる。
引き続いて、常用の露光装置を使用して、高エネルギー
輻射線の像状／臂ターンをレジスト膜に照射する。この
ように、予め架橋させたレジス）ｄＫ輻射線を照射する
と、その照射部分（ＩＩ光域）の架橋基含有ポリマーの
分解が起ζシ、架橋又はネットワーク構造が崩壊して照
射部分が再び可溶化せしめられる反面、未照射部分（未
篇光域）が不溶性のｔま保持される。
輻射線の像状／臂ターンをレジスト膜に照射する。この
ように、予め架橋させたレジス）ｄＫ輻射線を照射する
と、その照射部分（ＩＩ光域）の架橋基含有ポリマーの
分解が起ζシ、架橋又はネットワーク構造が崩壊して照
射部分が再び可溶化せしめられる反面、未照射部分（未
篇光域）が不溶性のｔま保持される。
本発明に従うと、引き続く現像工程において、先に可溶
化せしめられた露光域を適当な溶剤からなる現像液で現
像してその部分を溶解除去することができる。結果とし
て、未鱈光域は、先に形成された網状構造を保ったｔま
、／ゾレジストｚ４ターンとして基板上に残留する。
化せしめられた露光域を適当な溶剤からなる現像液で現
像してその部分を溶解除去することができる。結果とし
て、未鱈光域は、先に形成された網状構造を保ったｔま
、／ゾレジストｚ４ターンとして基板上に残留する。
本発明において現像液として使用することのできる有用
な溶剤は、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなど
でアシ、基本的に、レジスト溶液調製時に使用する溶剤
に同じである。
な溶剤は、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなど
でアシ、基本的に、レジスト溶液調製時に使用する溶剤
に同じである。
（６ン 発明の実施例
次に、以下の実施例によって本発明を説明する。
例１：
先ス、メチルメタクリレート−ビニルアルコール共重合
体（共重合比−７：３）を合成し、これにｐ−アジドス
ルホニル安息香酸を付加させて架橋基含有ポＩＪ−ｒ−
を得た０次に、４リスチレン（ｍｙ−１ｘ１０）と１５
１［量−の前記架橋基含有ポリマーとを混合し、メチル
セロソルブアセテ−） （ＭＣＡ ） Ｋ溶解しテ１０
］１［ｆ％ＭＣＡ溶１［トＬ、Ｉジ型レノスト溶液を得
た。このレジストＩ６Ｑをシリコンウェハー上にスピン
コードし、１７０℃で窒素雰囲気中で３０分間にわたっ
てグレペークしｆｃａ次いで、加速電圧２０ Ｋ＠Ｖの
電子ビーム露光を施し、そしてアセトンで３０秒間にわ
たって現像した。感度４ Ｘ １０−５Ｃ／ｃＩＩで、
高度のＷ＃像度を有する４）型レジストパターンが得ら
れた。
体（共重合比−７：３）を合成し、これにｐ−アジドス
ルホニル安息香酸を付加させて架橋基含有ポＩＪ−ｒ−
を得た０次に、４リスチレン（ｍｙ−１ｘ１０）と１５
１［量−の前記架橋基含有ポリマーとを混合し、メチル
セロソルブアセテ−） （ＭＣＡ ） Ｋ溶解しテ１０
］１［ｆ％ＭＣＡ溶１［トＬ、Ｉジ型レノスト溶液を得
た。このレジストＩ６Ｑをシリコンウェハー上にスピン
コードし、１７０℃で窒素雰囲気中で３０分間にわたっ
てグレペークしｆｃａ次いで、加速電圧２０ Ｋ＠Ｖの
電子ビーム露光を施し、そしてアセトンで３０秒間にわ
たって現像した。感度４ Ｘ １０−５Ｃ／ｃＩＩで、
高度のＷ＃像度を有する４）型レジストパターンが得ら
れた。
ＣＨＦ、にょろりアクティブイオンエツチングでの耐ド
ライエ、チング性は、−リメチルメタクリレートの１０
倍であった。
ライエ、チング性は、−リメチルメタクリレートの１０
倍であった。
例２：
ｎ−ブチルメタクリレート−ヒドロキシエチルメタクリ
レート共重合体（共重合比−７：３、Ｍｗ−２，５Ｘ
１０ ）を常法によう合成した。この共重合体にｐ−
アジド安息香＃！を付加させて架橋基含有ポリマーを得
た。次に１ポリスチレン（Ｍｖ＝２Ｘ１０’）と１５１
１％の前記架橋基含有ポリｉ−とを混合し、メチルソル
プアセテート（ＭＣＡ ）に溶解して１０］ｋＪｉ％Ｍ
ＣＡ浴液とし、Ｉジ型レジスト溶液を得た。このレジス
ト浴液をシリコンウェハー上にスピンコードし、１７０
℃で６０分間にわたってグレペークし喪。次いで、加速
電圧２０ Ｋ＠Ｖの電子ビーム露光を施し、そしてメチ
ルエチルケトンで３０秒間にわたって現像した。 ５ｘ
ｌ ＯＣ７；ｄＣ）感度が得られた。解像度及び耐ドラ
イエツチング性も良好であり次。
レート共重合体（共重合比−７：３、Ｍｗ−２，５Ｘ
１０ ）を常法によう合成した。この共重合体にｐ−
アジド安息香＃！を付加させて架橋基含有ポリマーを得
た。次に１ポリスチレン（Ｍｖ＝２Ｘ１０’）と１５１
１％の前記架橋基含有ポリｉ−とを混合し、メチルソル
プアセテート（ＭＣＡ ）に溶解して１０］ｋＪｉ％Ｍ
ＣＡ浴液とし、Ｉジ型レジスト溶液を得た。このレジス
ト浴液をシリコンウェハー上にスピンコードし、１７０
℃で６０分間にわたってグレペークし喪。次いで、加速
電圧２０ Ｋ＠Ｖの電子ビーム露光を施し、そしてメチ
ルエチルケトンで３０秒間にわたって現像した。 ５ｘ
ｌ ＯＣ７；ｄＣ）感度が得られた。解像度及び耐ドラ
イエツチング性も良好であり次。
例３：
ｎ−ブチルメタクリレート−アクリル酸クロリド共重合
体（共重合比−８：２、Ｍｗ ＝ ３．ＯＸｌ ０ ’
）を常法によシ合成し九（架橋基含有４リマー）。
体（共重合比−８：２、Ｍｗ ＝ ３．ＯＸｌ ０ ’
）を常法によシ合成し九（架橋基含有４リマー）。
これとは別に１スチレン−アクリル酸共重合体（共重合
比−８：２、Ｍｗ＝ ２．ＯＸ １０’ ）を常法によ
シ合成した（ホスト４リマー）。
比−８：２、Ｍｗ＝ ２．ＯＸ １０’ ）を常法によ
シ合成した（ホスト４リマー）。
先に合成したホス）／リマーと１５重量％の架橋基含有
４リマーとを混合し、メチルセロツルジアセテート（Ｍ
ＣＡ）Ｋｊｌｌ解して１２１１量％ＭＣＡ＃ｒ液とし、
ポジ型レジスト材料を得九。このＶシスト溶ａｔ−シリ
コンクエバー上にスピンコードシ、１７０℃で２０分間
にわたってグレペークした。
４リマーとを混合し、メチルセロツルジアセテート（Ｍ
ＣＡ）Ｋｊｌｌ解して１２１１量％ＭＣＡ＃ｒ液とし、
ポジ型レジスト材料を得九。このＶシスト溶ａｔ−シリ
コンクエバー上にスピンコードシ、１７０℃で２０分間
にわたってグレペークした。
次いで、加速電圧２０ Ｋ＠Ｖの電子ビーム露光を施し
、そしてメチルエチルケトンで３０秒間にわたって現像
した４１５．５ Ｘｉ Ｏ−’Ｃ／−の感度が得られた
。８８度及び耐ドライエ、チング性も良好であった・ 例４： ｎ−ブチルメタクリレート−アクリル酸クロリド−メタ
クリル酸共重合体（共１合比＝８．５：０．５：１）を
常法により合成した（ Ｍｖ−２，５Ｘ１０５の架橋基
含有ポリマー）。このポリｉ−とＩリスチレン（Ｍｙロ
ア、０Ｘ１０’）とｔ−３ニアの割合で混合し、次いで
メチルセロソルブアセテ−） （ＭＣＡ ） Ｋ溶解１
．、テ１０ Ｍ１９ｂ ｖ／スト溶液とした。これをシ
リコンウェハー上にスピンコード後、１７０℃で２０分
間！レペークし、次いで２０に・Ｖの電子ビーム無光を
施した。メチルエチルケトンで現偉し、７Ｘ１０−’Ｃ
／ｃ１１の感度を得た。解像度及び耐ドライエツチング
性も良好であった０ （７）発明の効果 本発明に従うと、従来のノ々ターン形成方法におけるよ
うに分′Ｓ型の？すＶ−を使用せず、しかも、架橋剤の
使用によシホス）／すｉ−の強化を計シかつその架橋剤
に感光剤としての働きをも付与しているので、従来にな
い耐ドライエツチング性の向上を達成することができる
。もちろん、良好な感度及び解像度を保証し得ることは
言うまでもない。
、そしてメチルエチルケトンで３０秒間にわたって現像
した４１５．５ Ｘｉ Ｏ−’Ｃ／−の感度が得られた
。８８度及び耐ドライエ、チング性も良好であった・ 例４： ｎ−ブチルメタクリレート−アクリル酸クロリド−メタ
クリル酸共重合体（共１合比＝８．５：０．５：１）を
常法により合成した（ Ｍｖ−２，５Ｘ１０５の架橋基
含有ポリマー）。このポリｉ−とＩリスチレン（Ｍｙロ
ア、０Ｘ１０’）とｔ−３ニアの割合で混合し、次いで
メチルセロソルブアセテ−） （ＭＣＡ ） Ｋ溶解１
．、テ１０ Ｍ１９ｂ ｖ／スト溶液とした。これをシ
リコンウェハー上にスピンコード後、１７０℃で２０分
間！レペークし、次いで２０に・Ｖの電子ビーム無光を
施した。メチルエチルケトンで現偉し、７Ｘ１０−’Ｃ
／ｃ１１の感度を得た。解像度及び耐ドライエツチング
性も良好であった０ （７）発明の効果 本発明に従うと、従来のノ々ターン形成方法におけるよ
うに分′Ｓ型の？すＶ−を使用せず、しかも、架橋剤の
使用によシホス）／すｉ−の強化を計シかつその架橋剤
に感光剤としての働きをも付与しているので、従来にな
い耐ドライエツチング性の向上を達成することができる
。もちろん、良好な感度及び解像度を保証し得ることは
言うまでもない。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士 西 舘 和 之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジストノ々ターンを形成するに当勺、 ホスト／サマーと、高エネルギー輻射縁の照射によシ分
所可能な、最低１００００の分子ｔを有している架橋基
含有／ ＩＪママ−を組み合わせて含んでなる／Ｘ）型
レジスト材料を使用することを特徴とするノｌターン形
成力法□ ２、前記ポジ型レノスト材料の層を基板上に形成し、 形成されたレジスト材料層のホストポリマーと架橋基含
有ポリマーとを熱架橋せしめて該レジスト材料層全体を
浴剤に不溶にならしめ、セして尚エネルギー暢射巌によ
シ所定のパターンを露光し、露光域の架橋基含有ポリマ
ーを分解せしめて襄光域を適当な溶剤で現偉し、そして
その領域内のレノスト材料を溶解除去すること、を含ん
でなる、特許請求の範囲第１項に記載の・ナターン形成
力法。 ３、前記架橋基含有ポリマーとの架橋反応に関与し得る
架橋基が前記ホストポリマーにも含まれている、特許請
求の範囲第１項又は第２項に記載のノｆターン形成力法
。 ４、前記架橋基含有＆ ＩＪママ−架橋反応がボストポ
リマーとは関与せず、架橋基含有ポリマー間でのみ架橋
反応が生じる、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載
のパターン形成力法。 ５、前記架橋基含有ポリマーが、前記ホストポリマーの
３ｋｉｔｔ−基準にして、１〜３０ｍｋ％の菫で存在し
ている、特ｆｆ＋ｎｌｋ求の範囲第１項〜第４項のいず
れか１項に記載のノやターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214813A JPS58116532A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214813A JPS58116532A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116532A true JPS58116532A (ja) | 1983-07-11 |
| JPH0262859B2 JPH0262859B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=16661941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56214813A Granted JPS58116532A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116532A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026337A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-09 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6029745A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6070442A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6073536A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60117244A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63291052A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133042A (en) * | 1979-04-04 | 1980-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS5664337A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Radiation resist material and radiation resist pattern forming method |
| JPS56128941A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Resin composition for positive type resist |
| JPS57161743A (en) * | 1981-03-12 | 1982-10-05 | Philips Nv | Method of applying resist pattern on substrate and resist material mixture |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56214813A patent/JPS58116532A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133042A (en) * | 1979-04-04 | 1980-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
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| JPS57161743A (en) * | 1981-03-12 | 1982-10-05 | Philips Nv | Method of applying resist pattern on substrate and resist material mixture |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0377988B2 (ja) * | 1983-07-28 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | |
| JPS6070442A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH0377989B2 (ja) * | 1983-09-28 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | |
| JPS6073536A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH0377990B2 (ja) * | 1983-09-30 | 1991-12-12 | Fujitsu Ltd | |
| JPS60117244A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63291052A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262859B2 (ja) | 1990-12-26 |
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